JP2546530B2 - Loc構造半導体装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリードに絶縁テープを利
用して半導体チップを搭載したLOC(リード・オン・
チップ)構造の半導体装置に関し、特にリードと半導体
チップとを電気接続する金属細線のボンディング性を改
善した半導体装置に関する。
用して半導体チップを搭載したLOC(リード・オン・
チップ)構造の半導体装置に関し、特にリードと半導体
チップとを電気接続する金属細線のボンディング性を改
善した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の半導体装置の一例を図3に示
す。導電金属板で形成された複数本のリード11はL字
状に曲げ形成され、そのインナーリード部11aの下面
にはポリイミドテープ12aの両面に熱硬化性接着剤1
2cを塗布した絶縁テープ(ポリイミドテープ)12に
より半導体チップ13が接着されている。また、インナ
ーリード部11aと半導体チップ13の電極パッド13
aとは金属細線14で電気接続される。そして、リード
のアウターリード部11bを除く領域をエポキシ系樹脂
15により封止する。
す。導電金属板で形成された複数本のリード11はL字
状に曲げ形成され、そのインナーリード部11aの下面
にはポリイミドテープ12aの両面に熱硬化性接着剤1
2cを塗布した絶縁テープ(ポリイミドテープ)12に
より半導体チップ13が接着されている。また、インナ
ーリード部11aと半導体チップ13の電極パッド13
aとは金属細線14で電気接続される。そして、リード
のアウターリード部11bを除く領域をエポキシ系樹脂
15により封止する。
【0003】なお、絶縁テープ12により半導体チップ
13をインナーリード部11aに接着する際には、予め
絶縁テープ12をインナーリード部11aの下面に接着
しておき、その後に半導体チップ13を絶縁テープ12
の下面に接着させる。このとき、熱硬化性接着剤12c
を硬化させるために、通常では150℃、1.5時間程
度のベーク(熱処理)を行っている。
13をインナーリード部11aに接着する際には、予め
絶縁テープ12をインナーリード部11aの下面に接着
しておき、その後に半導体チップ13を絶縁テープ12
の下面に接着させる。このとき、熱硬化性接着剤12c
を硬化させるために、通常では150℃、1.5時間程
度のベーク(熱処理)を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体装置
では、熱硬化性接着剤12cを硬化させるためのベーク
工程において、熱硬化性接着剤12c中に含まれるカー
ボン等の有機成分が飛散され、これがインナーリード部
11aのAgメッキ面に付着し、金属細線14をAgメ
ッキ面に接続する際のボンディングの信頼性が低下され
る。このため、次工程の樹脂封止時に、金属細線14の
接続外れ等の事故が生じ易くなり、半導体装置全体の信
頼性が低下されるという問題がある。
では、熱硬化性接着剤12cを硬化させるためのベーク
工程において、熱硬化性接着剤12c中に含まれるカー
ボン等の有機成分が飛散され、これがインナーリード部
11aのAgメッキ面に付着し、金属細線14をAgメ
ッキ面に接続する際のボンディングの信頼性が低下され
る。このため、次工程の樹脂封止時に、金属細線14の
接続外れ等の事故が生じ易くなり、半導体装置全体の信
頼性が低下されるという問題がある。
【0005】このため、熱硬化性接着剤に代えて熱可塑
性接着剤を使用することが考えられる。例えば、特開平
3−148139号公報では、その1つの例として、絶
縁テープの半導体チップ側を熱可塑性接着剤としたもの
が提案されている。この公報記載の技術は、専ら半導体
チップをリードに固定する際の位置決めの容易化を図っ
たものであり、本来は前記した問題を解決するためのも
のではないが、それでも絶縁テープの両面の熱硬化性接
着剤の一方のみを熱可塑性接着剤で構成することで、ベ
ーク時における有機成分の飛散を抑制することは期待で
きる。
性接着剤を使用することが考えられる。例えば、特開平
3−148139号公報では、その1つの例として、絶
縁テープの半導体チップ側を熱可塑性接着剤としたもの
が提案されている。この公報記載の技術は、専ら半導体
チップをリードに固定する際の位置決めの容易化を図っ
たものであり、本来は前記した問題を解決するためのも
のではないが、それでも絶縁テープの両面の熱硬化性接
着剤の一方のみを熱可塑性接着剤で構成することで、ベ
ーク時における有機成分の飛散を抑制することは期待で
きる。
【0006】しかしながら、本発明者がこの公報記載の
