JP2547032B2 - 水素化非晶質Ｃ−Ｓｉ膜の形成方法 - Google Patents
水素化非晶質Ｃ−Ｓｉ膜の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 分解効率の異なる炭素原子含有ガスとシリコン原子含
有ガスを含む材料ガスをプラズマ化し分解して生成した
活性種により基体上に水素化非晶質Ｃ−Siを成膜する方
法に関し、 機械的強度が強く絶縁性、耐湿性に優れた水素化非晶
質Ｃ−Si膜が得られるようにすることを目的とし、 真空容器内に導入されるシリコン原子含有ガス、炭素
原子含有ガス、及び水素の材料ガスをプラズマ化し分解
して生成した活性種により、前記真空容器内に配置した
基体上に水素化非晶質Ｃ−Si膜を成膜する水素化非晶質
Ｃ−Si膜の形成方法において、材料ガスをプラズマ化す
るための２種類のプラズマ分解室を設け、一方の該プラ
ズマ分解室には高周波電力を印加するとともに化学的に
より活性なシリコン原子含有ガスを導入し、他方の該プ
ラズマ分解室にはマイクロ波電力を印加するとともによ
り分解しにくい炭素原子含有ガスを導入して成膜を行う
ように構成する。
有ガスを含む材料ガスをプラズマ化し分解して生成した
活性種により基体上に水素化非晶質Ｃ−Siを成膜する方
法に関し、 機械的強度が強く絶縁性、耐湿性に優れた水素化非晶
質Ｃ−Si膜が得られるようにすることを目的とし、 真空容器内に導入されるシリコン原子含有ガス、炭素
原子含有ガス、及び水素の材料ガスをプラズマ化し分解
して生成した活性種により、前記真空容器内に配置した
基体上に水素化非晶質Ｃ−Si膜を成膜する水素化非晶質
Ｃ−Si膜の形成方法において、材料ガスをプラズマ化す
るための２種類のプラズマ分解室を設け、一方の該プラ
ズマ分解室には高周波電力を印加するとともに化学的に
より活性なシリコン原子含有ガスを導入し、他方の該プ
ラズマ分解室にはマイクロ波電力を印加するとともによ
り分解しにくい炭素原子含有ガスを導入して成膜を行う
ように構成する。
本発明は分解効率の異なる炭素原子含有ガスとシリコ
ン原子含有ガスを含む材料ガスをプラズマ化し分解して
生成した活性種により基体上に水素化非晶質Ｃ−Siを成
膜する水素化非晶質Ｃ−Si膜の形成方法に関する。
ン原子含有ガスを含む材料ガスをプラズマ化し分解して
生成した活性種により基体上に水素化非晶質Ｃ−Siを成
膜する水素化非晶質Ｃ−Si膜の形成方法に関する。
第４図は従来の水素化非晶質Ｃ−Si（以下、ａ−SiC:
Hと略記する）膜形成装置の基本構成図で、図中、１は
真空容器、２は基体ホルダ、３は放電電極、４は高周波
（以下、RFと略記する）電源、100Aは板状基体である。
基体ホルダ２は、真空容器１内に設けられてヒータ５を
内蔵している。基体100Aは基体ホルダ２の下面に固定し
て配置され、該基体100A上への成膜は次の手順で行われ
る。
Hと略記する）膜形成装置の基本構成図で、図中、１は
真空容器、２は基体ホルダ、３は放電電極、４は高周波
（以下、RFと略記する）電源、100Aは板状基体である。
基体ホルダ２は、真空容器１内に設けられてヒータ５を
内蔵している。基体100Aは基体ホルダ２の下面に固定し
て配置され、該基体100A上への成膜は次の手順で行われ
る。
成膜に際しては、排気バルブ６を通して真空容器１内
を真空に排気し、その後ヒータ５により基体100Aを所定
温度に加熱しておいてガス導入バルブ7,8,9,10を開いて
放電電極３内に、CH4等の炭素原子含有ガス、SiH4等の
シリコン原子含有ガス、及び水素の各材料ガスを同時に
導入して該放電電極３に設けられた穴3aより吹き出させ
る。この状態でRF電源４を用いて基体ホルダ２と放電電
極３の間にプラズマを発生させて材料ガスを分解し、こ
