JP2529114B2 - 進行波管増幅器のためのリニアライザ - Google Patents
進行波管増幅器のためのリニアライザInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3276—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using the nonlinearity inherent to components, e.g. a diode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電力出力発電機として進行波管又はクライ
ストロンのような直進形電子管を用いるマイクロ波増幅
器に関する。これらの電子管は、高周波駆動レベルを増
加させるとともに飽和する伝達特性をもつ。テレビジヨ
ンのような振幅変調信号を増幅させるとき、変調レベル
は、特性の線形部分に制限されて振幅線形性及び低調波
及び相互変調ひずみを保存する。（衛星送信装置で、い
くつかのチヤンネルが、同一の電子管によつてしばしば
伝送される。このため、飽和付近の駆動によつて得られ
る高い効率は、得ることができない。） 〔従来技術〕 飽和付近で出力電子管を駆動させる場合に被るひずみ
は電子管の伝達特性の逆に応答する振幅及び位相でそれ
らの入力信号を先行ひずみさせることによつて減少する
ことができ、そのため応答全体は線形性に近づくこと
が、知られている。
ストロンのような直進形電子管を用いるマイクロ波増幅
器に関する。これらの電子管は、高周波駆動レベルを増
加させるとともに飽和する伝達特性をもつ。テレビジヨ
ンのような振幅変調信号を増幅させるとき、変調レベル
は、特性の線形部分に制限されて振幅線形性及び低調波
及び相互変調ひずみを保存する。（衛星送信装置で、い
くつかのチヤンネルが、同一の電子管によつてしばしば
伝送される。このため、飽和付近の駆動によつて得られ
る高い効率は、得ることができない。） 〔従来技術〕 飽和付近で出力電子管を駆動させる場合に被るひずみ
は電子管の伝達特性の逆に応答する振幅及び位相でそれ
らの入力信号を先行ひずみさせることによつて減少する
ことができ、そのため応答全体は線形性に近づくこと
が、知られている。
第１図は、代表的場合を図示する。代表的速度変調増
幅器の振幅伝達特性は、線形部分10、それに続く高い駆
動レベルでの滑らかな飽和部分12から成り、駆動が「飽
和駆動」13であるとき「飽和」点14でピーク出力に達す
る。第２図で、これは、補償を示すため利得曲線として
プロツトされる。曲線12′は、dB対駆動振幅での電子管
の利得である。電子管が曲線16によつて示すような利得
応答を有する回路によつて先行されるならば、信号の増
加とともに振幅は増大し、結果たる応答全体は非常に線
形化され、直線18に近づくであろう。
幅器の振幅伝達特性は、線形部分10、それに続く高い駆
動レベルでの滑らかな飽和部分12から成り、駆動が「飽
和駆動」13であるとき「飽和」点14でピーク出力に達す
る。第２図で、これは、補償を示すため利得曲線として
プロツトされる。曲線12′は、dB対駆動振幅での電子管
の利得である。電子管が曲線16によつて示すような利得
応答を有する回路によつて先行されるならば、信号の増
加とともに振幅は増大し、結果たる応答全体は非常に線
形化され、直線18に近づくであろう。
これを行なうための初期の案を第３図で示す。入力信
号ラインと直列に背向対のダイオード、例えば半導体シ
ヨツトキー・ダイオード22、24が、挿入される。シヨツ
トキー・タイオード22、24は、信号振幅とともに増加す
るコンダクタンスを有する。このため、入力から出力へ
の送信は、信号レベルとともに上昇し、総増幅器応答の
線形化に向かつて第１段階を行う。
号ラインと直列に背向対のダイオード、例えば半導体シ
ヨツトキー・ダイオード22、24が、挿入される。シヨツ
トキー・タイオード22、24は、信号振幅とともに増加す
るコンダクタンスを有する。このため、入力から出力へ
の送信は、信号レベルとともに上昇し、総増幅器応答の
線形化に向かつて第１段階を行う。
この案は、多くの欠点をもつ。ダイオードの特性は、
進行波管をあまり良好に整合しない。さらに、異なる進
行波管は異なる飽和特性をもち、所望の特性の全てを有
するダイオードを得ることは実現できない。
進行波管をあまり良好に整合しない。さらに、異なる進
行波管は異なる飽和特性をもち、所望の特性の全てを有
