JPS5996879A - 自己消弧形パワ−デバイス用のスナバ - Google Patents
自己消弧形パワ−デバイス用のスナバInfo
- Publication number
- JPS5996879A JPS5996879A JP20551082A JP20551082A JPS5996879A JP S5996879 A JPS5996879 A JP S5996879A JP 20551082 A JP20551082 A JP 20551082A JP 20551082 A JP20551082 A JP 20551082A JP S5996879 A JPS5996879 A JP S5996879A
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- JP
- Japan
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- snubber
- capacitor
- self
- diode
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パワートランジスタやＧＴＯ（ゲート・ター
ン・オフ・サイリスタ）などの自己消弧形パワーデバイ
ス用のスナバに関するものであり１特にパワートランジ
スタのスイッチＯオフ時に発生する過電圧を抑制するた
めのスナバに関するものである。
ン・オフ・サイリスタ）などの自己消弧形パワーデバイ
ス用のスナバに関するものであり１特にパワートランジ
スタのスイッチＯオフ時に発生する過電圧を抑制するた
めのスナバに関するものである。
一般に自己消弧形パワーデバイスは、ターン・オフに際
して通流状態から急速にオフ状態に移行するので１配線
のインダクタンスを含めて電流をしゃ断される回路のイ
ンダクタンスによって過大゛な電圧を発生する恐れがあ
る。特にパワートランジスタには、第１図に示すような
１安全動作領域（Ａｇｏ）″が定められており、常にこ
の領域内で動作するように使用しなければならないと云
う 。
して通流状態から急速にオフ状態に移行するので１配線
のインダクタンスを含めて電流をしゃ断される回路のイ
ンダクタンスによって過大゛な電圧を発生する恐れがあ
る。特にパワートランジスタには、第１図に示すような
１安全動作領域（Ａｇｏ）″が定められており、常にこ
の領域内で動作するように使用しなければならないと云
う 。
制約がある。
なお、第１図において、横軸はコレクタ・エミッタ間電
圧ＶＣＥを、縦軸はコレクタ電流Ｉｃをそれぞれ示し、
斜線領域が安全動作領域である。すなわちパワートラン
ジスタには、絶対に越えてはならない電圧、気流値があ
り、しかもその値は互いに相関をもつばかりでなく、接
合部温度、動作責務により規定される。そこで接合部温
度、動作責務をパラメータとして、パワートランジスタ
が安全に動作できるコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥと
コレクタ電流ｉｃの関係を求めて示したのが安全動作領
域（Ａｒｅａ ｏｆ ５ａｆｅ ０ｐｅｒａｔｉｏｎ略
してＡｓ０）である。
圧ＶＣＥを、縦軸はコレクタ電流Ｉｃをそれぞれ示し、
斜線領域が安全動作領域である。すなわちパワートラン
ジスタには、絶対に越えてはならない電圧、気流値があ
り、しかもその値は互いに相関をもつばかりでなく、接
合部温度、動作責務により規定される。そこで接合部温
度、動作責務をパラメータとして、パワートランジスタ
が安全に動作できるコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥと
コレクタ電流ｉｃの関係を求めて示したのが安全動作領
域（Ａｒｅａ ｏｆ ５ａｆｅ ０ｐｅｒａｔｉｏｎ略
してＡｓ０）である。
このヨウに、パワートランジスタが、ターン・オフに際
して、ＡＳＯを逸脱することのないように、回路のイン
ダクタンスが持つエネルギーを吸収してパワートランジ
スタに印加される電圧値やその立ち上がり勾配を抑制す
る目的でスナバを設けるのが一般的である。
して、ＡＳＯを逸脱することのないように、回路のイン
ダクタンスが持つエネルギーを吸収してパワートランジ
スタに印加される電圧値やその立ち上がり勾配を抑制す
る目的でスナバを設けるのが一般的である。
従来、スナバとしては第２図に見られるように各パワー
トランジスタ２〜７と並列にスナバコンデンサ１４〜１
９と、スナバ抵抗器２０〜２５の直列体を接続するのが
一般的であった。
トランジスタ２〜７と並列にスナバコンデンサ１４〜１
９と、スナバ抵抗器２０〜２５の直列体を接続するのが
一般的であった。
なお第２図は、三相ブリッジインバータの主回路を示す
回路図で、パワートランジスタ２と５．３と６．４と７
がそれぞれアームを構成しており、図示せざる制御回路
からの指令により、各パワートランジスタがオン・オフ
φスイッチングして負荷へ所定の交流電力を供給するも
のである。ｌは平滑コンデンサである。
回路図で、パワートランジスタ２と５．３と６．４と７
がそれぞれアームを構成しており、図示せざる制御回路
からの指令により、各パワートランジスタがオン・オフ
φスイッチングして負荷へ所定の交流電力を供給するも
のである。ｌは平滑コンデンサである。
第２図に示した如き従来のスナバ方式は、部品点数が多
いばかりでなく、スナバコンデンサは直流回路電圧ｖｐ
−Ｎ以上に充電された後、パワートランジスタがターン
・オンする度にｏＶ迄放電すルノで、パワートランジス
タやスナバ抵抗器の熱的責務が厳しく、また、装置の効
率面からも問題があった。
いばかりでなく、スナバコンデンサは直流回路電圧ｖｐ
−Ｎ以上に充電された後、パワートランジスタがターン
・オンする度にｏＶ迄放電すルノで、パワートランジス
タやスナバ抵抗器の熱的責務が厳しく、また、装置の効
率面からも問題があった。
近年第３図において、１００，２００，３００で示すよ
うなパワートランジスタ（１０１，１０２，２０１゜２
０２．３０１，３０２）とフィードバックダイオード（
１０３，１０４，２０３，２０４，３０３，３０４）の
逆並列接続体を２個直列接続し、センタータップを引き
出した、いわゆるパワートランジスタモジュールが実用
化されている。この種のパワートランジスタモジュール
を用いると、パワートランジスタ間の配線が短かくなり
、従って、配線のインダクタンスも小さくなるので例え
ば、第３図に示すようにパワートランジスタ回路全体を
一括して１個のスナバを設ける事もある。
うなパワートランジスタ（１０１，１０２，２０１゜２
０２．３０１，３０２）とフィードバックダイオード（
１０３，１０４，２０３，２０４，３０３，３０４）の
逆並列接続体を２個直列接続し、センタータップを引き
出した、いわゆるパワートランジスタモジュールが実用
化されている。この種のパワートランジスタモジュール
を用いると、パワートランジスタ間の配線が短かくなり
、従って、配線のインダクタンスも小さくなるので例え
ば、第３図に示すようにパワートランジスタ回路全体を
一括して１個のスナバを設ける事もある。
しかしこの場合、従来は第３図に示すように、スナバ抵
抗器７１と、スナバコンデンサ６１の直列体の内、スナ
バ抵抗器７１と並列にスナバダイオード５１を接続し、
平滑コンデンサ１からパワー）ランジスタ迄の配線のイ
ンダクタンスに蓄えられたエネルギーをスナバダイオー
ド５１を介して素早くスナバコンデンサ６１で吸収し、
平滑コンデンサ１の電圧値以上に跳ね上った分は、その
後、スナバ抵抗器７１を介して放電する方式の採用が一
般的であった。
抗器７１と、スナバコンデンサ６１の直列体の内、スナ
バ抵抗器７１と並列にスナバダイオード５１を接続し、
平滑コンデンサ１からパワー）ランジスタ迄の配線のイ
ンダクタンスに蓄えられたエネルギーをスナバダイオー
ド５１を介して素早くスナバコンデンサ６１で吸収し、
平滑コンデンサ１の電圧値以上に跳ね上った分は、その
後、スナバ抵抗器７１を介して放電する方式の採用が一
般的であった。
この方式は、＠２図方式のスナバに比べてスナバ抵抗器
や、パワートランジスタ部での損失は極めて小さいが、
それでもスナバ抵抗器の存在はコスト、寸法、効率面か
ら好ましくないという欠点を有していた。
や、パワートランジスタ部での損失は極めて小さいが、
それでもスナバ抵抗器の存在はコスト、寸法、効率面か
ら好ましくないという欠点を有していた。
本発明け、上述の如き従来技術の欠点を除去するために
なされたものであり、従って本発明の目的は・スナバ抵
抗器を不要にして、コスト、寸法、効率面から好ましい
自己ｒｆ５？Ａ形パワーデバイス用のスナバを提供する
ことにある。
なされたものであり、従って本発明の目的は・スナバ抵
抗器を不要にして、コスト、寸法、効率面から好ましい
自己ｒｆ５？Ａ形パワーデバイス用のスナバを提供する
ことにある。
本発明の構成の要点は、平滑コンデンサ或いはバッテリ
をもつ直流回路から給電されるブリッジ接続された自己
消弧形パワーデバイスの直流給電端子間にスナバダイオ
ードとスナバコンデンサの直列体を接Ｅう“ｔ Ｌ／
、かつ平滑コンデンザ或いはバッテリとスナバコンデン
サが給電端子間に並列接続されるよう結線し、た点にあ
る。
をもつ直流回路から給電されるブリッジ接続された自己
消弧形パワーデバイスの直流給電端子間にスナバダイオ
ードとスナバコンデンサの直列体を接Ｅう“ｔ Ｌ／
、かつ平滑コンデンザ或いはバッテリとスナバコンデン
サが給電端子間に並列接続されるよう結線し、た点にあ
る。
次に図を参照して本発明の実旌例をゴ１ｚ明する。
第４図は本発明の一実施−１を示す殴１路図である。
同図において、例えばパワートランジスタモジュール１
００，２００，３００で構成されるパワートランジスタ
ブリッジの直流側で、且つ極力パワートランジスタに近
接してスナバダイオード５１とスナバコンデンサ６１の
直列体を段！？Ｌ、スナバダイオード５１とスナバコン
デンサ６１の接続点を平滑コンデンヅ１のＰ側の、極力
平滑コンデンサ１に近いＩ、ｊ４所と電気的に結ぶ。
００，２００，３００で構成されるパワートランジスタ
ブリッジの直流側で、且つ極力パワートランジスタに近
接してスナバダイオード５１とスナバコンデンサ６１の
直列体を段！？Ｌ、スナバダイオード５１とスナバコン
デンサ６１の接続点を平滑コンデンヅ１のＰ側の、極力
平滑コンデンサ１に近いＩ、ｊ４所と電気的に結ぶ。
コレにより、正ｔａ転中のパワ−１ランジスタ導通アー
ムの切替、パワートランジスタの一斉しゃ断など直流電
流の減少に際して、第４図、点Ａ１点８間の配線のイン
