JP2538578B2 - 2−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物 - Google Patents

2−置換アルキルエ−テル類および液晶組成物

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は新規な有機化合物およびそれらを含む液晶組
成物に関し、さらに詳しくは、強誘電性液晶組成物の成
分として有用な、光学活性基を有する2−置換アルキル
エーテル類およびそれらを含有する強誘電性液晶組成物
に関する。
(従来の技術) 現在、液晶表示素子としてTN(ねじれネマチック)型
表示方式が最も広汎に使用されている。このTN液晶表示
は、駆動電圧が低い、消費電力が少ないなど、多くの利
点を持っている。しかしながら、応答速度の点において
は、陰極管、エレクトロルミネッセンス、プラズマディ
スプレイ等の発光型表示素子に劣っている。ねじれ角を
180〜270°にした新しいTN型表示素子も開発されている
が、応答速度はやはり劣っている。このように種々の改
善の努力は行なわれているが、応答速度の早いTN型表示
素子は実現には至っていない。しかしながら最近、盛ん
に研究が進められている強誘電性液晶を用いる新しい表
示方式においては、著しい応答速度の改善の可能性があ
る(Clarkら;Applid Phys.lett.,36,899(1980))。こ
の方式は強誘電性を示すカイラルスメクチックC相(以
下、Sc*と略称する)等のカイラルスメクチック相を利
用する方法である。強誘電性を示す相はSc*相のみでは
なく、カイラルスメクチックF、G、H、I等の相が強
誘電性を示すことが知られている。
実際に利用される強誘電性液晶表示素子に使用される
強誘電性液晶材料には多くの特性が要求されるが、それ
らを満たすには現在のところ、1つの化合物では応じら
れず、いくつかの液晶化合物または非液晶化合物を混合
して得られる強誘電性液晶組成物を使用する必要があ
る。
また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶
組成物ばかりではなく、特願昭60−36003号公報には非
カイラルなスメクチックC、F、G、H、I等の相(以
下、Sc等の相と略称する)を呈する化合物および組成物
を基本物質として、これに強誘電性液晶相を呈する1種
または複数の化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成
物とし得ることが報告されている。さらにSc等の相を呈
する化合物および組成物を基本物質として、光学活性で
はあるが強誘電性液晶相は呈しない1種あるいは複数の
化合物を混合して全体を強誘電性液晶組成物とする報告
も見受けられる(Mol.Cryst.Liq.Cryst.89,327(198
2))。
これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈するか
否かにかかわらず光学活性である化合物の1種または複
数を基本物質と混合して強誘電性液晶組成物を構成でき
ることがわかる。しかしながら、光学活性物質は望むら
くは液晶相を呈することが好ましく、液晶相を呈しない
場合も、その構造が液晶化合物に類似したもの、いわば
擬似液晶物質であることが望ましい。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は、上述のような強誘電性液晶組成物の
成分として望ましい光学活性化合物を提供することにあ
る。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、一般式(I) ((I)式においてR1は炭素数1〜18の直鎖または分岐
のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカ
ノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基、R2は炭
