JP2802011B2 - 非晶質シリコン合金膜の形成方法 - Google Patents
非晶質シリコン合金膜の形成方法Info
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンゲルマニウム
（ＳｉＧｅ）及びシリコンカーバイト（ＳｉＣ）などの
非晶質シリコン合金膜をプラズマＣＶＤ法に従い形成す
る方法に関するものであり、特に２種以上の原料ガスを
周期的に流すことにより超薄膜を繰り返し形成して積層
し、厚膜化する形成方法に関するものである。
（ＳｉＧｅ）及びシリコンカーバイト（ＳｉＣ）などの
非晶質シリコン合金膜をプラズマＣＶＤ法に従い形成す
る方法に関するものであり、特に２種以上の原料ガスを
周期的に流すことにより超薄膜を繰り返し形成して積層
し、厚膜化する形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＧｅ及びＳｉＣなどの非晶質シリコ
ン合金半導体の薄膜を形成する方法として、原料ガスを
真空装置内に導入して、電界を印加しプラズマを発生さ
せ、このプラズマによって原料ガスを分解し、基板上に
半導体薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法が知られてい
る。このプラズマＣＶＤ法において、原料ガスは、一般
にシリコン合金の構成元素のガスを合金の組成比に応じ
て混合したものが用いられている。
ン合金半導体の薄膜を形成する方法として、原料ガスを
真空装置内に導入して、電界を印加しプラズマを発生さ
せ、このプラズマによって原料ガスを分解し、基板上に
半導体薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法が知られてい
る。このプラズマＣＶＤ法において、原料ガスは、一般
にシリコン合金の構成元素のガスを合金の組成比に応じ
て混合したものが用いられている。
【０００３】しかしながら、このような混合原料ガスを
用いる方法では、シリコン合金の組成比の制御には有効
であるが、良好な膜質の非晶質シリコン合金膜を形成す
ることが困難であった。このような非晶質シリコン合金
膜の膜質を向上させる方法として、混合原料ガスを用い
ずに、各構成元素の原料ガスを周期的に流し、各原料ガ
スに対応する超薄膜を形成し、この超薄膜を積層するこ
とによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法が提案
されている。
用いる方法では、シリコン合金の組成比の制御には有効
であるが、良好な膜質の非晶質シリコン合金膜を形成す
ることが困難であった。このような非晶質シリコン合金
膜の膜質を向上させる方法として、混合原料ガスを用い
ずに、各構成元素の原料ガスを周期的に流し、各原料ガ
スに対応する超薄膜を形成し、この超薄膜を積層するこ
とによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法が提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな超薄膜の積層による非晶質シリコン合金膜の形成方
法であっても、充分に高品質の非晶質シリコン合金膜を
形成できることができないという問題があった。本発明
の目的は、このような従来の問題点を解消し、構造欠陥
が少なく膜特性に優れた非晶質シリコン合金膜を形成す
る方法を提供することにある。
うな超薄膜の積層による非晶質シリコン合金膜の形成方
法であっても、充分に高品質の非晶質シリコン合金膜を
形成できることができないという問題があった。本発明
の目的は、このような従来の問題点を解消し、構造欠陥
が少なく膜特性に優れた非晶質シリコン合金膜を形成す
る方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に従う非晶質シリ
コン合金膜の形成方法は、２種以上の原料ガスを周期的
に流すことにより、該原料ガスに対応する超薄膜をプラ
ズマＣＶＤ法に従い繰り返し形成し、超薄膜を積層する
ことによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法であ
り、原料ガスの種類に応じて、該原料ガスの水素希釈率
及び薄膜形成表面への超音波印加の少なくとも一方を変
化させて、非晶質シリコン合金膜を形成することを特徴
としている。
コン合金膜の形成方法は、２種以上の原料ガスを周期的
に流すことにより、該原料ガスに対応する超薄膜をプラ
ズマＣＶＤ法に従い繰り返し形成し、超薄膜を積層する