ものについて検討を加えたところ、全体としてカーボン
の飛散は抑制できるものの、インナーリードのAg面に
付着する有機成分(カーボン)量は図3のものと大差は
なく、依然として金属細線のボンディング性を改善する
ものではないことが確認された。本発明の目的は、この
ようなリードにおける有機成分の付着を抑制して信頼性
の高いボンディング性を得ることを可能にしたLOC構
造半導体装置を提供することにある。
ものについて検討を加えたところ、全体としてカーボン
の飛散は抑制できるものの、インナーリードのAg面に
付着する有機成分(カーボン)量は図3のものと大差は
なく、依然として金属細線のボンディング性を改善する
ものではないことが確認された。本発明の目的は、この
ようなリードにおける有機成分の付着を抑制して信頼性
の高いボンディング性を得ることを可能にしたLOC構
造半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードに半導
体チップを搭載する絶縁テープには、リード側の面に熱
可塑性接着剤を有し、半導体チップ側の面に熱硬化性接
着剤を有する構成とする。この半導体装置は、半導体チ
ップの電極パッドと、リードのAgメッキ面とを金属細
線で電気接続し、またリードのインナーリード、絶縁テ
ープ、半導体チップ、および金属細線を樹脂で封止する
構成とする。また、絶縁テープはポリイミドテープで構
成され、その片面に熱可塑性接着剤を有し、他方の面に
熱硬化性接着剤を有する構成とされる。
体チップを搭載する絶縁テープには、リード側の面に熱
可塑性接着剤を有し、半導体チップ側の面に熱硬化性接
着剤を有する構成とする。この半導体装置は、半導体チ
ップの電極パッドと、リードのAgメッキ面とを金属細
線で電気接続し、またリードのインナーリード、絶縁テ
ープ、半導体チップ、および金属細線を樹脂で封止する
構成とする。また、絶縁テープはポリイミドテープで構
成され、その片面に熱可塑性接着剤を有し、他方の面に
熱硬化性接着剤を有する構成とされる。
【0008】
【作用】この構成によれば、絶縁テープにより半導体チ
ップをリードに接着固定する際の熱処理時に、絶縁テー
プの熱硬化性接着剤中の有機成分の飛散を抑制し、かつ
この有機成分がリード面に付着されることを抑制し、金
属細線とリードとのボンディング性を改善し、接続不良
の発生を未然に防止する。
ップをリードに接着固定する際の熱処理時に、絶縁テー
プの熱硬化性接着剤中の有機成分の飛散を抑制し、かつ
この有機成分がリード面に付着されることを抑制し、金
属細線とリードとのボンディング性を改善し、接続不良
の発生を未然に防止する。
【0009】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例の断面図、図2は要部の斜
視図である。これらの図において、複数本のリードフレ
ーム1は金属板を加工してその表面にAgをメッキして
構成とされており、そのインナーリード部1aを略水平
方向に向け、アウターリード部1bを略垂直に向けたL
字状に形成されている。そして、インナーリード部1a
の下面には絶縁テープ2を接着し、さらにこの絶縁テー
プ2の下面には半導体素子や電極パッドが形成された半
導体チップ3をその表面を上に向けて接着固定されてい
る。また、インナーリード部1aと半導体チップ3の電
極パッド3aには金属細線4がボンディングされ、この
金属細線4により両者の電気接続が行われている。その
上で、前記アウターリード部1bを除く全体がエポキシ
系樹脂5により封止され、樹脂封止型半導体装置が構成
されている。
る。図1は本発明の一実施例の断面図、図2は要部の斜
視図である。これらの図において、複数本のリードフレ
ーム1は金属板を加工してその表面にAgをメッキして
構成とされており、そのインナーリード部1aを略水平
方向に向け、アウターリード部1bを略垂直に向けたL
字状に形成されている。そして、インナーリード部1a
の下面には絶縁テープ2を接着し、さらにこの絶縁テー
プ2の下面には半導体素子や電極パッドが形成された半
導体チップ3をその表面を上に向けて接着固定されてい
る。また、インナーリード部1aと半導体チップ3の電
極パッド3aには金属細線4がボンディングされ、この
金属細線4により両者の電気接続が行われている。その
上で、前記アウターリード部1bを除く全体がエポキシ
系樹脂5により封止され、樹脂封止型半導体装置が構成
されている。
【0010】前記絶縁テープ2はポリイミドテープ2a
を主体に構成されており、その上面のインナーリード側
に熱可塑性接着剤2bが設けられ、下面の半導体チップ
側に熱硬化性接着剤2cが設けられている。そして、い
ずれも熱処理を行うことで絶縁テープ2をインナーリー