するダイオードを得ることは実現できない。
本発明の目的は、飽和に近づく駆動レベルまで線形振
幅応答を有する進行波管電力増幅器を提供することであ
る。
幅応答を有する進行波管電力増幅器を提供することであ
る。
他の目的は、一定の位相応答を有する増幅器を提供す
ることである。
ることである。
他の目的は、減少した調波及び相互変調ひずみをもつ
増幅器を提供することである。
増幅器を提供することである。
他の目的は、効率及び電力が増大した増幅器を提供す
ることである。
ることである。
これらの目的は、先行ひずみのための回路によつて速
度変調出力管で生じたひずみを消去して達成される。リ
ニアライザ回路は、広い種類の増幅管に適合するべく調
整することができる。
度変調出力管で生じたひずみを消去して達成される。リ
ニアライザ回路は、広い種類の増幅管に適合するべく調
整することができる。
本発明は、２つのセクションに分けることにより最も
良く理解することができる。しかしながら、組合せた性
能が、重要な結果となる。
良く理解することができる。しかしながら、組合せた性
能が、重要な結果となる。
第４図では、基本的振幅線形化セクシヨンの簡略回路
図を示す。動作上このセクシヨンは、位相リニアライザ
と直列である。位相リニアライザは、以下に記載するよ
うに、振幅セクシヨンによつて導入される小さい位相ひ
ずみをも補正する。２つのセクシヨンは、増幅器への入
力信号と直列である。
図を示す。動作上このセクシヨンは、位相リニアライザ
と直列である。位相リニアライザは、以下に記載するよ
うに、振幅セクシヨンによつて導入される小さい位相ひ
ずみをも補正する。２つのセクシヨンは、増幅器への入
力信号と直列である。
振幅前置補償器又は補正器セクシヨンは、入力端子26
及び出力端子28をもつ。これらの間には、シヨツトキー
・ダイオード30及び32のような２対の半導体ダイオード
が接続されている。各対のダイオードは、同様の極性か
らなり、他対のダイオードに対向している。このため、
直流整流電流は単に循環し、インピーダンス全体の無指
向性である。この回路の多くが、第３図の従来技術の回
路に類似する。他の成分が、特定の増幅管を整合するの
に所望の特性をもたらすように回路を調節可能にする。
抵抗器34が、ダイオード対と並列に接続されて不変の伝
導成分をもたらす。個々の調節は、各対のダイオードの
接合点38、48と高周波アース40との間の他のダイオード
36及び44を接続することによつてもたらされる。直流バ
イアス電流は、接合点38、48に供給される。これらは、
高周波レベルを制御する。高周波レベルでは、種々のダ
イオードがより低いインピーダンスになり、このため所
望とする伝達特性が拡大される各直流電流バイアスは、
コンデンサー54によつてアースに側路をもつ直列誘電子
52を通つて供給され、さらに調節可能なバイアス電圧源
58に接続した抵抗器56を通して供給される。
及び出力端子28をもつ。これらの間には、シヨツトキー
・ダイオード30及び32のような２対の半導体ダイオード
が接続されている。各対のダイオードは、同様の極性か
らなり、他対のダイオードに対向している。このため、
直流整流電流は単に循環し、インピーダンス全体の無指
向性である。この回路の多くが、第３図の従来技術の回
路に類似する。他の成分が、特定の増幅管を整合するの
に所望の特性をもたらすように回路を調節可能にする。
抵抗器34が、ダイオード対と並列に接続されて不変の伝
導成分をもたらす。個々の調節は、各対のダイオードの
接合点38、48と高周波アース40との間の他のダイオード
36及び44を接続することによつてもたらされる。直流バ
イアス電流は、接合点38、48に供給される。これらは、
高周波レベルを制御する。高周波レベルでは、種々のダ
イオードがより低いインピーダンスになり、このため所
望とする伝達特性が拡大される各直流電流バイアスは、
コンデンサー54によつてアースに側路をもつ直列誘電子
52を通つて供給され、さらに調節可能なバイアス電圧源
58に接続した抵抗器56を通して供給される。
一定のひずみ特性のため、他のダイオード33が、１個
の対32と直列に加えられてもよい。そのダイオードは、
一定のひずみ特性を一層近似するため低、中間及び高障
壁シヨツトキー・ダイオードの組み合わせを好適に成
す。さらに、抵抗器62が、１個又は２個の対と直列に配
置されてもよい。緩衝増幅器60が、回路セクシヨンを絶
縁するために使用されてもよい。
の対32と直列に加えられてもよい。そのダイオードは、