ことによって非晶質シリコン合金膜を形成する方法であ
り、原料ガスの種類に応じて、該原料ガスの水素希釈率
及び薄膜形成表面への超音波印加の少なくとも一方を変
化させて、非晶質シリコン合金膜を形成することを特徴
としている。
【０００６】本発明によって形成される非晶質シリコン
合金膜は特に限定されるものではないが、例えば、Ｇｅ
を合金成分としたＳｉＧｅ、Ｃを合金成分としたＳｉＣ
がある。またＯ又はＮを合金成分とした非晶質シリコン
合金膜の形成にも適用することができる。
合金膜は特に限定されるものではないが、例えば、Ｇｅ
を合金成分としたＳｉＧｅ、Ｃを合金成分としたＳｉＣ
がある。またＯ又はＮを合金成分とした非晶質シリコン
合金膜の形成にも適用することができる。
【０００７】なお、本発明において形成される各超薄膜
の厚みは、従来から提案されている超薄膜積層による合
金膜の形成方法における超薄膜と同程度のものであり、
原子層のオーダの厚みである。
の厚みは、従来から提案されている超薄膜積層による合
金膜の形成方法における超薄膜と同程度のものであり、
原子層のオーダの厚みである。
【０００８】
【作用】本発明では、原料ガスの種類に応じて、該原料
ガスの水素希釈率及び／又は薄膜形成表面への超音波印
加を変化させて超薄膜を形成し、この超薄膜を積層する
ことによって非晶質シリコン合金膜を形成している。こ
のような水素希釈率及び超音波印加の変化により、薄膜
形成表面での水素の解離状態及びエネルギー状態を制御
し、各原料ガスに対応した超薄膜を最適な状態で形成
し、各超薄膜の膜質を向上させ、膜特性に優れた非晶質
シリコン合金膜を形成することができる。
ガスの水素希釈率及び／又は薄膜形成表面への超音波印
加を変化させて超薄膜を形成し、この超薄膜を積層する
ことによって非晶質シリコン合金膜を形成している。こ
のような水素希釈率及び超音波印加の変化により、薄膜
形成表面での水素の解離状態及びエネルギー状態を制御
し、各原料ガスに対応した超薄膜を最適な状態で形成
し、各超薄膜の膜質を向上させ、膜特性に優れた非晶質
シリコン合金膜を形成することができる。
【０００９】原料ガスを水素ガスで希釈する効果として
は、膜中に水素が入り過ぎるのを抑制する効果と、膜中
から水素が脱離するのを抑制する効果があるが、これら
の効果のいずれが働くかは、原料ガスの元素の種類及び
基板温度等で決まる。従って、本発明において原料ガス
の水素希釈率を変化させる場合には、このような原料ガ
スの元素の種類及び基板温度等の条件が考慮される。
は、膜中に水素が入り過ぎるのを抑制する効果と、膜中
から水素が脱離するのを抑制する効果があるが、これら
の効果のいずれが働くかは、原料ガスの元素の種類及び
基板温度等で決まる。従って、本発明において原料ガス
の水素希釈率を変化させる場合には、このような原料ガ
スの元素の種類及び基板温度等の条件が考慮される。
【００１０】また、本発明において薄膜形成表面への超
音波の印加は、薄膜形成表面におけるエネルギーを最適
化するためなされる。すなわち、このような薄膜形成表
面におけるエネルギーは、一般には基板温度を適当な温
度に制御することによって行うが、超薄膜を積層する方
法では、原料ガスが切り替わる周期が短く、基板温度を
このような周期に合わせて変化させることが不可能とな
る。本発明では、基板温度を変化させる代わりに、超音
波を印加することにより、薄膜形成表面におけるエネル
ギーを最適化させている。
音波の印加は、薄膜形成表面におけるエネルギーを最適
化するためなされる。すなわち、このような薄膜形成表
面におけるエネルギーは、一般には基板温度を適当な温
度に制御することによって行うが、超薄膜を積層する方
法では、原料ガスが切り替わる周期が短く、基板温度を
このような周期に合わせて変化させることが不可能とな
る。本発明では、基板温度を変化させる代わりに、超音
波を印加することにより、薄膜形成表面におけるエネル
ギーを最適化させている。
【００１１】原料ガスの水素希釈率及び超音波印加は、
上述のように原料ガスの元素の種類に固有のものではな
く、合金成分や基板温度等によって相対的に変わるもの
であり、合金成分や基板温度等の条件に応じて設定され
るものである。例えば、シリコンゲルマニウム合金膜
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜）を形成する場合、ＳｉＨX （Ｘ
は１〜３）ラジカルの寿命はＧｅＨX ラジカルに比べて
長く、ＧｅＨX ラジカルはその質量が重く動きにくい。