ド部1aと半導体チップ3にそれぞれ接着し、この絶縁
テープ2を介して半導体チップ3をインナーリード部1
aに接着した構成とされている。
を主体に構成されており、その上面のインナーリード側
に熱可塑性接着剤2bが設けられ、下面の半導体チップ
側に熱硬化性接着剤2cが設けられている。そして、い
ずれも熱処理を行うことで絶縁テープ2をインナーリー
ド部1aと半導体チップ3にそれぞれ接着し、この絶縁
テープ2を介して半導体チップ3をインナーリード部1
aに接着した構成とされている。
【0011】このように、インナーリード側に熱可塑性
接着剤2bを用い、半導体チップ側に熱硬化性接着剤2
cを用いた絶縁テープ2により図1の半導体装置を構成
した場合、本発明者の実験によれば、インナーリード部
1aのAgメッキ面に付着される有機成分(カーポン)
の量が低減されていることが確認できた。即ち、前記公
報に記載されたものとこの実施例のものとを試料として
表面分析(AES分析)を行ったところ、この実施例の
ものではAgメッキ面のC(カーポン)とAgのピーク
強度比C/Agは0.5であった。これに対し公報に記
載されたものは2.2であり、この実施例のものではカ
ーボンの付着が格段に改善されていることが確認され
た。
接着剤2bを用い、半導体チップ側に熱硬化性接着剤2
cを用いた絶縁テープ2により図1の半導体装置を構成
した場合、本発明者の実験によれば、インナーリード部
1aのAgメッキ面に付着される有機成分(カーポン)
の量が低減されていることが確認できた。即ち、前記公
報に記載されたものとこの実施例のものとを試料として
表面分析(AES分析)を行ったところ、この実施例の
ものではAgメッキ面のC(カーポン)とAgのピーク
強度比C/Agは0.5であった。これに対し公報に記
載されたものは2.2であり、この実施例のものではカ
ーボンの付着が格段に改善されていることが確認され
た。
【0012】この理由については明確にはされていない
が、本発明者の推測によれば、この実施例のものでは熱
硬化性接着剤2cが絶縁テープ2のポリイミドテープ2
aと半導体チップ3の表面との間に挟まれて閉塞された
状態にあるため、有機成分の飛散が抑制されてものと考
えられる。一方、公報に記載のものは、リード側に設け
られた熱硬化性接着剤の上面が開放されているため、有
機成分がこの開放面から飛散されてAg面に付着したも
のと考えられる。したがって、この実施例では、金属細
線4をインナーリード部1aのAg面にボンディングし
たときの信頼性が改善されることになり、本発明者によ
る所定数標本の試験の結果では、その不良率を従来(図
3や公報記載のもの)の0.2(%)から0(%)に低
減でき、不良の発生を確実に防止することが可能とされ
ている。
が、本発明者の推測によれば、この実施例のものでは熱
硬化性接着剤2cが絶縁テープ2のポリイミドテープ2
aと半導体チップ3の表面との間に挟まれて閉塞された
状態にあるため、有機成分の飛散が抑制されてものと考
えられる。一方、公報に記載のものは、リード側に設け
られた熱硬化性接着剤の上面が開放されているため、有
機成分がこの開放面から飛散されてAg面に付着したも
のと考えられる。したがって、この実施例では、金属細
線4をインナーリード部1aのAg面にボンディングし
たときの信頼性が改善されることになり、本発明者によ
る所定数標本の試験の結果では、その不良率を従来(図
3や公報記載のもの)の0.2(%)から0(%)に低
減でき、不良の発生を確実に防止することが可能とされ
ている。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リードに
半導体チップを搭載する絶縁テープは、リード側の面に
熱可塑性接着剤を有し、半導体チップ側の面に熱硬化性
接着剤を有しているので、半導体チップをリードに搭載
する際の熱処理における熱硬化性接着剤からの有機成分
の飛散を抑制し、これがリード面に付着することを抑制
し、金属細線のボンディング性を改善し、半導体装置の
信頼性を改善することができる効果がある。
半導体チップを搭載する絶縁テープは、リード側の面に
熱可塑性接着剤を有し、半導体チップ側の面に熱硬化性
接着剤を有しているので、半導体チップをリードに搭載
する際の熱処理における熱硬化性接着剤からの有機成分
の飛散を抑制し、これがリード面に付着することを抑制
し、金属細線のボンディング性を改善し、半導体装置の
信頼性を改善することができる効果がある。
【図1】本発明のLOC構造半導体装置の一実施例の断
面図である。
面図である。
【図2】図1の半導体装置の一部の斜視図である。
【図3】従来のLOC構造半導体装置の一例の断面図で
ある。
ある。