素数2〜15の直鎖または分岐のアルキル基をあらわし、 (Yはシアノ基、ハロゲン原子、メチル基またはメトキ
シ基を示す)をあらわし、 Xは−OR3F、Cl、Br(R3は炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐のア
ルキル基または水素原子を示す)をあらわし(ただし、 の場合はXはF、Clまたは−OR3でなく、 の場合はXはClではなく、かつ の場合はXはFまたはClでない)、*は不斉炭素原子で
あることを示す)で表される2−置換アルキルエーテル
類およびそれらを含有する液晶組成物に関する。
一般式(I)において、R1は好ましくは炭素数4〜14
の直鎖状のアルキル基またはアルコキシ基であり、R2
好ましくは炭素数2〜10の直鎖または分岐のアルキル基
であるが、分岐の場合は光学活性を有していてもよい。
R3は好ましくは炭素数1〜6の直鎖または分岐のアルキ
ル基であるが、分岐の場合は光学活性を有していてもよ
い。
(I)式の化合物は以下のようにして製造することが
できる。
XがOR3のとき(ただしR3≠H) Xが のとき XがF、Cl、Brのとき または またはXがFのときに限っては (上式中、R1、R2、R3Xは前述と同様の意味を有し、R′は1−エトキシエチ
ル基、メトキシメチル基、2−テトラヒドロピラニル
基、ベンジル基等の保護基を示す。L1はメタンスルホニ
ルオキシ基、ベンゼルスルホニルオキシ基、p−トルエ
ンスルホニルオキシ基、臭素、塩素等の脱離基を示し、
L2はメタンスルホニル基、ベンゼルスルホニル基、p−
トルエンスルホニル基等を示す。Mはリチウム、ナトリ
ウム、カリウム、カルシウム、銀、水銀等の金属イオン
を示す)。
原料となる化合物(1)を種々のアルコール、フェノ
ール類と反応させて化合物(2)とし、これを保護基
R′に適した方法で脱保護して化合物(I−a)を製造
できる。この場合、Xは−OR3でR3=Hのものに対応し
ている。式(I−a)の化合物をR3 L1によりエーテル
化することにより化合物(I−b)を製造できる。この
場合、Xは−OR3(R3≠H)のものに対応している。ま
た、式(I−a)の化合物をR3COOHまたはその活性エス
テル化剤によりエステル化することにより化合物(I−
c)を製造できる。この場合、Xは のものに対応している。式(I−a)の化合物を例えば
フッ化水素、フッ酸、フッ化水素ピリジン、Et2NCF2CHC
lF、Et2NSF3、フルオロフェニルホスホラン類等で処理
することにより化合物(I−d)においてXがFのもの
を製造できる。
また式(I−a)の化合物を例えば、塩化水素、塩化
チオニル、五塩化リン、オキシ塩化リン、トリフェニル
ホスフィンと四塩化炭素等で処理することによって化合
物(I−d)においてXがClのものを製造できる。さら
に式(I−a)の化合物を例えば臭化水素、臭化チオニ
ル、三臭化リン、トリアルキルホスフィンと四臭化炭素
等によって処理することにより化合物(I−d)におい
てXがBrのものを製造できる。
さらにまた式(I−a)の化合物をメタンスルホニル
クロリド、p−トルエンスルホニルクロリド、ベンゼル
スルホニルクロリド等によりスルホニル化して(3)と
し、これをLiF、KF、CaF2、AgF等の塩によってフッ素原
子との交換反応を行ない、化合物(I−d)のXがFの
ものを製造できる。また、化合物(3)をLiCl、MgC
l2、NaCl等の塩によって塩素原子との交換反応を行な
い、化合物(I−d)のXがClのものを製造できる。ま
た、化合物(3)をNaBr、KBr等の塩によって臭素原子
との交換反応を行ない、化合物(I−d)のXがBrのも
のを製造できる。
また、XがFの場合に限っては化合物(4)を原料と
して化合物(I−e)を製造できる。
ここで原料となる化合物(1)および(4)の製造方
法について述べる。化合物(1)は光学活性なα−ヒド
ロキシアルカン酸類を原料として製造でき、これはラセ
ミのα−ヒドロキシアルカン酸類の化学的光学分割、生
化学的な不斉エステル化および不斉還元、アミノ酸類の