従って、ＧｅＨX ラジカルによりゲルマニウムの超薄膜
を形成する際には膜表面で大きな移動エネルギーを必要
とする。このため、ゲルマニウム超薄膜を形成する際に
超音波を印加するか、あるいはより大きなエネルギーの
超音波を印加することが好ましい。
上述のように原料ガスの元素の種類に固有のものではな
く、合金成分や基板温度等によって相対的に変わるもの
であり、合金成分や基板温度等の条件に応じて設定され
るものである。例えば、シリコンゲルマニウム合金膜
（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜）を形成する場合、ＳｉＨX （Ｘ
は１〜３）ラジカルの寿命はＧｅＨX ラジカルに比べて
長く、ＧｅＨX ラジカルはその質量が重く動きにくい。
従って、ＧｅＨX ラジカルによりゲルマニウムの超薄膜
を形成する際には膜表面で大きな移動エネルギーを必要
とする。このため、ゲルマニウム超薄膜を形成する際に
超音波を印加するか、あるいはより大きなエネルギーの
超音波を印加することが好ましい。
【００１２】また、ＧｅＨX ラジカルはＳｉＨX ラジカ
ルよりも水素解離し易いので、ゲルマニウム超薄膜を形
成する際に、原料ガスを水素希釈し、薄膜中からの水素
の脱離を抑制することが好ましい。
ルよりも水素解離し易いので、ゲルマニウム超薄膜を形
成する際に、原料ガスを水素希釈し、薄膜中からの水素
の脱離を抑制することが好ましい。
【００１３】またシリコンカーバイト膜（ａ−ＳｉＣ：
Ｈ膜）を形成する場合、ＣＨX ラジカルの寿命はＳｉＨ
X ラジカルに比べ長く、またカーボン超薄膜中には水素
が過剰に入る傾向がある。従って、この場合シリコン超
薄膜を形成する際に超音波を印加するかあるいはより大
きなエネルギーの超音波を印加し、これによってラジカ
ルをより安定な位置に移動させることが好ましい。また
カーボン超薄膜を形成する際には、原料ガスを水素ガス
で希釈することによって、膜中に水素が入り過ぎるのを
抑制することが好ましい。
Ｈ膜）を形成する場合、ＣＨX ラジカルの寿命はＳｉＨ
X ラジカルに比べ長く、またカーボン超薄膜中には水素
が過剰に入る傾向がある。従って、この場合シリコン超
薄膜を形成する際に超音波を印加するかあるいはより大
きなエネルギーの超音波を印加し、これによってラジカ
ルをより安定な位置に移動させることが好ましい。また
カーボン超薄膜を形成する際には、原料ガスを水素ガス
で希釈することによって、膜中に水素が入り過ぎるのを
抑制することが好ましい。
【００１４】以上のように、同じＳｉＨX ラジカルであ
っても、相手となる他の合金成分により、水素希釈率及
び超音波印加の条件が異なる。従って、本発明において
は、合金成分及び基板温度等を考慮して、水素希釈率及
び超音波印加の条件が設定される。
っても、相手となる他の合金成分により、水素希釈率及
び超音波印加の条件が異なる。従って、本発明において
は、合金成分及び基板温度等を考慮して、水素希釈率及
び超音波印加の条件が設定される。
【００１５】
【実施例の説明】実施例１ 本発明に従い、ガラス基板上にａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を形
成した。図１は、このときの各超薄膜の形成条件を示し
ている。図１に示すように、ＳｉＨ4 ガスを流す際に
は、水素希釈せず、かつ超音波を印加しないが、ＧｅＨ
4 ガスを流す際には、水素ガスで希釈し、超音波を印加
している。その他の条件については表１に示す。
成した。図１は、このときの各超薄膜の形成条件を示し
ている。図１に示すように、ＳｉＨ4 ガスを流す際に
は、水素希釈せず、かつ超音波を印加しないが、ＧｅＨ
4 ガスを流す際には、水素ガスで希釈し、超音波を印加
している。その他の条件については表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】以上のようにして得られたａ−ＳｉＧｅ：
Ｈ膜の膜特性を表２に示す。なお、比較として、従来の
混合ガス法によりａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を作製した（比較
例１）。この比較例１の膜特性を同様に表２に示す。な
お、この比較例１の膜形成条件は、ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃ
ｍ、ＧｅＨ4 ２ｓｃｃｍ、Ｈ2 ３０ｓｃｃｍ、基板温度
２００℃、高周波電力２０Ｗ、反応圧力２０Ｐａとし
た。
Ｈ膜の膜特性を表２に示す。なお、比較として、従来の
