JP2531500B2 - 並列プロセッサとパッケ―ジ - Google Patents

並列プロセッサとパッケ―ジ

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JP2531500B2 JP6086498A JP8649894A JP2531500B2 JP 2531500 B2 JP2531500 B2 JP 2531500B2 JP 6086498 A JP6086498 A JP 6086498A JP 8649894 A JP8649894 A JP 8649894A JP 2531500 B2 JP2531500 B2 JP 2531500B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は並列プロセッサに関し、
特にプロセッサ、メモリ並びにプロセッサ素子とメモリ
素子を搭載する専用のプリント回路カード基板などの、
複数のプリント回路カード基板を有する並列プロセッサ
に関する。プリント回路カード基板は、フレキシブル回
路などの複数の回路化フレキシブル・ケーブル基板に取
付けられ、相互接続される。フレキシブル回路などの回
路化フレキシブル・ケーブル基板は、分離されたプリン
ト回路カード基板を中央積層部を介して接続する。この
中央積層部はプロセッサ間、メモリ間、プロセッサ素子
とメモリ素子間及びバスを介してのプロセッサとメモリ
の内部相互接続を行い、及び積層部を経て、フレキシブ
ル回路からフレキシブル回路に延びるバイアとスルー・
ホールを介して通信を行う手段である、層の間のZ軸を
提供する。
【0002】
【従来の技術】並列プロセッサは、同じプログラムで互
いに協力可能な複数の互いに分離したプロセッサを有す
る。並列プロセッサは、多重命令多重データ(MIM
D)と単一命令多重データ(SIMD)の設計に分類で
きる。
【0003】多重命令多重データ(MIMD)の並列プ
ロセッサは、多数のメモリ・チップとメモリ階層でサポ
ートされる高速のマイクロプロセッサによって特徴づけ
られる個々の処理ノードを持つ。高性能中間ノード通信
コプロセッサ・チップは、他のマイクロプロセッサに対
して通信リンクを与える。各プロセッサ・ノードは、メ
ッセージ伝達機能である標準化ライブラリを通してアプ
リケーション・レベルで交信してオペレーティング・シ
ステム・カーネルを実行させる。MIMDの並列プロセ
ッサにおいて、共用型及び分散型の両方のメモリ・モデ
ルがサポートされる。
【0004】単一命令多重データ(SIMD)の並列プ
ロセッサは、単一の制御装置の制御を受け、相互通信装
置によって接続された複数の個々のプロセッサ素子を有
する。SIMDマシンは、下記条件によって指定される
アーキテクチャを持つ。 1.マシンの演算処理素子の数。 2.制御装置によって直接実行される命令の数。上記命
令数はスカラ命令とプログラム・フロー命令を含む。 3.並列実行の全プロセッサ素子に対する制御装置によ
る命令同報通信の数。これはプロセッサ素子内のデータ
全体にかかわる能動プロセッサ素子によって実行され
る、算術、論理、データ経路指定、マスキング並びにロ
ーカル・オペレーションを含む。 4. 各マスクがプロセッサ素子の設定を割込み可能及
び割込み不可能なサブセットに分割するマスキング方式
の数。 5.プロセッサ素子間の通信における相互接続ネットワ
ークにおいて設定されるパターンを指定するデータ経路
指定機能の数。
【0005】SIMDプロセッサは、何百もの固定小数
点データ・フローをサポートするために多数の特殊化さ
れたサポート・チップを持つ。命令は個々のノードの外
部から着信し、分散型メモリがサポートされる。
【0006】並列プロセッサは、プロセッサとプロセッ
サ、プロセッサとメモリ間の通信のために、複雑且つ精
巧な相互通信ネットワークを必要とする。相互接続ネッ
トワークのトポロジは、静的或いは動的であることがで
きる。静的ネットワークは、プログラム実行中に変化し
ないポイントからポイントへの直接接続を形成する。動
