JP2543784Y2 - 光センサ回路 - Google Patents
光センサ回路Info
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- JP2543784Y2 JP2543784Y2 JP7101191U JP7101191U JP2543784Y2 JP 2543784 Y2 JP2543784 Y2 JP 2543784Y2 JP 7101191 U JP7101191 U JP 7101191U JP 7101191 U JP7101191 U JP 7101191U JP 2543784 Y2 JP2543784 Y2 JP 2543784Y2
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- Japan
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- circuit
- resistance value
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- lux
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、光の照射量に応じて抵
抗値が変化するＣｄＳセル等の光導電素子を用いた光セ
ンサ回路に関する。
抗値が変化するＣｄＳセル等の光導電素子を用いた光セ
ンサ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種の光導電素子を用いた
光センサ回路は、周囲の明るさを検知し、それに応じて
例えば、照明器具の点灯、消灯を行うといった制御装置
に多く用いられている。この光センサ回路における光導
電素子は照射される光量に応じて抵抗値が変化する。こ
の光導電素子と直列に抵抗を接続し、この直列回路に電
圧を印加した状態にて、光導電素子の抵抗変化を電圧変
化として取り出すことにより、周囲の明るさを検出する
ことができる。
光センサ回路は、周囲の明るさを検知し、それに応じて
例えば、照明器具の点灯、消灯を行うといった制御装置
に多く用いられている。この光センサ回路における光導
電素子は照射される光量に応じて抵抗値が変化する。こ
の光導電素子と直列に抵抗を接続し、この直列回路に電
圧を印加した状態にて、光導電素子の抵抗変化を電圧変
化として取り出すことにより、周囲の明るさを検出する
ことができる。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】ところで、ＣｄＳセル
等の光導電素子は、光量に応じて抵抗値が変化する場
合、任意の光量における抵抗値のバラツキが大きいた
め、周囲の明るさの変化を正確に検出することが困難
で、光センサ回路の精度にバラツキが生じる。ここで、
上述したＣｄＳセルの抵抗値のバラツキについて図面を
参照して説明する。図５は光量（単位：ルクス）とＣｄ
Ｓセルの抵抗値（単位：ＫΩ）の関係を示す。使用され
るＣｄＳセルは、１０ルクスの明るさで、最高抵抗値
（以下、ＭＡＸ値という）が６０ＫΩ、最低抵抗値（以
下、ＭＩＮ値という）が２０ＫΩであり、同図において
は、１０ルクスから８００ルクスの光量範囲での抵抗値
の変化を示す。図示のように、光量が増加するにつれ
て、ＣｄＳセルの抵抗値は減少する。ところが、上述し
たように、各ＣｄＳセルの抵抗値−明るさ曲線にはバラ
ツキがあり、ＭＡＸ値側の抵抗値−明るさ曲線ａとＭＩ
Ｎ値側の抵抗値−明るさ曲線ｂとの間の斜線で示す範囲
に亘ってあり、任意に設定する複数の明るさの点での抵
抗値のバラツキをなくすることは困難である。従って、
光センサ回路において、一定出力電圧が得られたとき
に、例えば照明用光源をＯＮもしくはＯＦＦするといっ
た制御をしようとした場合に、その動作点での明るさは
一定したものとならない。
等の光導電素子は、光量に応じて抵抗値が変化する場
合、任意の光量における抵抗値のバラツキが大きいた
め、周囲の明るさの変化を正確に検出することが困難
で、光センサ回路の精度にバラツキが生じる。ここで、
上述したＣｄＳセルの抵抗値のバラツキについて図面を
参照して説明する。図５は光量（単位：ルクス）とＣｄ