れにより生成される活性種により成膜が行われる。
を真空に排気し、その後ヒータ５により基体100Aを所定
温度に加熱しておいてガス導入バルブ7,8,9,10を開いて
放電電極３内に、CH4等の炭素原子含有ガス、SiH4等の
シリコン原子含有ガス、及び水素の各材料ガスを同時に
導入して該放電電極３に設けられた穴3aより吹き出させ
る。この状態でRF電源４を用いて基体ホルダ２と放電電
極３の間にプラズマを発生させて材料ガスを分解し、こ
れにより生成される活性種により成膜が行われる。
このような従来の成膜方法では、SiH4等のシリコン原
子含有ガスとCH4等の炭素含有ガスの分解効率が異なる
ことが多く、しかもこれらの両ガスを分解する最適条件
が大きくずれるため、特に炭素含有量の多い膜において
膜中に３配位のグラファイト状の炭素やCH2,CH3結合が
増大し、その結果、形成したａ−SiC:H膜は緻密性に欠
けて機械的強度が弱くかつ絶縁が不良であるといった問
題や、ａ−SiC:H膜を表面保護層に用いた場合に十分な
耐湿特性が得られない等の問題が生じていた。
子含有ガスとCH4等の炭素含有ガスの分解効率が異なる
ことが多く、しかもこれらの両ガスを分解する最適条件
が大きくずれるため、特に炭素含有量の多い膜において
膜中に３配位のグラファイト状の炭素やCH2,CH3結合が
増大し、その結果、形成したａ−SiC:H膜は緻密性に欠
けて機械的強度が弱くかつ絶縁が不良であるといった問
題や、ａ−SiC:H膜を表面保護層に用いた場合に十分な
耐湿特性が得られない等の問題が生じていた。
本発明は機械的強度が強く絶縁性、耐湿性に優れたａ
−SiC:H膜を得ることのできる水素化非晶質Ｃ−Si膜の
形成方法を提供することを目的とする。
−SiC:H膜を得ることのできる水素化非晶質Ｃ−Si膜の
形成方法を提供することを目的とする。
本発明に係る水素化非晶質Ｃ−Si膜の形成方法は、真
空容器内に導入されるシリコン原子含有ガス、炭素原子
含有ガス、及び水素の材料ガスをプラズマ化し分解して
生成した活性種により、前記真空容器内に配置した基体
上に水素化非晶質Ｃ−Siを成膜する水素化非晶質Ｃ−Si
膜の形成方法において、材料ガスをプラズマ化するため
の２種類のプラズマ分解室を設け、一方の該プラズマ分
解室には高周波電力を印加するとともに化学的により活
性なシリコン原子含有ガスを導入し、他方の該プラズマ
分解室にはマイクロ波電力を印加するとともにより分解
しにくい炭素原子含有ガスを導入し成膜を行うように構
成される。
空容器内に導入されるシリコン原子含有ガス、炭素原子
含有ガス、及び水素の材料ガスをプラズマ化し分解して
生成した活性種により、前記真空容器内に配置した基体
上に水素化非晶質Ｃ−Siを成膜する水素化非晶質Ｃ−Si
膜の形成方法において、材料ガスをプラズマ化するため
の２種類のプラズマ分解室を設け、一方の該プラズマ分
解室には高周波電力を印加するとともに化学的により活
性なシリコン原子含有ガスを導入し、他方の該プラズマ
分解室にはマイクロ波電力を印加するとともにより分解
しにくい炭素原子含有ガスを導入し成膜を行うように構
成される。
分解効率の異なる２種類のガスを別々のプラズマ分解
室で分解するようになっており、しかもより分解しにく
い炭素原子含有ガスを分解するプラズマ分解室にはマイ
クロ波電力が印加されるとともに、シリコン原子含有ガ
スを分解するプラズマ分解室には高周波電力が印加され
るため、それぞれのガスに適した条件で分解を行うこと
ができ、グラファイト成分の炭素を含まずCH2,CH3結合
の少ない緻密なａ−SiC:Hの薄膜を形成することができ
る。
室で分解するようになっており、しかもより分解しにく
い炭素原子含有ガスを分解するプラズマ分解室にはマイ