一定のひずみ特性を一層近似するため低、中間及び高障
壁シヨツトキー・ダイオードの組み合わせを好適に成
す。さらに、抵抗器62が、１個又は２個の対と直列に配
置されてもよい。緩衝増幅器60が、回路セクシヨンを絶
縁するために使用されてもよい。
振幅先行ひずみセクシヨンの性能は、進行波管の固有
のひずみ及び位相セクシヨンによつて導入されるあらゆ
る振幅作用と結合しており、以下で説明する。もちろ
ん、振幅セクシヨンもまた、ダイオード静電容量及び導
線インダクタンスのため非線形位相ひずみを導入し、他
の非線形位相特性と結合する。
のひずみ及び位相セクシヨンによつて導入されるあらゆ
る振幅作用と結合しており、以下で説明する。もちろ
ん、振幅セクシヨンもまた、ダイオード静電容量及び導
線インダクタンスのため非線形位相ひずみを導入し、他
の非線形位相特性と結合する。
第５図では、バイアス電流I+及びI-の種々の設定を有
する第４図の回路を用いて得られる１組の振幅増大特性
を図示し、ただ２つの外部直流制御を用いて利用できる
制御範囲を説明している。
する第４図の回路を用いて得られる１組の振幅増大特性
を図示し、ただ２つの外部直流制御を用いて利用できる
制御範囲を説明している。
第６図は、リニアライザの位相先行ひずみセクシヨン
の略図である。進行波増幅管では、飽和に近い駆動レベ
ルで始まり駆動の増加とともに増加する位相遅れがあ
る。これは、大きな信号のための速度変調処理の固有の
非線形性及びエネルギーがそこから干渉回路内に引き出
されるときの電子の減速が原因である。位相修正器セク
シヨンの目的は、従つて駆動電力の増加とともに位相前
進を導入することである。
の略図である。進行波増幅管では、飽和に近い駆動レベ
ルで始まり駆動の増加とともに増加する位相遅れがあ
る。これは、大きな信号のための速度変調処理の固有の
非線形性及びエネルギーがそこから干渉回路内に引き出
されるときの電子の減速が原因である。位相修正器セク
シヨンの目的は、従つて駆動電力の増加とともに位相前
進を導入することである。
これを行う回路、第６図は、第４図の振幅拡大回路に
類似の背面対前面ダイオード対を含む。第６図の類似成
分が、第４図の対応する成分と同様の符号を付されてい
る。さらに、入力26′と出力28′との間には位相遅延回
路網がある。この回路網は、１対の直列抵抗器60、62を
有する交換抵抗器34から成つている。直列抵抗器60、62
は、それらの中間接続部でコンデンサー64によつてアー
ス40′に分路している。さらに好適には、インカミング
無線周波数駆動信号と回路入力26′との間に在来の整合
トランス25が、加えられる。代表的には、入力信号源の
インピーダンスは代表的マイクロ波網の50オーム標準イ
ンピーダンスであり、位相先行ひずみセクシヨンはより
低いインピーダンス、例えば25オームに遭遇する場合、
整合トランスはそれに応じてインピーダンスを減少させ
る。それは、例えば４分の１波長整合ランスであつても
よい。さらに、整合トランスが位相先行ひずみセクシヨ
ンに対するソース装荷効果を軽減するのを助けることが
できることに注目すべきである。この利点のため、振幅
先行ひずみセクシヨンの入力でもまたかような整合トラ
ンスを利用することが望ましいであろう。このように、
ソース装荷効果が最小化されるので、最適な性能が促進
される。
類似の背面対前面ダイオード対を含む。第６図の類似成
分が、第４図の対応する成分と同様の符号を付されてい
る。さらに、入力26′と出力28′との間には位相遅延回
路網がある。この回路網は、１対の直列抵抗器60、62を
有する交換抵抗器34から成つている。直列抵抗器60、62
は、それらの中間接続部でコンデンサー64によつてアー
ス40′に分路している。さらに好適には、インカミング
無線周波数駆動信号と回路入力26′との間に在来の整合
トランス25が、加えられる。代表的には、入力信号源の
インピーダンスは代表的マイクロ波網の50オーム標準イ
ンピーダンスであり、位相先行ひずみセクシヨンはより
低いインピーダンス、例えば25オームに遭遇する場合、
整合トランスはそれに応じてインピーダンスを減少させ
る。それは、例えば４分の１波長整合ランスであつても
よい。さらに、整合トランスが位相先行ひずみセクシヨ
ンに対するソース装荷効果を軽減するのを助けることが
できることに注目すべきである。この利点のため、振幅
先行ひずみセクシヨンの入力でもまたかような整合トラ
ンスを利用することが望ましいであろう。このように、