Van slyke反応によるアミノ基のヒドロキシル基への置
換等によって得られる。また、化合物(1)は光学活性
−1,2−アルカンジオールの1位のみをハロゲン化して
1−ハロ−2−ヒドロキシアルカンを原料として製造で
き、1,2−アルカンジオールは光学活性な1,2−エポキシ
アルカンを原料として製造できる。化合物(4)はアミ
ノ酸類のアミノ基のフッ素への置換によって得られるα
−フッ化アルカン酸、または1,2−エポキシアルカンの
酸性下におけるフッ素化によって得られる2−フッ化ア
ルカン−1−オールを原料として製造できる。
上述のアミノ酸としては、2−アミノブタン酸、バリ
ン、ロイシン、イソロイシン、ノルバリン、ノルロイシ
ン等があげられる。
ここに例として挙げた製法の他にも既知の方法を組合
わせて本発明の(I)式の化合物を製造することも可能
である。
〔発明の作用、効果〕
前記一般式(I)の化合物の特徴としては、それ自体
が強誘電性液晶相を呈示するものは、当然強誘電性液晶
組成物の成分として好適であるが、それ自体が強誘電性
液晶相を呈示しない場合においても強誘電性液晶組成物
の成分として好適なことである(例えば後述の実施例11
および12)。また非カイラルまたはカイラルスメクチッ
ク液晶化合物(およびまたは組成物)に対して前記化合
物を適量加えることによって、構成される強誘電性液晶
組成物の自発分極値が添加以前のそれに比較して著しく
大きくなることである。すなわち、非カイラルのスメク
チックC等の相を呈する液晶化合物または組成物は強誘
電性液晶ではないのでPsは存在しないが、この物質に本
発明の化合物を添加することによって相は強誘電性液晶
相を示し、その添加量に従ってPsは著しく大となる。さ
らに強誘電性液晶化合物(およびまたは組成物)ではあ
るが、そのPsが微小である物質に対して本発明の化合物
を適量添加することによってそのPsを著しく大きく、ま
たその応答時間も添加前に比較して短くすることができ
る。すなわち本発明の化合物は強誘電性液晶組成物のPs
を担う成分として好適である。
また、後述の実施例13に例示されるように、本発明の
(I)式の化合物は光学活性炭素原子を有するために、
ネマチック液晶に添加することによりねじれた構造を誘
起する能力を有する。ねじれた構造を有するネマチック
液晶、すなわち、カイラルネマチック液晶はTN型表示素
子のリバース・ツイストドメインを生成することがない
ので本発明の(I)式の化合物はリバース・ツイストド
メイン生成の防止剤としての作用をも有する。
また、本発明の化合物をネマチック液晶組成物に添加
したカイラルネマチック液晶組成物のカイラルピッチの
温度特性は、後述の実施例13に例示されるように非常に
平坦なものが多い。現在使用されているネマチック液晶
添加用のカイラル物質のカイラルピッチは温度が上昇す
るにつれて長くなるものがほとんどである。しかし温度
が上昇するにつれてそのカイラルピッチが短くなるもの
も報告されていて、それらの物質はTN型表示素子の電気
光学特性のしきい値電圧の温度変化を小さくすると述べ
られている(第33回応用物理学関係連合講演会(1986年
(昭和61年)春季)講演予稿集1p−G−7(p.78)およ
びJAPAN DISPLAY'86講演予稿集8.3(p.286〜289)参
照)。
本発明の化合物はこれと類似した物性を有しているた
めにこれを添加したカイラルネマチック液晶組成物のし
きい値電圧の温度変化を小さくすることができる。
また、これとは別にTN型でツイスト角を180〜270°に
したいわゆるスーパーTN型表示においては、ピッチの温
度変化は表示品位の著しい低下をもたらすが、スーパー
TN型表示に本発明の化合物を添加したカイラルネマチッ
ク液晶組成物を用いることにより、温度変化によって表
示品位が損なわれない、優れたスーパーTN型表示素子を
作成することができる。
以上のように本発明の化合物はカイラルネマチック組
成物のカイラル成分化合物としても有用である。
〔実施例〕
以下、実施例により、本発明の化合物および液晶組成