クロ波電力が印加されるとともに、シリコン原子含有ガ
スを分解するプラズマ分解室には高周波電力が印加され
るため、それぞれのガスに適した条件で分解を行うこと
ができ、グラファイト成分の炭素を含まずCH2,CH3結合
の少ない緻密なａ−SiC:Hの薄膜を形成することができ
る。
以下、第１図乃至第３図に関連して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
第１図及び第２図に１の実施例を示す。本実施例は、
板状基体100Aを処理するためのものである。
板状基体100Aを処理するためのものである。
第１図は本発明を適用するａ−SiC:H膜形成装置の基
本構成図で、図中、11は真空容器、12は基体ホルダ、1
3,14はプラズマ分解室、15はマイクロ波（以下μ波と略
記する）電源、16はRF電源である。
本構成図で、図中、11は真空容器、12は基体ホルダ、1
3,14はプラズマ分解室、15はマイクロ波（以下μ波と略
記する）電源、16はRF電源である。
基体ホルダ12は、真空容器１内に設けられ、モータ17
により駆動されて回転するようになっている。基体ホル
ダ12にはヒータ18が内蔵されている。19は基体ホルダ12
に接続する基体バイアス電源である。
により駆動されて回転するようになっている。基体ホル
ダ12にはヒータ18が内蔵されている。19は基体ホルダ12
に接続する基体バイアス電源である。
プラズマ分解室13,14は真空容器11内に並設され、プ
ラズマ分解室13は導波管15aを介しμ波電源15に、プラ
ズマ分解室14はRF電源16にそれぞれ接続されている。
ラズマ分解室13は導波管15aを介しμ波電源15に、プラ
ズマ分解室14はRF電源16にそれぞれ接続されている。
基体100Aは基体ホルダ12の下面に固定され、該基体10
0A上への成膜は次の手順により行われる。
0A上への成膜は次の手順により行われる。
成膜に際しては、まず排気バルブ20を開いて図示しな
い吸引手段により真空容器11内を所定の真空度に達する
まで排気するとともに、ヒータ18により基体温度を350
℃に保ち、モータ17により基体ホルダ12を回転させる。
次に、シャッタ21,22を閉じ、ガス導入バルブ23からSi2
H6等のシリコン原子含有ガス1.0sccmをプラズマ分解室1
4内に導入するとともに、ガス導入バルブ24,25からそれ
ぞれ水素100sccm、CH4等の炭素原子含有ガス5.0sccmを
プラズマ分解室13内に導入し、排気バルブ20を真空容器
11内の圧力が0.5torrになるように調整する。この状態
で、プラズマ分解室14にはRF電力5Wを、プラズマ分解室
13にはμ波電力200Wをそれぞれ印加し、それぞれのプラ
ズマを発生させた後、シャッタ21,22を開く。これによ
り、基体100A上にはａ−SiC:H膜が形成される。
い吸引手段により真空容器11内を所定の真空度に達する
まで排気するとともに、ヒータ18により基体温度を350
℃に保ち、モータ17により基体ホルダ12を回転させる。
次に、シャッタ21,22を閉じ、ガス導入バルブ23からSi2
H6等のシリコン原子含有ガス1.0sccmをプラズマ分解室1
4内に導入するとともに、ガス導入バルブ24,25からそれ
ぞれ水素100sccm、CH4等の炭素原子含有ガス5.0sccmを
プラズマ分解室13内に導入し、排気バルブ20を真空容器
11内の圧力が0.5torrになるように調整する。この状態
で、プラズマ分解室14にはRF電力5Wを、プラズマ分解室
13にはμ波電力200Wをそれぞれ印加し、それぞれのプラ
ズマを発生させた後、シャッタ21,22を開く。これによ
り、基体100A上にはａ−SiC:H膜が形成される。
このような手順により成膜を行った結果、比抵抗が5.
