JP2519089Y2 - 光半導体レセプタクル - Google Patents
光半導体レセプタクルInfo
- Publication number
- JP2519089Y2 JP2519089Y2 JP1989138408U JP13840889U JP2519089Y2 JP 2519089 Y2 JP2519089 Y2 JP 2519089Y2 JP 1989138408 U JP1989138408 U JP 1989138408U JP 13840889 U JP13840889 U JP 13840889U JP 2519089 Y2 JP2519089 Y2 JP 2519089Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrule
- insertion hole
- assembly
- laser
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本考案は、光通信システム、光計測システムなどに使
用される光半導体レセプタクルについて、特に挿入する
コネクタフェルールの支持構造に関するものである。
用される光半導体レセプタクルについて、特に挿入する
コネクタフェルールの支持構造に関するものである。
「従来の技術」 光半導体レセプタクルは、光半導体素子、集光レンズ
系、レセプタクル形ハウジングなどの光ファイバコネク
タ取付部分を一体化組み立てたもので、光ファイバコネ
クタを着脱自在にしたものであり、半導体発光素子から
射出された光を効率よく光ファイバに結合させるもので
ある。
系、レセプタクル形ハウジングなどの光ファイバコネク
タ取付部分を一体化組み立てたもので、光ファイバコネ
クタを着脱自在にしたものであり、半導体発光素子から
射出された光を効率よく光ファイバに結合させるもので
ある。
光半導体レセプタクルの例として第４図に半分を軸方
向に断面して示すものがあり、コネクタ結合サブアッシ
ィ101とレーザ筒体サブアッシィ102を相互の光軸を調心
してレーザ溶接103で一体に形成される。
向に断面して示すものがあり、コネクタ結合サブアッシ
ィ101とレーザ筒体サブアッシィ102を相互の光軸を調心
してレーザ溶接103で一体に形成される。
コネクタ結合サブアッシィ101は、ハウジング111にフ
ェルール挿入孔112が穿設され、光ファイバ端部を保持
したフェルールがこのフェルール挿入孔112に挿入され
たとき端面113で位置決めされて、半導体レーザ128の発
光チップ122から射出されたレーザビームがGRINレンズ
あるいはロッドレンズなどの集束レンズ126を通過し最
小ビーム径となったビーム集束点114と光ファイバを光
学的に結合する。
ェルール挿入孔112が穿設され、光ファイバ端部を保持
したフェルールがこのフェルール挿入孔112に挿入され
たとき端面113で位置決めされて、半導体レーザ128の発
光チップ122から射出されたレーザビームがGRINレンズ
あるいはロッドレンズなどの集束レンズ126を通過し最
小ビーム径となったビーム集束点114と光ファイバを光
学的に結合する。
上記の準備ステップとして、先ず、第５図に示すよう
に、レーザ筒体サブアッシィ102において、筒体121の段
部129にスペーサ124を介してリテーナ123を螺着して取
付けられた半導体レーザ128の発光チップ122より射出さ
れるレーザビームが、外周をメタライズ処理され筒体12
1に小孔127から注入された半田で固定された集束レンズ
126を通過して集束された集束点114までの当接面131か
らの光軸上の距離l1をビームスポットサイズ測定機など
で測定し、次にコネクタ結合サブアッシィ101のハウジ
ング111の先端側端面132からフェルールの突当り端面11
3までの光軸上の距離l2（第６図参照）に等しくなるよ
うな0.005mmごと厚みの異なるスペーサと前記スペーサ1
24を交換して最適のスペーサを見出す。
に、レーザ筒体サブアッシィ102において、筒体121の段
部129にスペーサ124を介してリテーナ123を螺着して取
付けられた半導体レーザ128の発光チップ122より射出さ
れるレーザビームが、外周をメタライズ処理され筒体12
1に小孔127から注入された半田で固定された集束レンズ
126を通過して集束された集束点114までの当接面131か
らの光軸上の距離l1をビームスポットサイズ測定機など
で測定し、次にコネクタ結合サブアッシィ101のハウジ
ング111の先端側端面132からフェルールの突当り端面11
3までの光軸上の距離l2（第６図参照）に等しくなるよ
うな0.005mmごと厚みの異なるスペーサと前記スペーサ1
24を交換して最適のスペーサを見出す。
l1＝l2となるような一組みのコネクタ結合サブアッシ