Ｓセルの抵抗値（単位：ＫΩ）の関係を示す。使用され
るＣｄＳセルは、１０ルクスの明るさで、最高抵抗値
（以下、ＭＡＸ値という）が６０ＫΩ、最低抵抗値（以
下、ＭＩＮ値という）が２０ＫΩであり、同図において
は、１０ルクスから８００ルクスの光量範囲での抵抗値
の変化を示す。図示のように、光量が増加するにつれ
て、ＣｄＳセルの抵抗値は減少する。ところが、上述し
たように、各ＣｄＳセルの抵抗値−明るさ曲線にはバラ
ツキがあり、ＭＡＸ値側の抵抗値−明るさ曲線ａとＭＩ
Ｎ値側の抵抗値−明るさ曲線ｂとの間の斜線で示す範囲
に亘ってあり、任意に設定する複数の明るさの点での抵
抗値のバラツキをなくすることは困難である。従って、
光センサ回路において、一定出力電圧が得られたとき
に、例えば照明用光源をＯＮもしくはＯＦＦするといっ
た制御をしようとした場合に、その動作点での明るさは
一定したものとならない。
【０００４】本考案は、上述した問題点を解決するもの
で、光導電素子、例えば、ＣｄＳセルを用いた光センサ
回路において、該ＣｄＳセルに直列に半固定抵抗、及び
半固定抵抗と可変抵抗の並列回路を接続し、これらの抵
抗の値を調整することにより、任意に設定した複数の光
量におけるセンサ回路の抵抗値を統一することができ、
周囲の明るさを正確に検出可能な光センサ回路を提供す
ることを目的とする。
で、光導電素子、例えば、ＣｄＳセルを用いた光センサ
回路において、該ＣｄＳセルに直列に半固定抵抗、及び
半固定抵抗と可変抵抗の並列回路を接続し、これらの抵
抗の値を調整することにより、任意に設定した複数の光
量におけるセンサ回路の抵抗値を統一することができ、
周囲の明るさを正確に検出可能な光センサ回路を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本考案は、光の照射量に応じて抵抗値が変化する光導
電素子を用い、この光導電素子の抵抗値変化に基づいて
周囲の明るさを検出する光センサ回路において、前記光
導電素子と直列に第１の半固定抵抗を接続し、さらに、
これらに直列に第２の半固定抵抗と感度調整用の可変抵
抗の並列回路を接続したものである。
に本考案は、光の照射量に応じて抵抗値が変化する光導
電素子を用い、この光導電素子の抵抗値変化に基づいて
周囲の明るさを検出する光センサ回路において、前記光
導電素子と直列に第１の半固定抵抗を接続し、さらに、
これらに直列に第２の半固定抵抗と感度調整用の可変抵
抗の並列回路を接続したものである。
【０００６】
【作用】上記の構成において、可変抵抗及び第２の半固
定抵抗の抵抗値を最小にして、光導電素子を所定の光量
小の暗い状態におき、第１の半固定抵抗を調整して、回
路全体の抵抗値のバラツキを必要抵抗値へ統一する。次
に、光導電素子を所定の光量大の明るい状態におき、第
１の半固定抵抗は先に調整した値のままで、可変抵抗を
最大として、第２の半固定抵抗を調整して、回路全体の
バラツキを上記と同じ必要抵抗値へ統一する。このよう
な調整を行うことにより、光導電素子の抵抗値バラツキ
が補正されることになり、可変抵抗器を感度調整用とし
て使用したとき、その所定の値での或る明るさにおける
センサ回路の抵抗値のバラツキが低減される。
定抵抗の抵抗値を最小にして、光導電素子を所定の光量
小の暗い状態におき、第１の半固定抵抗を調整して、回
路全体の抵抗値のバラツキを必要抵抗値へ統一する。次
に、光導電素子を所定の光量大の明るい状態におき、第
１の半固定抵抗は先に調整した値のままで、可変抵抗を
最大として、第２の半固定抵抗を調整して、回路全体の
バラツキを上記と同じ必要抵抗値へ統一する。このよう
な調整を行うことにより、光導電素子の抵抗値バラツキ
が補正されることになり、可変抵抗器を感度調整用とし
て使用したとき、その所定の値での或る明るさにおける
センサ回路の抵抗値のバラツキが低減される。
【０００７】
【実施例】本考案の一実施例による光センサ回路につい
て図面を参照して説明する。図１は本考案回路の原理構
成を示す。この光センサ回路は、例えば、光量を検知し
て自動的に照明装置を点灯させる装置として用いられ
る。本回路は、光導電素子であるＣｄＳセル１と直列に
第１の半固定抵抗ＶＲ１が接続され、さらに直列に、第