1×1014Ω・cm、光学バンドギャップが3.0eV、炭素含有
率〔C/（Ｃ＋Si）〕が0.63で、しかも炭素と水素の結合
はCHが主体でかつ炭素と結合した水素量が8.1at％と少
ない膜が得られた。また、膜のビッカース硬度は3900と
硬く、第２図に示したＸ線光電子分光法（XPS）によるC
ISからのプラズモン損失スペクトルの分離波形で明らか
なように、28eV付近の３配位のグラファイト状炭素がな
い良質のａ−SiC:H膜が得られた。これは、分解効率の
異なるガスを別々に分解するために２つのプラズマ分解
室が使用され、しかもより分解しにくい炭素原子含有ガ
スと水素ガスとを分解するプラズマ室13にはμ波電力が
印加されるとともに、シリコン原子含有ガスを分解する
プラズマ室14にはRF電力が印加されるようになってい
て、それぞれのガスに適した条件で分解が行われること
によるものである。
1×1014Ω・cm、光学バンドギャップが3.0eV、炭素含有
率〔C/（Ｃ＋Si）〕が0.63で、しかも炭素と水素の結合
はCHが主体でかつ炭素と結合した水素量が8.1at％と少
ない膜が得られた。また、膜のビッカース硬度は3900と
硬く、第２図に示したＸ線光電子分光法（XPS）によるC
ISからのプラズモン損失スペクトルの分離波形で明らか
なように、28eV付近の３配位のグラファイト状炭素がな
い良質のａ−SiC:H膜が得られた。これは、分解効率の
異なるガスを別々に分解するために２つのプラズマ分解
室が使用され、しかもより分解しにくい炭素原子含有ガ
スと水素ガスとを分解するプラズマ室13にはμ波電力が
印加されるとともに、シリコン原子含有ガスを分解する
プラズマ室14にはRF電力が印加されるようになってい
て、それぞれのガスに適した条件で分解が行われること
によるものである。
上述の説明ではプラズマ分解室13に導入する炭素原子
含有ガスとしてCH4を用い、プラズマ分解室14に導入す
るシリコン原子含有ガスとしてSi2H6を用いる例につい
て述べたが、これらのガスとして次の各種のものを使用
することができる。
含有ガスとしてCH4を用い、プラズマ分解室14に導入す
るシリコン原子含有ガスとしてSi2H6を用いる例につい
て述べたが、これらのガスとして次の各種のものを使用
することができる。
プラズマ分解室13に導入する他の炭素原子含有ガス； C2H6,C3H8,n−ブタン,i−ブタン,1−ブテン,i−ブテ
ン,cis−２−ブテン,trans−２−ブテン,C2H4,C3H6,C3H
4,C2H2,CH3COCH3,CH3OH,C2H5OH,（CH3）3OH,（CH3）2O
H,C2H5OC2H5,CH3COOCH3,CH3CHO,CF4,CHF3,C2F6,CCl
4等。
ン,cis−２−ブテン,trans−２−ブテン,C2H4,C3H6,C3H
4,C2H2,CH3COCH3,CH3OH,C2H5OH,（CH3）3OH,（CH3）2O
H,C2H5OC2H5,CH3COOCH3,CH3CHO,CF4,CHF3,C2F6,CCl
4等。
プラズマ分解室14に導入する他のシリコン原子含有ガ
ス； SiH4,Si3H8,SiF2H2,SiH3H,SiH2Cl2,SiHCl3,SiCl4,Si
（CH3）H3,Si（CH3）2H2,Si2F2H4,Si2F3H3,Si2F4H2,Si2
F5H,Si2F6等。
ス； SiH4,Si3H8,SiF2H2,SiH3H,SiH2Cl2,SiHCl3,SiCl4,Si
（CH3）H3,Si（CH3）2H2,Si2F2H4,Si2F3H3,Si2F4H2,Si2
F5H,Si2F6等。
第３図に第２の実施例を示す。本実施例は、円筒状基
体上に感光層を形成して感光体を得るためのものであ
る。
体上に感光層を形成して感光体を得るためのものであ
る。
第３図（ａ）は本発明を適用するａ−SiC:H膜、ａ−S
i:H膜形成装置の基体構成を示す平面図、第３図（ｂ）
は同正面図で、図中、31は真空容器、100Bは真空容器31
内に配置されるアルミニウム等の円筒状基体である。
i:H膜形成装置の基体構成を示す平面図、第３図（ｂ）
は同正面図で、図中、31は真空容器、100Bは真空容器31