物についてさらに詳しく説明する。
実施例1 s−1−(4′−オクチルオキシ−4−ビフェニリル
オキシ)−4−メチル−ペンタン−2−オール((I)
式においてR1がオクチルオキシ、 R2がイソブチル、XがOHの化合物)の製造 (1)2S−2−(2′−テトラピラニルオキシ)−4−
メチル−ペンタン−1−オールの製造 s−ロイシン100g、2N−硫酸1600mlの懸濁液を0〜5
℃に冷却して固体の亜硝酸ナトリウム90gを徐々に加え
た。液が透明になったのち、室温中に一夜放置した。水
を減圧下留去して、残留物に酢酸エチル500ml加えて生
成した固体を除去し、母液を乾燥(MgSO4使用)、濃縮
した。160mlのエタノール、300mlのベンゼンおよび2gの
p−トルエンスルホン酸−水和物を加え、生成する水を
除きながら12時間加熱還流した。これを水洗ののち減圧
蒸留してb.p.52〜54℃/3mmHgの2s−2−ヒドロキシ−4
−メチル−ペンタン酸エチル(▲α25 D▼−12.0(nea
t)25gを得た。このもの17g、3,4−シヒドロピラン14
g、ジクロルメタン100mlの混合物を0℃に冷却してピリ
ジウム−p−トルエンスルホネート1.0gのジクロルメタ
ン30ml溶液を滴下し、0℃で2時間攪拌し、続いて室温
にて10時間攪拌した。再度冷却して固体の炭酸水素ナト
リウム1.0gを加え溶液を濃縮した。これをシリカゲルを
詰めたカラムクロマトグラフィーにて、ヘプタンを溶離
液としてクロマトグラフを行ない、溶離液を濃縮し、減
圧蒸留してb.p.85〜103℃/4mmHgの2s−2−(2′−テ
トラヒドロピラニルオキシ)−4−メチル−ペンタン酸
エチル(▲α25 D▼−42.2(neat))20gを得た。リチウ
ムアルミニウムヒドリド2.4gをテトラヒドロフラン(以
下、THFと略称する)50mlに懸濁させてを冷却した。こ
れに上記の2s−2−(2′−テトラヒドロピラニルオキ
シ)−4−メチル−ペンタン酸エチル20gのTHF200ml溶
液を滴下し、反応終了後水を加え、エーテルで抽出して
得た生成物を減圧蒸留してb.p.90〜105℃/3mmHgの2a−
2−(2′−テトラヒドロピラニルオキシ)−4−メチ
ル−ペンタン−1−オール(▲α24 D▼−29.0(neat)
を15g得た。
(2)2s−2−(2′−テトラヒドロピラニルオキシ)
−4−メチル−ペンチル−p−トルエンスルホネートの
製造 (1)で得た2s−2−(2′−テトラヒドロピラニル
オキシ)−4−メチル−ペンタン−1−オール15gをピ
リジン100mlに溶解し、冷却した。これにp−トルエン
スルホニルクロリド15gのピリジン200ml溶液を滴下し
た。トルエン300mlを加え抽出し、有機層を水洗、アル
カリ洗、水洗ののち乾燥して濃縮し、2s−2−(2′−
テトラヒドロピラニルオキシ)−4−メチル−ペンタン
p−トルエンスルホネート30gを得た。
(3)s−1−(4′−オクチルオキシ−4−ビフェニ
リルオキシ)−4−メチル−ペンタン−2−オールの製
造 水素化ナトリウム(55%)1.7gにTHF20mlを加え冷却
したところに、4′−ヒドロキシ−4−オクチルオキシ
−ビフェニル8gのTHF100ml溶液を加え、続いて(2)で
得た2s−2−(2′−テトラヒドロピラニルオキシ)−
4−メチル−ペンチル−p−トルエンスルホネート10g
のN,N−ジメチルフォルムアミド(以下、DMFと略称す
る)の200ml溶液を加え8時間80〜90℃で加熱した。冷
却後トルエン300mlを加え水洗、アルカリ洗、水洗して
濃縮した。これを活性アルミナを詰めたカラムクロマト
グラフィーでトルエンを溶離液として精製した。溶離液
を濃縮し、これにエタノール300mlを加え、さらに12M−
塩酸を5ml加えて60℃で2時間加熱した。冷却して生成
した固体を濾取して、エタノールと酢酸エチルの混合溶
液を用いてs−1−(4′−オクチルオキシ−4−ビフ
ェニリルオキシ)−4−メチル−ペンタン−2−オール
(▲〔α〕24 D▼+8.2(C0.54、CHCl3))8gを得た。こ
