JP2505214B2 - デイスクカ―トリツジ - Google Patents

デイスクカ―トリツジ

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JP2505214B2 JP62226609A JP22660987A JP2505214B2 JP 2505214 B2 JP2505214 B2 JP 2505214B2 JP 62226609 A JP62226609 A JP 62226609A JP 22660987 A JP22660987 A JP 22660987A JP 2505214 B2 JP2505214 B2 JP 2505214B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、デイスクカートリツジに係り、特にカート
リツジケースに設けられたヘツド挿入孔を開閉するシヤ
ツタに関する。
〔従来の技術〕
磁気デイスクや光デイスクなどのデイスク状記録媒体
は、取扱いの簡便さ、塵芥からの保護などの点から、デ
イスクカートリツジに収納されたまま記録再生装置に装
着して所望情報の記録、再生ができるようにしている。
このため、デイスクカートリツジの本体をなすカートリ
ツジケースには、それが記録再生装置に装着されたとき
にヘツドがデイスク状記録媒体とアクセスできるよう
に、ヘツド挿入孔が設けられている。しかしながら、こ
のようにヘツド挿入孔を設けると、デイスカートリツジ
の不使用時にこのヘツド挿入孔を通してカートリツジケ
ース内に塵芥が侵入してデイスク状記録媒体の記録面に
付着したり、あるいは、デイスクカートリツジの取扱い
時などに、ヘツド挿入孔を通して指などがデイスク状記
録媒体の記録面に触れ、記録面に塵芥や傷をつけたりし
て、良好な記録再生ができなくなる。このために、通
常、デイスクカートリツジには、不使用時にヘツド挿入
孔を閉じるシヤツタが設けられている。
このシヤツタとして最初、金属薄板をコ字状に折り曲
げたものが使用されていたが、金属製のシヤツタをカー
トリツジケース上で頻繁に摺動させると、摩耗粉が生
じ、それが記録媒体やヘツドに付着して各種のトラブル
を生じていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
そのため、ポリプロピレンで成形したシヤツタを用い
ることが検討された。このポリプロピレン製のシヤツタ
は剛性が小さく、従つて変形が生じ易く、一旦変形して
しまうと元の状態に戻りにくい。またこのシヤツタは表
面硬度が小さく、そのためシヤツタの表面に傷がつき易
く、商品価値の低下を招くことになる。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解決
し、装置への挿入、脱着がスムーズで、しかも表面に傷
が生じ難いシヤツタを備えたデイスクカートリツジを提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
前述の目的を達成するため、本発明は、結晶核生成剤
(造核剤)を含有した例えばポリオレフインなどの結晶
性樹脂でシヤツタを成形したことを特徴とするものであ
る。
〔実施例〕
本発明で用いられる結晶性樹脂としては、例えばポリ
オレフイン,ポリアセタール,ポリアミド,ポリエチレ
ンテレフタレート,ならびに塩化ビニルなどが用いられ
る。
前記ポリオレフインとしては、例えばポリエチレン,
架橋ポリエチレン,ポリプロピレン,エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体,エチレン−アクリル酸エチル共重合体,
アイオノマー,エチレン−プロピレン共重合体,または
これらの混合物などがある。
このポリオレフインのうち、特にポリプロピレンは耐
熱性に優れているため賞用でき、特にそのうちでもメル
トフローレート(MFR)が30以上のものは薄肉シヤツタ
の成形に好適である。
結晶核生成剤としては、例えば脂肪族飽和二塩基酸,
芳香族モノカルボン酸,ジカルボン酸などがある。
本発明において、シヤツタ中にフイラーを添加するこ
ともできる。このフイラーとしては、例えばタルク,炭
酸カルシウム,硫酸カルシウム,炭酸マグネシウム,硫
酸マグネシウム,水酸化アルミニウム,クレー,石英,
けいそう土,ケイ酸カルシウム,ケイ酸アルミニウム,
酸化チタン,酸化マグネシウム,酸化亜鉛などの粉末状
あるいは繊維状のものが、単独もしくは混合して使用さ
れる。
これらフイラーの含有率は約1〜40重量%が適当で、
さらに好しい含有率は約5〜30重量%である。フイラー
の含有率が約1重量%未満ではフイラーを添加した効果
がなく、一方、フイラーの含有率が約40重量%を超す
と、シヤツタの耐衝撃性が低下し、落下によつてシヤツ
タが割れてしまうことがある。このような理由から、フ
イラーの含有率は前述の範囲に規制した方が好ましい。
無機物質のフイラー中には、例えばカルシウム,マグ
ネシウム,アルミニウム,銅あるいは鉄などの金属が酸
化物あるいは塩類の形態で含まれていることが多々あ
り、これらの金属不純物によつてポリオレフイン系樹脂
の高温時における特性劣化が生じ易くなる。
そのため、一般式 (ただし式中のRは、1個の水素または1〜20個の炭素
原子を有するアルキル基である。)で示されるヒドロキ
シ−4−アルキル−ベンゾフエノンを少量配合するとよ
い。前記一般式中の炭素原子が20個を超えると可塑効果
とともに、ポリオレフイン系樹脂との相溶性,分散性が
悪くなる。
前記ヒドロキシ−4−アルキル−ベンゾフエノンのう
ち、RがC8H17の2−ヒドロキシ−4オクトキシ−ベン
ゾフエノン,RがC12H25の2−ヒドロキシ−4ドデシルオ
キシ−ベンゾンフエノン,RがC13H27の2−ヒドロキシ−
4オクタデシルオキシ−ベンゾフエノンなどが特に有効
である。このヒドロキシ−4アルキル−ベンゾフエノン
の添加量は、ポリオレフイン系樹脂とフイラーの総量部
100に対して約0.1〜8重量部が適当である。
次にデイスクカートリツジの具体例について図面とと
もに説明する。
まず、第1図および第2図によつてカートリツジケー
スについて説明する。ここで、第1図(a)は上ケース
の平面図、同図(b)は上ケースの底面図である。ま
た、第2図(a)は下ケースの底面図、同図(b)は下
ケースの平面図である。なお、第1図および第2図にお
いて、2は上ケース、3は下ケース、5A,5Bはスピンド
ル孔、6A,6Bはヘツド挿入孔、11A,11Bはシヤツタ摺動
部、13A1,13A2は前方右隅部、14A,14Bはくぼみ、15A,15
Bは側壁、16A,16Bは壁、17A,17Bは円弧リブ、18A,18Bは
放射リブ、21は隔壁である。
第1図において、上ケース2はそのほぼ中央部にスピ
ンドル孔5Aが設けられ、そのスピンドル孔5Aに対して上
ケース2の前方(同図では上方)にヘツド挿入孔6Aが設
けられている。
この上ケース2の外面は、第1図(a)に示すよう
に、スピンドル孔5Aよりも前方に他の部分よりも若干く
ぼんだ平面上のシヤツタ摺動部11Aが設けられている。
このシヤツタ摺動部11Aはほぼ長方形をなしてヘツド挿
入孔6Aを含み、このシヤツタ摺動部11Aの裏側、すなわ
ち上ケース2の内面側には第1図(b)に示すように前
端面付近に両側へ延びるガイド溝9Aが形成されている。
上ケース2の内面には、第1図(b)に示すように、
スピンドル孔5Aに対して同心円状に複数個の円弧リブ17
Aが設けられ、かつ側壁15Aからは、複数本の放射リブ18
Aが、スピンドル孔5Aに対して放射状となるように内側
に突出している。これら円弧リブ17A,放射リブ18Aは側
壁15よりも低い。
下ケース3も、第2図(a),(b)に示すように、
その外面,内面はほとんど上ケース2と同じである。し
たがつて、第2図(a),(b)においては、第1図
(a),b)に対応する部分を第1図(a),(b)の符
号のAをBに変えただけにしている。
