JP2551845B2 - 排他的論理和回路 - Google Patents

排他的論理和回路

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JP2551845B2
JP2551845B2 JP1127247A JP12724789A JP2551845B2 JP 2551845 B2 JP2551845 B2 JP 2551845B2 JP 1127247 A JP1127247 A JP 1127247A JP 12724789 A JP12724789 A JP 12724789A JP 2551845 B2 JP2551845 B2 JP 2551845B2
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博茂 平野
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、排他的論理和回路に関する。
(従来の技術) 最近の半導体集積回路装置は、高集積回路化において
目覚ましい発展を見せているが、その発展は構成する基
本回路の高集積化、高密度化に負うところが極めて大き
い。
従来の論理回路は、論理和の否定回路と論理積の出力
を入力とする論理和の否定回路との組み合わせを用いる
のが一般的である。
第6図は、従来の論理回路の一つの排他的論理和回路
(以下、EXOR回路と略す)を示し、CMOSトランジスタに
より各基本回路を組み合わせて構成されている。第6図
において、A,Bはそれぞれ入力信号、Cは出力信号であ
り、Qp01ないしQp05はPチャンネル型MOSトランジスタ
(以下、PMOSTと略す)である。Qn01ないしQn05はNチ
ャンネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSTと略す)であ
る。これらの回路を論理式で示すと、それぞれ次のよう
になる。
A.EXOR.B=(A.NOR.B).NOR.(A.AND.B) と示すことができる。
(発明が解決しようとする課題) 前記従来のように、NOR基本回路、ANDとNORの2つの
基本回路を組み合わせてEXOR回路を構成しているため、
NOR基本回路がPMOST,NMOSTをそれぞれ2個ずつ、ANDとN
ORの組み合わせ基本回路がPMOST,NMOSTをそれぞれ3個
ずつ必要で、EXOR回路を構成するためにPMOST,NMOSTを
それぞれ5個ずつ計10個必要とするので、そのためチッ
プ面積もそれだけ広く必要となって、半導体集積回路装
置の高密度化にとって不利な構成であった。
本発明は、上記の従来の課題を解決するものであり、
PMOST,NMOST数を減らした、EXOR回路を提供することを
目的とするものである。
(課題を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために、第1のPチャン
ネル型MOSトランジスタ(以下、第1のPMOSTのように略
記する、以下同様)のドレインと第1のNチャンネル型
MOSトランジスタ(以下、第1のNMOSTのように略記す
る、以下同様)のドレインとが接続され、第2のPMOST
のドレインと第3のPMOSTのドレインと第2のNMOSTのド
レインと第4のNMOSTのソースが接続され、第2のNMOST
のソースと第3のNMOSTのドレインが接続され、第1のN
MOSTのドレインと第4のNMOSTのゲートが接続され、第
1の入力信号が、第1のPMOSTのゲートと第1のNMOSTの
ゲートと第2のPMOSTのゲートと第2のNMOSTをゲートと
第3のPMOSTのソースと第4のNMOSTのドレインに印加さ
れ、第2の入力信号が第3のPMOSTのゲートと第3のNMO
STのゲートと第2のPMOSTのソースに印加され、第2のN
MOSTのドレイン側から出力信号を取り出す。
(作 用) 本発明によれば、上記(1)の場合はPMOSTが3個,NM
OSTが4個の合計7個のトランジスタでEXOR回路を構成
することができる。
(実施例) 第1図は本発明の一実施例におけるEXOR回路を示すも
のである。図においてA,Bは入力信号、CはEXOR回路の