的ネットワークは、並列プロセッサで実行中のプログラ
ムの通信必要条件に合致するように動的に再構成できる
交換チャネルで実行する。
【0007】動的ネットワークは、多目的アプリケーシ
ョン並びに汎用アプリケーションに特に好まれる。動的
ネットワークは、プログラム要求に基づく通信パターン
を実行できる。動的ネットワーキングは、1つ以上のバ
ス・システム、多段式相互通信ネットワーク、クロスバ
ー・スイッチ・ネットワークによって与えられる。
【0008】全ての並列プロセッサ、特に動的ネットワ
ークに重要なのは、相互接続回路のパッケージングであ
る。特に相互接続は、高速切換え、低信号減衰、低クロ
ストーク、低雑音を備えていなければならない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は並列プロセッ
サに関し、特にプロセッサ、メモリ並びにプロセッサ素
子とメモリ素子を搭載する専用のプリント回路カード基
板などの、複数のプリント回路カード基板を有する並列
プロセッサに関する。プリント回路カード基板は、フレ
キシブル回路などの複数の回路化フレキシブル基板に取
付けられる。回路化フレキシブル基板は、比較的リジッ
ドな中央積層部を介して、分離されたプリント回路カー
ド基板を接続する。この中央積層部は、プロセッサ間、
メモリ間、プロセッサ素子とメモリ素子間、バスを経由
してのプロセッサとメモリの相互接続、及び通信のため
のZ軸手段などの手段を提供する。
【0010】並列プロセッサ・システムは、マイクロプ
ロセッサ及び複数のメモリ・モジュールなどの複数の分
離したプロセッサを有する。プロセッサとメモリは、S
IMD、MIMDなどの複数の相互接続トポロジの1つ
に配置できる。
【0011】メモリ・モジュールとマイクロプロセッサ
は、ハイパーキューブの環状ネットワークのような様々
なトポロジを通して通信する。ただし、これは具体例で
あって他の方式を制限するものではない。これらの素子
間の通信形態は、様々な種類の物理的具体化がある。本
明細で述べる本発明の方法では、個々の論理素子及びメ
モリ素子はプリント回路カード基板上にある。これらの
プリント回路カード基板は、個々の回路化フレキシブル
基板の比較的リジッドな回路化された積層部から外部に
延びる回路化フレキシブル基板に順序よく取付け或いは
接続される。相互通信は積層部で実行されるスイッチ構
造体を通して与えられる。このスイッチ構造体は、各マ
イクロプロセッサを並列プロセッサの他の個々のマイク
ロプロセッサ、並びに個々のメモリ・モジュールに接続
し、図1で示される物理的構造、及び図2で示される論
理的構造及び電気的構造を有する。
【0012】特に電気的構造及び論理的構造の好ましい
物理的具体例が図1に多層スイッチ構造体として示され
ている。このスイッチ構造体は、各装置または対の装
置、すなわち、個々のマイクロプロセッサ、メモリ・モ
ジュールまたはマイクロプロセッサ素子及びメモリ素子
のそれぞれに対するフレキシブル回路21の独立した層
を備える。データ線、アドレス線及び制御線を有するプ
レーナ回路は、個々のプリント回路カード基板25にあ
り、フレキシブル回路21を介して接続され、図1に示
される中央積層部であるフレキシブル回路21のZ軸回
路(バイア及びスルー・ホール)を介してフレックスの
他の層と交信する。図2にバス構造が示され、単一のバ
ス、例えば、データ・バスにはAバス、Bバス或いはO
バスが有り、複数のメモリ装置がバスを経てORゲート
によって表される4個のプロセッサに接続されている。
アドレス・バス、アドレス・デコーディング・ロジッ
ク、読出し/書込みロジックは図示されていない。OR
ゲートによって表される並列プロセッサ部、ORゲート
への入力部、ORゲートからの出力部は、積層化フレッ
クス構造体の積層部41によって支えられる。
【0013】
【課題を解決するための手段】構造的に並列プロセッサ
・パッケージ11は、複数のプリント回路カード基板2
5に搭載されたマイクロプロセッサ集積回路チップ29
aのような、複数の集積回路チップ29を有する。例え
ば、本発明の並列プロセッサ・パッケージ11は、第1
のマイクロプロセッサ集積回路チップ29aを搭載する
第1のプロセッサ集積回路のプリント回路カード基板2
5と、第2のマイクロプロセッサ集積回路チップ29a
を搭載する第2のプロセッサ集積回路のプリント回路カ
ード基板25とを有する。
【0014】複数のメモリ集積回路チップ29bは互い
に相似性の構造体であり、並列プロセッサ・パッケージ
11は複数のプリント回路カード基板25に搭載された
複数のメモリ集積回路チップ29bを有する。プロセッ
サ・チップの構造が同じである本発明の並列プロセッサ
・パッケージ11は、第1のメモリ集積回路チップ29
bを搭載する第1のメモリ集積回路のプリント回路カー
ド基板25と、第2のメモリ集積回路チップ29bを搭
載する第2のメモリ集積回路のプリント回路カード基板
25を有する。
【0015】機械的相互接続、電気的相互接続は、複数
のフレキシブル回路21によって、異なるプリント回路
カード基板25に搭載された集積回路チップ29間で行
われる。これらの各々のフレキシブル回路21は、信号
相互接続回路の接合部211、プリント回路カード基板
25を支えるための端末部213、並びに接合部211
と端末部213との間にあるフレキシブル回路の拡張部
212とを有する。X−Y軸をフレキシブル回路の平面
における座標とし、Z軸を接合部211における複数の
フレキシブル回路21の積層方向とすれば、信号相互接
続回路の接合部211は、X−Y軸方向に形成されたプ
レーナ回路214、並びにZ軸方向に形成された回路を
構成する手段215としてのバイア及びスルー・ホール
を有する。
【0016】フレキシブル回路21は、その信号相互接
続回路の接合部211で積層化されている。この相互接
続回路の接合部は、個々のフレキシブル回路21の積層
で作られ、X軸、Y軸、Z軸の信号相互接続部をマイク
ロプロセッサ集積回路チップ29aとメモリ集積回路チ
ップ29bとの間に有する。フレキシブル回路21は物
理的に積層化され、信号相互接続回路の接合部211
と、それから離れた位置にある端末部213は電気的接
続が行われる。
【0017】本発明では個々のフレキシブル回路21
は、独立したサブアセンブリである。これらのサブアセ
ンブリは、少なくとも1つの内部電源コアの電源面22
1と、少なくとも1つの信号コアの信号面222、及び
これらの間に誘電体223の層を挟んだ積層部である。
誘電体223は、3.5より低い誘電率を持つ高分子誘
電体である。この高分子誘電体の材料にはポリイミド、
または過フルオロカーボン・ポリマ、または好ましい具
体例では高分子誘電体から成る複数フェーズ複合物など
がある。複数フェーズ複合物の誘電体は低誘電率を有
し、複合物内に膨らんで拡散する低い熱膨張係数を持つ
材料を有する。複合物は3.5より低い誘電率がよく、
好ましくは3.0より低く、特に好ましい実施例では
2.0より低いのがよい。これは低誘電率且つ低熱膨張
係数の充填材で充填された低誘電率の過フルオロカーボ
ン・ポリマのマトリックスの使用によって得られる。過
フルオロカーボン・ポリマは、過フルオロエチレン、過
フルオロアルコキシ及びこれらの共重合体から成るグル
ープから選ばれる。拡散させられる低誘電率の材料は、
低誘電率、低熱膨張係数を持つ微粒子の充填材である。
典型的な低誘電率の微粒子である充填材は、シリカ粒
子、シリカ球、空洞シリカ球、酸化アルミニウム、アル
ミニウム窒化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物な
どから成るグループから選ばれる。
【0018】電源コアの電源面221は、銅箔、モリブ
デン箔、または「CIC」(銅−アンバー−銅)積層箔
であることができる。フレキシブル回路21は、1S1
P(1つの信号面、1つの電源面)フレキシブル回路、
2S1P(2つの信号面、1つの電源面)フレキシブル
回路、または2S3P(2つの信号面、3つの電源面)