ソース装荷効果が最小化されるので、最適な性能が促進
される。
信号が増大するとき、ダイオード対30′及び32′は、
より低いインピーダンスになり、Ｒ−Ｃ網60、62、64を
通じて電流を減少させ、その固有の位相遅延を減少させ
る。さらに、ダイオード36′、32′の直列静電容量は、
位相前進電流を一層効果的に与えることになる。第４図
の振幅先行ひずみセクシヨンを有するとき、先行ひずみ
の量は、補助ダイオード36′及び38′に供給されるバイ
アス電流によつて制御される。さらに振幅先行ひずみセ
クシヨンに類似して、このセクシヨンのダイオードは、
好適には低及び中間双方の障壁シヨツトキー・ダイオー
ドから成り、所望のひずみ特性に一層良好に近似する。
より低いインピーダンスになり、Ｒ−Ｃ網60、62、64を
通じて電流を減少させ、その固有の位相遅延を減少させ
る。さらに、ダイオード36′、32′の直列静電容量は、
位相前進電流を一層効果的に与えることになる。第４図
の振幅先行ひずみセクシヨンを有するとき、先行ひずみ
の量は、補助ダイオード36′及び38′に供給されるバイ
アス電流によつて制御される。さらに振幅先行ひずみセ
クシヨンに類似して、このセクシヨンのダイオードは、
好適には低及び中間双方の障壁シヨツトキー・ダイオー
ドから成り、所望のひずみ特性に一層良好に近似する。
振幅先行ひずみセクシヨンの場合に、第５図で示し、
入力電力に関しえdBで損失をプロツトし、直流バイアス
の種々の設定を用いて可能な種々の振幅拡大特性のいく
つかを示す曲線が、思い出されるであろう。これらの曲
線はまた、直流バイアスの種々の設定での位相先行ひず
みセクシヨンから得ることができる位相拡大特性のいく
つかを一般に示す。垂直左側軸を利用して、これらの曲
線はまた入力電力に関して角度で表す位相シフトのプロ
ツトと考えてもよいことが、わかるであろう。ちようど
振幅先行ひずみセクシヨンの場合のように、種々の所望
の先行ひずみ特性のための良好な範囲の調整性を、従つ
て得ることができる。
入力電力に関しえdBで損失をプロツトし、直流バイアス
の種々の設定を用いて可能な種々の振幅拡大特性のいく
つかを示す曲線が、思い出されるであろう。これらの曲
線はまた、直流バイアスの種々の設定での位相先行ひず
みセクシヨンから得ることができる位相拡大特性のいく
つかを一般に示す。垂直左側軸を利用して、これらの曲
線はまた入力電力に関して角度で表す位相シフトのプロ
ツトと考えてもよいことが、わかるであろう。ちようど
振幅先行ひずみセクシヨンの場合のように、種々の所望
の先行ひずみ特性のための良好な範囲の調整性を、従つ
て得ることができる。
位相先行ひずみセクションの前にある整合トランス25
の配置は、入力信号が位相前進ひずみセクションを介し
て向けられることの方が振幅前進ひずみセクションより
もむしろ速いことを当然のことながら想定している。こ
れは実際好適な配列である。しかしながら、振幅先行ひ
ずみセクシヨンが最初に位置づけられる配列もまた可能
であろう。
の配置は、入力信号が位相前進ひずみセクションを介し
て向けられることの方が振幅前進ひずみセクションより
もむしろ速いことを当然のことながら想定している。こ
れは実際好適な配列である。しかしながら、振幅先行ひ
ずみセクシヨンが最初に位置づけられる配列もまた可能
であろう。
振幅及び位相の双方の先行ひずみセクシヨンで、先行
ひずみの制御は直流バイアス電流によつてもたらされる
ことを、前述している。しかしながら、先行ひずみは、
これらダイオード回路の性質のため、双方の場合は入力
信号の振幅レベルにも依存するであろう。双方のセクシ
ヨンへの入力駆動のレベルが前記一定の範囲にないなら
ば、それらは、適切な先行ひずみ機能をもたらす適切な
伝達領域内で動作しないであろう。さらに、先行ひずみ
の最適な程度は、入力信号の利得レベルを制御せずに得
ることはできないであろう。従つて、各セクシヨンと直
列で前にある在来の線形利得制御回路（図示せず）を挿
入することが好適である。それによつてもたらされる入
力信号駆動レベルを調節する性能は先行ひずみの最適な
調整性を可能にし、これらは連続段階の間に最適の適合
性をもたらすであろう。リニアライザの出力と駆動され
ることが求められる進行波増幅管との間で好適には直列
で利用されるであろう他の要素は、他の在来の線形利得
制御回路、及び在来の振幅イコライザである。この線形
利得制御のための有用性は、リニアライザの出力が特定
の進行波管について高過ぎるか或いは低過ぎる範囲内に
あるとき生じる。周知のように、駆動信号の範囲は、進
行波管を飽和へと駆動するほど大きくてはならず、予期
した電力出力のほんの一部が生じるほど低くてもならな
い。このため、最終線形利得制御が、幾分異なる範囲を
要求する進行波管の入力要件にリニアライザ出力の動的
範囲を整合させることが必要な場合に役に立つであろ
う。
ひずみの制御は直流バイアス電流によつてもたらされる
ことを、前述している。しかしながら、先行ひずみは、
これらダイオード回路の性質のため、双方の場合は入力
信号の振幅レベルにも依存するであろう。双方のセクシ
ヨンへの入力駆動のレベルが前記一定の範囲にないなら
ば、それらは、適切な先行ひずみ機能をもたらす適切な
伝達領域内で動作しないであろう。さらに、先行ひずみ
の最適な程度は、入力信号の利得レベルを制御せずに得
ることはできないであろう。従つて、各セクシヨンと直
列で前にある在来の線形利得制御回路（図示せず）を挿
入することが好適である。それによつてもたらされる入
力信号駆動レベルを調節する性能は先行ひずみの最適な
調整性を可能にし、これらは連続段階の間に最適の適合
性をもたらすであろう。リニアライザの出力と駆動され
ることが求められる進行波増幅管との間で好適には直列
で利用されるであろう他の要素は、他の在来の線形利得
制御回路、及び在来の振幅イコライザである。この線形
利得制御のための有用性は、リニアライザの出力が特定
の進行波管について高過ぎるか或いは低過ぎる範囲内に
あるとき生じる。周知のように、駆動信号の範囲は、進
行波管を飽和へと駆動するほど大きくてはならず、予期
した電力出力のほんの一部が生じるほど低くてもならな
い。このため、最終線形利得制御が、幾分異なる範囲を
要求する進行波管の入力要件にリニアライザ出力の動的
範囲を整合させることが必要な場合に役に立つであろ
う。
リニアライザからの信号はまた、前述のように調整さ
れ、特定の伝達適用のため所望の周波数範囲に亘つて応
答の平坦度を有しない。特に、ネツトワークは、所望の
範囲での他の周波数に比較してある周波数での特定の信
号レベルに同一の応答を有しないであろう。このため、
その適用に依存して、在来の振幅イコライザを加えてリ
ニアライザ出力と進行波管入力との間のこの応答を補償
して周波数応答の所望の相応な平坦度を達成することを
所望することができる。
れ、特定の伝達適用のため所望の周波数範囲に亘つて応
答の平坦度を有しない。特に、ネツトワークは、所望の
範囲での他の周波数に比較してある周波数での特定の信
号レベルに同一の応答を有しないであろう。このため、
その適用に依存して、在来の振幅イコライザを加えてリ
ニアライザ出力と進行波管入力との間のこの応答を補償
して周波数応答の所望の相応な平坦度を達成することを
所望することができる。
第７図は、発明の回路を用いて線形化されるときの総
合増幅器72及び非補償形進行波管増幅器70の相対的位相
遅延のグラフである。
合増幅器72及び非補償形進行波管増幅器70の相対的位相
遅延のグラフである。
進行波管の結合した振幅の及び位相の非線形性からの
性能低下に対する重要な全体的な作用が、結果としての
相互変調ひずみである。これは、衛星伝達網にとつて通
常の幾つかの信号チヤンネルの同時伝達中に最も重要で
ある。第８図は、非補償形進行波管増幅器74及び線形化
総合増幅器76の優性３次相互変調積の相互変調比のグラ
フである。より高次の奇数相互変調比は、十分３次以下
にある。
性能低下に対する重要な全体的な作用が、結果としての
相互変調ひずみである。これは、衛星伝達網にとつて通
常の幾つかの信号チヤンネルの同時伝達中に最も重要で
ある。第８図は、非補償形進行波管増幅器74及び線形化
総合増幅器76の優性３次相互変調積の相互変調比のグラ
フである。より高次の奇数相互変調比は、十分３次以下
にある。
前述の特定の実施例は、例示的である。PINダイオー
ド等のような異なるタイプのダイオードのように本発明
の範囲内で多くの変形が代用されてもよいことが、当業
者に明らかであろう。多くの種類の回路配線が、集積回
路での部品を用いて使用されてもよい。
ド等のような異なるタイプのダイオードのように本発明
の範囲内で多くの変形が代用されてもよいことが、当業
者に明らかであろう。多くの種類の回路配線が、集積回
路での部品を用いて使用されてもよい。
本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその法的等価物
のよつてのみ制限されるものである。