２の半固定抵抗ＶＲ２と感度調整用の可変抵抗（ボリュ
ームという）ＶＲ３の並列回路が接続されている。本回
路の両端に所定の電圧を印加し、ＣｄＳセル１が光を受
ける状態とすると、受ける光量に応じて抵抗値が変化す
る。これを電圧の変化として出力し得るように構成する
ことで明るさを検出することができる。ところが、上述
のように、ＣｄＳセル１の抵抗値はバラツキが大きいの
で、ボリュームＶＲ３をＭＩＮ側にすることにより任意
に設定される暗い方（例えば３０ルクス）と、同ボリュ
ームＶＲ３をＭＡＸ側にすることにより任意に設定され
る明るい方（例えば５００ルクス）の２点において、本
回路における必要な抵抗値を統一するために、次のよう
に調整する。以下、その調整手順を図３、図４と共に説
明する。
て図面を参照して説明する。図１は本考案回路の原理構
成を示す。この光センサ回路は、例えば、光量を検知し
て自動的に照明装置を点灯させる装置として用いられ
る。本回路は、光導電素子であるＣｄＳセル１と直列に
第１の半固定抵抗ＶＲ１が接続され、さらに直列に、第
２の半固定抵抗ＶＲ２と感度調整用の可変抵抗（ボリュ
ームという）ＶＲ３の並列回路が接続されている。本回
路の両端に所定の電圧を印加し、ＣｄＳセル１が光を受
ける状態とすると、受ける光量に応じて抵抗値が変化す
る。これを電圧の変化として出力し得るように構成する
ことで明るさを検出することができる。ところが、上述
のように、ＣｄＳセル１の抵抗値はバラツキが大きいの
で、ボリュームＶＲ３をＭＩＮ側にすることにより任意
に設定される暗い方（例えば３０ルクス）と、同ボリュ
ームＶＲ３をＭＡＸ側にすることにより任意に設定され
る明るい方（例えば５００ルクス）の２点において、本
回路における必要な抵抗値を統一するために、次のよう
に調整する。以下、その調整手順を図３、図４と共に説
明する。
【０００８】いま、ボリュームＶＲ３による明るさ調整
範囲を、例えば３０ルクスから５００ルクスとする。本
センサ回路で必要な抵抗値を仮にＡＫΩとすると、ま
ず、ボリュームＶＲ３の抵抗値をＭＩＮ側（０ＫΩ）、
第２の半固定抵抗ＶＲ２の抵抗値を０ＫΩにて３０ルク
スの明るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１を調整して、回路
の抵抗値を一定値（仮にＡＫΩ）とする。この場合の回
路の合成抵抗値と明るさの関係は図３の状態となる。同
図において、曲線ｃはＭＩＮ側の曲線ｂを第１の半固定
抵抗ＶＲ１の調整によって３０ルクスで抵抗値がＡＫΩ
になるように移動させた曲線である。これにより、３０
ルクスにおける回路の抵抗値を、ＣｄＳセル１のＭＡＸ
とＭＩＮのバラツキ範囲でＡＫΩに統一することができ
る。
範囲を、例えば３０ルクスから５００ルクスとする。本
センサ回路で必要な抵抗値を仮にＡＫΩとすると、ま
ず、ボリュームＶＲ３の抵抗値をＭＩＮ側（０ＫΩ）、
第２の半固定抵抗ＶＲ２の抵抗値を０ＫΩにて３０ルク
スの明るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１を調整して、回路
の抵抗値を一定値（仮にＡＫΩ）とする。この場合の回
路の合成抵抗値と明るさの関係は図３の状態となる。同
図において、曲線ｃはＭＩＮ側の曲線ｂを第１の半固定
抵抗ＶＲ１の調整によって３０ルクスで抵抗値がＡＫΩ
になるように移動させた曲線である。これにより、３０
ルクスにおける回路の抵抗値を、ＣｄＳセル１のＭＡＸ
とＭＩＮのバラツキ範囲でＡＫΩに統一することができ
る。
【０００９】次に、５００ルクスの明るさで、第１の半
固定抵抗ＶＲ１は前述で設定した位置のままで、ボリュ
ームＶＲ３の抵抗値をＭＡＸ側として、第２の半固定抵
抗ＶＲ２を調整して、回路の抵抗値をＡＫΩとする。こ
の場合の合成抵抗値と明るさの関係は図４の状態とな
る。同図において、抵抗値−明るさ曲線ｄは、曲線ａが
スライド移動したものであり、曲線ｅは曲線ｃがスライ
ド移動したものである。これにより、５００ルクスにお
ける回路の抵抗値を、ＣｄＳセル１のＭＡＸとＭＩＮの
バラツキ範囲でＡＫΩに統一することができる。
固定抵抗ＶＲ１は前述で設定した位置のままで、ボリュ
ームＶＲ３の抵抗値をＭＡＸ側として、第２の半固定抵
抗ＶＲ２を調整して、回路の抵抗値をＡＫΩとする。こ