出力信号、Qp21〜Qp23はPMOST,Qn21〜Qn24はNMOSTであ
る。
次に動作について説明する。第1図において、入力信
号A,BがともにLレベルの時、NMOSTQn21がオフ、PMOSTQ
p21がオン、NMOSTQn24がオン、NMOSTQn22,Qn23がオフ、
PMOSTQp22,Qp23がオンとなり、出力信号CはLレベルに
なる。また、入力信号AがLレベル、入力信号BがHレ
ベルの時、NMOSTQn21がオフ、PMOSTQp21がオン、NMOSTQ
n24がオン、NMOSTQn22がオフ、NMOSTQn23がオン、PMOST
Qp22がオン、PMOSTQp23がオフとなり、出力信号CはH
レベルになる。また、入力信号AがHレベル、入力信号
BがLレベルの時、NMOSTQn21がオン、PMOSTQp21がオ
フ、NMOSTQn24がオフ、NMOSTQn22がオン、NMOSTQn23が
オフ、PMOSTQp22がオフ、PMOSTQp23がオンとなり、出力
信号CはHレベルとなる。また、入力信号A,Bがともに
Hレベルの時、NMOSTQn21がオフ、PMOSTQp21がオン、NM
OSTQn24がオン、NMOSTQn22,Qn23がオン、PMOSTQp22,Qp2
3がオフとなり、出力信号CはLレベルになる。
本実施例の特徴はインバータを構成するPMOSTQp21とN
MOSTQn21およびインバータの出力からの信号をゲートに
受け入れるNMOSTQn24を設けたところにある。なお、イ
ンバータを構成するPMOSTQp21,NMOSTQn21と、NMOSTQn24
が存在しない回路構成としてはたとえば特開昭49−1895
7号公報の第2図〜第4図に示唆されておりその基本回
路構成を第5図に示す。
第2図〜第4図はそれぞれ第5図に示した回路を基本
として排他的論理和回路を構成した実施例を示す。
まず第2図において、入力信号A,BがともにLレベル
の時、NMOSTQn32,Qn31がオフ、PMOSTQp32,Qp31がオン、
NMOSTQn33がオン、PMOSTQp33がオフとなり、出力信号C
はLレベルになる。また、入力信号AがLレベル、入力
信号BがHレベル時、NMOSTQn32がオン、NMOSTQn31がオ
フ、PMOSTQp32がオフ、PMOSTQp31がオン、NMOSTQn33が
オフ、PMOSTQp33がオンとなり、出力信号CはHレベル
になる。また、入力信号AがHレベル、入力信号BがL
レベルの時、NMOSTQn32がオフ、NMOSTQn31がオン、PMOS
TQp32がオン、PMOSTQp31がオフ、NMOSQn33がオフ、PMOS
TQp33がオンとなり、出力信号CはHレベルとなる。ま
た、入力信号A,BがともにHレベルの時、NMOSTQn32,31
がオン、PMOSTQp32,Qp31がオフ、NMOSTQn33がオン、PMO
STQp33がオフとなり、出力信号CはLレベルになる。
この構成においては、PMOSTQp33とNMOSTQn33から構成
されたインバータを設けたので、AおよびBの両方の入
力がHレベル時、出力信号Cを0Vに近いLレベルまで引
き込むことができる。
次に第3図において、入力信号A,BがともにLレベル
時、NMOSTQn41がオフ、PMOSTQp41がオン、NMOSTQn43が
オン、NMOSTQn42がオフ、PMOSTQp43がオフ、PMOSTQp42
がオンとなり、出力信号CはLレベルになる。また、入
力信号AがLレベル、入力信号BがHレベルの時、NMOS
TQn41がオン、PMOSTQp41がオン、NMOSTQn42,Qn43がオ
ン、PMOSTQp42,Qp43がオフとなり、出力信号CはHレベ
ルになる。また、入力信号AがHレベル、入力信号Bが
Lレベルの時、NMOSTQn41がオン、PMOSTQp41がオフ、NM
OSTQn42,Qp43がオフ、PMOSTQp42,Qp43がオンとなり、出
力信号CはHレベルとなる。入力信号A,BがともにHレ
ベルの時、NMOSTQn41がオン、PMOSTQp41がオフ、NMOSTQ
n42がオン、NMOSTQn43がオフ、PMOSTQp43がオン、PMOST
Qp42がオフとなり、出力信号CはLレベルになる。
本実施例では、入力信号AがLレベル、入力信号Bが