混合ガス法によりａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を作製した（比較
例１）。この比較例１の膜特性を同様に表２に示す。な
お、この比較例１の膜形成条件は、ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃ
ｍ、ＧｅＨ4 ２ｓｃｃｍ、Ｈ2 ３０ｓｃｃｍ、基板温度
２００℃、高周波電力２０Ｗ、反応圧力２０Ｐａとし
た。
【００１８】
【表２】
【００１９】表２に示されるように、本発明に従う実施
例１では、膜特性に優れた非晶質シリコンゲルマニウム
合金膜が得られる。
例１では、膜特性に優れた非晶質シリコンゲルマニウム
合金膜が得られる。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様の非晶質シリコンゲルマニウム合金膜を
光活性層として有する太陽電池を形成した。ガラス基板
上の透明導電膜（５０００Å）の上に、プラズマＣＶＤ
法により、ｐ層としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成し、さら
にその上にバッファー層としてのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形
成し、このバッファー層の上に実施例１と同じ条件でｉ
層としてのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を形成した。このａ−Ｓ
ｉＧｅ：Ｈ膜の上に、ｎ層としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形
成した。ｐ層及びｎ層の形成条件は表３に示す通りであ
る。
光活性層として有する太陽電池を形成した。ガラス基板
上の透明導電膜（５０００Å）の上に、プラズマＣＶＤ
法により、ｐ層としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形成し、さら
にその上にバッファー層としてのａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形
成し、このバッファー層の上に実施例１と同じ条件でｉ
層としてのａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を形成した。このａ−Ｓ
ｉＧｅ：Ｈ膜の上に、ｎ層としてのａ−Ｓｉ：Ｈ膜を形
成した。ｐ層及びｎ層の形成条件は表３に示す通りであ
る。
【００２１】
【表３】
【００２２】また、比較として、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を
上記の比較例１と同様にして形成し、その他は上記実施
例２と同様にした太陽電池を作製した（比較例２）。こ
の実施例２及び比較例２の各太陽電池について電流電圧
特性を測定し、図３に示した。図３から明らかなよう
に、本発明に従い形成したａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を有する
太陽電池は、従来の太陽電池である比較例２に比べ、優
れた発電特性を示している。
上記の比較例１と同様にして形成し、その他は上記実施
例２と同様にした太陽電池を作製した（比較例２）。こ
の実施例２及び比較例２の各太陽電池について電流電圧
特性を測定し、図３に示した。図３から明らかなよう
に、本発明に従い形成したａ−ＳｉＧｅ：Ｈ膜を有する
太陽電池は、従来の太陽電池である比較例２に比べ、優
れた発電特性を示している。
【００２３】実施例３ ガラス基板上に、本発明に従いａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を形成
した。基板温度は３００℃とし、図２に示す形成条件で
各超薄膜を形成した。図２に示されるようにＳｉＨ4 ガ
スを流す際に超音波を印加し、ＣＨ4 ガスを流す際に水
素希釈を行っている。その他の条件を表４に示す。
した。基板温度は３００℃とし、図２に示す形成条件で
各超薄膜を形成した。図２に示されるようにＳｉＨ4 ガ
スを流す際に超音波を印加し、ＣＨ4 ガスを流す際に水
素希釈を行っている。その他の条件を表４に示す。
【００２４】
【表４】
【００２５】なお、この実施例では、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を
通常よりやや成長速度の早い条件で形成しており、これ