の場合の合成抵抗値と明るさの関係は図４の状態とな
る。同図において、抵抗値−明るさ曲線ｄは、曲線ａが
スライド移動したものであり、曲線ｅは曲線ｃがスライ
ド移動したものである。これにより、５００ルクスにお
ける回路の抵抗値を、ＣｄＳセル１のＭＡＸとＭＩＮの
バラツキ範囲でＡＫΩに統一することができる。
【００１０】上述した方法により調整した回路の抵抗値
は、ボリュームＶＲ３のＭＩＮ側では３０ルクスにおい
て、また、ボリュームＶＲ３のＭＡＸ側では５００ルク
スにおいて必要抵抗値ＡＫΩとなり、ＣｄＳセル１の抵
抗値バラツキが補正され、以降、ボリュームＶＲ３を用
いて本センサ回路の感度調整を行ったとき、所定のボリ
ューム目盛において、バラツキの少ない一定の明るさ検
出出力信号を得ることができる。なお、第１の半固定抵
抗ＶＲ１は、暗い方の明るさ（ここでは３０ルクス）で
のＣｄＳセル１のＭＩＮ側の抵抗値（図５においては
７．９ＫΩ）を、必要抵抗（ＡＫΩ）より減じた値より
大きな抵抗のものを用いればよい。また、第２の半固定
抵抗ＶＲ２とボリュームＶＲ３は、その合成抵抗が、明
るい方の明るさ（ここでは５００ルクス）でのＣｄＳセ
ル１のＭＡＸ側の抵抗値（図５においては４．７ＫΩ）
をＡＫΩより減じた値より大きなものを用いればよい。
は、ボリュームＶＲ３のＭＩＮ側では３０ルクスにおい
て、また、ボリュームＶＲ３のＭＡＸ側では５００ルク
スにおいて必要抵抗値ＡＫΩとなり、ＣｄＳセル１の抵
抗値バラツキが補正され、以降、ボリュームＶＲ３を用
いて本センサ回路の感度調整を行ったとき、所定のボリ
ューム目盛において、バラツキの少ない一定の明るさ検
出出力信号を得ることができる。なお、第１の半固定抵
抗ＶＲ１は、暗い方の明るさ（ここでは３０ルクス）で
のＣｄＳセル１のＭＩＮ側の抵抗値（図５においては
７．９ＫΩ）を、必要抵抗（ＡＫΩ）より減じた値より
大きな抵抗のものを用いればよい。また、第２の半固定
抵抗ＶＲ２とボリュームＶＲ３は、その合成抵抗が、明
るい方の明るさ（ここでは５００ルクス）でのＣｄＳセ
ル１のＭＡＸ側の抵抗値（図５においては４．７ＫΩ）
をＡＫΩより減じた値より大きなものを用いればよい。
【００１１】次に、上述した光センサ回路の具体的回路
構成について図２を用いて説明する。図２に示す光セン
サ回路の出力端ＶOUT は蛍光灯の点灯制御回路に接続さ
れ、周囲の光量を検知して自動的に蛍光灯を点灯、消灯
させるものである。本回路は外部から５Ｖの電圧が印加
されており、外部抵抗Ｒとして１３ＫΩの固定抵抗を有
しており、明るさにより変化する本回路の抵抗値との合
成抵抗でもって出力電圧ＶOUT が変化して光量が検知さ
れる。また、本回路はＣｄＳセル１と直列に第１の半固
定抵抗ＶＲ１が接続され、さらに第２の半固定抵抗ＶＲ
２と感度調整用の可変抵抗（ボリューム）ＶＲ３の並列
回路が直列に接続されている。ここに、ＶＲ１は０〜１
０ＫΩ、ＶＲ２は０〜１００ＫΩの範囲で可変で、ま
た、ＶＲ３は０〜２０ＫΩで可変のロータリボリューム
を用いている。
構成について図２を用いて説明する。図２に示す光セン
サ回路の出力端ＶOUT は蛍光灯の点灯制御回路に接続さ
れ、周囲の光量を検知して自動的に蛍光灯を点灯、消灯
させるものである。本回路は外部から５Ｖの電圧が印加
されており、外部抵抗Ｒとして１３ＫΩの固定抵抗を有
しており、明るさにより変化する本回路の抵抗値との合
成抵抗でもって出力電圧ＶOUT が変化して光量が検知さ
れる。また、本回路はＣｄＳセル１と直列に第１の半固
定抵抗ＶＲ１が接続され、さらに第２の半固定抵抗ＶＲ
２と感度調整用の可変抵抗（ボリューム）ＶＲ３の並列
回路が直列に接続されている。ここに、ＶＲ１は０〜１
０ＫΩ、ＶＲ２は０〜１００ＫΩの範囲で可変で、ま
た、ＶＲ３は０〜２０ＫΩで可変のロータリボリューム
を用いている。
【００１２】上記ボリュームＶＲ３を使用者が調節する
ことにより、蛍光灯の点灯タイミングを任意の明るさの
範囲内において早めたり（明るい）、或いは遅らせたり
（暗い）することができるようになっている。ここで
は、明るさの範囲を３０００ルクスと３００ルクスと
し、ボリュームＶＲ３が２０ＫΩのときに早い側として
３０００ルクスで点灯するようにし、ロータリボリュー