内に配置されるアルミニウム等の円筒状基体である。
この基体100B上に対する非晶質シリコン（以下、ａ−
Si:Hと略記する）感光層形成は次の手順で行われる。な
お、本例では、表面側からａ−SiC:H/i型ａ−Si:H/p型
ａ−Si:H/基体の構成で感光体を作製している。
Si:Hと略記する）感光層形成は次の手順で行われる。な
お、本例では、表面側からａ−SiC:H/i型ａ−Si:H/p型
ａ−Si:H/基体の構成で感光体を作製している。
まず、排気バルブ321,322を開いて真空容器31内を圧
力10-5torr以下に排気した後、モータ33により基体100B
を回転させるとともに、ヒータ34により基体温度が250
℃の一定値になるように加熱する。次に、ガス導入バル
ブ351,352を開いてSi2H6をそれぞれ50sccm流すととも
に、ガス導入バルブ361,362を開いてHe希釈100ppm B2H6
をそれぞれ60sccm流し、ガス導入口371,372よりプラズ
マ分解室381,382に導入する。この状態で排気バルブ3
21,322を調整して圧力を0.1torrにし、RF電力50Wで基体
100B上にｐ型ａ−Si:H膜を成長させる。39はRF電源であ
る。次に、所定時間経過後に、RF電源39の電力を０とす
るとともに、ガス導入バルブ351,352,361,362を閉じて
ガスを止め、排気バルブ322を全開にして排気した後、
ガス導入バルブ351,352を開いてSi2H6をそれぞれ50sccm
流すとともに、ガス導入バルブ361,362を開いてHe希釈1
00ppm B2H6をそれぞれ2sccm流し、ｐ型ａ−Si:H膜と同
様にｉ型ａ−Si:H膜を積層した後、RF電源39とガスを止
め、真空容器31内を排気する。最後に、ガス導入バルブ
351,352を開いてSiF4をそれぞれ3sccm流し、かつガス導
入バルブ401,402を開いて水素を150sccm流すとともに、
ガス導入バルブ411,412を開いてアセトンをそれぞれ9sc
cm流し、SiF4はガス導入口371,382からプラズマ分解室3
81,382に、水素及びアセトンはガス導入口421,422から
プラズマ分解室431,432にそれぞれ導入する。そして、
ガス圧を0.1torrに調整し、RF電力15W、μ波電力（プラ
ズマ分解室431,432に導波管44を介し接続するμ波電源4
5の電力）350Wでプラズマを発生させ、基板バイアス電
源46の電圧150Vを印加した基体100B上のｉ型ａ−Si:Hに
分解生成した活性種によりａ−SiC:H膜を積層し、これ
により、３層構成の感光層を備えた感光体（ａ−Si:H感
光ドラム）が得られた。
力10-5torr以下に排気した後、モータ33により基体100B
を回転させるとともに、ヒータ34により基体温度が250
℃の一定値になるように加熱する。次に、ガス導入バル
ブ351,352を開いてSi2H6をそれぞれ50sccm流すととも
に、ガス導入バルブ361,362を開いてHe希釈100ppm B2H6
をそれぞれ60sccm流し、ガス導入口371,372よりプラズ
マ分解室381,382に導入する。この状態で排気バルブ3
21,322を調整して圧力を0.1torrにし、RF電力50Wで基体
100B上にｐ型ａ−Si:H膜を成長させる。39はRF電源であ
る。次に、所定時間経過後に、RF電源39の電力を０とす
るとともに、ガス導入バルブ351,352,361,362を閉じて
ガスを止め、排気バルブ322を全開にして排気した後、
ガス導入バルブ351,352を開いてSi2H6をそれぞれ50sccm
流すとともに、ガス導入バルブ361,362を開いてHe希釈1
00ppm B2H6をそれぞれ2sccm流し、ｐ型ａ−Si:H膜と同
様にｉ型ａ−Si:H膜を積層した後、RF電源39とガスを止
め、真空容器31内を排気する。最後に、ガス導入バルブ
351,352を開いてSiF4をそれぞれ3sccm流し、かつガス導
入バルブ401,402を開いて水素を150sccm流すとともに、
ガス導入バルブ411,412を開いてアセトンをそれぞれ9sc