フレキシブル回路であることができる。
【0019】フレキシブル回路21は、その両端にプリ
ント回路カード基板25を取付けるための2つの端末部
213、または唯一1つの端部にプリント回路カード基
板25を取付けるための単一の端末部213の何れかを
有することができる。唯一1つの端部にプリント回路カ
ード基板25を取付けるフレキシブル回路21を採用す
る場合、唯一1つの端部に端末部213を各々が有する
対のフレキシブル回路21は積層化され、積層化された
信号相互接続回路の接合部211は重複させられるが、
しかし、端末部213とフレキシブル部212は、並列
プロセッサ・パッケージの信号相互接続回路の積層され
た本体部41の両端部から外部に延びる。
【0020】本発明の好ましい実施例では、バイアと信
号トレースの密度は、積層信号相互接続の積層部41に
おいて階層的である。すなわち碁盤目のバイアは信号相
互接続の積層部41内において目が粗く(低回路化密
度)、回路化パネルの上部及び下部の外部トレースから
内部回路化パネルの内部トレースに連絡される。すなわ
ち、集積回路チップから離れるにつれて配線密度は次第
に薄く、すなわち目が粗くなる。本発明の本実施例にお
いて、並列プロセッサ・パッケージ11は、幅が狭いま
たは広い2種類の信号線を有する。すなわち、短い距離
の相互接続における高密度回路に対する幅の狭い信号
線、並びに長い距離の相互接続における低損失の幅の広
い信号線とである。勿論、本発明の好ましい実施例にお
けるインピーダンスは、高性能を提供するために並列プ
ロセッサ・パッケージ11内で整合されることに理解さ
れたい。
【0021】本発明の好ましい実施例によると、プリン
ト回路カード基板25とフレキシブル回路21の端末部
213との接続は、樹状のPdによって与えられる。
【0022】本発明の実施例によると、信号相互接続回
路の接合部211でのフレキシブル回路21のパッドと
パッドとの接合に使用される、はんだ合金手段の組成は
均質の場合に、誘電体材料の1次転移温度より高い最終
融点、並びに誘電体材料の1次転移温度より低いシステ
ム共融温度を持つ。これはシステム共晶において金成分
の多い組成を有する一連のAu層とSn層であることが
でき、上記合金は約280℃のシステム共融温度、並び
に約400℃、好ましくは約500℃より高い均質の合
金融点を持つ。
【0023】
【実施例】ここで説明する本発明の内容は、並列プロセ
ッサ1と複数の集積回路チップ29とを有する並列プロ
セッサ・パッケージ11に関する。集積回路チップ29
は、例えば後で説明するフレキシブル回路21の積層部
41を介して接続され、プリント回路カード基板25に
搭載された、好ましくは高度なマイクロプロセッサ集積
回路チップ29a並びにメモリ集積回路チップ29bで
ある。同類の構造体を組立てる、その構造と方法は、並
列プロセッサ、個々のフレックス・コネクタ上のメモリ
・バンクまたは分別メモリ・バンクでのバンク切換えメ
モリ及び濃密に内部接続されたネットワークにおけるフ
レックス・ケーブルとフレックス・ケーブルとの接続に
おいて有用である。
【0024】高度のマイクロプロセッサ、例えばパイプ
ライン・システムのマイクロプロセッサ及びRISC
(reduced instruction set computer)のマイクロプロ
セッサは、チップ・レベルの集積化及びチップ・レベル
の回路密度化を著しく増加させた。やがて、これらの高
度のマイクロプロセッサは、パッケージの低レベルのマ
イクロプロセッサとの接続において、密度の濃い配線と
相互接続数の増大を必要とさせた。更に高度のマイクロ
プロセッサが多重プロセッサ構成、すなわち、SIMD
及びMIMDのような並列プロセッサと組合わされる場
合、性能、論理密度、メモリ密度、I/Oパッケージン
グを含む回路密度のこれら全てにおいて更に高レベルが
必要とされる。
【0025】本発明の基本構造である並列プロセッサ・
パッケージ11、例えば、SIMDまたはMIMDであ
る並列プロセッサは、積層スイッチ構造体である積層部
41を介して互いに交信する複数のマイクロプロセッサ
集積回路チップ29aと複数のメモリ集積回路チップ2
9bとから組立てられる。この積層スイッチ構造体は並
列プロセッサ1において、個々のマイクロプロセッサ集
積回路チップ29aを互いに接続、更にそれぞれのメモ
リ集積回路チップ29bと接続させ、図2で示されるよ
うに論理的構造、電気的構造を有する。
【0026】積層スイッチ構造体: 本発明の並列プロセッサ・パッケージ11は、キャリ
ア、コネクタ及びI/Oを単一のパッケージに統合す
る。単一のパッケージは、分離している複数のフレキシ
ブル回路21間でZ軸の信号と電源を接続するための、
キャリア・クロス・セクションの積層部41を有し、そ
の形成のためにまとめて積層されて組込まれる、多重回
路であるフレキシブル回路21を有する。
【0027】並列プロセッサ・パッケージ11の物理的
具体化は、膨大な並列プロセッサ・システムの現プリン
ト回路カード基板技術を改良し、高密度配線のプリント
回路カード基板技術を利用して高性能、且つ低コストの
利点を提供する。中央、スイッチ、或いはリジッド部と
称する積層部41と、外部に延びるフレキシブル部(メ
モリ集積回路チップ29bと論理モジュールであるマイ
クロプロセッサ集積回路チップ29aとを支えるプリン
ト回路カード基板25への接続機構)の両方は、クロス
・セクションのようなプリント回路カード基板、及び低
誘電率である高分子の基板によって特徴づけられる。
【0028】この電気的構造体、論理的構造体の物理的
具体化には、図1で示される多層の積層スイッチ構造体
も含まれる。上記スイッチ構造体は、個々のプリント回
路カード基板25に対して、分離された層であるフレキ
シブル部を与える。各々のプリント回路カード基板25
は、マイクロプロセッサ集積回路チップ29a、メモリ
集積回路チップ29b、I/O、並びにマイクロプロセ
ッサ素子及びメモリ素子を支える。データ線、アドレス
線、制御線などを有するプレーナ回路214はフレキシ
ブル回路21上にあり、中央部の積層部41のバイア及
びスルー・ホールからなるZ軸方向の接続手段215を
介して他の層のフレキシブル回路21と通信する。
【0029】積層フレックス設計は、並列プロセッサ・
パッケージ11から例えば25000もの多数のI/O
をもたらし、単一のパネルから外部に延びる独立したフ
レックス・ケーブルの製作、位置合わせ及び接合などの
必要性を排除する。従来のプレーナ・パネルは、本発明
の統合された軟/硬/軟、または硬/軟のケーブルの接
続性に対して、何倍もの大きい形状である。
【0030】中央積層スイッチ部で接合されたフレック
ス・カード・キャリア:本発明の並列プロセッサ・パッ
ケージ11は、積層中央スイッチすなわちスイッチ部で
ある積層部41と、そこから外部に延びるフレキシブル
回路21とを接合し、末端にプリント回路カード基板2
5を有し、その上に集積回路チップ29として統合され
た回路素子であるマイクロプロセッサ集積回路チップ2
9aとメモリ集積回路チップ29bとを搭載する。
【0031】今まではフレックス・ケーブルとフレック
ス・キャリアは、1つまたは2つの面、すなわちキャリ
アの上面または上面と下面に統合されて取付けられてい
た。しかしながら、本発明ではフレキシブル回路21
は、複数にスタックされた1つの積層部のフレキシブル
回路21として、中央スイッチまたはキャリア構造体に
統合化されている。中央領域の接合部211において、
フレキシブル回路21の選択された積層の領域では、リ
ジッド積層キャリアである積層部41が形成される。こ
の積層領域の積層部41は、複数のフレキシブル回路2
1間にZ軸の回路線を有する。
【0032】フレキシブル回路21の個々の層は内部伝
導体、すなわち、内部の電源面221と内部の信号面2
22とを有する。更に高I/O密度、高配線密度並びに
高回路密度による範囲の狭い寸法許容差に対応するため
に、個々のサブアセンブリの熱膨張係数(CTE)を慎