1 リードフレーム 1a インナーリード部 2 絶縁テープ 2a ポリイミドテープ 2b 熱可塑性接着剤 2c 熱硬化性接着剤 3 半導体チップ 4 金属細線 5 エポキシ樹脂
Claims (4)
- 【請求項1】 リードに絶縁テープを介して半導体チッ
プを搭載するLOC構造の半導体装置において、前記絶
縁テープはリード側の面に熱可塑性接着剤を有し、半導
体チップ側の面に熱硬化性接着剤を有することを特徴と
するLOC構造半導体装置。 - 【請求項2】 半導体チップの電極パッドと、リードの
Agメッキ面とを金属細線で電気接続してなる請求項1
のLOC構造半導体装置。 - 【請求項3】 リードのインナーリード、絶縁テープ、
半導体チップ、および金属細線を樹脂で封止してなる請
求項1または2のLOC構造半導体装置。 - 【請求項4】 絶縁テープはポリイミドテープで構成さ
れ、その片面に熱可塑性接着剤を有し、他方の面に熱硬
化性接着剤を有する請求項1ないし3のいずれかのLO
C構造半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5348277A JP2546530B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Loc構造半導体装置 |
GB9422410A GB2285171A (en) | 1993-12-24 | 1994-11-07 | Lead-on-chip semiconductor device |
KR1019940033222A KR950021289A (ko) | 1993-12-24 | 1994-12-08 | 리드 온 칩(loc) 구조 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5348277A JP2546530B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Loc構造半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07193092A JPH07193092A (ja) | 1995-07-28 |
JP2546530B2 true JP2546530B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=18395960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5348277A Expired - Fee Related JP2546530B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Loc構造半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2546530B2 (ja) |
KR (1) | KR950021289A (ja) |
GB (1) | GB2285171A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010096115A (ko) * | 2000-04-17 | 2001-11-07 | 이형도 | 편향요크 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01116465U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | ||
JP2518569B2 (ja) * | 1991-09-19 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5348277A patent/JP2546530B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-07 GB GB9422410A patent/GB2285171A/en not_active Withdrawn
- 1994-12-08 KR KR1019940033222A patent/KR950021289A/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07193092A (ja) | 1995-07-28 |
GB2285171A (en) | 1995-06-28 |
GB9422410D0 (en) | 1995-01-04 |
KR950021289A (ko) | 1995-07-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |