JP2512242B2 - インバ―タ装置 - Google Patents

インバ―タ装置

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JP2512242B2
JP2512242B2 JP3079641A JP7964191A JP2512242B2 JP 2512242 B2 JP2512242 B2 JP 2512242B2 JP 3079641 A JP3079641 A JP 3079641A JP 7964191 A JP7964191 A JP 7964191A JP 2512242 B2 JP2512242 B2 JP 2512242B2
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inverter
snubber
capacitor
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phase inverter
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堀江  哲
佳司 神保
博 板鼻
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は自己消弧機能をもつ半導
体素子を用いたインバータ装置の改良に関する。 【0002】 【従来の技術】一般に自己消弧機能をもつ半導体素子で
あるゲートターンオフサイリスタ(以下、GTOと略
す)には、電流しゃ断時の急激な電圧上昇を抑制するた
めにスナバ回路を並列に接続する。図1は比較的良く用
いられるGTOのスナバ回路で、ダイオード3を抵抗4
に並列に接続する点が特徴である。これはGTO1の電
流しゃ断特性が急峻であるためにダイオード3を通して
スムーズにGTO1に加わる電圧をスナバコンデンサ4
に吸収するためである。 【0003】また、この様なスナバ回路を並列に接続し
たGTOを用いた制御装置の主回路を図2に示す。 【0004】5は電源、6はフィルタリアクトル、7は
フィルタコンデンサ、8はインバータ装置である。 【0005】さらに、この主回路を実際に組んで配列し
たものが図3である。11はフィルタコンデンサ箱で1
2はインバータ装置箱でこれらは別々の箱に収納されて
いた。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、図
1に示したスナバコンデンサ2の容量が大きいため、ス
ナバ抵抗4も大きくなり、図3に示す装置全体が大型
し、例えば、車両用制御装置として用いた場合、重量
的,容積的にも種々の問題が発生する。 【0007】本発明の目的は、フィルタと、自己消弧機
能をもつ半導体素子を用いたインバータ装置の小型化を
図ることである。 【0008】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、フィルタコンデンサを分割し、インバータ装置とフ
ィルタコンデンサを直線状に配置した上、同じ箱内に収
納するようにしたものである。 【0009】 【作用】この構成により、フィルタコンデンサからイン
バータ装置の各相までの配線長を短くすることにより、
配線インダクタンスを小さく抑えることができ、結果と
して装置の小型化を可能とする。 【0010】 【実施例】以下、本発明の原理を説明した後、実施例を
説明する。 【0011】図1において、GTO1によって電流をし
ゃ断する場合に、電流しゃ断時GTO1に印加される電圧
は、GTO1に流れていた電流がGTO1が電流しゃ断
した後も電源からの配線インダクタンスによりさらに流
れ続けようとするために発生する。この電圧のピーク値
peakは、スナバコンデンサ2容量Cs,配線インダク
タンスL,GTO1のしゃ断電流IGTO,電源電圧VFC
を用いて近似的に求めることができる。配線インダクタ
ンスに蓄えられたエネルギーがスナバコンデンサ2への
過充電電圧に変換されるので、電源電圧以上に充電され
る過電圧ΔVは次式より求められる。 【0012】 【数1】 【0013】以上より、 【0014】 【数2】 【0015】となる。 【0016】スナバ回路を設計する上で重要なことは、
このVpeakがGTO1の耐圧を上回らないことである。
たとえば素子の耐圧を2500V,配線インダクタンス
を4μH,GTOの最大しゃ断電流を1000Aとする
と数2より 【0017】 【数3】 【0018】ここでVpeakに0.8 の余裕を見た。この
様にスナバコンデンサ2の容量を4μF以上とする必要
がある。 【0019】ところで電源電圧にまで充電されたスナバ
コンデンサ2のエネルギーはGTOがオンすると同時に
スナバ回路の抵抗4を通って放電する。したがってスナ
バ回路のコンデンサ容量に比例して抵抗4の容量を大き
くする必要がある。たとえば前述の例と同様のスナバ回
路でGTO1を200HzでON−OFF動作を繰り返
すとスナバ抵抗4で消費されるエネルギーは、 【0020】 【数4】【0021】となる。抵抗器4の容量は余裕を見て消費
電力の約2倍とする必要があり約800W程度とする必要が
ある。この様にスナバ回路の容量を大きくする必要があ
りスナバ回路が制御機器の30%も占めていた。電源装
置はできるかぎり小型であることが望ましくスナバ抵抗
4は小さい方が良いし、また電力損失の面からもスナバ