のものはCr・95℃(S5・58℃)S4・103℃、S3・113.1
℃、S2・113.6℃、S1・115.6℃、SA・119.5℃ Iso(Cr
は結晶相、Isoは等方性液体相、SAはスメクチックA相
のそれぞれ略称、S1〜S5は現在のところ帰属不時のスメ
クチック相をあらわす。なお、( )はモノトロピック
相であることを示す)の相転移温度を示した。
実施例2 s−1−(4−(5−デシル−2−ピリジニル)−フ
ェノキシ−4−メチル−ペンタン−2−オール((I)
式においてR1がデシル、 R2がイソブチル、XがOHの化合物)の製造 実施例1−(3)に準拠して、水素化ナトリウム2.0
g、p−(5−デシル−2−ピリジニル)−フェノール
(融点90.4〜91.8)9g、実施例1−(2)で得た2S−2
−(2′−テトラヒドロピラニルオキシ)−4−メチル
−ペンチル−p−トルエンスルホネート10gを用いて標
題化合物であるs−1−(4−(5−デシル−2−ピリ
ジニル)−フェノキシ)−4−メチル−ペンタン−2−
オール(▲〔α〕24 D▼+6.4(C0.5、CHCl3))を8.5g
得た。なお、前記p−(5−デシル−2−ピリジニル)
−フェノールは、特願昭60−293934号記載の方法、つま
り既知物質であるp−メトキシフェニル−β−クロルビ
ニルケトンとN−ドデセニルピペリジンとを反応させ、
さらに過塩素酸との反応によってピリリウムパークロレ
イトを得、これを酢酸アンモニウムと反応させ5−デジ
ル−2−(p−メトキシフェニル)−ピリジンを得、さ
らにこれを酢酸中、臭化水素水と反応させ、脱メチル化
することによって得られる。
上記標題化合物の融点は108.3〜109.2℃であり、また
そのプロトンNMRは以下のようであった。
(CDCl3溶液、TMS内部標準) δ(ppm) 8.42 s 1H 7.85 d (J=9Hz) 2H 7.48 s 2H 6.90 d (J=9Hz) 2H 4.23〜3.73 m 3H 3.25 s 1H 2.58 t (J=7Hz) 2H 2.17〜0.75 m 28H 実施例4 s−4′−オクチルオキシ−4−(4−メチル−2−
メトキシ−ペントキシ)−ビフェニル((I)式におい
てR1がオクチルオキシ、 R2がイソブチル、Xが−OCH3の化合物)の製造 水素化ナトリウム(55%)0.2gをTHFに懸濁させて氷
冷し、これに実施例1−(3)で得たs−1−(4′−
オクチルオキシ−4−ビフェニリルオキシ)−4−メチ
ル−ペンタン−2−オール1.0gのDMF50ml溶液を加え、
さらにヨウ化メチル1.0gのDMF30ml溶液を加え、60〜70
℃で8時間攪拌した。これにトルエン100mlを加え水
洗、アルカリ洗、酸洗、水洗ののち濃縮した。残留分を
活性アルミナを詰めたカラムクロマトグラフィーにて精
製し、溶離液を濃縮してエタノール50mlを用いて再結晶
2回行い、標題化合物のs−4′−オクチルオキシ−4
−(4−メチル−2−メトキシ−ペントキシ)−ビフェ
ニル0.7gを得た。このものは融点61.8〜62.8℃を示し
た。このものの比旋光度は▲〔α〕22 D▼−21.2(C0.4
7、CHCl3)であった。
実施例5 s−4′−オクチルオキシ−4−(4−メチル−2−
アセチルオキシ)−ペントキシ−−ビフェニル((I)
式においてR1がオクチルオキシ、 R2がイソブチル、 Xが の化合物)の製造 実施例1−(3)で得たs−1−(4′−オクチルオ
キシ−4−ビフェニルオキシ)−4−メチル−ペンタン
−2−オール1.0g、4N,N−ジメチルアミノピリジン(以
下、DMAPと略称する)50mg、無水酢酸40mlの混合物を60
℃の水浴上で4時間加熱した。トルエン100ml加えて有
機層をアルカリ洗、酸洗、水洗ののち濃縮した。これを
活性アルミナを詰めたカラムクロマトグラフィーによっ
て、トルエンを溶離液として精製し、溶出液を濃縮して
残分をエタノール40mlを用いて2回再結晶を行ない、標
題化合物のs−4′−オクチルオキシ−4−(4−メチ
ル−2−アセチルオキシ)−ペントキシ−ビフェニル0.
