JP2530716Y2 - ウエハの固定構造 - Google Patents
ウエハの固定構造Info
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- JP2530716Y2 JP2530716Y2 JP1990042464U JP4246490U JP2530716Y2 JP 2530716 Y2 JP2530716 Y2 JP 2530716Y2 JP 1990042464 U JP1990042464 U JP 1990042464U JP 4246490 U JP4246490 U JP 4246490U JP 2530716 Y2 JP2530716 Y2 JP 2530716Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer
- mounting table
- photoresist
- resist
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Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案はレジスト塗布装置に用いられるウエハの固
定構造に関する。
定構造に関する。
［従来の技術］ 従来、半導体ウエハにフォトレジストを塗布するレジ
スト塗布装置として、スピーンコート方式が広く知られ
ている。この種のレジスト塗布装置においては、一般
に、第３図に示すような真空チャック方式により半導体
ウエハをチャック台上に固定する固定構造を採用してい
る。すなわち、半導体ウエハ１を載置するチャック台２
は円板状に形成され、その上面に吸着孔３が多数配列形
成され、内部に各吸着孔３に連通する吸引路４が形成さ
れ、この吸引路４が図示しない真空ポンプに接続されて
いる。したがって、チャック台２は、真空ポンプにより
吸引路４を介して各吸着孔３から空気を吸引する吸引力
によって、半導体ウエハ１をチャック台２の上面に吸着
固定する構造となっている。なお、チャック台２は、下
面中央に軸部５が設けられ、この軸部５を中心に所定の
回転速度で回転する構造となっている。
スト塗布装置として、スピーンコート方式が広く知られ
ている。この種のレジスト塗布装置においては、一般
に、第３図に示すような真空チャック方式により半導体
ウエハをチャック台上に固定する固定構造を採用してい
る。すなわち、半導体ウエハ１を載置するチャック台２
は円板状に形成され、その上面に吸着孔３が多数配列形
成され、内部に各吸着孔３に連通する吸引路４が形成さ
れ、この吸引路４が図示しない真空ポンプに接続されて
いる。したがって、チャック台２は、真空ポンプにより
吸引路４を介して各吸着孔３から空気を吸引する吸引力
によって、半導体ウエハ１をチャック台２の上面に吸着
固定する構造となっている。なお、チャック台２は、下
面中央に軸部５が設けられ、この軸部５を中心に所定の
回転速度で回転する構造となっている。
このレジスト塗布装置で半導体ウエハ１にフォトレジ
スト６を塗布する場合には、半導体ウエハ１をチャック
台２上に真空吸着によって固定した上、チャック台２を
所定速度で回転させ、この状態で半導体ウエハ１の上方
よりその回転中心に液状のフォトレジスト６を滴下す
る。すると、滴下されたフォトレジスト６は、遠心力に
より流動して半導体ウエハ１の表面に塗布される。この
とき、フォトレジスト６は、半導体ウエハ１のエッジ部
７にも流れ込み、かつその下面にも回り込んで塗布され
る。なお、この後は、フォトレジスト６をプリベークし
て仮硬化状態にする。
スト６を塗布する場合には、半導体ウエハ１をチャック
台２上に真空吸着によって固定した上、チャック台２を
所定速度で回転させ、この状態で半導体ウエハ１の上方
よりその回転中心に液状のフォトレジスト６を滴下す
る。すると、滴下されたフォトレジスト６は、遠心力に
より流動して半導体ウエハ１の表面に塗布される。この
とき、フォトレジスト６は、半導体ウエハ１のエッジ部
７にも流れ込み、かつその下面にも回り込んで塗布され
る。なお、この後は、フォトレジスト６をプリベークし
て仮硬化状態にする。
［考案が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した半導体ウエハ１の固定構造で
は、真空チャック方式であるから、チャック台２の吸着
孔３での吸着力により半導体ウエハ１が吸着孔３の箇所
で凹部状に変形する。そのため、半導体ウエハ１の上面
に塗布されるフォトレジスト６は、半導体ウエハ１が変
形した箇所で膜厚が厚くなり、均一な膜厚に形成するこ
とができないという問題がある。
は、真空チャック方式であるから、チャック台２の吸着
孔３での吸着力により半導体ウエハ１が吸着孔３の箇所
で凹部状に変形する。そのため、半導体ウエハ１の上面
に塗布されるフォトレジスト６は、半導体ウエハ１が変