cm流し、SiF4はガス導入口371,382からプラズマ分解室3
81,382に、水素及びアセトンはガス導入口421,422から
プラズマ分解室431,432にそれぞれ導入する。そして、
ガス圧を0.1torrに調整し、RF電力15W、μ波電力（プラ
ズマ分解室431,432に導波管44を介し接続するμ波電源4
5の電力）350Wでプラズマを発生させ、基板バイアス電
源46の電圧150Vを印加した基体100B上のｉ型ａ−Si:Hに
分解生成した活性種によりａ−SiC:H膜を積層し、これ
により、３層構成の感光層を備えた感光体（ａ−Si:H感
光ドラム）が得られた。
なお、47はプラズマ分解室381,382内に設けられたア
ース側電極、48は基体ホルダである。
ース側電極、48は基体ホルダである。
このようにして作製されたａ−Si:H感光ドラムは、表
面保護層ａ−SiC:H中の炭素含有率〔C/（Si＋Ｃ）〕が
0.70と大きいにもかかわらず、通常の２重円筒電極のRF
プラズマCVD装置で作製したａ−Si:H感光ドラムに見ら
れるような帯電特性不良発生なしに＋650Vが得られ、耐
湿特性も優れている。
面保護層ａ−SiC:H中の炭素含有率〔C/（Si＋Ｃ）〕が
0.70と大きいにもかかわらず、通常の２重円筒電極のRF
プラズマCVD装置で作製したａ−Si:H感光ドラムに見ら
れるような帯電特性不良発生なしに＋650Vが得られ、耐
湿特性も優れている。
また、この表面保護層に用いたａ−SiC:Hと同一条件
で堆積したａ−SiC:H単層膜を評価した結果、ビッカス
硬度3400と硬く、光学バンドギャップ3.0eV、比抵抗5.8
×1014Ω・cmで、炭素と水素の結合状態もCHが主であ
り、良質のａ−SiC:H膜が得られることが明らかとなっ
た。
で堆積したａ−SiC:H単層膜を評価した結果、ビッカス
硬度3400と硬く、光学バンドギャップ3.0eV、比抵抗5.8
×1014Ω・cmで、炭素と水素の結合状態もCHが主であ
り、良質のａ−SiC:H膜が得られることが明らかとなっ
た。
以上述べたように、本発明によれば、分解効率の異な
る２種類のガスを別々のプラズマ分解室で分解するよう
になっており、しかもより分解しにくい方の炭素原子含
有ガス用のプラズマ分解室にはμ波電力が印加されると
ともに、シリコン原子含有ガスを分解するプラズマ分解
室にはRF電力が印加されるため、それぞれのガスに適し
た条件で分解を行うことができ、次の各種の優れた効果
を得ることが可能になる。
る２種類のガスを別々のプラズマ分解室で分解するよう
になっており、しかもより分解しにくい方の炭素原子含
有ガス用のプラズマ分解室にはμ波電力が印加されると
ともに、シリコン原子含有ガスを分解するプラズマ分解
室にはRF電力が印加されるため、それぞれのガスに適し
た条件で分解を行うことができ、次の各種の優れた効果
を得ることが可能になる。
（１） 炭素含有量がシリコン含有量より少ない場合だ
けでなく、炭素含有量がシリコン含有量より多い場合に
も、CH2,CH3結合やグラファイト状炭素の少ない緻密な
膜が得られ、機械的強度を向上させることができる。
けでなく、炭素含有量がシリコン含有量より多い場合に
も、CH2,CH3結合やグラファイト状炭素の少ない緻密な
膜が得られ、機械的強度を向上させることができる。
（２） 絶縁性、耐湿性に優れたａ−SiC:H膜が得られ
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例のａ−SiC:H膜形成装置
の基本構成図、 第２図は同ａ−SiC:H膜のプラズモン損失スペクトル波
形図、 第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例のａ−Si
C:H膜,a−Si:H膜形成装置の基本構成図、 第４図は従来のａ−SiC:H膜形成装置の基本構成図で、 図中、 11は真空容器、 13,14,381,382,431,432はプラズマ分解室、 100A,100Bは基体である。
の基本構成図、 第２図は同ａ−SiC:H膜のプラズモン損失スペクトル波