ィ101とレーザ筒体サブアッシィ102において、当接面13
1、先端側端面132上で摺動調心し結合パワー最大の位置
でYAGレーザなどを用いてレーザビームスポット溶接103
をし、しかる後に筒体121基端側の孔133から半田を流し
込みリテーナ123および半導体レーザ128を筒体121に固
定して完成する。
ィ101とレーザ筒体サブアッシィ102において、当接面13
1、先端側端面132上で摺動調心し結合パワー最大の位置
でYAGレーザなどを用いてレーザビームスポット溶接103
をし、しかる後に筒体121基端側の孔133から半田を流し
込みリテーナ123および半導体レーザ128を筒体121に固
定して完成する。
「考案が解決しようとする課題」 上記の従来の光半導体レセプタクルでは、結合光パワ
ーを計測するとき、マスターコードの光コネクタをハウ
ジング111の挿入孔112に挿入する。ところで、コネクタ
フェルールおよび挿入孔も一定の公差の下で製作される
が、フェルールと挿入孔112との間に２μｍ程度の隙間
がどうしても存在し、光ファイバのコア径が８〜９μｍ
であるところから、ビーム集束点114で合致しにくく、
光コネクタ装着の都度、結合光パワーの計測値にバラツ
キがよく生じる。このため結合最大状態を確実に把握で
きなかった。
ーを計測するとき、マスターコードの光コネクタをハウ
ジング111の挿入孔112に挿入する。ところで、コネクタ
フェルールおよび挿入孔も一定の公差の下で製作される
が、フェルールと挿入孔112との間に２μｍ程度の隙間
がどうしても存在し、光ファイバのコア径が８〜９μｍ
であるところから、ビーム集束点114で合致しにくく、
光コネクタ装着の都度、結合光パワーの計測値にバラツ
キがよく生じる。このため結合最大状態を確実に把握で
きなかった。
「課題を解決するための手段および作用」 そこで、本考案では、上記の事情に鑑み、コネクタフ
ェルールを一定方向に積極的に片寄せて、フェルールと
フェルール挿入孔との間の隙間によりフェルール装着位
置の変動をなくすべく、フェルール挿入孔を穿設したハ
ウジング内に、内嵌め筒体をその基端側端面が、挿入孔
にフェルールを挿入した際フェルール先端面が当接する
ようにして圧入してなるコネクタ接合サブアッシィと、
半導体レーザと集束レンズとを光軸上に配置して収容し
たレーザ筒体サブアッシィとよりなり内嵌め筒体の基端
側端面上の光軸上にビーム集束点を設けた光半導体レセ
プタクルにおいて、前記内嵌め筒体の基端側端面の挿入
孔にフェルールを挿入した際フェルール先端面取り部を
押圧できる位置に板バネを設け、板バネと対向するフェ
ルール挿入孔の周縁位置に軸方向の支持溝を刻設した光
半導体レセプタクルである。
ェルールを一定方向に積極的に片寄せて、フェルールと
フェルール挿入孔との間の隙間によりフェルール装着位
置の変動をなくすべく、フェルール挿入孔を穿設したハ
ウジング内に、内嵌め筒体をその基端側端面が、挿入孔
にフェルールを挿入した際フェルール先端面が当接する
ようにして圧入してなるコネクタ接合サブアッシィと、
半導体レーザと集束レンズとを光軸上に配置して収容し
たレーザ筒体サブアッシィとよりなり内嵌め筒体の基端
側端面上の光軸上にビーム集束点を設けた光半導体レセ
プタクルにおいて、前記内嵌め筒体の基端側端面の挿入
孔にフェルールを挿入した際フェルール先端面取り部を
押圧できる位置に板バネを設け、板バネと対向するフェ
ルール挿入孔の周縁位置に軸方向の支持溝を刻設した光
半導体レセプタクルである。
「実施例」 本考案を添付する図面の第１〜３図、第５図、第７図
に示す具体的な一実施例に基づいて以下詳細に説明す
る。
に示す具体的な一実施例に基づいて以下詳細に説明す
る。
第一に、第３図に示す板バネ８を内蔵する内嵌め筒体
３において、圧入部材９により溝部７に溝幅より狭い幅
の板バネ８を固定する。この板バネ８はハウジング111
（以下、第７図、第２図参照）に穿設した挿入孔112に
挿入されるフェルール10の前端にある面取部10aを押圧
し挿入孔112内においてフェルール10を片寄せするもの
である。この板バネ８を内蔵する内嵌め筒体３を、フェ
ルール挿入孔112に穿設された平溝21と板バネ８が180°
対向する角度条件で、ハウジング111に圧入・固定す
る。第７図におけるコネクタ結合サブアッシィ201にお
いて、挿入孔112にフェルール10が挿入され突き当る面1
13と、コネクタ結合サブアッシィ201の先端側端面132の
光軸上距離を測定し距離l2とする。
３において、圧入部材９により溝部７に溝幅より狭い幅
の板バネ８を固定する。この板バネ８はハウジング111
（以下、第７図、第２図参照）に穿設した挿入孔112に
挿入されるフェルール10の前端にある面取部10aを押圧