重に管理することが必要である。CTEの管理は誘電体
223の層が積層するモリブデン箔、または銅/アンバ
ー/銅箔などの、適切なCTEを持つ内部の金属伝導体
である電源面221を使用することによって果たされ
る。
【0033】中央積層セクションの積層部41から外部
に延びるフレキシブル回路21と、バイアとスルー・ホ
ールからなる接続手段215との組合わせは、回路化フ
レックスがこれらの穴を通って分離された層である他の
フレキシブル回路21と電気的接続を行うための配線拡
張が容易となり、チップ・キャリアにかかわるフートプ
リント数を減らすことができる。
【0034】この構造は、並列プロセッサ、特に多量の
並列プロセッサの場合、及び濃密に内部接続されたシス
テムにおいて多くの利点を提供する。他の利点として、
更に小型のチップ・キャリアが可能であり、拡張の容易
性、信号伝送長さの減少、チップ・キャリアとフレック
ス間の接合の不連続性の減少、チップ・キャリアとフレ
ックスの単一の構成要素による信頼性の改良などがあ
る。
【0035】並列プロセッサ・パッケージの設計は、全
てが垂直(Z軸)接続であることが必要とされ、これは
接合合金の結合によって得られる。例えばAu/Sn
と、過フルオロポリマのような有機誘電体とを瞬間液相
接合して積層回路パネルとし、一方で、パネルのフレキ
シブル回路21の外部に延びるフレキシブル部212と
端末部213は接合されないので、これらは回路化フレ
ックス・ケーブルとして機能することになる。この柔軟
性すなわち屈曲性が、プリント回路カード基板25と積
層部41とを互いにオフセットすることを可能にする。
【0036】積層パネルの設計と製作において直面した
1つの問題は、接合領域の接合部211、並びに接合部
211から離れた位置にあるフレキシブル部212にお
いて、必要な垂直(Z軸)の接続性を持たせ、フレキシ
ブル回路21の固定されない部分の端末部213に接続
されるプリント回路カード基板25の必要なチップ個体
群と回路化のために、積層パネルを外部に対して十分に
長いフレックス・ケーブル・アセンブリに製作すること
であった。
【0037】本発明の好ましい実施例によると、パッケ
ージは中央部の積層部41からオフセットされたフレキ
シブル回路21を有するように設計される。すなわち、
フレキシブル回路21は中央部の積層部41で重複する
が、しかし、図3と図4で示されるように、交互するフ
レキシブル回路21は、パッケージの中央部の積層部4
1の反対側から外部に対して延びることができる。サブ
アセンブリのフレキシブル回路21は、対の第1のフレ
キシブル回路21がパッケージの一方から外部に延び、
対の第2のフレキシブル回路21が中央部の積層部41
の反対側から外部に延びるように組立てられる。サブア
センブリは図3と図4で示されるように、第1のフレキ
シブル回路21が並列プロセッサ・パッケージ11の一
方から外部に延び、第2のフレキシブル回路21が中央
部の反対側から外部に延びるように交互に組立てられ
る。
【0038】特殊化されたカード基板:本発明の並列プ
ロセッサ・パッケージは、フレシキブル素子上に様々な
組合わせの素子の搭載を可能とする。特にフレシキブル
回路の端末に置かれたプリント回路カード基板は、従来
のプレーナ・マザーボードの拡張スロットに取付けられ
たプリント回路カード基板と同類である。フレシキブル
回路の端部にあるカード基板は、高度なI/O微細リー
ド・ピッチTABなどのテープ自動接合(TAB)を含
むことができる。
【0039】他では、微細ピッチ・プラスチック及びセ
ラミック面搭載パッケージなどの面搭載回路を利用でき
る。
【0040】また、高I/O域アレイはんだボール接続
方式も使用できる。このような高I/O域アレイはんだ
ボール接続チップは、カード上に搭載され、やがてフレ
キシブル・ケーブルに搭載されることになる。
【0041】本発明の他の実施例では、基板上にチップ
を接着して相互接続する方法が使用できる。
【0042】代わりのフレックス構造:本発明の好まし