形図、 第３図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施例のａ−Si
C:H膜,a−Si:H膜形成装置の基本構成図、 第４図は従来のａ−SiC:H膜形成装置の基本構成図で、 図中、 11は真空容器、 13,14,381,382,431,432はプラズマ分解室、 100A,100Bは基体である。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内に導入されるシリコン原子含有
ガス、炭素原子含有ガス、及び水素の材料ガスをプラズ
マ化し分解して生成した活性種により、前記真空容器内
に配置した基体上に水素化非晶質Ｃ−Siを成膜する水素
化非晶質Ｃ−Si膜の形成方法において、 材料ガスをプラズマ化するための２種類のプラズマ分解
室を設け、一方の該プラズマ分解室には高周波電力を印
加するとともに化学的により活性なシリコン原子含有ガ
スを導入し、他方の該プラズマ分解室にはマイクロ波電
力を印加するとともにより分解しにくい炭素原子含有ガ
スを導入して成膜を行うようにしたことを特徴とする水
素化非晶質Ｃ−Si膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187714A JP2547032B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 水素化非晶質Ｃ−Ｓｉ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62187714A JP2547032B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 水素化非晶質Ｃ−Ｓｉ膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431980A JPS6431980A (en) | 1989-02-02 |
| JP2547032B2 true JP2547032B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16210888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62187714A Expired - Fee Related JP2547032B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-07-29 | 水素化非晶質Ｃ−Ｓｉ膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2547032B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH05279737A (ja) * | 1991-06-04 | 1993-10-26 | Nippon Steel Corp | 鋼板材質予測装置 |
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6280269A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-13 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン膜生成装置 |
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| JPS62149116A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Canon Inc | 薄膜積層超格子構造物の製造方法 |
-
1987
- 1987-07-29 JP JP62187714A patent/JP2547032B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6431980A (en) | 1989-02-02 |
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