JP2512781B2 - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

液晶表示素子の製造方法

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JP2512781B2 JP63019695A JP1969588A JP2512781B2 JP 2512781 B2 JP2512781 B2 JP 2512781B2 JP 63019695 A JP63019695 A JP 63019695A JP 1969588 A JP1969588 A JP 1969588A JP 2512781 B2 JP2512781 B2 JP 2512781B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ラビング法によつて配向処理を行う液晶表
示素子(以下、LCDと称す)の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
LCDセル中の液晶分子を所定方向に配向させる一方法
としてラビング法がある。このラビング法は、LCDの製
造時に、ガラス基板上の透明電極を覆う配向膜を絹布等
を用いて特定の方向にラビングするという手法であり、
これにより、液晶分子の長軸方向はラビング方向と平行
な方向に配向される。
すなわち、第3図に示す従来構造のLCD製造する際に
は、上下一対で組み合わされるガラス基板1上にそれぞ
れ、SiO2からなるアンダーコート2を介して、ITO膜か
らなり表示パターンに対応する所定形状の透明電極3を
形成した後、この透明電極3を覆つてポリイミド等から
なる配向膜4を形成し、この配向膜4の表面を特定の方
向にラビングする。そして、ラビング配向処理を施した
一対のガラス基板1を組み合わせてセルを形成し、相対
向する配向膜4の間に液晶5を封止すると、液晶分子の
長軸方向はラビング方向と平行な方向に配向されるよう
になる。なお、アンダーコート2は、ガラスのNa成分が
液晶5中に溶出するのを防止するための膜である。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、このようなラビング配向処理を行うと配向
膜4の表面に多量の静電気が発生するが、従来は第3図
に示すように配向膜4が透明電極3の表面に直接形成し
てあるので、このラビング時の静電気が透明電極3中に
放電されてしまうという不具合があつた。つまり、多量
の静電気が透明電極3中に放電されると、その発熱によ
つて配向膜4が部分的に破壊され、配向不良を引き起こ
す虞れがあつた。
また、ガラス基板1と透明電極3とでは屈折率が異な
るので、第3図に示すような構造のLCDは、電圧が印加
されていないときに外部から透明電極3の輪郭が見えて
しまい、視認性を損なうことになる。
また、上記したように透明電極3を覆つて配向膜4が
直接形成してあると、製造工程時にLCDセル中に混入し
た導電性の微粉末が配向膜4を突き破つてしまつた場合
に、この微粉末を介して上下の透明電極3がシヨートし
てしまう、いわゆる上下電極間のタツチが起こる危険性
があつた。
したがつて本発明の目的とするところは、静電気の放
電に起因する配向不良が防止でき、かつ電圧無印加時に
LCDの外部から透明電極を見えにくくし、しかも上下電
極間のタツチが防止できる、LCDの製造方法を提供する
ことにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は、ガラス基板上
に上記透明電極を覆つて、有機シリコン化合物および有
機ジルコニウム化合物を含有する溶液を塗布し、これに
紫外線を照射した後、近赤外線を照射することにより焼
成してSiO2およびZrO2を主成分とする絶縁膜を形成し、
しかる後、この絶縁膜の表面に配向膜を形成するように
した。
〔作用〕
すなわち、本発明は、有機シリコン化合物および有機
ジルコニウム化合物を含有する溶液を塗布した後、紫外
線を照射するので、この膜に含まれる炭素が活性化され
てその後の焼成工程で酸化しやすくなり、また、この焼
成は近赤外線を照射して行われるので膜の内部にまで熱
が伝わりやすく、昇温むらに起因する焼成後の膜厚のば
らつきが防止でき、また、焼成後に得られる絶縁膜はIT
Oとほぼ同様の屈折率を呈し、また、この絶縁膜の介在
によつて配向膜の表面の静電気は透明電極中へ放電され
なくなる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第1図は本発明方法により製造したLCDの要部断面図
であつて、第3図と対応する部分には同一符号が付して
ある。
第1図に示すLCDを製造する際には、まず、一対のガ
ラス基板1上にそれぞれ、SiO2からなるアンダーコート
2を介して、ITO膜からなる透明電極3をパターン形成
し、この透明電極3を覆つて、SiO2およびZrO2を主成分
とする透明な絶縁膜6を形成する。
この絶縁膜6は、有機シリコン化合物および有機ジル
コニウム化合物を所定の割合で溶媒(フエニルセルソル
ブやオクタノール)に溶かした後、この溶液を透明電極
3の表面および周囲に印刷により塗布し、これに紫外線
を照射してから、近赤外線ヒータを用いて500℃で12〜1
5分間焼成して約300Åの膜厚に形成したものであり、こ
うして形成される絶縁膜6の屈折率は約1.80、絶縁抵抗
は100MΩ/□以上である。
ここで、印刷形成した膜に紫外線を照射する工程は、
焼成後の絶縁膜6中の残留炭素を低減するためのもので
ある。すなわち、紫外線を照射すると空気中の酸素から
オゾンが発生するので、印刷形成された膜に含まれる炭
素はこのオゾンを介して活性化され、その後の焼成工程
で酸化しやすくなる。したがつて、焼成後の絶縁膜6に
含まれる残留炭素の量は大幅に低減し、その分、絶縁膜
6の透明度が増すことになる。第2図は、かかる紫外線