を補うため超音波を印加している。このようにして得ら
れたａ−ＳｉＣ：Ｈ膜の膜特性を表５に示す。また、比
較として従来の混合ガス法によりａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を作
製した（比較例３）。なお、この比較例３の膜形成条件
は、ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ５ｓｃｃｍ、Ｈ 2 ５
０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、高周波電力１００Ｗ、
反応圧力５０Ｐａである。
通常よりやや成長速度の早い条件で形成しており、これ
を補うため超音波を印加している。このようにして得ら
れたａ−ＳｉＣ：Ｈ膜の膜特性を表５に示す。また、比
較として従来の混合ガス法によりａ−ＳｉＣ：Ｈ膜を作
製した（比較例３）。なお、この比較例３の膜形成条件
は、ＳｉＨ4 ２０ｓｃｃｍ、ＣＨ4 ５ｓｃｃｍ、Ｈ 2 ５
０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、高周波電力１００Ｗ、
反応圧力５０Ｐａである。
【００２６】
【表５】
【００２７】表５から明らかなように、本発明に従い形
成されたａ−ＳｉＣ：Ｈ膜は、膜特性において優れてい
る。
成されたａ−ＳｉＣ：Ｈ膜は、膜特性において優れてい
る。
【００２８】
【発明の効果】本発明に従えば、原料ガスの種類に応じ
て、該原料ガスの水素希釈率及び薄膜形成表面への超音
波印加の少なくとも一方を変化させて、各原料ガスに対
応する超薄膜を形成し、この超薄膜を積層することによ
って非晶質シリコン合金膜を形成している。このため、
各超薄膜を最適な条件下で形成することができ、欠陥準
位の少ない高品質の超薄膜を形成し、この高品質の超薄
膜を積層することにより非晶質シリコン合金膜としてお
り、欠陥準位の少ない膜特性に優れた非晶質シリコン合
金膜を形成することができる。従って、例えば太陽電池
の光活性層を本発明に従い形成することにより、変換効
率の高い太陽電池を作製することができる。
て、該原料ガスの水素希釈率及び薄膜形成表面への超音
波印加の少なくとも一方を変化させて、各原料ガスに対
応する超薄膜を形成し、この超薄膜を積層することによ
って非晶質シリコン合金膜を形成している。このため、
各超薄膜を最適な条件下で形成することができ、欠陥準
位の少ない高品質の超薄膜を形成し、この高品質の超薄
膜を積層することにより非晶質シリコン合金膜としてお
り、欠陥準位の少ない膜特性に優れた非晶質シリコン合
金膜を形成することができる。従って、例えば太陽電池
の光活性層を本発明に従い形成することにより、変換効
率の高い太陽電池を作製することができる。
【図１】本発明に従う一実施例における各超薄膜の形成
条件を示す図。
条件を示す図。
【図２】本発明に従う他の実施例における各超薄膜の形
成条件を示す図。
成条件を示す図。
【図３】本発明に従い形成した光活性層を有する太陽電
池の発電特性を示す図。
池の発電特性を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/24 C23C 16/50
Claims (1)
- 【請求項１】 ２種以上の原料ガスを周期的に流すこと
により、該原料ガスに対応する超薄膜をプラズマＣＶＤ
法に従い繰り返し形成し、超薄膜を積層することによっ
て非晶質シリコン合金膜を形成する方法において、 前記原料ガスの種類に応じて、該原料ガスの水素希釈率
及び薄膜形成表面への超音波印加の少なくとも一方を変
化させて前記非晶質シリコン合金膜を形成することを特
徴とする、非晶質シリコン合金膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6376193A JP2802011B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 非晶質シリコン合金膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6376193A JP2802011B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 非晶質シリコン合金膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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