8gを得た。このものは融点53.7〜54.7℃を示した。この
ものの比旋光度は▲〔α〕21 D▼−39.2(C0.51、CHC
l3)であった。
実施例6 s−5−デシル−2−(4−(4−メチル−2−アセ
チルオキシ)−ペントキシ−フェニル)ピリジン
((I)式においてR1がデシル、 R2がイソブチル、Xが の化合物)の製造 実施例2で得たs−1−(4−(5−デシル−2−ピ
リジニル)−フェノキシ)−4−メチル−ペンタン−2
−オール1.0g、DMAP50mg、無水酢酸40mlを用いて実施例
5に準拠した方法で反応、精製を行ない、標題の化合物
のs−5−デシル−2−(4−(4−メチル−2−アセ
チルオキシ)−ペントキシ−フェニル)−ピリジン0.5g
を得た。このものの融点は39.3〜41.0℃であり、また比
旋光度は▲〔α〕27 D▼−35.3(C0.53、CHCl3)であっ
た。
また、このもののプロトンNMRは以下のようであっ
た。
(CDCl3溶液、TMS内部標準) δ(ppm) 8.47 s 1H 7.90 d (J=9Hz) 2H 7.50 s 2H 6.97 d (J=9Hz) 2H 5.53〜5.13 m 1H 4.02 d (J=5Hz) 2H 2.60 t (J=7Hz) 2H 2.03 s 3H 1.83〜0.80 m 28H 実施例7 s−5−オクチル−2−(4−(4−メチル−2−ア
セチルオキシ)−ペントキシ−フェニル)−ピリミジン
((I)式においてR1がオクチル、 R2がイソブチル、Xが の化合物)の製造 実施例3で得たs−1−(4−(5−オクチル−2−
ピリミジニル)−フェノキシ)−4−メチル−ペンタン
−2−オール0.8g、DMAP30mg、無水酢酸20mlを用い、実
施例5に準拠した方法で反応、精製を行ない、標題の化
合物のs−5−オクチル−2−(4−(4−メチル−2
−アセチルオキシ)−ペントキシ−フェニル)−ピリミ
ジン0.3gを得た。このものの融点は41.3〜41.5℃であっ
た。
実施例10 5−デシル−2−(4−(4−メチル−2−フルオ
ロ)−ペントキシ−フェニル)−ピリジン((I)式に
おいてR1がデシル、 R2がイソブチル、XがFの化合物)の製造 (Et)2NSF3(ジエチルアミノサルファートリフルオリ
ド、以下、DASTと略称する)0.4gのCH2Cl230ml溶液を−
50℃に冷却し、実施例2で得たs−1−(4−(5−デ
シル−2−ピリジニル)−フェノキシ)−4−メチル−
ペンタン−2−オール1.0gのCH2Cl250ml溶液を滴下し、
ゆっくり室温までもどした。反応液を酸洗、アルカリ
洗、水洗ののち濃縮し、残分を活性アルミナを詰めたカ
ラムクロマトグラフィーにて精製し、さらにエタノール
40mlから再結晶を行なって標題化合物の5−デシル−2
−(4−(4−メチル−2−フルオロ)−ペントキシ−
フェニル)−ピリジン0.4gを得た。このものの融点は7
7.0〜78.0℃であった。また、その比旋光度は▲〔α〕
25 D▼+4.3(C0.5、CHCl3)であった。
実施例11(使用例1) 上記組成の液晶組成物AはCr→Sc4℃、Sc→SA65℃、S
A→Ne79℃、Ne→Iso90℃(ScはスメクチックC相、Neは
ネマチック相の略称)の相転移温度を示す。また、この
組成物Aは非光学活性化合物のみからなるのでカイラル
液晶ではなく、したがって強誘電性液晶でなく自発分極
(以下Psと略称する)も示さない。
組成物A80重量%と本発明の実施例5の化合物20重量
%との混合物、すなわち組成物BはCr→Sc*は不明瞭で
あるが、Sc*→SA50℃、SA→Ne*72.2℃、Ne*→Iso81.
6℃(Ne*はカイラルネマチック相の略称)の相転移温
度を示した。この組成物Bを配向処理剤としてPVAを塗
布し、表面をラビング処理して平行配向処理を施した透
明電極を備えた厚さ2μmのセルに注入し、この素子を
2枚の直交する偏光子の間に設置し、電界を印加した。
±10Vの印加によって透過光強度の変化から応答時間、
ソーヤ・タワー法によりPsを求めると以下のようになっ
た。
温度(℃) 応答時間(μsec) Ps(nC/cm2) 45 75 1.8 35 125 3.0 25 180 3.5 実施例12(使用例2) 実施例11であげた組成物A80重量%と本発明の実施例1
0の化合物20重量%との混合物、すなわち組成物CはCr
→Sc*は不明瞭であるが、Sc*→SA58.0℃、SA→Iso82.
