JP2537921B2 - ウエハの位置決め方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はウエハの位置決め方法に関するものである。

従来の技術 従来、半導体装置の製造過程で、半導体基板、いわゆ
る、ウエハの位置決めには、第４図に示すシリコンウエ
ハ１内の２つの位置、例えば1a,1bをパターン確認用カ
メラ２により位置計測することがよく行なわれる。な
お、第４図中、３はウエハリング、４はステージ、5,6,
7はそれぞれ、X,Y,θの各軸制御用モータである。

しかし、ウエハ内のパターンは、素子の品種により異
なるため、それぞれの品種ごとにパターン認識用の基準
データを準備することによりそれぞれの品種への対応を
行なっていた。

発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、品種ごとにパターン認識
用の基準データが必要なうえ、ウエハの位置が、一つの
素子以上に及んでずれている場合には、位置決め誤差が
発生するという問題があった。

本発明はこのような問題点を解決するもので、簡易な
認識方法で品種に影響されないウエハの位置決め方法を
提供することを目的としている。

問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、ウェハの外輪
部の複数の測定位置で各測定位置の位置ずれの計測値を
検出し、その計測値からウェハのX,Y,θ方向の各位置ず
れ量を得た後に位置補正するものである。

作用 本発明によると、ウエハの外輪部の位置ずれ量を求め
て、位置補正を行なうから、ウエハ内のパターンや、一
つの素子の大きさに影響されないで、安定した位置決め
が行なえる。

実施例 第１図は本発明の実施例を説明するためのシリコンウ
エハの平面図であり、外輪部の位置を計測するための標
準的な位置を表わしている。第１図において、１はシリ
コンウエハ、1c,1dと1eは外輪部の計測位置を示してい
る。第２図は、第１図の1c,1d部分を拡大したものであ
る。すなわち、第２図において、10cと10dは第１図中の
ウエハ１の計測位置1c,1dにおける測定端子であり、こ
れにより、ぞれぞれlcとldという位置ずれの計測値を得
て、Ｙ方向およびθ方向の位置ずれ量を検出する。第３
図は、第１図の1e部分を拡大したものである。第３図に
おいて、測定端子10eは測定位置1eでleという位置ずれ
の計測値を得て、Ｘ方向のずれ量を知るためのものであ
る。これらの位置ずれの計測値は、シリコンウエハの外
輪部の位置、すなわちシリコンウエハの位置ズレによっ
てのみ変化するものである。したがって、これらの位置
ずれの計測値を、位置補正のための入力として用いるこ
とにより位置補正を行なう。

発明の効果 以上のように本発明によれば、きわめて簡単な位置計
測により、品種に影響されないで、ウエハの位置決めが
行なえ、実用的にきわめて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するためのウウハ平面
図、第２図はθ方向とＹ方向の位置ずれの計測を示す要
部拡大図、第３図はＸ方向の位置ずれの計測を示す要部
拡大図、第４図は従来の位置決め方法を示す概略図であ
る。 １……シリコンウエハ、1c,1d,1e……位置ずれ計測位
置、10c,10d,10e……測定端子、lc,ld,le,……位置ずれ
計測値。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ウェハの外輪部の複数の測定位置で各測定
   位置の位置ずれの計測値を検出し、前記計測値から前記
   ウェハのX,Y,θ方向の各位置ずれ量を得た後に位置補正
   することを特徴とするウェハの位置決め方法。