ムＶＲ３が０ＫΩのときに遅い側として３００ルクスで
点灯するようにする。ちなみに、この光センサ回路にお
いて、ボリュームＶＲ３を遅い側にすると３００ルクス
で、早い側にすると３０００ルクスで出力電圧ＶOUT が
２．８７Ｖとなるように構成されている。
ことにより、蛍光灯の点灯タイミングを任意の明るさの
範囲内において早めたり（明るい）、或いは遅らせたり
（暗い）することができるようになっている。ここで
は、明るさの範囲を３０００ルクスと３００ルクスと
し、ボリュームＶＲ３が２０ＫΩのときに早い側として
３０００ルクスで点灯するようにし、ロータリボリュー
ムＶＲ３が０ＫΩのときに遅い側として３００ルクスで
点灯するようにする。ちなみに、この光センサ回路にお
いて、ボリュームＶＲ３を遅い側にすると３００ルクス
で、早い側にすると３０００ルクスで出力電圧ＶOUT が
２．８７Ｖとなるように構成されている。
【００１３】調整方法は上述と同様であり、始めに、入
力−ＣＯＭ端子間に５Ｖを入力し、出力−ＣＯＭ端子を
電圧計に接続する。第２の半固定抵抗ＶＲ２及びボリュ
ームＶＲ３を０ＫΩ（遅い側）とし、３００ルクスの明
るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１を調整し、出力電圧ＶOU
T が２．８７Ｖになるように調整する。次に、３０００
ルクスの明るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１は上記で設定
した位置のままで、ボリュームＶＲ３を２０ＫΩ（早い
側）とし、第２の半固定抵抗ＶＲ２を調整して、出力電
圧ＶOUT が２．８７Ｖになるように調整する。これによ
り、ＣｄＳセル１の抵抗のバラツキが補正され、ボリュ
ームＶＲ３を感度調整用として使用したとき、遅い側に
したときは３００ルクスで、早い側にしたときは３００
０ルクスで同一の出力電圧を得ることができる。
力−ＣＯＭ端子間に５Ｖを入力し、出力−ＣＯＭ端子を
電圧計に接続する。第２の半固定抵抗ＶＲ２及びボリュ
ームＶＲ３を０ＫΩ（遅い側）とし、３００ルクスの明
るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１を調整し、出力電圧ＶOU
T が２．８７Ｖになるように調整する。次に、３０００
ルクスの明るさで第１の半固定抵抗ＶＲ１は上記で設定
した位置のままで、ボリュームＶＲ３を２０ＫΩ（早い
側）とし、第２の半固定抵抗ＶＲ２を調整して、出力電
圧ＶOUT が２．８７Ｖになるように調整する。これによ
り、ＣｄＳセル１の抵抗のバラツキが補正され、ボリュ
ームＶＲ３を感度調整用として使用したとき、遅い側に
したときは３００ルクスで、早い側にしたときは３００
０ルクスで同一の出力電圧を得ることができる。
【００１４】なお、明るさに関して、上述した５００ル
クス、３０ルクスと値を相異するが、これは実際のセン
サ装置としては、ＣｄＳセル１に外部の光が半透明のプ
ラスチックレンズ（透過率が１／５〜１／７）を通して
照射されることに依る。また、本考案は上記実施例構成
に限られることなく、種々の変形が可能である。例え
ば、第１、第２の半固定抵抗は可変抵抗であってもよ
く、請求の範囲の用語はそのようなものをも包含するも
のである。
クス、３０ルクスと値を相異するが、これは実際のセン
サ装置としては、ＣｄＳセル１に外部の光が半透明のプ
ラスチックレンズ（透過率が１／５〜１／７）を通して
照射されることに依る。また、本考案は上記実施例構成
に限られることなく、種々の変形が可能である。例え
ば、第１、第２の半固定抵抗は可変抵抗であってもよ
く、請求の範囲の用語はそのようなものをも包含するも
のである。
【００１５】
【考案の効果】以上のように本考案によれば、光導電素
子、例えば、ＣｄＳセルを用いた光センサ回路におい
て、該ＣｄＳセルに直列に第１の半固定抵抗を接続し、
さらに、これらに直列に第２の半固定抵抗と可変抵抗の
並列回路を接続し、これら各抵抗を調整することによ
り、光量に応じて変化するＣｄＳセルの抵抗値のバラツ
キを補正することができ、従って、可変抵抗を感度調整
用に用いたとき、明るさ検出のバラツキを抑えることが
できる。
