JP2512073B2 - サ―ジ防御回路の検査方法 - Google Patents

サ―ジ防御回路の検査方法

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JP2512073B2
JP2512073B2 JP63076804A JP7680488A JP2512073B2 JP 2512073 B2 JP2512073 B2 JP 2512073B2 JP 63076804 A JP63076804 A JP 63076804A JP 7680488 A JP7680488 A JP 7680488A JP 2512073 B2 JP2512073 B2 JP 2512073B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路におけるサージ防御回路の形成を
判定する検査方法に関するものである。
従来の技術 第2図を用いて、従来の検査方法をのべる。通常は、
集積回路12内の内部回路10に接続された信号端子Aに形
成されたサージ防御回路であるマイナスサージ吸収ダイ
オード6の形成を判定する場合に、信号端子Aと接地端
子2と間に電流源9を接続し、ダイオード6のアノード
からカソードに直流電流Iを流すことにより、信号端子
Aと接地端子2と間にダイオードのオン電圧(シリコン
では約0.7V)が発生することを利用する。ダイオード5
も同様の方法で信号端子Aと電源端子1との間に発生す
る電圧により検査できる。従ってこの方式によると、1
つの信号端子でのサージ防御回路形成を検査する場合に
信号端子Aと電源端子1との間に付加したプラスサージ
吸収ダイオードの導通検査と信号端子Aと接地端子2と
の間に付加したマイナスサージ吸収ダイオードの導通検
査との計2回の検査を行うことになる。
発明が解決しようとする課題 集積回路の電源端子と接地端子を除く全ての信号端子
には基本的に必ずサージ防御回路としてのダイオードが
接続される。従ってある集積回路に含まれるサージ防御
回路の形成検査を行うためには、(ピン数−2)×2回
のダイオード導通試験が必要である。
集積回路の高集積化,多ピン化が進むにつれて内部回
路の形成・動作を確認する検査時間も増加傾向にある。
特にサージ防御回路の形成検査は外部リード端子(ピ
ン)数が増加すると、そのピン数のおよそ2倍の検査回
数が必要なため、多大の検査時間を費し、コストの上昇
を招く。
課題を解決するための手段 上記の問題点を解決するために、本発明のサージ防御
回路の検査方法は、電源印加時に逆バイアスされるよう
に電源端子と接地端子との間に直列接続された第1,第2
のダイオードならびに第3,第4のダイオードと、前記第
1,第2のダイオードの中間接続点に接続された第1の信
号端子と、前記第3,第4のダイオードの中間接続点に接
続された第2の信号端子とを具備した集積回路の第1か
ら第4までのダイオードからなるサージ防御回路を検査
する方法であって、前記電源端子と前記接地端子とを短
絡接続し、前記第1,第2の信号端子間に電流源を接続し
て電圧を発生させ、前記第1,第2の信号端子間の電圧を
測定することを特徴とするものである。
作用 本発明によると、電源端子と接地端子とを短絡接続
し、2つの信号端子間に電流を与えてサージ防御回路用
のダイオードの導通試験を行うので、一方向(第1図中
の実線矢印の方向)の電流で導通させる1回目の検査で
2個のダイオード(ダイオードQ1,Q3)の導通が確認で
き、逆方向(第1図中の破線矢印の方向)の電流で導通
させる2回目の検査で別の2個のダイオード(ダイオー
ドQ4,Q2)の導通が確認できる。したがって、本発明
は、2つの信号端子に接続されたサージ防御回路の検査
を、2回の検査で完了するので、1つの信号端子につい
て1回の割合で検査することができる。
実施例 第1図に検査方法を示す。接地端子2と電源端子1を
短絡し、信号端子Aと信号端子Bの間に電流源9を接続
する。図中の実線矢印の方向に直流電流Iを流した場
合、Iは信号端子A−ダイオードQ1−電源端子−接地端
子−ダイオードQ3−信号端子Bの経路を通って流れ、信
号端子A,B間にはダイオードのオン電圧2個分(シリコ
ンでは約1.4V)が発生する。この導通試験によりダイオ
ードQ1,ダイオードQ3が形成されていることが確認でき
る。次に図中の破線矢印の方向に直流電流Iを流した場
合、Iは信号端子B−ダイオードQ4−電源端子−接地端
子−ダイオードQ2−信号端子Aの経路を通って流れ、信
号端子B,A間にはダイオードのオン電圧2個分が発生す
る。この導通試験によりダイオードQ2,ダイオードQ4
形成されていることが確認できる。
従って2つの出力端子のサージ防御回路形成検査を2
回の導通試験で済ませることができ、1つの信号端子に
つき検査回数が1回になる。
発明の効果 本発明のサージ防御回路の検査方法は、電源端子と接
地端子とを短絡接続し、2つの信号端子間に電流を与え
てサージ防御回路用のダイオードの導通試験を行うの
で、2個分のダイオード電圧の発生を確認することによ
ってサージ防御回路の形成を確認でき、2つの信号端子
に接続されたサージ防御回路の検査を2回の検査で完了
するので、1つの信号端子について1回の割合で検査す
ることができる。
これによってサージ防御回路の形成確認の検査を従来
の半分の回数で行うことができ、検査時間の短縮,検査
コストの低減に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す図、第2図は従来例を示
す図である。 1……電源端子、2……接地端子、3……出力端子A、
4……出力端子B、5……ダイオードQ1、6……ダイオ
ードQ2、7……ダイオードQ3、8……ダイオードQ4、9
……電流源I、10……内部回路A、11……内部回路B、
12……集積回路。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電源印加時に逆バイアスされるように電源
    端子と接地端子との間に直列接続された第1,第2のダイ
    オードならびに第3,第4のダイオードと、 前記第1,第2のダイオードの中間接続点に接続された第
    1の信号端子と、 前記第3,第4のダイオードの中間接続点に接続された第
    2の信号端子とを具備した集積回路の第1から第4まで
    のダイオードからなるサージ防御回路を検査する方法で
    あって、 前記電源端子と前記接地端子とを短絡接続し、前記第1,
    第2の信号端子間に電流源を接続して電圧を発生させ、
    前記第1,第2の信号端子間の電圧を測定することを特徴
    とするサージ防御回路の検査方法。
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