形した箇所で膜厚が厚くなり、均一な膜厚に形成するこ
とができないという問題がある。
また、上述した固定構造では、遠心力により塗布され
るフォトレジスト６が半導体ウエハ１のエッジ部７およ
びその下面にも回り込んで塗布されるため、半導体ウエ
ハ１の搬送時にエッジ部７のフォトレジスト６が剥離し
て粉塵の発生原因となる。これを避けるために、従来で
は第４図に示すように、半導体ウエハ１のエッジ部７の
みにノズル８でシンナー等のエッジリンスを吹き付けて
エッジ部７のフォレジスト６を除去している。しかし、
エッジリンスはエッジ部７以外にも飛散してフォトレジ
スト６を溶かしてしまうことがあるため、レジストパタ
ーンの不良原因となる等の問題がある。
るフォトレジスト６が半導体ウエハ１のエッジ部７およ
びその下面にも回り込んで塗布されるため、半導体ウエ
ハ１の搬送時にエッジ部７のフォトレジスト６が剥離し
て粉塵の発生原因となる。これを避けるために、従来で
は第４図に示すように、半導体ウエハ１のエッジ部７の
みにノズル８でシンナー等のエッジリンスを吹き付けて
エッジ部７のフォレジスト６を除去している。しかし、
エッジリンスはエッジ部７以外にも飛散してフォトレジ
スト６を溶かしてしまうことがあるため、レジストパタ
ーンの不良原因となる等の問題がある。
この考案の目的は、ウエハを変形させることなく、平
坦な状態に固定することができ、しかもエッジリンス等
を吹き付ける必要がなく、精度のよいレジストパターン
を形成することのできるウエハの固定構造を提供するこ
とにある。
坦な状態に固定することができ、しかもエッジリンス等
を吹き付ける必要がなく、精度のよいレジストパターン
を形成することのできるウエハの固定構造を提供するこ
とにある。
［課題を解決するための手段］ この考案は上述した目的を達成するために、レジスト
が塗布されるウエハを載置する載置面が平坦面に形成さ
れた載置台と、この載置台の外周に設けられ、ウエハの
全周縁部及びウエハの全側面部を覆って全周縁部を載置
台上に係脱可能に押え付ける押え部材と、を具備してな
るものである。
が塗布されるウエハを載置する載置面が平坦面に形成さ
れた載置台と、この載置台の外周に設けられ、ウエハの
全周縁部及びウエハの全側面部を覆って全周縁部を載置
台上に係脱可能に押え付ける押え部材と、を具備してな
るものである。
［作用］ この考案によれば、押え部材がウエハの周辺部分を載
置台上に押え付けることにより、ウエハを機械的に固定
するので、従来の真空チャック方式のようにウエハが部
分的に変形することがなく、ウエハを平坦な状態で良好
に固定することができ、レジストを均一な膜厚に形成す
ることが可能となる。特に、押え部材はウエハを固定す
る際にウエハの周辺部分を覆っているので、スピーンコ
ート等によりレジストをウエハに塗布する際、ウエハの
エッジ部にレジストが塗布されるのを防ぐことができ
る。そのため、エッジリストを吹き付ける必要がなく、
しかもエッジリンスによるレジストパターンの不良を無
くすことができ、精度のよいレジストパターンを形成す
ることが可能となる。
置台上に押え付けることにより、ウエハを機械的に固定
するので、従来の真空チャック方式のようにウエハが部
分的に変形することがなく、ウエハを平坦な状態で良好
に固定することができ、レジストを均一な膜厚に形成す
ることが可能となる。特に、押え部材はウエハを固定す
る際にウエハの周辺部分を覆っているので、スピーンコ
ート等によりレジストをウエハに塗布する際、ウエハの
エッジ部にレジストが塗布されるのを防ぐことができ
る。そのため、エッジリストを吹き付ける必要がなく、
しかもエッジリンスによるレジストパターンの不良を無
くすことができ、精度のよいレジストパターンを形成す
ることが可能となる。
［実施例］ 以下、第１図および第２図を参照して、この考案の一
実施例を説明する。この場合、上述した第３図および第
４図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
実施例を説明する。この場合、上述した第３図および第
４図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
第１図および第２図において、10は載置台である。こ
の載置台10は半導体ウエハ１を載置するものであり、半
導体ウエハ１よりも外形が少し大きい円板状に形成され
ている。この載置台10の上面は平坦面に形成されてお
り、下面中央には軸部11が設けられている。また、載置
台10の外周には押え部材12が上下動可能に設けられてい
る。押え部材12は半導体ウエハ１のエッジ部７（周辺部
分）を覆って押え付けるものであり、全体がリング状に
形成されている。この場合、押え部材12の上部内側面に
は、半導体ウエハ１のエッジ部７における上面を押え付
ける押え部13が内側に突出して形成されているととも
に、この押え部13の下に半導体ウエハ１のエッジ部７の