のよつてのみ制限されるものである。
第１図は、代表的進行波管の振幅伝達特性の略図であ
る。 第２図は、デシベル利得の目盛りでプロツトした第１図
の伝達特性の略図である。 第３図は、従来技術の補償回路の略図である。 第４図は、本発明の振幅セクシヨンを実施化する回路の
略図である。 第５図は、１組の代表的振幅増大特性である。 第６図は、本発明の位相セクシヨン実施化する回路の略
図である。 第７図は、代表的増幅器の未補正及び補正位相応答のグ
ラフである。 第８図は、代表的増幅器の相互変調ひずみのグラフであ
る。 〔主要符号の説明〕 26……入力端子、28……出力端子 30,32……シヨツトキー・ダイオード 34,56,62……抵抗器 33,36,42……ダイオード 38,48……接合点、40……高周波アース 52……直列誘電子、54,64……コンデンサー 58……バイアス電圧源、60……緩衝増幅器 25……整合トランス
る。 第２図は、デシベル利得の目盛りでプロツトした第１図
の伝達特性の略図である。 第３図は、従来技術の補償回路の略図である。 第４図は、本発明の振幅セクシヨンを実施化する回路の
略図である。 第５図は、１組の代表的振幅増大特性である。 第６図は、本発明の位相セクシヨン実施化する回路の略
図である。 第７図は、代表的増幅器の未補正及び補正位相応答のグ
ラフである。 第８図は、代表的増幅器の相互変調ひずみのグラフであ
る。 〔主要符号の説明〕 26……入力端子、28……出力端子 30,32……シヨツトキー・ダイオード 34,56,62……抵抗器 33,36,42……ダイオード 38,48……接合点、40……高周波アース 52……直列誘電子、54,64……コンデンサー 58……バイアス電圧源、60……緩衝増幅器 25……整合トランス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン・エー・ステック アメリカ合衆国カリフォルニア州クパー チノ、ウォーターフォード・ドライブ 7535 (56)参考文献 特開 昭49−75050（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】進行波管増幅器の入力信号を先行ひずみさ
せるためのリニアライザであって、 当該リニアライザが、振幅補償セクションと、該振幅補
償セクションと直列の位相補償セクションとから成り、 前記振幅補償セクション及び位相補償セクションが、 （ａ）入力端子及び出力端子と、 （ｂ）前記入力端子と前記出力端子との間に、同一の、
極性の第１の方向に直列に接続される第１の一対の半導
体ダイオードと、 （ｃ）前記入力端子と前記出力端子との間に、同一の、
前記第１の方向と逆の第２の方向に直列に接続される第
２の一対の半導体ダイオードと、 （ｄ）前記入力端子と前記出力端子との間に接続される
抵抗器と、 （ｅ）前記第１の一対の半導体ダイオードの間の第１の
共通接続部と、高周波アースとの間に接続される第５の
半導体ダイオードと、 （ｆ）調整可能なフォワードバイアス電流を前記第５の
半導体ダイオードを介して印加するための手段と、 （ｇ）前記第５の半導体ダイオードと反対極性で、前記
第２の一対の半導体ダイオードの間の第２の共通接続部
と、前記高周波アースとの間に接続される第６の半導体
ダイオードと、 （ｈ）個々に調整可能なフォワードバイアス電流を前記
第６の半導体ダイオードを介して印加するための手段と
から成り、 前記位相補償セクションが、また、前記アースと前記抵
抗器の中間点の間に接続されるコンデンサーから成る、 ところのリニアライザ。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載のリニアライザ
であって、 バイアス電流を印加するための前記手段が、電流供給源
と直列の絶縁チョークから成る、リニアライザ。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載のリニアライザ
であって、 さらに、前記第１及び第２の一対の半導体ダイオードに
直列の抵抗器から成る、リニアライザ。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載のリニアライザ
であって、 さらに、前記振幅補償セクションと前記位相補償セクシ
ョンとの間の緩衝増幅器から成る、リニアライザ。
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