し挿入孔112内においてフェルール10を片寄せするもの
である。この板バネ８を内蔵する内嵌め筒体３を、フェ
ルール挿入孔112に穿設された平溝21と板バネ８が180°
対向する角度条件で、ハウジング111に圧入・固定す
る。第７図におけるコネクタ結合サブアッシィ201にお
いて、挿入孔112にフェルール10が挿入され突き当る面1
13と、コネクタ結合サブアッシィ201の先端側端面132の
光軸上距離を測定し距離l2とする。
第二に、第５図に示すレーザ筒サブアッシィ102にお
いて、筒体121の段部129にスペーサ124を介してリテー
ナ123を螺着して取付けられた半導体レーザ128の発光チ
ップ122より射出されるレーザビームが、外周をメタラ
イズ処理された筒体121に小孔127から注入された半田で
固定された集束レンズ126を通過して、集束された集束
点114までの当接面131からの光軸上の距離l1をビームス
ポットサイズ測定機で測定し、前記l2に等しくなるよう
な0.005mmごとに厚みの異なるスペーサと交換して最適
のスペーサを見出す。l1＝l2となるような一組みのコネ
クタ結合サブアッシィ201（第７図）とレーザ筒体サブ
アッシィ102（第５図）において、当接面131、先端側端
面132上で摺動調心し結合パワー最大の位置でYAGレーザ
を用いて、レーザスポット溶接103をし、しかる後に筒
体121基端側の孔133から半田を流し込みリテーナ123お
よび半導体レーザ128を筒体121に固定し完成する（第１
図）。
いて、筒体121の段部129にスペーサ124を介してリテー
ナ123を螺着して取付けられた半導体レーザ128の発光チ
ップ122より射出されるレーザビームが、外周をメタラ
イズ処理された筒体121に小孔127から注入された半田で
固定された集束レンズ126を通過して、集束された集束
点114までの当接面131からの光軸上の距離l1をビームス
ポットサイズ測定機で測定し、前記l2に等しくなるよう
な0.005mmごとに厚みの異なるスペーサと交換して最適
のスペーサを見出す。l1＝l2となるような一組みのコネ
クタ結合サブアッシィ201（第７図）とレーザ筒体サブ
アッシィ102（第５図）において、当接面131、先端側端
面132上で摺動調心し結合パワー最大の位置でYAGレーザ
を用いて、レーザスポット溶接103をし、しかる後に筒
体121基端側の孔133から半田を流し込みリテーナ123お
よび半導体レーザ128を筒体121に固定し完成する（第１
図）。
「考案の効果」 本考案は、フェルール挿入孔を穿設したハウジング内
に内嵌め筒体を圧入し、該内嵌め筒体の基端側端面を挿
入孔に挿入したフェルール先端面と当接させるようにし
たコネクタ接合サブアッシィと、半導体レーザと集束レ
ンズとを光軸上に配置して収容したレーザ筒体サブアッ
シィとよりなり、内嵌め筒体の基端側端面上の光軸上に
ビーム集束点を設けた光半導体レセプタクルにおいて、
前記内嵌め筒体の基端側端面に、挿入孔中のフェルール
先端面取り部を押圧して片寄せできる位置に板バネを設
け、フェルール挿入孔における板バネの設置位置と向か
い合う周縁位置に軸方向の支持溝を刻設した光半導体レ
セプタクルであるので、コネクタフェルールを一定方向
に積極的に片寄せて、フェルールとフェルール挿入孔と
の間の隙間によりフェルール装着位置の変動をなくし、
結合光パワーの計測値にバラツキが生じるようなことは
なく、結合最大状態を確実に把握できる。
に内嵌め筒体を圧入し、該内嵌め筒体の基端側端面を挿
入孔に挿入したフェルール先端面と当接させるようにし
たコネクタ接合サブアッシィと、半導体レーザと集束レ
ンズとを光軸上に配置して収容したレーザ筒体サブアッ
シィとよりなり、内嵌め筒体の基端側端面上の光軸上に
ビーム集束点を設けた光半導体レセプタクルにおいて、
前記内嵌め筒体の基端側端面に、挿入孔中のフェルール
先端面取り部を押圧して片寄せできる位置に板バネを設
け、フェルール挿入孔における板バネの設置位置と向か
い合う周縁位置に軸方向の支持溝を刻設した光半導体レ
セプタクルであるので、コネクタフェルールを一定方向
に積極的に片寄せて、フェルールとフェルール挿入孔と
の間の隙間によりフェルール装着位置の変動をなくし、
結合光パワーの計測値にバラツキが生じるようなことは
なく、結合最大状態を確実に把握できる。
第１図は本考案の具体的一実施例の光半導体レセプタク
ルの半分を縦断面した正面図、第２図は第１図の右側面
図、第３図は内嵌め筒体の斜視図、第４図は従来の光半
導体レセプタクルの組み付けた状態の半分を縦断面した
正面図、第５図はレーザ筒体サブアッシィの半分を縦断
面した正面図、第６図は従来技術のコネクタ結合サブア
ッシィの半分を縦断面した正面図、第７図は本考案の具