端面が当接する位置決め部14が外周側に窪んで形成され
ている。また、押え部材12の外側下部には、複数のガイ
ド部（図では１個のみを示す）15が設けられている。こ
のガイド部15は載置台10の外端面に形成されたガイド溝
16内に配置され、かつガイド溝16に沿って上下動する構
造となっている。なお、押え部材12は半導体ウエハ１を
傷付けないために、四ふっ化エチレン樹脂（テフロン）
等の合成樹脂、あるいはこの合成樹脂を金属の表面に被
覆した（テフロン加工を施した）材料等により形成され
ている。一方、押え部材12を上下動する駆動手段17は載
置台10中に設けられている。すなわち、載置台10中には
シリンダ18が上下方向に形成されているとともに、流路
19、20がシリンダ18の上下端から軸部11中に通して外部
に導かれている。また、シリンダ18内にはピストン21が
上下方向に移動可能に配設されている。このピストン21
は上側の流路19から流体が供給されると下側に移動し、
逆に下側の流路20から流体が供給されると上側に移動す
る構造となっており、その下面には「Ｕ」字状に形成さ
れた連結アーム22が設けられている。この連結アーム22
は一端がピストン21の下面に設けられ、他端が載置台10
の下側を通して押え部材12のガイド部15に取り付けられ
ており、ピストン21の上下動に応じてガイド部15を上下
動させることにより、押え部材12を上下方向に移動させ
る構造となっている。
の載置台10は半導体ウエハ１を載置するものであり、半
導体ウエハ１よりも外形が少し大きい円板状に形成され
ている。この載置台10の上面は平坦面に形成されてお
り、下面中央には軸部11が設けられている。また、載置
台10の外周には押え部材12が上下動可能に設けられてい
る。押え部材12は半導体ウエハ１のエッジ部７（周辺部
分）を覆って押え付けるものであり、全体がリング状に
形成されている。この場合、押え部材12の上部内側面に
は、半導体ウエハ１のエッジ部７における上面を押え付
ける押え部13が内側に突出して形成されているととも
に、この押え部13の下に半導体ウエハ１のエッジ部７の
端面が当接する位置決め部14が外周側に窪んで形成され
ている。また、押え部材12の外側下部には、複数のガイ
ド部（図では１個のみを示す）15が設けられている。こ
のガイド部15は載置台10の外端面に形成されたガイド溝
16内に配置され、かつガイド溝16に沿って上下動する構
造となっている。なお、押え部材12は半導体ウエハ１を
傷付けないために、四ふっ化エチレン樹脂（テフロン）
等の合成樹脂、あるいはこの合成樹脂を金属の表面に被
覆した（テフロン加工を施した）材料等により形成され
ている。一方、押え部材12を上下動する駆動手段17は載
置台10中に設けられている。すなわち、載置台10中には
シリンダ18が上下方向に形成されているとともに、流路
19、20がシリンダ18の上下端から軸部11中に通して外部
に導かれている。また、シリンダ18内にはピストン21が
上下方向に移動可能に配設されている。このピストン21
は上側の流路19から流体が供給されると下側に移動し、
逆に下側の流路20から流体が供給されると上側に移動す
る構造となっており、その下面には「Ｕ」字状に形成さ
れた連結アーム22が設けられている。この連結アーム22
は一端がピストン21の下面に設けられ、他端が載置台10
の下側を通して押え部材12のガイド部15に取り付けられ
ており、ピストン21の上下動に応じてガイド部15を上下
動させることにより、押え部材12を上下方向に移動させ
る構造となっている。
次に、上述した半導体ウエハ１の固定構造を用いて半
導体ウエハ１を固定し、その表面にフォトレジスト６を
塗布する場合について説明する。まず、押え部材12を押
し上げておき、この状態で載置台10上に半導体ウエハ１
を載置する。このとき、載置台10の上面は平坦面に形成
されているので、半導体ウエハ１は載置台10の上面に密
接して配置される。この後、駆動手段17を駆動して押え
部材12を引き下げる。すなわち、上側の流路19からシリ
ンダ18の上部に流体を供給してピストン21を押し下げ
る。すると、このピストン21の降下に伴って連結アーム
22が押え部材12のガイド部15を引き下げるので、押え部
材12が引き下げられる。このとき、ガイド部15は載置台
10のガイド溝16によりガイドされるので、押え部材12は
載置台10の上面つまり半導体ウエハ１と平行に引き下げ
られる。このように押え部材12が引き下げられると、載
置台10上の半導体ウエハ１は押え部材12の位置決め部14
に半導体ウエハ１のエッジ部７の端面が当接するので、
半導体ウエハ１は位置決め部14により位置決めされ、し
かる後、押え部材12の押え部13が半導体ウエハ１のエッ
ジ部７における上面を押え付ける。これにより、半導体
ウエハ１はエッジ部７が押え部材12により覆われて載置
台10上に機械的に固定される。そのため、半導体ウエハ