Hレベルの時、出力信号CのHレベルがPMOSTQp42また
はQp43のゲート電圧からしきい値電圧(約0.7V)だけ低
くなるという不都合が存在するが、その他の組み合わせ
においては特に問題にはならない。
次に第4図において、入力信号A,BがともにLレベル
の時、NMOSTQn51がオフ、PMOSTQp51がオン、NMOSTQn52
がオン、NMOSTQn53がオフ、PMOSTQp52がオフ、PMOSTQp5
3がオン、NMOSTQn54がオン、PMOSTQp54がオフとなり、
出力信号CはLレベルになる。また、入力信号AがLレ
ベル、入力信号BがHレベルの時、NMOSTQn51がオフ、P
MOSTQp51がオン、NMOSTQn52,Qn53がオン、PMOSTQp52,Qp
53がオフ、NMOSTQn54がオン、PMOSTQp54がオフとなり、
出力信号CはHレベルになる。また、入力信号AがHレ
ベル、入力信号BがLレベルの時、NMOSTQn51がオン、P
MOSTQp51がオフ、NMOSTQn52,Qn53がオフ、PMOSTQp52,Qp
53がオン、NMOSTQn54がオン、PMOSTQp54がオフとなり、
出力信号CはHレベルとなる。また、入力信号A,Bがと
もにHレベルの時、NMOSTQn51がオン、PMOSTQp51がオ
フ、NMOSTQn52がオン、NMOSTQn53がオン、PMOSTQp52が
オン、PMOSTQp53がオフ、NMOSTQn54がオン、PMOSTQp54
がオフとなり、出力信号CはLレベルになる。
本実施例は、第5図に示したEXOR回路の改良をはかっ
たものである。すなわち、第5図において、入力信号A
およびBがともにLレベルの時、出力信号CはQp11また
はQp12のゲート電圧よりもしきい値電圧分(約0.7V)だ
け高くなるので、十分に低いLレベル(0V)にならない
という不都合が生じる。そこで、本発明では、Qp54およ
びQn54からなるインバータ回路を介在させて波形整形を
行い、そのレベルがほぼ0Vになるようにしている。
(発明の効果) 本発明の上記各実施例から明らかなように、EXOR回路
は少ないMOSトランジスタ数で構成できるので高集積
化、高密度化が可能であるとともに、十分に高いHレベ
ルまたは十分に低いLレベルに設定するとができるので
動作の安定性が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例における排他的論理和回路を
示す回路図、第2図〜第4図は排他的論理和回路の例を
示す図、第5図および第6図は従来の排他的論理和回路
を示す図である。 A……第1の入力信号、B……第2の入力信号、C……
(論理)出力信号、 Qp01〜Qp54……Pチャンネル型MOSトランジスタ(PMOS
T)、 Qp01〜Qn54……Nチャンネル型MOSトランジスタ(NMOS
T)。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のPチャンネル型MOSトランジスタ
    (以下、第1のPMOSTのように略記する、以下同様)の
    ドレインと第1のNチャンネル型MOSトランジスタ(以
    下、第1のNMOSTのように略記する、以下同様)のドレ
    インが接続され、第2のPMOSTのドレインと第3のPMOST
    のドレインと第2のNMOSTのドレインと第4のNMOSTのソ
    ースが接続され、第2のNMOSTのソースと第3のNMOSTの
    ドレインが接続され、第1のNMOSTのドレインと第4のN
    MOSTのゲートが接続され、第1の入力信号が、第1のPM
    OSTのゲートと第1のNMOSTのゲートと第2のPMOSTのゲ
    ートと第2のNMOSTのゲートと第3のPMOSTのソースと第
    4のNMOSTのドレインに印加され、第2の入力信号が第
    3のPMOSTのゲートと第3のNMOSTのゲートと第2のPMOS
    Tのソースに印加され、第2のNMOSTのドレイン側から出
    力信号を取り出すことを特徴とする排他的論理和回路。
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