照射の効果を確認するための実験結果であり、紫外線照
射時間を絶縁膜中の残留炭素の量の相関関係を示してい
る。同図に示すように、紫外線を照射しない場合(照射
時間0分)の残留炭素の量を100とすると、紫外線を3
分間照射したときには残留炭素の量は50となつて半減で
き、5分間以上照射したときには同25となつて1/4に低
減できた。
また、上記焼成工程では、比較的波長の短い近赤外線
を照射するので、印刷形成された膜の内部にまで熱が伝
わりやすく、昇温むらの少ない焼成が可能となつてい
る。つまり、膜の表面だけが加熱されて内部の昇温が不
十分であると、残留ガスが発生して膜厚が不均一になつ
てしまう虞れがあるが、本実施例のように近赤外線ヒー
タを用いて焼成すると、焼成後に得られる絶縁膜6の膜
厚はほぼ均一になる。具体的には、本実施例の場合、絶
縁膜6の膜厚を測定したところ300±200Åであつたが、
同様の絶縁膜を通常のヒータで焼成して形成し、その膜
厚を測定したところ300±100Åであつた。したがつて、
近赤外線ヒータを用いることにより、絶縁膜の膜厚のば
らつきを約1/5に低減できることが確認された。
こうして、一対のガラス基板1上にそれぞれ透明電極
3を覆う絶縁膜6を形成した後、各絶縁膜6の表面にポ
リイミド等からなる配向膜4を形成し、しかる後、絹布
等を用いて配向膜4の表面を特定の方向にラビングす
る。そして、ラビング配向処理を施した一対のガラス基
板1を組み合わせてセルを形成し、相対向する配向膜4
の間に液晶5を封止すると、液晶分子の長軸方向はラビ
ング方向と平行な方向に配向されるようになる。
上記の如くに製造されるLCDは、透明電極3と配向膜
4との間に絶縁膜6が介設してあるので、ラビング時に
配向膜4の表面に発生する静電気を透明電極3中に放電
させることなく空気中に放電させることができ、そのた
め放電の発熱で配向膜4が部分的に破壊される虞れがな
くなり、配向不良が防止できる。また、この透明な絶縁
膜6の屈折率はITOとほぼ同等なので、絶縁膜6に覆わ
れている透明電極3の輪郭は、電圧が印加されていない
ときには外部からほとんど見えず,LCDの視認性が高まつ
ている。しかも、この絶縁膜6は配向膜4とは異なり硬
質の膜なので、導電性微粉末の混入に起因する上下電極
間のタツチ、つまり上下の透明電極3が導電性微粉末を
介してシヨートしてしまうという事故が、未然に防止で
き、LCDの信頼性が高まつている。
また、上記実施例にあつては、印刷形成した膜に紫外
線を照射してから焼成するので、焼成後の絶縁膜6に含
まれる残留炭素の量は極めて少なく、透明度の高い絶縁
膜6を形成することができる。そのため、この絶縁膜6
がLCDの輝度低下を引き起こす心配はない。
さらに、上下電極間のタツチを防止し、かつ液晶5へ
の印加電圧ドロツプを防止するためには、焼成後の絶縁
膜6の膜厚は200〜400Åであることが望ましいが、上記
実施例にあつては、近赤外線ヒータを用いて焼成するの
で膜厚のばらつきが抑えられ、常に所望の膜厚の絶縁膜
6を形成することができる。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によるLCDの製造方法
は、ガラス基板上に透明電極を覆つて、有機シリコン化
合物および有機ジルコニウム化合物を溶かした溶液を塗
布し、これに紫外線を照射した後、近赤外線を照射する
ことにより焼成してSiO2およびZrO2を主成分とする絶縁
膜を形成し、しかる後、この絶縁膜の表面に配向膜を形
成するというものなので、ラビング時に配向膜の表面に
発生する静電気が透明電極中に放電される虞れがなくな
つて配向不良が防止でき、また、この絶縁膜に覆われた
透明電極の輪郭は電圧無印加時には外部から見えにくく
なつてLCDの視認性が向上し、また、この絶縁膜は硬質
の膜なので異物の混入に起因する上下電極間のタツチが
防止できる等、優れた効果を奏する。しかも、残留炭素
を除去するために紫外線を照射した後、近赤外線を照射
して昇温むらの少ない焼成を行うので、透明度が高く膜
厚も均一な絶縁膜を形成することができ、かかる絶縁膜
によつてLCDの輝度が低下したり歩留まりが劣化する虞
れはない。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の実施例を説明するための
もので、第1図は本発明方法により製造したLCDの要部
断面図、第2図は紫外線照射時間と絶縁膜中の残留炭素
の量との相関関係を示す特性図、第3図は従来方法によ
り製造したLCDの要部断面図である。 1……ガラス基板、3……透明電極、4……配向膜、5
……液晶、6……絶縁膜。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス基板上に表示パターンに対応する透
    明電極を形成した後、この透明電極上に配向膜を形成
    し、この配向膜にラビング配向処理を施す液晶表示素子
    の製造方法において、上記ガラス基板上に上記透明電極
    を覆つて、有機シリコン化合物および有機ジルコニウム
    化合物を含有する溶液を塗布し、これに紫外線を照射し
    た後、近赤外線を照射することにより焼成してSiO2およ
    びZrO2を主成分とする絶縁膜を形成し、しかる後、この
    絶縁膜の表面に上記配向膜を形成するようにしたことを
    特徴とする液晶表示素子の製造方法。
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JPS5785860A (en) * 1980-11-19 1982-05-28 Alps Electric Co Ltd Transparent insulating film and paste for forming transparent insulating film

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