0の相転移温度を示した。この組成物Cを実施例11と同
条件下にて応答時間と、Psを求めると以下のようになっ
た。
温度(℃) 間(μsec) Ps(nC/cm2) 50 30 6.0 40 48 8.0 30 65 8.8 20 76 9.0 実施例13(使用例3) からなるネマチック液晶組成物を、配向処理剤としてポ
リビニルアルコール(PVA)を塗布し、その表面をラビ
ングして平行配向処理を施した透明電極付の電極間隔10
μmのセルに注入してTN型表示セルとし、これを偏光顕
微鏡下で観察したところ、リバース・ツイストドメイン
を生じていることが観察された。このネマチック液晶組
成物に本発明の実施例1の化合物を1.0重量%添加し、
同様にTN型セルにて観察したところ、リバース・ツイス
トドメインは生成せず、均一なネマチック相が観察され
た。
実施例14(使用例4) メルク社製ZLI−1132に実施例4の化合物を1重量%
添加したカイラルネマチック液晶組成物をカノー・エッ
ジ法により、そのカイラルピッチを測定したところ以下
のようになった。
温度(℃) ピッチ(μm) 20 27.7 30 8.8 40 28.0 50 28.5 60 29.0 実施例15 S−5−(2′−フルオロオクチルオキシ)−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジン((I)
式において、R1がオクチルオキシ、 R2がヘキシル、xがFの化合物)の製造 (1)S−2−フルオロ−オクタン−1−オールの製造 フッ化水素ピリジン溶液30mlを氷冷し、ここへR−1,
2−エポキシオクタン8.5gのエーテル20ml溶液を滴下し
た。同温度で2時間攪拌した後、室温にした。水100ml
を加えエーテル50mlで2回抽出し、有機層をアルカリ洗
浄、水洗し、MgSO4上で乾燥したのち濃縮した。これを
減圧下に蒸留して126〜129°/80mmHgの留分4.9gを得
た。これをヘプタン40mlを用いて再結晶して、S−2−
フルオロ−オクタン−1−オール3.7gを得た。
▲〔α〕26 D▼−13.1(C1.7、ベンゼン) (2)S−2−フルオロ−1−p−トルエンスルホニル
オキシオクタンの製造 (1)で得たS−2−フルオロ−オクタン−1−オー
ル3.0g、p−トルエンスルホニルクロリド4.5gおよびピ
リジン50mlを室温下にて攪拌した。水100ml、トルエン2
00mlを加え、有機層を分液し、酸洗、アルカリ洗、水洗
ののち、MgSO4上で乾燥した。これを濃縮してS−2−
フルオロ−1−p−トルエンスルホニルオキシオクタン
6.0gを得た。
(3)S−5−(2′−フルオロオクチルオキシ)−2
−(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンの製造 水素化ナトリウム80mgにTHF10mlを加え、これに5−
ヒドロキシ−2−(4′−オクチルオキシフェニル)ピ
リミジン300mgを加え、さらに(2)で得たS−2−フ
ルオロ−1−p−トルエンスルホニルオキシオクタン30
0mgを加え、DMF50mlを加え、70℃付近の温度で8時間攪
拌した。トルエン150mlを加え分液し、有機層をアルカ
リ洗、水洗ののち濃縮し、活性アルミナを詰めたカラム
クロマトグラフィにてトルエンを溶離液として精製し、
エタノールを用いて再結晶を行なって標題のS−5−
(2′−フルオロオクチルオキシ)−2−(4′−オク
チルオキシフェニル)ピリミジン150mgを得た。
このものは次に示すような相転移を示した。
実施例16 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、5−ヒドロキシ−2−(4′−ノニルフェニル)ピ
リミジンを用いてS−5−(2′−フルオロオクチルオ
キシ)−2−(4′−ノニルフェニル)ピリミジン
((I)式において、R1がノニル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。
このものは次に示すような相転移を示した。
実施例18 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、5−ヘプチル−2−(3′−フルオロ−4′−ヒド
ロキシフェニル)ピリミジンを用いてS−5−ヘプチル
−2−(3′−フルオロ−4′−(2″−フルオロオク
チルオキシ)フェニル)ピリミジン((I)式におい
て、R1がヘプチル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。
このものは次に示すような相転移を示した。
実施例21 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、3′−フルオロ−4′−ヒドロキシ−4−ドデシル
ビフェニルを用いてS−4′−ドデシル−3−フルオロ
−4−(2′−フルオロオクチルオキシ)ビフェニル
((I)式において、R1がドデシル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。このものはm.