い実施例では、並列プロセッサ・パッケージの積層部4
1は全て、接合合金の結合によって得られる垂直(Z
軸)接続を有する。接合合金の結合は、例えば、Au/
Snの瞬間液相結合、及びPFAなどの有機誘電体の接
着結合で得られ、回路化フレックス・パネルを重ねた積
層部を形成するが、しかしながら、プリント回路カード
基板を取付けるためのパネルの端部は結合されないの
で、これらがフレックス・ケーブルとして機能すること
になる。
【0043】統合化されたパネルの設計と製作において
直面した問題は、積層部における必要な垂直(Z軸)の
接続性、並びに必要なチップの個体群と、積層領域から
隔離された拡張性とをもたらすための、十分に長いフレ
ックス・ケーブルを有する統合化されたフレックス・パ
ネルを製作することである。
【0044】本発明の好ましい実施例によるとパッケー
ジは、図3と図4で示されるように、パッケージの積層
部の反対側から外部に延びる一連のフレックス・ケーブ
ルで作られる。すなわち、フレックス・ケーブルはパッ
ケージの積層部で重複できるが、しかし、図3で示され
るように、交差するフレックス・ケーブルはパッケージ
の中央部の反対側から外部に対して延びる。サブアセン
ブリは図3で示されるように、第1の対のフレックス・
ケーブルがパッケージの一方から外部に延び、第2の対
のフレックス部が中央部の反対側から外部に延びるよう
に組立てられる。
【0045】代わりにサブアセンブリは、第1のフレッ
クス・ケーブルがパッケージの一方から外部に延び、第
2のフレックス部が中央部の反対側から外部に延びるよ
うに組立てられる。
【0046】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0047】(1)複数のプロセッサ集積回路チップ、
複数のメモリ集積回路チップ及びこれらの間の信号相互
接続回路手段を有する並列プロセッサであって、 a.第1のプロセッサ集積回路チップを搭載した第1の
プロセッサ集積回路のプリント回路カード基板と、 b.第2のプロセッサ集積回路チップを搭載した第2の
プロセッサ集積回路のプリント回路カード基板と、 c.第1のメモリ集積回路チップを搭載した第1のメモ
リ集積回路のプリント回路カード基板と、 d.第2のメモリ集積回路チップを搭載した第2のメモ
リ集積回路のプリント回路カード基板と、 e.X−Y軸方向に形成されたプレーナ回路並びにZ軸
方向に形成された回路を構成するバイア及びスルー・ホ
ールを備える信号相互接続回路部と、上記各プリント回
路カード基板を接合するための手段を備える端末部と、
上記信号相互接続回路部と上記端末部間のフレキシブル
部と、をそれぞれ含む複数の分離されたフレキシブル回
路と、 f.上記各フレキシブル回路を、上記信号接続回路部で
物理的且つ電気的に接続し、上記各プロセッサ集積回路
チップ及び上記各メモリ集積回路チップ相互間にX軸、
Y軸及びZ軸の信号相互接続を形成する信号相互接続回
路本体部と、を有する並列プロセッサ。 (2)上記複数の分離されたフレキシブル回路は対を成
して形成され、各1対のフレキシブル回路のそれぞれは
唯一1つの端部で上記端末部を有し、該1対のフレキシ
ブル回路の一方のフレキシブル回路の上記信号相互接続
回路部は、上記信号相互接続回路本体部で隣接する他方
のフレキシブル回路の信号相互接続回路部に重なり、上
記一方のフレキシブル回路のフレキシブル部は上記信号
相互接続回路本体部の1つの側から外部に延び、上記他
方のフレキシブル回路のフレキシブル部は上記信号相互
接続回路本体部の反対側から外部に延びる、(1)記載
の並列プロセッサ。 (3)上記個々のフレキシブル回路は、内部電源コア、
信号コア、及びこれらの間に挟まれる誘電体の層で構成
される上記積層部を有する、(1)記載の並列プロセッ
サ。
【0048】
【発明の効果】この構造は、並列プロセッサ、特に多量
の並列プロセッサの場合、及び濃密に内部接続されたシ
ステムにおいて多くの利点を提供する。他の利点とし
て、更に小型のチップ・キャリアが可能であり、拡張の