子、例えば、ＣｄＳセルを用いた光センサ回路におい
て、該ＣｄＳセルに直列に第１の半固定抵抗を接続し、
さらに、これらに直列に第２の半固定抵抗と可変抵抗の
並列回路を接続し、これら各抵抗を調整することによ
り、光量に応じて変化するＣｄＳセルの抵抗値のバラツ
キを補正することができ、従って、可変抵抗を感度調整
用に用いたとき、明るさ検出のバラツキを抑えることが
できる。
【図１】本考案の光センサ回路の原理的な電気回路図で
ある。
ある。
【図２】同光センサ回路の具体的な電気回路図である。
【図３】同光センサ回路における第１の半固定抵抗ＶＲ
１による調整時の回路抵抗と明るさの関係を示すグラフ
である。
１による調整時の回路抵抗と明るさの関係を示すグラフ
である。
【図４】同光センサ回路における第２の半固定抵抗ＶＲ
２による調整時の回路抵抗と明るさの関係を示すグラフ
である。
２による調整時の回路抵抗と明るさの関係を示すグラフ
である。
【図５】ＣｄＳセルの抵抗値と明るさの関係を示すグラ
フである。
フである。
１ ＣｄＳセル ＶＲ１ 第１の半固定抵抗 ＶＲ２ 第２の半固定抵抗 ＶＲ３ 可変抵抗（ボリューム）
Claims (1)
- 【請求項１】 光の照射量に応じて抵抗値が変化する光
導電素子を用い、この光導電素子の抵抗値変化に基づい
て周囲の明るさを検出する光センサ回路において、前記
光導電素子と直列に第１の半固定抵抗を接続し、さら
に、これらに直列に第２の半固定抵抗と感度調整用の可
変抵抗の並列回路を接続したことを特徴とする光センサ
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101191U JP2543784Y2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 光センサ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7101191U JP2543784Y2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 光センサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0514863U JPH0514863U (ja) | 1993-02-26 |
| JP2543784Y2 true JP2543784Y2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=13448136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7101191U Expired - Lifetime JP2543784Y2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 光センサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543784Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5932535B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-06-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 測定装置 |
| JP6489523B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-03-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体発光素子モジュールおよび照明セット |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP7101191U patent/JP2543784Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0514863U (ja) | 1993-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970311 |