１は、従来の真空チャック方式のように部分的に変形す
ることがなく、平坦な状態で良好に載置台10上に固定さ
れる。
導体ウエハ１を固定し、その表面にフォトレジスト６を
塗布する場合について説明する。まず、押え部材12を押
し上げておき、この状態で載置台10上に半導体ウエハ１
を載置する。このとき、載置台10の上面は平坦面に形成
されているので、半導体ウエハ１は載置台10の上面に密
接して配置される。この後、駆動手段17を駆動して押え
部材12を引き下げる。すなわち、上側の流路19からシリ
ンダ18の上部に流体を供給してピストン21を押し下げ
る。すると、このピストン21の降下に伴って連結アーム
22が押え部材12のガイド部15を引き下げるので、押え部
材12が引き下げられる。このとき、ガイド部15は載置台
10のガイド溝16によりガイドされるので、押え部材12は
載置台10の上面つまり半導体ウエハ１と平行に引き下げ
られる。このように押え部材12が引き下げられると、載
置台10上の半導体ウエハ１は押え部材12の位置決め部14
に半導体ウエハ１のエッジ部７の端面が当接するので、
半導体ウエハ１は位置決め部14により位置決めされ、し
かる後、押え部材12の押え部13が半導体ウエハ１のエッ
ジ部７における上面を押え付ける。これにより、半導体
ウエハ１はエッジ部７が押え部材12により覆われて載置
台10上に機械的に固定される。そのため、半導体ウエハ
１は、従来の真空チャック方式のように部分的に変形す
ることがなく、平坦な状態で良好に載置台10上に固定さ
れる。
そして、載置台10の軸部11を中心に載置台10を所定の
回転速度で回転させながら、半導体ウエハ１上の回転中
心に液状のフォトレジスト６を滴下する。すると、フォ
トレジスト６は遠心力により流動して半導体ウエハ１の
表面に塗布される。このとき、半導体ウエハ１は部分的
な変形がなく載置台10上に平坦な状態で載置されている
ので、フォトレジスト６は均一な膜厚に形成される。特
に、半導体ウエハ１のエッジ部７は押え部材12により覆
い隠されているので、フォトレジスト６は半導体ウエハ
１のエッジ部７に塗布されることはない。そのため、従
来のように半導体ウエハ１のエッジ部７にエッジリンス
を吹き付けてフォトレジスト６を除去する必要がなく、
しかもエッジリンスの飛散によるレジストパターンの不
良が発生しないため、精度のよいレジストパターンを形
成することができる。なお、この後は、フォトレジスト
６をプリベークして仮硬化状態にした上、駆動手段17を
駆動して押え部材12による半導体ウエハ１の固定を解除
すれば、載置台10上から半導体ウエハ１を取り外すこと
ができる。この場合には、下側の流路20からシリンダ18
の下部に流体を供給してピストン21を上昇させれば、こ
れに伴って押え部材12が押し上げられるので、押え部材
12による半導体ウエハ１の固定が解除される。
回転速度で回転させながら、半導体ウエハ１上の回転中
心に液状のフォトレジスト６を滴下する。すると、フォ
トレジスト６は遠心力により流動して半導体ウエハ１の
表面に塗布される。このとき、半導体ウエハ１は部分的
な変形がなく載置台10上に平坦な状態で載置されている
ので、フォトレジスト６は均一な膜厚に形成される。特
に、半導体ウエハ１のエッジ部７は押え部材12により覆
い隠されているので、フォトレジスト６は半導体ウエハ
１のエッジ部７に塗布されることはない。そのため、従
来のように半導体ウエハ１のエッジ部７にエッジリンス
を吹き付けてフォトレジスト６を除去する必要がなく、
しかもエッジリンスの飛散によるレジストパターンの不
良が発生しないため、精度のよいレジストパターンを形
成することができる。なお、この後は、フォトレジスト
６をプリベークして仮硬化状態にした上、駆動手段17を
駆動して押え部材12による半導体ウエハ１の固定を解除
すれば、載置台10上から半導体ウエハ１を取り外すこと
ができる。この場合には、下側の流路20からシリンダ18
の下部に流体を供給してピストン21を上昇させれば、こ
れに伴って押え部材12が押し上げられるので、押え部材
12による半導体ウエハ１の固定が解除される。
なお、この考案は上述した実施例に限られるものでは
ない。例えば、駆動手段17は流体圧を利用したシリンダ
機構である必要がなく、モータや電磁ソレノイド等を用
いた機構でもよく、あるいは単にばね部材やフック部材
により押え部材12を引き下げるようにして固定する構造
のものでもよい。また、この考案の固定構造は、必ずし
もレジストをスピーンコート方式で塗布するレジスト装
置に限らず、刷毛や印刷で塗布する方式のレジスト塗布
装置にも適用することができる。
ない。例えば、駆動手段17は流体圧を利用したシリンダ
機構である必要がなく、モータや電磁ソレノイド等を用
いた機構でもよく、あるいは単にばね部材やフック部材
により押え部材12を引き下げるようにして固定する構造