容易性、信号伝送長さの減少、チップ・キャリアとフレ
ックス間の接合の不連続性の減少、チップ・キャリアと
フレックスの単一の構成要素による信頼性の改良などを
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の並列プロセッサ・パッケージの機構及
び構造上の機能の概要を示す図である。
【図2】本発明のパッケージで実行されるバス構造体の
バスの1つを示す、簡略化された概要図である。
【図3】フレックス・ケーブルが互いに離れている本発
明の実施例を示す図である。
【図4】回路部で他のフレックス・ケーブル上に重ねら
れた2つのフレックス・ケーブルを示す図である。
【符合の説明】
11 並列プロセッサ・パッケージ 13 中央積層部 21 フレキシブル回路 25 プリント回路カード基板 29 集積回路チップ 29a マイクロプロセッサ集積回路チップ 29b メモリ集積回路チップ 41 積層部 211 接合部 212 フレキシブル部 213 端末部 214 プレーナ回路 215 Z軸方向の回路接続手段(バイア及びスルー・
ホール) 216 パッド 221 電源面 222 信号面 223 誘電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス・リチャード・ルーミス アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州 ビンガムトン、レロイ・ストリート 133

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のプロセッサ集積回路チップ、複数の
    メモリ集積回路チップ及びこれらの間の信号相互接続回
    路手段を有する並列プロセッサであって、 a.第1のプロセッサ集積回路チップを搭載した第1の
    プロセッサ集積回路のプリント回路カード基板と、 b.第2のプロセッサ集積回路チップを搭載した第2の
    プロセッサ集積回路のプリント回路カード基板と、 c.第1のメモリ集積回路チップを搭載した第1のメモ
    リ集積回路のプリント回路カード基板と、 d.第2のメモリ集積回路チップを搭載した第2のメモ
    リ集積回路のプリント回路カード基板と、 e.X−Y軸方向に形成されたプレーナ回路並びにZ軸
    方向に形成された回路を構成するバイア及びスルー・ホ
    ールを備える信号相互接続回路部と、上記各プリント回
    路カード基板を接合するための手段を備える端末部と、
    上記信号相互接続回路部と上記端末部間のフレキシブル
    部と、をそれぞれ含む複数の分離されたフレキシブル回
    路と、 f.上記各フレキシブル回路を、上記信号接続回路部で
    物理的且つ電気的に接続し、上記各プロセッサ集積回路
    チップ及び上記各メモリ集積回路チップ相互間にX軸、
    Y軸及びZ軸の信号相互接続を形成する信号相互接続回
    路本体部と、 を有する並列プロセッサ。
  2. 【請求項2】上記複数の分離されたフレキシブル回路は
    対を成して形成され、各1対のフレキシブル回路のそれ
    ぞれは唯一1つの端部で上記端末部を有し、 該1対のフレキシブル回路の一方のフレキシブル回路の
    上記信号相互接続回路部は、上記信号相互接続回路本体
    部で隣接する他方のフレキシブル回路の信号相互接続回
    路部に重なり、 上記一方のフレキシブル回路のフレキシブル部は上記信
    号相互接続回路本体部の1つの側から外部に延び、 上記他方のフレキシブル回路のフレキシブル部は上記信
    号相互接続回路本体部の反対側から外部に延びる、請求
    項1に記載の並列プロセッサ。
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EP0637032A3 (en) 1996-02-14
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