ダクタンスに蓄えられた余剰エネルギーは、スナバダイ
オード５１を通って点Ａに戻る閉回路で環流し、点Ｃ１
点り間の配線のインダクタンスに蓄えられた余剰エネル
ギーは、平滑コンデンサ１１スナバコンデンサ６１ ％
ＡＣＳ点りを通る閉回路を経てスナバコンデンサ６１
に吸収される。一旦、平滑コンデンサ１の電圧以上にな
ったスナバコンデンサ６１の電圧は、その後平滑コンデ
ンサ１へ放出される。
ムの切替、パワートランジスタの一斉しゃ断など直流電
流の減少に際して、第４図、点Ａ１点８間の配線のイン
ダクタンスに蓄えられた余剰エネルギーは、スナバダイ
オード５１を通って点Ａに戻る閉回路で環流し、点Ｃ１
点り間の配線のインダクタンスに蓄えられた余剰エネル
ギーは、平滑コンデンサ１１スナバコンデンサ６１ ％
ＡＣＳ点りを通る閉回路を経てスナバコンデンサ６１
に吸収される。一旦、平滑コンデンサ１の電圧以上にな
ったスナバコンデンサ６１の電圧は、その後平滑コンデ
ンサ１へ放出される。
パワートランジスタ変換装置の容量が大きくなったり、
配置上の制約があって、パワートランジスタ群を近接配
置出来ない場合には、同栂成のスナバを第５図に示すよ
うに分散配置するのが効果的である。
配置上の制約があって、パワートランジスタ群を近接配
置出来ない場合には、同栂成のスナバを第５図に示すよ
うに分散配置するのが効果的である。
第５図では各パワートランジスタモジュール１００．２
００，３００に対して、それぞれスナバダイオード５１
と同コンデンサ６１、スナバダイオード５２と同コンデ
ンサ６２、スナバダイオード５３と同コンデンサ６３か
ら成る一個ずつのスナバを設置しているが、（５２−６
２）或は（５３−６３）のスナバのいずれかを省くこと
もできる０また、スナバコンデンサ６１とスナ／＜夕゛
イオード５１の配置は、謹６図に示す如く変更しても何
ら本発明の趣旨を損うものではないＯ平滑コンデンサ１
は、ノ（ツテリの如きエネルギー蓄積機能を持つ他の要
素であってもよいＯ この発明によれば、抵抗器を用いないスナノく栴或であ
るため、コスト、寸法、損失の低減におしＡて効果大と
いう利点があるＯ この発明の実施例はパワートランジスタとの組合せで説
明したが、ＧＴＯなどの他の自己消弧形素子の場合であ
っても、ターンオフ時のｄｖ／ｄｉ（電圧変化率）の許
す範囲で本発明を応用することは可能である０
００，３００に対して、それぞれスナバダイオード５１
と同コンデンサ６１、スナバダイオード５２と同コンデ
ンサ６２、スナバダイオード５３と同コンデンサ６３か
ら成る一個ずつのスナバを設置しているが、（５２−６
２）或は（５３−６３）のスナバのいずれかを省くこと
もできる０また、スナバコンデンサ６１とスナ／＜夕゛
イオード５１の配置は、謹６図に示す如く変更しても何
ら本発明の趣旨を損うものではないＯ平滑コンデンサ１
は、ノ（ツテリの如きエネルギー蓄積機能を持つ他の要
素であってもよいＯ この発明によれば、抵抗器を用いないスナノく栴或であ
るため、コスト、寸法、損失の低減におしＡて効果大と
いう利点があるＯ この発明の実施例はパワートランジスタとの組合せで説
明したが、ＧＴＯなどの他の自己消弧形素子の場合であ
っても、ターンオフ時のｄｖ／ｄｉ（電圧変化率）の許
す範囲で本発明を応用することは可能である０
償１図はパワートランジスタの安全動作領竣を示す特性
図、第２図は三相ブリッジイン／＜−夕の主回路に設け
られた従来のスナ７（を示す回路図、第３図はパワート
ランジスタモジュールに対する従来のスナバを示す回路
図、第４図は本発明の一実施例を示す回路図、第５図は
本発明の他の実施例を示す回路図、第６図は本発明の変
形実施例を示す回路図、である。 符号説明 １・・・・・・平滑コンデンサ、２〜７・・・・・・パ
ワートランジスタ、８〜１３・・・・・・フィードバッ
クダイオード、１４〜１９・・・・・・スナバコンデン
サ、２０〜２５・・・・・・スナバ抵抗ｐ、１００ ｐ
２００ ＊ ３００・・曲ハワートランジスタモジュ
ール％ １０１，１０２＊２０１゜２０２．３０１．’
（０２・・・・・・パワートランジスタ、１０３゜１０
４．２０３，２０４，３０３，３０４・・・・・・フィ
ードバックダイオード、５１〜５３・−・・・・スナバ
ダイオード、６１〜６３・・・・・・スナバコンデンサ
、７１・・・・・・スナバ抵抗器 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第１図 第２図 第３図
図、第２図は三相ブリッジイン／＜−夕の主回路に設け
られた従来のスナ７（を示す回路図、第３図はパワート
ランジスタモジュールに対する従来のスナバを示す回路
図、第４図は本発明の一実施例を示す回路図、第５図は
本発明の他の実施例を示す回路図、第６図は本発明の変
形実施例を示す回路図、である。 符号説明 １・・・・・・平滑コンデンサ、２〜７・・・・・・パ
ワートランジスタ、８〜１３・・・・・・フィードバッ
クダイオード、１４〜１９・・・・・・スナバコンデン
サ、２０〜２５・・・・・・スナバ抵抗ｐ、１００ ｐ
２００ ＊ ３００・・曲ハワートランジスタモジュ
ール％ １０１，１０２＊２０１゜２０２．３０１．’
（０２・・・・・・パワートランジスタ、１０３゜１０
４．２０３，２０４，３０３，３０４・・・・・・フィ
ードバックダイオード、５１〜５３・−・・・・スナバ
ダイオード、６１〜６３・・・・・・スナバコンデンサ
、７１・・・・・・スナバ抵抗器 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １）自己消弧形パワーデバイスとフィードバックダイオ
ードの逆並列接続体を２個直列接続して成るパワーデバ
イスモジュール（［，４１にモジュールと云う）に対し
、平滑コンデンサ或いはバッテリの如きエネルギー蓄積
素子をもつ直流回路から給電する給電回路において、前
記モジュールと並列になるようにスナバダイオードとス
ナバコンデンサの直列回路を該給電回路に接続すると共
に、前記エネルギー蓄積素子とスナバコンデンサが給電
回路に対して並列接続状態となるように結線したことを
特徴とする自己消弧形パワーデバイス用のスナバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20551082A JPS5996879A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 自己消弧形パワ−デバイス用のスナバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20551082A JPS5996879A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 自己消弧形パワ−デバイス用のスナバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996879A true JPS5996879A (ja) | 1984-06-04 |
Family
ID=16508057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20551082A Pending JPS5996879A (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 自己消弧形パワ−デバイス用のスナバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996879A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0041245A1 (fr) * | 1980-06-04 | 1981-12-09 | Societe Suisse Pour L'industrie Horlogere Management Services S.A. | Pièce d'horlogerie électronique comportant un transducteur électro-acoustique |
| JPS6185073A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-04-30 | Hitachi Seiko Ltd | 電力変換装置 |
| JPS62293975A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Hitachi Ltd | 多相インバ−タ装置 |
| JPH0247836U (ja) * | 1988-09-27 | 1990-04-03 | ||
| WO2008087689A1 (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力変換装置 |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP20551082A patent/JPS5996879A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0041245A1 (fr) * | 1980-06-04 | 1981-12-09 | Societe Suisse Pour L'industrie Horlogere Management Services S.A. | Pièce d'horlogerie électronique comportant un transducteur électro-acoustique |
| JPS6185073A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-04-30 | Hitachi Seiko Ltd | 電力変換装置 |
| JPS62293975A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Hitachi Ltd | 多相インバ−タ装置 |
| JPH0247836U (ja) * | 1988-09-27 | 1990-04-03 | ||
| WO2008087689A1 (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Mitsubishi Electric Corporation | 電力変換装置 |
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