JP2543150B2 - 配線パタ―ン - Google Patents
配線パタ―ンInfo
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は画像表示機能を有する液晶パネルと、とりわ
け画素毎にスイッチング素子を内蔵したアクティブ型の
マトリクス基板に関するものである。
け画素毎にスイッチング素子を内蔵したアクティブ型の
マトリクス基板に関するものである。
従来の技術 微細加工技術、液晶材料および実装技術等の進歩によ
り、小さな画面サイズではあるが2〜6インチ程度の液
晶パネルで実用上支障ないテレビジョン画像が商業ベー
スで得られるようになってきた。
り、小さな画面サイズではあるが2〜6インチ程度の液
晶パネルで実用上支障ないテレビジョン画像が商業ベー
スで得られるようになってきた。
液晶パネルを構成する2枚のガラス板の一方にRGBの
着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実
現され、また画素毎にスイッチング素子を内蔵させた言
わゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少
なくかつ高いコントラスト比を有する画像が確保されて
いる。
着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実
現され、また画素毎にスイッチング素子を内蔵させた言
わゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少
なくかつ高いコントラスト比を有する画像が確保されて
いる。
このような液晶パネルは走査線としては120〜240本、
信号線としては240〜720本程度のマトリクス編成が標準
的で、例えば第2図に示すように液晶パネル1を構成す
る一方のガラス基板2上に形成された走査線の端子群
(図示せず)に駆動信号を供給する半導体集積回路チッ
プ3を直接、接続するCOG(チップ・オン・ガラス)方
式や、あるいは例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースと
し、金メッキされた銅箔の端子群を有する接続フィルム
4を信号線の端子群5に圧接しながら固定するなどの実
装手段によって液晶パネル1中央の画像表示部に電気信
号を供給する。なお、6,7は画像表示部と信号線の端子
群5および走査線の端子群との間を接続する配線路で、
必らずしも端子群と同じ導電材で構成される必要はな
い。
信号線としては240〜720本程度のマトリクス編成が標準
的で、例えば第2図に示すように液晶パネル1を構成す
る一方のガラス基板2上に形成された走査線の端子群
(図示せず)に駆動信号を供給する半導体集積回路チッ
プ3を直接、接続するCOG(チップ・オン・ガラス)方
式や、あるいは例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースと
し、金メッキされた銅箔の端子群を有する接続フィルム
4を信号線の端子群5に圧接しながら固定するなどの実
装手段によって液晶パネル1中央の画像表示部に電気信
号を供給する。なお、6,7は画像表示部と信号線の端子
群5および走査線の端子群との間を接続する配線路で、
必らずしも端子群と同じ導電材で構成される必要はな
い。
8は全ての画素に共通の対向電極を対向する面上に有
するもう一方のガラス板で、2枚のガラス板2,8は所定
の距離を隔てて対向され、その隙間はシール材と封口材
で封止された閉空間になっており、液晶が充填されてい
る。ほとんどの場合、ガラス板8の閉空間側に着色層と
称する染料または顔料等の着色材を含んだ有機薄膜が被
着されて色表示機能が与えられるので、ガラス基板8は
一般的にカラーフィルタと呼ばれる。そして液晶材の性
質によってガラス板8上面またはガラス板2下面のいず
れかもしくは両面上に偏光板が貼付され電気光学素子と
して機能する。
するもう一方のガラス板で、2枚のガラス板2,8は所定
の距離を隔てて対向され、その隙間はシール材と封口材
で封止された閉空間になっており、液晶が充填されてい
る。ほとんどの場合、ガラス板8の閉空間側に着色層と
称する染料または顔料等の着色材を含んだ有機薄膜が被
着されて色表示機能が与えられるので、ガラス基板8は
一般的にカラーフィルタと呼ばれる。そして液晶材の性
質によってガラス板8上面またはガラス板2下面のいず
れかもしくは両面上に偏光板が貼付され電気光学素子と
して機能する。
第3図はスイッチング素子として例えば絶縁ゲート型
トランジスタ9を画素毎に配置したアクティブ型液晶パ
ネルの等価回路図であり、実線が一方の基板2に、点線
がもう一方の基板8に形成されている。第4図はアクテ
ィブマトリクス基板2の単位絵素の平面配置図の一例で
ある。走査線10と信号線11は、例えば非晶質シリコンを
半導体層とし、シリコン窒化膜をゲート絶縁膜とする薄
膜トランジスタ9のゲートとソースを兼ね、ドレインは
透明導電性の絵素電極13に接続されている。液晶セル12
は絵素電極13と、カラーフィルタ8上に形成された同じ
く透明導電性の対向電極14と、2枚のガラス板で構成さ
れた閉空間を満たす液晶とからなり、電気的にはコンデ
ンサと同じ扱いを受ける。
トランジスタ9を画素毎に配置したアクティブ型液晶パ
ネルの等価回路図であり、実線が一方の基板2に、点線
がもう一方の基板8に形成されている。第4図はアクテ
ィブマトリクス基板2の単位絵素の平面配置図の一例で
ある。走査線10と信号線11は、例えば非晶質シリコンを
半導体層とし、シリコン窒化膜をゲート絶縁膜とする薄
膜トランジスタ9のゲートとソースを兼ね、ドレインは
透明導電性の絵素電極13に接続されている。液晶セル12
は絵素電極13と、カラーフィルタ8上に形成された同じ
く透明導電性の対向電極14と、2枚のガラス板で構成さ
れた閉空間を満たす液晶とからなり、電気的にはコンデ
ンサと同じ扱いを受ける。
なお第3図において蓄積容量15はアクティブ型液晶パ
ネルとしては必らずしも必須の構成因子とは限らない
が、駆動用信号源の利用効率の向上や薄膜トランジスタ
のoff時のリーク抵抗および液晶材の抵抗分の増加に対
し特性を維持する機能を持たせる意味あいから適宜採用
される。
ネルとしては必らずしも必須の構成因子とは限らない
が、駆動用信号源の利用効率の向上や薄膜トランジスタ
のoff時のリーク抵抗および液晶材の抵抗分の増加に対
し特性を維持する機能を持たせる意味あいから適宜採用
される。
発明が解決しようとする課題 非晶質シリコンを半導体層とし、シリコン窒化膜をゲ
ート絶縁膜とする絶縁ゲート型トランジスタはその新規
性もあいまってデバイス構造とその製造方法にはかなり
の自由度があり、また電極材料も制限は緩いため様々な
導電性材料が用いられるが、ここでは本発明の考案した
ものについて取り上げる(特開昭58-212177号公報)。
ート絶縁膜とする絶縁ゲート型トランジスタはその新規
性もあいまってデバイス構造とその製造方法にはかなり
の自由度があり、また電極材料も制限は緩いため様々な
導電性材料が用いられるが、ここでは本発明の考案した
ものについて取り上げる(特開昭58-212177号公報)。
第4図のA−A′線上の工程断面図を第5図で説明す
る。まず第5図(a)に示したように、ガラス基板2の
一主面上にITOなどの透明導電性薄膜で膜厚1000Å程度
の絵素電極13を選択的に被着形成し、全面にCVD SiO2膜
16を1000Å程度の膜厚で被着する。つぎに第5図(b)
に示したようにゲート電極と走査線を兼ねる配線パター
ン10を1000Å程度の膜厚のCrで選択的に被着形成する。
そして第5図(c)に示したようにゲート絶縁膜となる
SiNx層17、半導体層となる不純物をほとんど含まない第
1の非晶質シリコン層18、エッチングストッパーとなる
SiNx層19を例えば4000Å−500Å−1000Å程度の膜厚で
被着した後、最上層のSiNx層のみを選択的に残して19′
とする。その後第5図(d)に示したように全面に隣を
不純物として含む第2の非晶質シリコン層20を被着した
後、トランジスタを形成する領域にのみ第1と第2の非
晶質シリコン層を島状に残して20′,18′とする。引き
続き第5図(e)に示したように、絵素電極13上のSiNx
層17とSiO2層16に開口部21および図示はしないが画像表
示部外の領で走査線10上のSiNx層17に開口部を形成して
絵素電極13と走査線10の一部を露出する。最終工程は第
5図(f)に示したように全面に耐熱バリア層としてMo
Si2、ソース・ドレイン配線層としてAlをそれぞれ1000
Å、1μm程度の膜厚で被着した後、まずAlを選択的に
残してソース(信号線)11、ドレイン22とし、引き続き
AlをマスクとしてAl配線11,21の下にのみMoSi223と第2
の非晶質シリコン20′を残して液晶パネルを構成するア
クティブ型マトリクス基板が完成する。図示はしないが
走査線10上の開口部にもAl配線路は形成されている。
る。まず第5図(a)に示したように、ガラス基板2の
一主面上にITOなどの透明導電性薄膜で膜厚1000Å程度
の絵素電極13を選択的に被着形成し、全面にCVD SiO2膜
16を1000Å程度の膜厚で被着する。つぎに第5図(b)
に示したようにゲート電極と走査線を兼ねる配線パター
ン10を1000Å程度の膜厚のCrで選択的に被着形成する。
そして第5図(c)に示したようにゲート絶縁膜となる
SiNx層17、半導体層となる不純物をほとんど含まない第
1の非晶質シリコン層18、エッチングストッパーとなる
SiNx層19を例えば4000Å−500Å−1000Å程度の膜厚で
被着した後、最上層のSiNx層のみを選択的に残して19′
とする。その後第5図(d)に示したように全面に隣を
不純物として含む第2の非晶質シリコン層20を被着した
後、トランジスタを形成する領域にのみ第1と第2の非
晶質シリコン層を島状に残して20′,18′とする。引き
続き第5図(e)に示したように、絵素電極13上のSiNx
層17とSiO2層16に開口部21および図示はしないが画像表
示部外の領で走査線10上のSiNx層17に開口部を形成して
絵素電極13と走査線10の一部を露出する。最終工程は第
5図(f)に示したように全面に耐熱バリア層としてMo
Si2、ソース・ドレイン配線層としてAlをそれぞれ1000
Å、1μm程度の膜厚で被着した後、まずAlを選択的に
残してソース(信号線)11、ドレイン22とし、引き続き
AlをマスクとしてAl配線11,21の下にのみMoSi223と第2
の非晶質シリコン20′を残して液晶パネルを構成するア
クティブ型マトリクス基板が完成する。図示はしないが
走査線10上の開口部にもAl配線路は形成されている。
上述したマトリクス基板はホトマスク工程6回によっ
て得られるが、これを合理化して5回とすることは生産
性向上の観点からは極めて重要である。この工程を以下
説明する。
て得られるが、これを合理化して5回とすることは生産
性向上の観点からは極めて重要である。この工程を以下
説明する。
その変化点は第6図(a)に示したように全面に第2
の非晶質シリコン層20を被着した後、絵素電極13上への
開口部21の形成を、第1と第2の非晶質シリコン層18,2
0とSi3N4層17およびSiO2層16とからなる多層膜に一括し
て行なうことにあるが、ここではその詳細は省略する。
その後は前例と全く同じ工程を経て第6図(b)に示し
たマトリクス基板2が得られる。
の非晶質シリコン層20を被着した後、絵素電極13上への
開口部21の形成を、第1と第2の非晶質シリコン層18,2
0とSi3N4層17およびSiO2層16とからなる多層膜に一括し
て行なうことにあるが、ここではその詳細は省略する。
その後は前例と全く同じ工程を経て第6図(b)に示し
たマトリクス基板2が得られる。
第5図(f)と第6図(b)との比較から分るように
5枚マスク工程ではMoSi2 1 Alよりなるソース・ドレイ
ン配線11,22は全て第2と第1の非晶質シリコン層20′,
18′を介してSiNx層17上に存在し、6枚マスク工程では
トランジスタの近傍にのみ第2と第1の非晶質シリコン
層20′,18′が介在し、大部分は直接Si3N4層17上に存在
する差異が生じる。この差異は画像表示部では何らの障
害ももたらさないが第7図に示したように画像表示部外
の領域に形成された幅広のAl配線路24においては配線層
の浮き25や、はなはだしい場合には配線層の局所的剥離
として著しい障害を持たらすことが分った。
5枚マスク工程ではMoSi2 1 Alよりなるソース・ドレイ
ン配線11,22は全て第2と第1の非晶質シリコン層20′,
18′を介してSiNx層17上に存在し、6枚マスク工程では
トランジスタの近傍にのみ第2と第1の非晶質シリコン
層20′,18′が介在し、大部分は直接Si3N4層17上に存在
する差異が生じる。この差異は画像表示部では何らの障
害ももたらさないが第7図に示したように画像表示部外
の領域に形成された幅広のAl配線路24においては配線層
の浮き25や、はなはだしい場合には配線層の局所的剥離
として著しい障害を持たらすことが分った。
ところが幅広でないAl配線路26ではそのような現象は
非常に稀にしか生ぜず、また6枚マスク工程ではマトリ
クス基板2全面にわたってAl配線路の浮きは観測されな
かった。
非常に稀にしか生ぜず、また6枚マスク工程ではマトリ
クス基板2全面にわたってAl配線路の浮きは観測されな
かった。
画像表示部では大電流や高速周波数成分を流す必要が
ない、Alの抵抗が低い、加えて線幅が広いと開口率の低
下を招くなどの理由によりソース(信号線)11の線幅が
20μmを越える必要はない。しかしながらCOG方式の実
装を採用した場合には、マトリクス基板2の周辺には画
像表示部に駆動用信号を供給するために多数の半導体集
積回路チップが配置され、これらの半導体チップ間には
高速のクロック信号の授受が必要となり、またVSSやVDD
等の電源ラインにもかなりの電流が流れるので、ある程
度線幅の大きい配線路を用意しないとクロックノイズが
原因となって半導体集積回路が誤動作して表示画像が乱
れる恐れがある。またソース・ドレイン配線は必らずし
も低抵抗のAlを用いる必然はなく、製作工程の合理化の
ため透明導電性のITO薄膜が用いられることも多いが、
この場合には許される範囲で線幅を広くしなければ抵抗
値が高くなって不都合である。
ない、Alの抵抗が低い、加えて線幅が広いと開口率の低
下を招くなどの理由によりソース(信号線)11の線幅が
20μmを越える必要はない。しかしながらCOG方式の実
装を採用した場合には、マトリクス基板2の周辺には画
像表示部に駆動用信号を供給するために多数の半導体集
積回路チップが配置され、これらの半導体チップ間には
高速のクロック信号の授受が必要となり、またVSSやVDD
等の電源ラインにもかなりの電流が流れるので、ある程
度線幅の大きい配線路を用意しないとクロックノイズが
原因となって半導体集積回路が誤動作して表示画像が乱
れる恐れがある。またソース・ドレイン配線は必らずし
も低抵抗のAlを用いる必然はなく、製作工程の合理化の
ため透明導電性のITO薄膜が用いられることも多いが、
この場合には許される範囲で線幅を広くしなければ抵抗
値が高くなって不都合である。
第7図(a)に示した配線層の浮きや剥離25を解析し
たところB−B′線上の断面図、第7図(b)に示した
ように不純物を含まない第1の非晶質シリコン層18′と
不純物として隣を含む第2の非晶質シリコン層20′との
境界で発生していることが分った。先述したように第1
と第2の非晶質シリコン層18,20は工程上、非連続な堆
積で形成され、しかも両者とも大量の水素を含んで膜質
が維持されるので、製造工程中の加熱によって水素の脱
ガスが生じ、それに伴なって生じる界面の格子再配列が
歪となって剥離を生じるものと思われる。とくに耐熱バ
リア層23やソース・ドレイン配線11,22が第2の非晶質
シリコン20′上に存在すると、キャップ作用によっで剥
離が急速に促進されることも分った。
たところB−B′線上の断面図、第7図(b)に示した
ように不純物を含まない第1の非晶質シリコン層18′と
不純物として隣を含む第2の非晶質シリコン層20′との
境界で発生していることが分った。先述したように第1
と第2の非晶質シリコン層18,20は工程上、非連続な堆
積で形成され、しかも両者とも大量の水素を含んで膜質
が維持されるので、製造工程中の加熱によって水素の脱
ガスが生じ、それに伴なって生じる界面の格子再配列が
歪となって剥離を生じるものと思われる。とくに耐熱バ
リア層23やソース・ドレイン配線11,22が第2の非晶質
シリコン20′上に存在すると、キャップ作用によっで剥
離が急速に促進されることも分った。
課題を解決するための手段 上記した解析結果に基づいて本発明では格子再配列時
の歪緩和とキャップ効果による脱ガス抑制の緩和を達成
するために線幅20μmの配線路においてはパターン欠損
部を与えるものである。
の歪緩和とキャップ効果による脱ガス抑制の緩和を達成
するために線幅20μmの配線路においてはパターン欠損
部を与えるものである。
作用 パターン欠損部には5枚マスク工程では配線材である
Al、耐熱バリア層のMoSi2および第1と第2の非晶質シ
リコン層が存在せず、その開口部断面内にこれらの薄膜
の側面が露出する。この結果、脱ガスと歪緩和が促進さ
れて配線層の剥離が防止される。
Al、耐熱バリア層のMoSi2および第1と第2の非晶質シ
リコン層が存在せず、その開口部断面内にこれらの薄膜
の側面が露出する。この結果、脱ガスと歪緩和が促進さ
れて配線層の剥離が防止される。
実施例 第1図に示したように線幅80μmの配線層27に欠損部
として40μm角の開口部28を適当な間隔で配置したとこ
ろ、耐熱バリア層23の被着以降の製造工程中における20
0℃末満の加熱処理およびトランジスタ特性を安定させ
るための完成品に対する250℃、1時間のベーキングを
実施しても20μmの配線層26ともども剥離や浮きは観測
されなかった。
として40μm角の開口部28を適当な間隔で配置したとこ
ろ、耐熱バリア層23の被着以降の製造工程中における20
0℃末満の加熱処理およびトランジスタ特性を安定させ
るための完成品に対する250℃、1時間のベーキングを
実施しても20μmの配線層26ともども剥離や浮きは観測
されなかった。
なお、本発明は不純物を含む非晶質シリコン層と不純
物を含まない非晶質シリコン層の界面に帰因する物理原
則の回避であって、前記実施例以外のデバイスやプロセ
スに対しても効果の大きさは異なるが有効であることは
言うまでもない。
物を含まない非晶質シリコン層の界面に帰因する物理原
則の回避であって、前記実施例以外のデバイスやプロセ
スに対しても効果の大きさは異なるが有効であることは
言うまでもない。
発明の効果 以上のように本発明の配線パターンを用いることによ
り、配線路の断線、剥離した破片の再付着による短格等
の不良現象は一掃され、また製造工程のクリーン度も維
持される。加えてマトリクス基板上に抵抗値が低く、か
つ幅広いパターンを配置することが可能となってシール
ド効果や低いインピーダンスの確保などで著しい効果が
得られた。
り、配線路の断線、剥離した破片の再付着による短格等
の不良現象は一掃され、また製造工程のクリーン度も維
持される。加えてマトリクス基板上に抵抗値が低く、か
つ幅広いパターンを配置することが可能となってシール
ド効果や低いインピーダンスの確保などで著しい効果が
得られた。
第1図は本発明の実施例による配線パターン図、第2図
は液晶パネルへの実装図、第3図はアクティブ型液晶パ
ネルの等価回路図、第4図はマトリクス基板上の単位絵
素の平面図、第5図および第6図は第4図のA−A′線
上の要部工程断面図、第7図は従来例による配線パター
ン図である。 1……液晶パネル、2……マトリクス基板、9……絶縁
ゲート型トランジスタ、10……走査線、11……信号線、
12……液晶セル、13……絵素電極、17……Si3N4層、18
……不純物を含まない非晶質シリコン層、19……Si3N4
層、20……不純物を含む非晶質シリコン層、23……耐熱
バリア層、24,27……線幅が太い配線層、26……線幅が
細い配線層、28……配線パターン内の欠除部。
は液晶パネルへの実装図、第3図はアクティブ型液晶パ
ネルの等価回路図、第4図はマトリクス基板上の単位絵
素の平面図、第5図および第6図は第4図のA−A′線
上の要部工程断面図、第7図は従来例による配線パター
ン図である。 1……液晶パネル、2……マトリクス基板、9……絶縁
ゲート型トランジスタ、10……走査線、11……信号線、
12……液晶セル、13……絵素電極、17……Si3N4層、18
……不純物を含まない非晶質シリコン層、19……Si3N4
層、20……不純物を含む非晶質シリコン層、23……耐熱
バリア層、24,27……線幅が太い配線層、26……線幅が
細い配線層、28……配線パターン内の欠除部。
Claims (1)
- 【請求項1】シリコン窒化膜上に形成された不純物を含
まない非晶質シリコン層と、不純物を含む非晶質シリコ
ン層と、耐熱バリア層と、導電性薄膜との積層よりなる
同一構成の配線層を画像表示部外の領域に有し、前記配
線層の線幅が20μm以上の場合に前記配線層に開口部を
存在させたことを特徴とする配線パターン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20515988A JP2543150B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 配線パタ―ン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20515988A JP2543150B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 配線パタ―ン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0253032A JPH0253032A (ja) | 1990-02-22 |
JP2543150B2 true JP2543150B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16502401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20515988A Expired - Fee Related JP2543150B2 (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 配線パタ―ン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2543150B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62280890A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | 松下電器産業株式会社 | アクテイブマトリツクスアレイ |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP20515988A patent/JP2543150B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0253032A (ja) | 1990-02-22 |
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