p.3.8℃であった。
実施例22 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、3′−クロロ−4′−ヒドロキシ−4−ドデシルビ
フェニルを用いてS−4′−ドデシル−3−クロロ−4
−(2′−フルオロオクチルオキシ)ビフェニル
((I)式において、R1がドデシル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。このものはm.
p.49.9℃を示した。
実施例23 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、5−デシル−2−(4′−ヒドロキシフェニル)ピ
リジンを用いてS−5−デシル−2−(4′−(2″−
フルオロオクチルオキシ)フェニルピリジン((I)式
において、R1がデシル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。
このものは (S2*は帰属不明の強誘電性スメクチック相)の相転
移を示した。
実施例24 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、5−オクチル−2−(4′−ヒドロキシフェニル)
ピリジンを用いてS−5−オクチル−2−(4′−
(2″−フルオロオクチルオキシ)フェニルピリジン
((I)式において、R1オクチル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。
このものは (S2*は前記と同じ) の相転移を示した。
実施例25 実施例15−(3)における5−ヒドロキシ−2−
(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミジンに替え
て、5−ヘプチル−2−(3″−フルオロ−4′−ヒド
ロキシフェニル)ピリジンを用いてS−5−ヘプチル−
2−(3′−フルオロ−4′−(2″−フルオロオクチ
ルオキシ)フェニルピリジン((I)式において、R1
ヘプチル、 R2がヘキシル、xがFの化合物)を得た。
このものは の相転移を示した。
実施例27(使用例5) 実施例15で得たS−5−(2′−フルオロオクチルオ
キシ)−2−(4′−オクチルオキシフェニル)ピリミ
ジンを配向処理剤としてPVAを塗布し、表面をラビング
処理して平行配向処理を施した透明電極を備えた厚さ2
μmのセルに注入し、この素子を2枚の直交する偏光子
の間に設置し、電界を印加した。±10Vの印加によって
透過光強度の変化から応答時間、ソーヤ・タワー法によ
りPsを求めると以下のようになった。
温度(℃) 応答時間(μsec) Ps(nC) 82 22 94.4 72 30 146.3 62 65 192.1 上記のごとく、単一の化合物にて強誘電性を示すもの
は、応答の速い表示素子を構成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−22042(JP,A) 特開 昭63−5084(JP,A) 特開 昭63−51377(JP,A) 特開 昭63−182395(JP,A) 特開 昭63−172788(JP,A) 特開 昭63−308090(JP,A) 特開 昭63−502506(JP,A)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 ((I)式においてR1は炭素数1〜18の直鎖または分岐
    のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカ
    ノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基、R2は炭
    素数2〜15の直鎖または分岐のアルキル基をあらわし、 (Yはシアノ基、ハロゲン原子、メチル基またはメトキ
    シ基を示す)をあらわし、 Xは−OR3F、Cl、Br(R3は炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐のア
    ルキル基または水素原子を示す)をあらわし(ただし、 の場合はXはF、Clまたは−OR3でなく、 の場合はXはClではなく、かつ の場合はXはFまたはClでない)、*は不斉炭素原子で
    あることを示す)で表される2−置換アルキルエーテル
    類。
  2. 【請求項2】一般式(I)の ((I)式においてR1は炭素数1〜18の直鎖または分岐
    のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカ
    ノイルオキシ基またはアルコキシカルボニル基、R2は炭
    素数2〜15の直鎖または分岐のアルキル基をあらわし、 (Yはシアノ基、ハロゲン原子、メチル基またはメトキ
    シ基を示す)をあらわし、 Xは−OR3F、Cl、Br(R3は炭素数1〜10の直鎖もしくは分岐のア
    ルキル基または水素原子を示す)をあらわし(ただし、 の場合はXはF、Clまたは−OR3でなく、 の場合はXはClではなく、かつ の場合はXはFまたはClでない)、*は不斉炭素原子で
    あることを示す)で表される2−置換アルキルエーテル
    類を少なくとも1種含有する液晶組成物。
  3. 【請求項3】カイラルスメクチック相を呈する特許請求
    の範囲第2項記載の液晶組成物。
  4. 【請求項4】カイラルネマチック相を呈する特許請求の
    範囲第2項記載の液晶組成物。
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