コンデンサ2の容量は小さい方が良い。これらの要求を
満たす方法として数2から分かる様にスナバコンデンサ
2の容量を小さくしてもVpeakを一定に保つためには電
源からの配線インダクタンスを小さくすれば良い。ま
た、インバータ装置8には、電源電圧の振動や急変を抑
えるために図2の様にフィルタ回路を接続する。したが
って問題としている配線インダクタンスはGTO1から
みて電源であるフィルタコンデンサ7からインバータ装
置8までの配線長により決まる。配線インダクタンスを
小さくするためには極力配線長を短くしなければならな
い。 【0022】図3は電源装置の機器配列で、インバータ
装置8とコンデンサ7は別々の機器に収納されていた。
したがってコンデンサから制御装置までの配線長を短く
するのに限界があり、配線インダクタンスを4μH程度
とするのが限界であった。このままでは、インバータ装
置を、例えば、車両用制御装置として用いた場合小形化
を図ることができない。この点を解決した実施例を以
下、説明する。 【0023】図4に3相インバータに本発明を適用した
場合を示した。3相インバータの各相は、例えば、実開
昭55−43324 号公報に記載されているように、U相,V
相,W相の各相は主サイリスタが直列に接続された構成
となっている。 【0024】このように構成された3相インバータの各
相毎に隣接させてそれぞれ分割されたフィルタコンデン
サを配置したインバータ装置の例が図4である。この時
の配線インダクタンスは、前述のように、各相のインバ
ータからその隣りに分割配置されたフィルタコンデンサ
までの配線長により決まる。つまり、この実施例の場合
は、各相毎に分割配置されたフィルタコンデンサからそ
の相のインバータのGTOまでの配線長を非常に短くす
ることができ、前述のように、フィルタコンデンサとイ
ンバータ間の配線インダクタンスを小さくすることがで
きる。従って、GTOのスナバ回路のスナバコンデンサ
及びスナバ抵抗を小さくすることができるので、インバ
ータ装置全体の小型化を図ることができる。 【0025】次に、他の実施例を図5を用いて説明す
る。 【0026】図5はフィルタコンデンサをインバータの
両脇に2分割配置したインバータ装置の例である。 【0027】この場合、中間に配列されたインバータと
フィルタコンデンサ間の配線長は、図4に記載の中間に
配列されたインバータとフィルタコンデンサ間の配線長
に比べ若干長くなる。しかし、両側の2つのインバータ
とフィルタコンデンサ間の配線長は、図4に示す実施例
と同様の配線長とすることができる。従って、前述のよ
うに、配線長の短いGTOのスナバ回路を小さくするこ
とができるので、インバータ装置の小型化を図ることが
できる。 【0028】また、図6に他の実施例を示した。図6は
フィルタコンデンサを各相のインバータの中間および両
脇に分割した場合である。各インバータは両側にフィル
タコンデンサを有し、この場合は最も配線インダクタン
スを小さくできる。 【0029】 【発明の効果】以上の様に、フィルタコンデンサを分割
し、3相インバータと直線的に配置することにより、エ
ネルギー源であるコンデンサとGTO間の配線長がより
短くなり、GTOターンオフ時に発生する過電圧をより
容量の小さなスナバコンデンサで吸収することができる
ので電力損失が少なく、比較的小型の制御装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】比較的良く用いられているGTOのスナバ回
路。 【図2】フィルタ回路と制御装置。 【図3】フィルタコンデンサと制御装置を別々の箱に収
納した従来例。 【図4】本発明の一実施例。 【図5】本発明の一実施例。 【図6】本発明の一実施例。 【符号の説明】 1…GTO、2…スナバコンデンサ、3…ダイオード、
4…スナバ抵抗、5…電源、6…フィルタリアクトル、
7,21…フィルタコンデンサ、8…インバータ装置、
11…フィルタコンデンサ箱、12…インバータ装置
箱、22U…U相インバータ、22V…V相インバー
タ、22W…W相インバータ、23…制御装置内の配
線。

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.自己消弧機能をもつ半導体素子を用いた3相インバ
    ータとこの3相インバータの直流側に設けられたフィル
    タコンデンサとを備えたインバータ装置において、この
    フィルタコンデンサを複数に分割し、前記3相インバー
    タの各相を直線的に配列し、前記分割されたフィルタコ
    ンデンサを前記直線的に配列された3相インバータの各
    相間及び両端に夫々配置し、前記3相インバータと、前
    記分割されたフィルタコンデンサとを同一箱内に収納し
    たインバータ装置。 2.自己消弧機能をもつ半導体素子を用いた3相インバ
    ータと、この3相インバータの直流側に設けられたフィ
    ルタコンデンサとを備えたインバータ装置において、こ
    のフィルタコンデンサを複数に分割し、前記3相インバ
    ータを直線的に配列し、前記分割されたフィルタコンデ
    ンサを前記直線的に配列された3相インバータの両側に
    配置し、前記3相インバータと、前記分割されたフィル
    タコンデンサとを同一箱内に収納したインバータ装置。
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