但し、下ケース3の内面においては、第2図(b)に
示すように、側壁15Bから突出した壁16Bの先端に、下ケ
ース3の四隅を隔離するように、隔壁21が設けられてい
る。これら隔壁21は側壁15Bや壁16Bよりも高くなつてい
る。
下ケース3の内面にデイスク状記録媒体を配置し、上
ケース2を、その内面が下ケース3の内面に向くように
し、外周に合うようにして、下ケース3に重ねると、下
ケース3内面の隔壁20が上ケース2の壁16Aの先端と側
壁15Aとの間や2つの壁16Aの先端間に嵌り込み、上ケー
ス2と下ケース3とが一体となり、これらを超音波加熱
して接着することにより、カートリツジケース1が得ら
れる。
このとき、上ケース2,3の側壁15A,15Bは密着し、同じ
く壁16A,16Bが密着する。また、下ケース3の隔壁21は
上ケース2の内面に密着する。したがつてこれらによ
り、デイスク状記録媒体は密閉されたことになる。
第3図(a)はかかるカートリツジケース1を上ケー
ス2側から見た図、第3図(b)は第3図(a)に示す
ようにカートリツジケース1を矢印X方向から見た図で
ある。第3図(b)に示すようにカートリツジケース1
の端面上には左右にそれぞれスリツト24,24が分かれて
形成される。これらスリツト24は、隔壁21,21〔第2図
(b)参照〕の外側に形成される三角形の部分23,23
〔第3図(a)参照〕の一部を解放しており、この三角
形部分23,23に後述するバネ部材が挿入、配置される。
第4図,第5図ならびに第6図は、シヤツタ7の平面
図,端面図ならびに側面図である。このシヤツタ7は、
ポリプロピレンに結晶核生成剤としてアクリル酸0.1%
と過酸化ベンゾイル0.15%添加した複合材料によつて薄
肉成形されている。
第4図ないし第6図において、27,27は対向するよう
に設けられたシヤツタ面部で、連結部28により連結され
て側面形状がコ字状をしている。シヤツタ面部27には第
4図に示すように中央部に閉蓋部29が、その両側に開口
部30がそれぞれ設けられている。また第6図に示すよう
にシヤツタ面部27の上部両側には、記録再生装置のシヤ
ツタ開き部材が当接する当接部31が形成され、この当接
部31はその内側に設けられたほぼ三角形をした3枚の補
強板部32によつて補強されている。
さらに3枚の補強板部32のうちの中間の補強板部32は
下方、すなわちシヤツタ面部27側に延びて係止爪33が形
成され、さらにこの係止爪33の一端にはシヤツタ面部27
の端部から突出するようにバネ掛止部34が突設されてい
る。
第7図ないし第11図は、シヤツタ7とカートリツジケ
ース1ならびにバネ部材25との係合関係を説明するため
の図である。
第7図に示すように、カートリツジケース1のヘツド
挿入孔6A,6Bを閉蓋部29でそれぞれ閉塞するようにシヤ
ツタ7がカートリツジケース1のほぼ中央にセツトさ
れ、シヤツタ7の両側にバネ部材25がそれぞれ配置され
る。このシヤツタ7ならびにバネ部材25の装着順序は次
の通りである。すなわち、まずシヤツタ面部27の自由端
側を若干開いた状態でシヤツタ7をカートリツジケース
1の前面部から挿入する。するとシヤツタ7の係合爪33
がカートリツジケース1におけるスリツト24の開口端に
当接する。第10図ならびに第11図に示すようにスリツト
24の開口端両側には傾斜面35が形成され、一方、第11図
に示す如く係合爪33の先端部にはテーパ36が形成されて
いる。従つてこれら傾斜面35ならびにテーパ36の協働
と、上ケース2と下ケース3のスリツト24付近の若干の
開き、ならびに係合爪33の弾性変形によつて、第11図に
示すように係合爪33がスリツト24から入り込んで上ケー
ス2ならびに下ケース3のガイド溝9A,9Bと係合する。
この係合でシヤツタ7がカートリツジケース1に抜け止
めされ、シヤツタ7はこのガイド溝9A,9Bによつて摺動
方向がガイドされる。
このようにしてシヤツタ7をカートリツジケース1に
セツトしたのち、スリツト24からつる巻きバネ状のバネ
部材25を挿入して放す。そうすると第8図に示すように
バネ部材25の一端25aがシヤツタ7の一部に、また他端2
5bがカートリツジケース7の一部に、また他端25bがカ
ートリツジケース1のバネ掛け段部37にそれぞれ弾接し
た状態で第3図(a)に示す三角形の部分23,23の位置
にセツトされる。
次の表1は、本発明に係るシヤツタと、ポリプロピレ
ン製の同形のシヤツタの曲げ弾性率ならびに表面硬度を
比較して示す表である。なお曲げ弾性の測定法はASTM
D790に準じて、また表面硬度(ロツクウエル硬度)はAS
TM D785に準じて、それぞれ測定した。
この表から明らかなように、本発明のシヤツタは、比
較品に比べて曲げ弾性率ならびに表面硬度が高いことが
立証される。
第12図ないし第14図はシヤツタ7の変形例を示す図
で、第4図ないし第6図で示したシヤツタ7と相違する
点は、第12図に示す如くシヤツタ面部27が1つの閉塞部
29のみで構成され、従つて同図のようにシヤツタ7の平
面形状がT字形をしている点である。なお、他の構成な
どは前記実施例と同様であるので、それらの説明は省略
する。
〔発明の効果〕
結晶性樹脂を用いてシヤツタを成形する際、保圧工程
中に球晶が生成して樹脂の結晶化が進む訳であるが、こ
のとき本発明のように結晶核生成剤(造核剤)が添加さ
れておれば、球晶の生長肥大を抑制し、非常に小さい球
晶が多数ち密に形成される。球晶サイズが小さいと、耐
衝撃性が向上する。また結晶化度が向上し、機械的強度
の向上がはかれ、さらに成形のばりの発生を抑制すると
いう効果もある。
【図面の簡単な説明】
図はすべて本発明の実施例に係るデイスクカートリツジ
を説明するためのもので、第1図(a),(b)は上ケ
ースの平面図ならびに底面図、第2図(a),(b)は
下ケースの底面図ならびに平面図、第3図(a),
(b)はカートリツジケースの平面図ならびに正面図、
第4図,第5図ならびに第6図はシヤツタの平面図,端
面図ならびに側面図、第7図はシヤツタを装着した状態
のカートリツジケースの一部拡大平面図、第8図はシヤ
ツタとバネ部材とカートリツジケースの係合関係を示す
説明図、第9図,第10図ならびに第11図はシヤツタとカ
ートリツジケースとの係合関係を示す一部を拡大した平
面図、端面図ならびに一部を断面にした側面図、第12
図、第13図ならびに第14図はシヤツタの変形例を示す平
面図、端面図ならびに側面図である。 1……カートリツジケース、2……上ケース、3……下
ケース、6A,6B……ヘツド挿入孔、7……シヤツタ、27
……シヤツタ面部、29……閉蓋部、30……開口部。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ヘツド挿入孔を有するカートリツジケース
    と、そのカートリツジケース内に回転可能に収納された
    デイスク状記録媒体と、前記カートリツジケースのヘツ
    ド挿入孔を開閉するシヤツタを備えたデイスクカートリ
    ツジにおいて、前記シヤツタが、結晶核生成剤を含有し
    た結晶性樹脂で成形したことを特徴とするデイスクカー
    トリツジ。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第(1)項記載において、
    前記結晶性樹脂がポリオレフインであることを特徴とす
    るデイスクカートリツジ。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第(2)項記載において、
    前記ポリオレフインがポリプロピレンであることを特徴
    とするデイスクカートリツジ。
  4. 【請求項4】特許請求の範囲第(1)項記載において、
    前記結晶性樹脂のメトロフローレートが30以上であるこ
    とを特徴とするデイスクカートリツジ。
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