のものでもよい。また、この考案の固定構造は、必ずし
もレジストをスピーンコート方式で塗布するレジスト装
置に限らず、刷毛や印刷で塗布する方式のレジスト塗布
装置にも適用することができる。
［考案の効果］ 以上詳細に説明したように、この考案によれば、載置
面が平坦面に形成された載置台の載置面に載置されたウ
エハの全側面及び全周縁部を押え部材で覆いかつ全周縁
部を載置台上に押え付けることにより、ウエハを機械的
に固定するので、ウエハが変形することなく、平坦な状
態で良好に固定することができ、しかもエッジリスト等
を吹き付ける必要がないため、精度のよいレジストパタ
ーンを形成することができる。
面が平坦面に形成された載置台の載置面に載置されたウ
エハの全側面及び全周縁部を押え部材で覆いかつ全周縁
部を載置台上に押え付けることにより、ウエハを機械的
に固定するので、ウエハが変形することなく、平坦な状
態で良好に固定することができ、しかもエッジリスト等
を吹き付ける必要がないため、精度のよいレジストパタ
ーンを形成することができる。
第１図および第２図はこの考案の一実施例を示し、第１
図はウエハの固定構造の要部断面図、第２図は全体の縮
小した外観斜視図、第３図および第４図は従来例を示
し、第３図は載置台上にウエハを固定してレジストを塗
布した状態の要部断面図、第４図はウエハのエッジ部に
エッジリンスを吹き付けてレジストを除去した状態の要
部断面図である。 １……半導体ウエハ、６……フォトレジスト、７……エ
ッジ部（周辺部分）、10……載置台,12……押え部材。
図はウエハの固定構造の要部断面図、第２図は全体の縮
小した外観斜視図、第３図および第４図は従来例を示
し、第３図は載置台上にウエハを固定してレジストを塗
布した状態の要部断面図、第４図はウエハのエッジ部に
エッジリンスを吹き付けてレジストを除去した状態の要
部断面図である。 １……半導体ウエハ、６……フォトレジスト、７……エ
ッジ部（周辺部分）、10……載置台,12……押え部材。
Claims (1)
- 【請求項１】レジストが塗布されるウエハを載置する載
置面が平坦面に形成された載置台と、 前記載置台の外周に設けられ、前記ウエハの全周縁部及
び前記ウエハの全側面部を覆って前記全周縁部を前記載
置台上に係脱可能に押え付ける押え部材と、 を具備してなるウエハの固定構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990042464U JP2530716Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ウエハの固定構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990042464U JP2530716Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ウエハの固定構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042018U JPH042018U (ja) | 1992-01-09 |
| JP2530716Y2 true JP2530716Y2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=31554033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990042464U Expired - Lifetime JP2530716Y2 (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ウエハの固定構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530716Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4473622A (en) * | 1982-12-27 | 1984-09-25 | Chludzinski Paul J | Rapid starting methanol reactor system |
| JPS61942U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-07 | シチズン時計株式会社 | ドツト印字ヘツドのワイヤガイド |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP1990042464U patent/JP2530716Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH042018U (ja) | 1992-01-09 |
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