体的一実施例のコネクタ結合サブアッシィの半分を縦断
した正面図である。 112……フェルール挿入孔 111……ハウジング ３……内嵌め筒体 113……フェルール突当り端面 10……フェルール 101……従来技術のコネクタ結合サブアッシィ 201……本考案のコネクタ結合サブアッシィ 128……半導体レーザ 126……集束レンズ 102……レーザ筒体サブアッシィ 114……ビーム集束点 10a……フェルール先端面取り部 ８……板バネ ７……支持溝
ルの半分を縦断面した正面図、第２図は第１図の右側面
図、第３図は内嵌め筒体の斜視図、第４図は従来の光半
導体レセプタクルの組み付けた状態の半分を縦断面した
正面図、第５図はレーザ筒体サブアッシィの半分を縦断
面した正面図、第６図は従来技術のコネクタ結合サブア
ッシィの半分を縦断面した正面図、第７図は本考案の具
体的一実施例のコネクタ結合サブアッシィの半分を縦断
した正面図である。 112……フェルール挿入孔 111……ハウジング ３……内嵌め筒体 113……フェルール突当り端面 10……フェルール 101……従来技術のコネクタ結合サブアッシィ 201……本考案のコネクタ結合サブアッシィ 128……半導体レーザ 126……集束レンズ 102……レーザ筒体サブアッシィ 114……ビーム集束点 10a……フェルール先端面取り部 ８……板バネ ７……支持溝
Claims (1)
- 【請求項１】フェルール挿入孔を穿設したハウジング内
に内嵌め筒体を圧入し、該内嵌め筒体の基端側端面を挿
入孔に挿入したフェルール先端面と当接させるようにし
たコネクタ接合サブアッシィと、半導体レーザと集束レ
ンズとを光軸上に配置して収容したレーザ筒体サブアッ
シィとよりなり、内嵌め筒体の基端側端面上の光軸上に
ビーム集束点を設けた光半導体レセプタクルにおいて、
前記内嵌め筒体の基端側端面に、挿入孔中のフェルール
先端面取り部を押圧して片寄せできる位置に板バネを設
け、フェルール挿入孔における板バネの設置位置と向か
い合う周縁位置に軸方向の支持溝を刻設したことを特徴
とする光半導体レセプタクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989138408U JP2519089Y2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 光半導体レセプタクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989138408U JP2519089Y2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 光半導体レセプタクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0377909U JPH0377909U (ja) | 1991-08-06 |
| JP2519089Y2 true JP2519089Y2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=31685508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989138408U Expired - Fee Related JP2519089Y2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 光半導体レセプタクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519089Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6225906U (ja) * | 1985-07-27 | 1987-02-17 | ||
| JPH0645908Y2 (ja) * | 1986-09-22 | 1994-11-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の検査治具 |
| JPH01186907A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Nec Corp | 半導体レーザ・光ファイバ結合器 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP1989138408U patent/JP2519089Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0377909U (ja) | 1991-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |