JP2503921B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2503921B2 JP2503921B2 JP5275341A JP27534193A JP2503921B2 JP 2503921 B2 JP2503921 B2 JP 2503921B2 JP 5275341 A JP5275341 A JP 5275341A JP 27534193 A JP27534193 A JP 27534193A JP 2503921 B2 JP2503921 B2 JP 2503921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- titanium
- pad portion
- bonding pad
- based metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05075—Plural internal layers
- H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
- H01L2224/05083—Three-layer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0494—4th Group
- H01L2924/04941—TiN
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
アルミ系金属膜を含んでなるボンディング・パッド部を
有する半導体装置に関する。
アルミ系金属膜を含んでなるボンディング・パッド部を
有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化に伴ない、アルミ系
金属膜を含んでなる金属配線は、マイグレーション耐性
を確保し，拡散層や他の下層配線とのオーミック・コン
タクトを得るために、チタン膜と窒化チタン膜とが積層
してなるバリア膜上にアルミ系金属膜を積層して形成さ
れるようになっている。半導体装置はリード・フレーム
に搭載され、ボンディング・ワイヤがこの半導体装置の
ボンディング・パッド部に接続される。アルミ系金属膜
を含んでなる金属配線が延在され，かつその幅（面積）
が拡大され、ボンディング・パッド部となる。
金属膜を含んでなる金属配線は、マイグレーション耐性
を確保し，拡散層や他の下層配線とのオーミック・コン
タクトを得るために、チタン膜と窒化チタン膜とが積層
してなるバリア膜上にアルミ系金属膜を積層して形成さ
れるようになっている。半導体装置はリード・フレーム
に搭載され、ボンディング・ワイヤがこの半導体装置の
ボンディング・パッド部に接続される。アルミ系金属膜
を含んでなる金属配線が延在され，かつその幅（面積）
が拡大され、ボンディング・パッド部となる。
【０００３】半導体装置の断面図である図５を参照する
と、従来の半導体装置のボンディング・パッド部および
それに関連した構造は、以下のようになっている。例え
ばシリコン基板からなる半導体基板１表面にはフィール
ド酸化膜２が設けられ、フィールド酸化膜２を含めて半
導体基板１は層間絶縁膜１４により覆われている。この
層間絶縁膜１４は、酸化シリコン系の絶縁膜（酸化シリ
コン膜，ＰＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜等，あるいはこれらの積
層膜）からなり、上面が窒化シリコン膜からなることも
ある。層間絶縁膜１４を介したフィールド酸化膜２上に
は、チタン膜６ｅａ，窒化チタン膜７ｅａおよびアルミ
系金属膜８ｅａが積層してなるボンディング・パッド部
１０ｅが設けられている。このボンディング・パッド部
１０ｅは、例えば１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を
有している。アルミ系金属膜８ｅａは、例えばアルミ−
シリコン−銅合金膜からなる。このボンディング・パッ
ド部１０ｅは、層間絶縁膜１４表面に設けられた金属配
線１１ｅに接続されている。この金属配線１１ｅは、チ
タン膜６ｅｂ，窒化チタン膜７ｅｂおよびアルミ系金属
膜８ｅｂが積層してなる。ここで、チタン膜６ｅｂ，窒
化チタン膜７ｅｂおよびアルミ系金属膜８ｅｂは、それ
ぞれチタン膜６ｅａ，窒化チタン膜７ｅａおよびアルミ
系金属膜８ｅａが延在されたものである。これらボンデ
ィング・パッド部１０ｅおよび金属配線１１ｅを含め
て、層間絶縁膜１４は（酸化シリコン膜，ＰＳＧ膜，窒
化シリコン膜あるいはポリイミド膜等からなる）表面保
護膜１２により覆われている。この表面保護膜１２に
は、ボンディング・パッド部１０ｅに達する開口部１３
が設けられている。この開口部１３の面積はボンディン
グ・パッド部１０ｅの面積より小さめに設定されてお
り、例えば１００μｍ×１００μｍ程度である。
と、従来の半導体装置のボンディング・パッド部および
それに関連した構造は、以下のようになっている。例え
ばシリコン基板からなる半導体基板１表面にはフィール
ド酸化膜２が設けられ、フィールド酸化膜２を含めて半
導体基板１は層間絶縁膜１４により覆われている。この
層間絶縁膜１４は、酸化シリコン系の絶縁膜（酸化シリ
コン膜，ＰＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜等，あるいはこれらの積
層膜）からなり、上面が窒化シリコン膜からなることも
ある。層間絶縁膜１４を介したフィールド酸化膜２上に
は、チタン膜６ｅａ，窒化チタン膜７ｅａおよびアルミ
系金属膜８ｅａが積層してなるボンディング・パッド部
１０ｅが設けられている。このボンディング・パッド部
１０ｅは、例えば１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を
有している。アルミ系金属膜８ｅａは、例えばアルミ−
シリコン−銅合金膜からなる。このボンディング・パッ
ド部１０ｅは、層間絶縁膜１４表面に設けられた金属配
線１１ｅに接続されている。この金属配線１１ｅは、チ
タン膜６ｅｂ，窒化チタン膜７ｅｂおよびアルミ系金属
膜８ｅｂが積層してなる。ここで、チタン膜６ｅｂ，窒
化チタン膜７ｅｂおよびアルミ系金属膜８ｅｂは、それ
ぞれチタン膜６ｅａ，窒化チタン膜７ｅａおよびアルミ
系金属膜８ｅａが延在されたものである。これらボンデ
ィング・パッド部１０ｅおよび金属配線１１ｅを含め
て、層間絶縁膜１４は（酸化シリコン膜，ＰＳＧ膜，窒
化シリコン膜あるいはポリイミド膜等からなる）表面保
護膜１２により覆われている。この表面保護膜１２に
は、ボンディング・パッド部１０ｅに達する開口部１３
が設けられている。この開口部１３の面積はボンディン
グ・パッド部１０ｅの面積より小さめに設定されてお
り、例えば１００μｍ×１００μｍ程度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造の半導体装
置では、アルミ・アニール程度の熱処理（４００〜５０
０℃）でも、この熱処理による界面での反応によりボン
ディング・パッド部と層間絶縁膜との界面に脆い層が形
成され、ボンディング・ワイヤをボンディング・パッド
部に接続する際にこのボンディング・パッド部が層間絶
縁膜から剥れやすくなる。この現象は、ボンディング・
ワイヤの接続が超音波により行なわれるこきには激し
く、層間絶縁膜がＢＰＳＧ膜からなるとき特に顕著であ
る。また、層間絶縁膜の上面が窒化シリコン膜からなる
場合でも、この現象は低減はするが皆無にはならない。
置では、アルミ・アニール程度の熱処理（４００〜５０
０℃）でも、この熱処理による界面での反応によりボン
ディング・パッド部と層間絶縁膜との界面に脆い層が形
成され、ボンディング・ワイヤをボンディング・パッド
部に接続する際にこのボンディング・パッド部が層間絶
縁膜から剥れやすくなる。この現象は、ボンディング・
ワイヤの接続が超音波により行なわれるこきには激し
く、層間絶縁膜がＢＰＳＧ膜からなるとき特に顕著であ
る。また、層間絶縁膜の上面が窒化シリコン膜からなる
場合でも、この現象は低減はするが皆無にはならない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の第
１の態様は、半導体基板表面に設けられたフィールド酸
化膜と、所望の形状を有して、上記フィールド酸化膜上
に設けられた多結晶シリコン膜，高融点金属シリサイド
膜もしくは高融点金属ポリサイド膜からなる導電体膜
と、上記導電体膜の表面に接続して設けられた少なくと
もチタン・シリサイドを含むチタン系金属膜，このチタ
ン系金属膜表面に接続して設けられた窒化チタン膜およ
びこの窒化チタン膜表面に接続して設けられたアルミ系
金属膜とを少なくとも含んでなるボンディング・パッド
部と、上記チタン系金属膜に接続して絶縁膜上に設けら
れたチタン膜，このチタン膜表面に接続して上記ボンデ
ィング・パッド部から延在してた上記窒化チタン膜およ
びこの窒化チタン膜表面に接続して上記ボンディング・
パッド部から延在した上記アルミ系金属膜とからなる金
属配線と、上記ボンディング・パッド部表面および上記
金属配線表面を覆い、このボンディング・パッド部に達
する開口部を有する表面保護膜とを有する。
１の態様は、半導体基板表面に設けられたフィールド酸
化膜と、所望の形状を有して、上記フィールド酸化膜上
に設けられた多結晶シリコン膜，高融点金属シリサイド
膜もしくは高融点金属ポリサイド膜からなる導電体膜
と、上記導電体膜の表面に接続して設けられた少なくと
もチタン・シリサイドを含むチタン系金属膜，このチタ
ン系金属膜表面に接続して設けられた窒化チタン膜およ
びこの窒化チタン膜表面に接続して設けられたアルミ系
金属膜とを少なくとも含んでなるボンディング・パッド
部と、上記チタン系金属膜に接続して絶縁膜上に設けら
れたチタン膜，このチタン膜表面に接続して上記ボンデ
ィング・パッド部から延在してた上記窒化チタン膜およ
びこの窒化チタン膜表面に接続して上記ボンディング・
パッド部から延在した上記アルミ系金属膜とからなる金
属配線と、上記ボンディング・パッド部表面および上記
金属配線表面を覆い、このボンディング・パッド部に達
する開口部を有する表面保護膜とを有する。
【０００６】好ましくは、上記絶縁膜が上記導電体膜に
達する接続口を有する層間絶縁膜である。あるいは、上
記導電体膜が層間絶縁膜を介して上記フィールド酸化膜
上に設けらてれており、さらに、上記絶縁膜が上記導電
体膜に達する接続口を有する第２の層間絶縁膜である。
達する接続口を有する層間絶縁膜である。あるいは、上
記導電体膜が層間絶縁膜を介して上記フィールド酸化膜
上に設けらてれており、さらに、上記絶縁膜が上記導電
体膜に達する接続口を有する第２の層間絶縁膜である。
【０００７】本発明の半導体装置の第２の態様は、半導
体基板表面に設けられたフィールド酸化膜と、所望の形
状を有して、上記フィールド酸化膜上に設けられた多結
晶シリコン膜，高融点金属シリサイド膜もしくは高融点
金属ポリサイド膜からなる導電体膜と、上記導電体膜に
達する第１の接続口を有する第１の層間絶縁膜と、上記
第１の接続口を介して上記導電体膜の表面に接続する少
なくともチタン・シリサイドを含むチタン系金属膜，こ
のチタン系金属膜表面に接続して設けられた窒化チタン
膜およびこの窒化チタン膜表面に接続して設けられた第
１のアルミ系金属膜とを少なくとも含んでなるパッド部
と、上記チタン系金属膜に接続して上記第１の層間絶縁
膜上に設けられたチタン膜，このチタン膜表面に接続し
て上記パッド部から延在してた上記窒化チタン膜および
この窒化チタン膜表面に接続して上記パッド部から延在
した上記第１のアルミ系金属膜とからなる金属配線と、
上記パッド部に達する第２の接続口を有して上記第１の
層間絶縁膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、上記第
２の接続口を介して上記パッド部に接続し、上記第２の
総括絶縁膜絶縁膜上に設けられた少なくとも第２のアル
ミ系金属膜からなるボンディング・パッド部と、上記ボ
ンディング・パッド部表面を覆い、このボンディング・
パッド部に達する開口部を有する表面保護膜とを有す
る。
体基板表面に設けられたフィールド酸化膜と、所望の形
状を有して、上記フィールド酸化膜上に設けられた多結
晶シリコン膜，高融点金属シリサイド膜もしくは高融点
金属ポリサイド膜からなる導電体膜と、上記導電体膜に
達する第１の接続口を有する第１の層間絶縁膜と、上記
第１の接続口を介して上記導電体膜の表面に接続する少
なくともチタン・シリサイドを含むチタン系金属膜，こ
のチタン系金属膜表面に接続して設けられた窒化チタン
膜およびこの窒化チタン膜表面に接続して設けられた第
１のアルミ系金属膜とを少なくとも含んでなるパッド部
と、上記チタン系金属膜に接続して上記第１の層間絶縁
膜上に設けられたチタン膜，このチタン膜表面に接続し
て上記パッド部から延在してた上記窒化チタン膜および
この窒化チタン膜表面に接続して上記パッド部から延在
した上記第１のアルミ系金属膜とからなる金属配線と、
上記パッド部に達する第２の接続口を有して上記第１の
層間絶縁膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、上記第
２の接続口を介して上記パッド部に接続し、上記第２の
総括絶縁膜絶縁膜上に設けられた少なくとも第２のアル
ミ系金属膜からなるボンディング・パッド部と、上記ボ
ンディング・パッド部表面を覆い、このボンディング・
パッド部に達する開口部を有する表面保護膜とを有す
る。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】半導体装置の製造工程の断面図である図１
を参照すると、本発明の第１の実施例は、以下のように
形成される。
を参照すると、本発明の第１の実施例は、以下のように
形成される。
【００１０】まず、例えばシリコン基板からなる半導体
基板１表面に、フィールド酸化膜２が形成される。フィ
ールド酸化膜２表面上に直接に接触するように、例えば
１００μｍ×１００μｍ程度の面積を有する多結晶シリ
コン膜３ａが形成される。この多結晶シリコン膜３ａの
形成と前後して、半導体基板１表面には、半導体素子
（図示せず）が形成される。本実施例により形成される
半導体装置がＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であ
る場合、多結晶シリコン膜３ａはＭＯＳトランジスタの
ゲート電極と同時に形成される。この多結晶シリコン膜
３ａは、フィールド酸化膜２との密着性が良好である。
多結晶シリコン膜３ａの代りに、高融点金属シリサイド
膜あるいは高融点金属ポリサイド膜等のフィールド酸化
膜との密着性のよい導電体膜を採用してもよい。次に、
この多結晶シリコン膜３ａおよびフィールド酸化膜２を
含めて、半導体基板１を覆うＢＰＳＧ膜４Ａが形成され
る。続いて、このＢＰＳＧ膜４Ａに、多結晶シリコン膜
３ａに達する接続口５ａが形成される。これと同時に、
半導体素子に達するコンタクト孔（図示せず）も形成さ
れる。この接続口５ａの開口面積は、多結晶シリコン膜
３ａの面積より狭く、例えば９５μｍ×９５μｍ程度で
ある〔図１（ａ）〕。
基板１表面に、フィールド酸化膜２が形成される。フィ
ールド酸化膜２表面上に直接に接触するように、例えば
１００μｍ×１００μｍ程度の面積を有する多結晶シリ
コン膜３ａが形成される。この多結晶シリコン膜３ａの
形成と前後して、半導体基板１表面には、半導体素子
（図示せず）が形成される。本実施例により形成される
半導体装置がＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であ
る場合、多結晶シリコン膜３ａはＭＯＳトランジスタの
ゲート電極と同時に形成される。この多結晶シリコン膜
３ａは、フィールド酸化膜２との密着性が良好である。
多結晶シリコン膜３ａの代りに、高融点金属シリサイド
膜あるいは高融点金属ポリサイド膜等のフィールド酸化
膜との密着性のよい導電体膜を採用してもよい。次に、
この多結晶シリコン膜３ａおよびフィールド酸化膜２を
含めて、半導体基板１を覆うＢＰＳＧ膜４Ａが形成され
る。続いて、このＢＰＳＧ膜４Ａに、多結晶シリコン膜
３ａに達する接続口５ａが形成される。これと同時に、
半導体素子に達するコンタクト孔（図示せず）も形成さ
れる。この接続口５ａの開口面積は、多結晶シリコン膜
３ａの面積より狭く、例えば９５μｍ×９５μｍ程度で
ある〔図１（ａ）〕。
【００１１】次に、全面に所定膜厚のチタン膜６ａ，所
定膜厚の窒化チタン膜７ａおよびアルミ系金属膜８ａ
が、例えばスパッタリング，反応性スパッタリング等に
より、順次堆積される。アルミ系金属膜８ａは、例えば
アルミ−シリコン−銅合金膜からなる〔図１（ｂ）〕。
定膜厚の窒化チタン膜７ａおよびアルミ系金属膜８ａ
が、例えばスパッタリング，反応性スパッタリング等に
より、順次堆積される。アルミ系金属膜８ａは、例えば
アルミ−シリコン−銅合金膜からなる〔図１（ｂ）〕。
【００１２】次に、所定のパターンを有したフォトレジ
スト膜（図示せず）をマスクにして上記アルミ系金属膜
８ａ，窒化チタン膜７ａおよび全面にチタン膜６ａが順
次エッチングされ、チタン膜６ａａおよびチタン膜６ａ
ｂと、窒化チタン膜７ａａおよび窒化チタン膜７ａｂ
と、アルミ系金属膜８ａａおよびアルミ系金属膜８ａｂ
とが残置される。その結果、チタン膜６ａｂと、チタン
膜６ａｂ上面に直接に接続された窒化チタン膜７ａｂ
と、窒化チタン膜７ａｂ上面に直接に接続されたアルミ
系金属膜８ａｂとからなる例えば線幅１．０μｍ程度の
金属配線１１ａが、ＢＰＳＧ膜４Ａ表面上に形成され
る。同時に、チタン膜６ａａと、チタン膜６ａａ上面に
直接に接続された窒化チタン膜７ａａと、窒化チタン膜
７ａａ上面に直接に接続されたアルミ系金属膜８ａａと
からなるボンディング・パッド部（図示せず）が、上記
多結晶シリコン膜３ａに直接に接続する姿態を有して形
成される。このボンディング・パッド部と金属配線１１
ａとは、（積層されたそれぞれの層においても）接続さ
れている。
スト膜（図示せず）をマスクにして上記アルミ系金属膜
８ａ，窒化チタン膜７ａおよび全面にチタン膜６ａが順
次エッチングされ、チタン膜６ａａおよびチタン膜６ａ
ｂと、窒化チタン膜７ａａおよび窒化チタン膜７ａｂ
と、アルミ系金属膜８ａａおよびアルミ系金属膜８ａｂ
とが残置される。その結果、チタン膜６ａｂと、チタン
膜６ａｂ上面に直接に接続された窒化チタン膜７ａｂ
と、窒化チタン膜７ａｂ上面に直接に接続されたアルミ
系金属膜８ａｂとからなる例えば線幅１．０μｍ程度の
金属配線１１ａが、ＢＰＳＧ膜４Ａ表面上に形成され
る。同時に、チタン膜６ａａと、チタン膜６ａａ上面に
直接に接続された窒化チタン膜７ａａと、窒化チタン膜
７ａａ上面に直接に接続されたアルミ系金属膜８ａａと
からなるボンディング・パッド部（図示せず）が、上記
多結晶シリコン膜３ａに直接に接続する姿態を有して形
成される。このボンディング・パッド部と金属配線１１
ａとは、（積層されたそれぞれの層においても）接続さ
れている。
【００１３】続いて、この金属配線１１ａと上記半導体
素子とのオーミック・コンタクトを得るために、５００
〜８００℃程度の熱処理が施される。この熱処理によ
り、上記多結晶シリコン膜３ａに直接に接続した部分の
チタン膜６ａは、チタン・シリサイド膜９ａになる。こ
の熱処理により、チタン膜６ａａおよびチタン・シリサ
イド膜９ａと、チタン膜６ａａ上面並びにチタン・シリ
サイド膜９ａ上面に直接に接続された窒化チタン膜７ａ
ａと、窒化チタン膜７ａａ上面に直接に接続されたアル
ミ系金属膜８ａａとからなるボンディング・パッド部１
０ａが、上記多結晶シリコン膜３ａに直接に接続する姿
態を有して形成される。このボンディング・パッド部１
０ａは、例えば１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有
している。なお、チタン膜６ａの膜厚および上記熱処理
の条件によっては、チタン・シリサイド膜９ａと窒化チ
タン膜７ａａとの間に、チタン膜６ａａが残留すること
がある。
素子とのオーミック・コンタクトを得るために、５００
〜８００℃程度の熱処理が施される。この熱処理によ
り、上記多結晶シリコン膜３ａに直接に接続した部分の
チタン膜６ａは、チタン・シリサイド膜９ａになる。こ
の熱処理により、チタン膜６ａａおよびチタン・シリサ
イド膜９ａと、チタン膜６ａａ上面並びにチタン・シリ
サイド膜９ａ上面に直接に接続された窒化チタン膜７ａ
ａと、窒化チタン膜７ａａ上面に直接に接続されたアル
ミ系金属膜８ａａとからなるボンディング・パッド部１
０ａが、上記多結晶シリコン膜３ａに直接に接続する姿
態を有して形成される。このボンディング・パッド部１
０ａは、例えば１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有
している。なお、チタン膜６ａの膜厚および上記熱処理
の条件によっては、チタン・シリサイド膜９ａと窒化チ
タン膜７ａａとの間に、チタン膜６ａａが残留すること
がある。
【００１４】本実施例では、オーミック・コンタクトを
得るためのこの熱処理により、ボンディング・パッド部
１０ａの底面境界には脆い層が形成されず、それとは逆
に、ボンディング・パッド部１０ａの底面が上記多結晶
シリコン膜３ａの上面と直接に接触しているため、この
底面境界には両者の密着性を高めるチタン・シリサイド
膜９ａが形成される。なお、ボンディング・パッド部１
０ａの底面が接触する導電体膜が（多結晶シリコン膜３
ａではなく）例えばタングステン・シリサイド膜あるい
はタングステン・ポリサイド膜等の場合には、上記熱処
理によりチタン膜６ａａはチタン・シリサイドとチタン
・タングステン等との混晶膜が形成される。
得るためのこの熱処理により、ボンディング・パッド部
１０ａの底面境界には脆い層が形成されず、それとは逆
に、ボンディング・パッド部１０ａの底面が上記多結晶
シリコン膜３ａの上面と直接に接触しているため、この
底面境界には両者の密着性を高めるチタン・シリサイド
膜９ａが形成される。なお、ボンディング・パッド部１
０ａの底面が接触する導電体膜が（多結晶シリコン膜３
ａではなく）例えばタングステン・シリサイド膜あるい
はタングステン・ポリサイド膜等の場合には、上記熱処
理によりチタン膜６ａａはチタン・シリサイドとチタン
・タングステン等との混晶膜が形成される。
【００１５】これらボンディング・パッド部１０ａおよ
び金属配線１１ａを含めてＢＰＳＧ膜４Ａを覆う（酸化
シリコン膜，ＰＳＧ膜，窒化シリコン膜あるいはポリイ
ミド膜等からなる）表面保護膜１２が形成され、さらに
この表面保護膜１２にはボンディング・パッド部１０ａ
に達する開口部１３が形成される。この開口部１３の面
積はボンディング・パッド部１０ｅの面積より小さめに
設定されており、例えば１００μｍ×１００μｍ程度で
ある〔図１（ｃ）〕。
び金属配線１１ａを含めてＢＰＳＧ膜４Ａを覆う（酸化
シリコン膜，ＰＳＧ膜，窒化シリコン膜あるいはポリイ
ミド膜等からなる）表面保護膜１２が形成され、さらに
この表面保護膜１２にはボンディング・パッド部１０ａ
に達する開口部１３が形成される。この開口部１３の面
積はボンディング・パッド部１０ｅの面積より小さめに
設定されており、例えば１００μｍ×１００μｍ程度で
ある〔図１（ｃ）〕。
【００１６】上記第１の実施例は、ボンディング・パッ
ド部１０ａの底面がチタン・シリサイド膜９ａからな
り、このボンディング・パッド部１０ａの底面が多結晶
シリコン膜３ａの上面に直接に接続され、この多結晶シ
リコン膜３ａがフィールド酸化膜２上面に直接に接触し
て設けられている。このため、例えば超音波ボンディン
グにより、このボンディング・パッド部１０ａにボンデ
ィング・ワイヤを接続する場合でも、ボンディング・パ
ッド部１０ａが下地絶縁膜であるフィールド酸化膜２か
ら剥れるという現象は、激減する。
ド部１０ａの底面がチタン・シリサイド膜９ａからな
り、このボンディング・パッド部１０ａの底面が多結晶
シリコン膜３ａの上面に直接に接続され、この多結晶シ
リコン膜３ａがフィールド酸化膜２上面に直接に接触し
て設けられている。このため、例えば超音波ボンディン
グにより、このボンディング・パッド部１０ａにボンデ
ィング・ワイヤを接続する場合でも、ボンディング・パ
ッド部１０ａが下地絶縁膜であるフィールド酸化膜２か
ら剥れるという現象は、激減する。
【００１７】半導体装置の断面図である図２を参照する
と、本発明の第２の実施例は多層配線を有する半導体装
置に関するものであり、ボンディング・パッド部および
それに関連した構造は以下のようになっている。
と、本発明の第２の実施例は多層配線を有する半導体装
置に関するものであり、ボンディング・パッド部および
それに関連した構造は以下のようになっている。
【００１８】例えばシリコン基板からなる半導体基板１
表面にはフィールド酸化膜２と所望の半導体素子（図示
せず）とが設けられ、フィールド酸化膜２を含めて半導
体基板１は第１の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜４Ａによ
り覆われている。ＢＰＳＧ膜４Ａには、半導体素子に達
するコンタクト孔（図示せず）が設けられている。この
ＢＰＳＧ膜４Ａ上面には、例えば１００μｍ×１００μ
ｍの面積を有する多結晶シリコン膜３ｂと下層配線（図
示せず）とが設けられている。この多結晶シリコン膜３
ｂを含めて、ＢＰＳＧ膜４Ａは、第２の層間絶縁膜４Ｂ
により覆われている。この層間絶縁膜４Ｂには、多結晶
シリコン膜３ｂに達する接続口５ｂと上記下層配線に達
するスルーホール（図示せず）とが設けられている。こ
の接続口５ｂの開口面積は、多結晶シリコン膜３ｂの面
積より狭く、例えば９５μｍ×９５μｍである。
表面にはフィールド酸化膜２と所望の半導体素子（図示
せず）とが設けられ、フィールド酸化膜２を含めて半導
体基板１は第１の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜４Ａによ
り覆われている。ＢＰＳＧ膜４Ａには、半導体素子に達
するコンタクト孔（図示せず）が設けられている。この
ＢＰＳＧ膜４Ａ上面には、例えば１００μｍ×１００μ
ｍの面積を有する多結晶シリコン膜３ｂと下層配線（図
示せず）とが設けられている。この多結晶シリコン膜３
ｂを含めて、ＢＰＳＧ膜４Ａは、第２の層間絶縁膜４Ｂ
により覆われている。この層間絶縁膜４Ｂには、多結晶
シリコン膜３ｂに達する接続口５ｂと上記下層配線に達
するスルーホール（図示せず）とが設けられている。こ
の接続口５ｂの開口面積は、多結晶シリコン膜３ｂの面
積より狭く、例えば９５μｍ×９５μｍである。
【００１９】チタン膜６ｂａ並びにチタン・シリサイド
膜９ｂと窒化チタン膜７ｂａとアルミ系金属膜ｂａとが
積層してなるボンディング・パッド部１０ｂが、接続口
５ｂを覆い，上記多結晶シリコン膜３ｂ上面に接続され
ている。このボンディング・パッド部１０ｂは、例えば
１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有している。この
ボンディング・パッド部１０ｂは、層間絶縁膜４Ｂ表面
に設けられた金属配線１１ｂに接続されている。この金
属配線１１ｂは、チタン膜６ｂｂ，窒化チタン膜７ｂｂ
およびアルミ系金属膜８ｂｂが積層してなり、上記スル
ーホールを介して上記下層配線に接続されている。ここ
で、チタン膜６ｂｂ，窒化チタン膜７ｂｂおよびアルミ
系金属膜８ｂｂは、それぞれチタン膜６ｂａ，窒化チタ
ン膜７ｂａおよびアルミ系金属膜８ｂａが延在されたも
のである。これらボンディング・パッド部１０ｂおよび
金属配線１１ｂを含めて、層間絶縁膜４Ｂは表面保護膜
１２により覆われている。この表面保護膜１２には、ボ
ンディング・パッド部１０ｅに達する開口部１３が設け
られている。この開口部１３の面積はボンディング・パ
ッド部１０ｂの面積より小さめに設定されており、例え
ば１００μｍ×１００μｍ程度である。
膜９ｂと窒化チタン膜７ｂａとアルミ系金属膜ｂａとが
積層してなるボンディング・パッド部１０ｂが、接続口
５ｂを覆い，上記多結晶シリコン膜３ｂ上面に接続され
ている。このボンディング・パッド部１０ｂは、例えば
１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有している。この
ボンディング・パッド部１０ｂは、層間絶縁膜４Ｂ表面
に設けられた金属配線１１ｂに接続されている。この金
属配線１１ｂは、チタン膜６ｂｂ，窒化チタン膜７ｂｂ
およびアルミ系金属膜８ｂｂが積層してなり、上記スル
ーホールを介して上記下層配線に接続されている。ここ
で、チタン膜６ｂｂ，窒化チタン膜７ｂｂおよびアルミ
系金属膜８ｂｂは、それぞれチタン膜６ｂａ，窒化チタ
ン膜７ｂａおよびアルミ系金属膜８ｂａが延在されたも
のである。これらボンディング・パッド部１０ｂおよび
金属配線１１ｂを含めて、層間絶縁膜４Ｂは表面保護膜
１２により覆われている。この表面保護膜１２には、ボ
ンディング・パッド部１０ｅに達する開口部１３が設け
られている。この開口部１３の面積はボンディング・パ
ッド部１０ｂの面積より小さめに設定されており、例え
ば１００μｍ×１００μｍ程度である。
【００２０】上記第２の実施例は、ボンディング時の効
果に関しては上記第１の実施例と同様の効果を有してい
る。なお、多層配線を有する半導体装置に対して上記第
１の実施例を適用するならば、多結晶シリコン膜はフィ
ールド酸化膜２上面に直接に接触する姿態を有して設け
られることになり、この場合、接続口の段差が大きくな
り、ボンディング・パッド部がこの段差の部分で断線し
やするなるのいう不具合が生じる。本実施例は、このよ
うな不具合を回避するという点において、上記第１の実
施例より有利である。
果に関しては上記第１の実施例と同様の効果を有してい
る。なお、多層配線を有する半導体装置に対して上記第
１の実施例を適用するならば、多結晶シリコン膜はフィ
ールド酸化膜２上面に直接に接触する姿態を有して設け
られることになり、この場合、接続口の段差が大きくな
り、ボンディング・パッド部がこの段差の部分で断線し
やするなるのいう不具合が生じる。本実施例は、このよ
うな不具合を回避するという点において、上記第１の実
施例より有利である。
【００２１】半導体装置の断面図である図３を参照する
と、本発明の第３の実施例も多層配線を有する半導体装
置に関するものであり、上記第２の実施例との主な相違
点は多結晶シリコン膜３ｃが第２の層間絶縁膜４Ｂ上面
に設けられているという点と、上記第２の実施例で必要
であった接続口が不要になるという点とにある。ボンデ
ィング・パッド部１０ｃはチタン膜６ｃａ並びにチタン
・シリサイド膜９ｃと窒化チタン膜７ｃａとアルミ系金
属膜ｃａとが積層してなり、金属配線１１ｃはチタン膜
６ｃｂ，窒化チタン膜７ｃｂおよびアルミ系金属膜８ｃ
ｂが積層してなる。
と、本発明の第３の実施例も多層配線を有する半導体装
置に関するものであり、上記第２の実施例との主な相違
点は多結晶シリコン膜３ｃが第２の層間絶縁膜４Ｂ上面
に設けられているという点と、上記第２の実施例で必要
であった接続口が不要になるという点とにある。ボンデ
ィング・パッド部１０ｃはチタン膜６ｃａ並びにチタン
・シリサイド膜９ｃと窒化チタン膜７ｃａとアルミ系金
属膜ｃａとが積層してなり、金属配線１１ｃはチタン膜
６ｃｂ，窒化チタン膜７ｃｂおよびアルミ系金属膜８ｃ
ｂが積層してなる。
【００２２】上記第３の実施例は、ボンディング・パッ
ド部の断線という点において、上記第２の実施例よりさ
らに有利になる。
ド部の断線という点において、上記第２の実施例よりさ
らに有利になる。
【００２３】半導体装置の製造工程の断面図である図４
を参照すると、本発明の第４の実施例も多層配線を有す
る半導体装置に関するものである。本実施例と上記第
２，第３の実施例との主な相違点は、ボンディング・パ
ッド部１０ｄとパッド部２０とからなるいわゆる２重パ
ッド構造を有するということと、ボンディング・パッド
部１０ｄから金属配線１１ｄへの接続がパッド部２０を
介して行なわれているということとにある。製造方法に
沿って、本実施例を説明する。
を参照すると、本発明の第４の実施例も多層配線を有す
る半導体装置に関するものである。本実施例と上記第
２，第３の実施例との主な相違点は、ボンディング・パ
ッド部１０ｄとパッド部２０とからなるいわゆる２重パ
ッド構造を有するということと、ボンディング・パッド
部１０ｄから金属配線１１ｄへの接続がパッド部２０を
介して行なわれているということとにある。製造方法に
沿って、本実施例を説明する。
【００２４】まず、上記第１の実施例と同様の方法によ
り、半導体基板１表面にフィールド酸化膜２が形成され
る。フィールド酸化膜２表面上には、直接に例えば１０
０μｍ×１００μｍ程度の面積を有する多結晶シリコン
膜３ｄが形成される。第１の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ
膜４Ａが形成され、このＢＰＳＧ膜４Ａに多結晶シリコ
ン膜３ｄに達する第１の接続口５ａが形成される。この
接続口の開口面積も９５μｍ×９５μｍ程度である。さ
らに上記第１の実施例と同様の方法により、チタン膜，
窒化チタン膜およびアルミ系金属膜が順次堆積され、こ
の積層膜がパターニングされた後、熱処理が施される。
これら一連の工程により、チタン膜６ｄａ並びにチタン
・シリサイド膜９ｄと窒化チタン膜７ｄａとアルミ系金
属膜ｄａとが積層してなるパッド部２０と、チタン膜６
ｄｂ，窒化チタン膜７ｄｂおよびアルミ系金属膜８ｄｂ
が積層してなる第１層の金属配線１１ｄとが形成され
る。このパッド部２０の面積は、例えば１１０μｍ×１
１０μｍ程度である〔図４（ａ）〕。
り、半導体基板１表面にフィールド酸化膜２が形成され
る。フィールド酸化膜２表面上には、直接に例えば１０
０μｍ×１００μｍ程度の面積を有する多結晶シリコン
膜３ｄが形成される。第１の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ
膜４Ａが形成され、このＢＰＳＧ膜４Ａに多結晶シリコ
ン膜３ｄに達する第１の接続口５ａが形成される。この
接続口の開口面積も９５μｍ×９５μｍ程度である。さ
らに上記第１の実施例と同様の方法により、チタン膜，
窒化チタン膜およびアルミ系金属膜が順次堆積され、こ
の積層膜がパターニングされた後、熱処理が施される。
これら一連の工程により、チタン膜６ｄａ並びにチタン
・シリサイド膜９ｄと窒化チタン膜７ｄａとアルミ系金
属膜ｄａとが積層してなるパッド部２０と、チタン膜６
ｄｂ，窒化チタン膜７ｄｂおよびアルミ系金属膜８ｄｂ
が積層してなる第１層の金属配線１１ｄとが形成され
る。このパッド部２０の面積は、例えば１１０μｍ×１
１０μｍ程度である〔図４（ａ）〕。
【００２５】次に、全面に第２の層間絶縁膜４Ｂが堆積
され、パッド部２０に達する第２の接続口１５がこの層
間絶縁膜４Ｂに形成される。この接続口１５の開口面積
は、後工程で表面保護膜に形成される開口部の開口面積
より狭く、例えば５０μｍ×５０μｍ程度である〔図４
（ｂ）〕。
され、パッド部２０に達する第２の接続口１５がこの層
間絶縁膜４Ｂに形成される。この接続口１５の開口面積
は、後工程で表面保護膜に形成される開口部の開口面積
より狭く、例えば５０μｍ×５０μｍ程度である〔図４
（ｂ）〕。
【００２６】続いて、第２層の金属配線を形成するため
に、全面にチタン膜，窒化チタン膜およびアルミ系金属
膜が順次堆積される。なお、第２層の金属配線が第１層
の金属配線のみに接続されるのであるならば、チタン膜
および窒化チタン膜は不要である。第２層の金属配線を
積層膜で形成するのは、この金属配線が下層の例えばポ
リサイド配線等に直接に接続されるためである。その
後、これらの積層膜がパターニングされ、チタン膜１
６，窒化チタン膜１７およびアルミ系金属膜１８からな
る１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有したボンディ
ング・パッド部１０ｄが形成される。次に、全面に表面
保護膜１２が堆積され、ボンディング・パッド部１０ｄ
に達する例えば１００μｍ×１００μｍの開口面積を有
する開口部１３がこの表面保護膜１２に形成される〔図
４（ｃ）〕。
に、全面にチタン膜，窒化チタン膜およびアルミ系金属
膜が順次堆積される。なお、第２層の金属配線が第１層
の金属配線のみに接続されるのであるならば、チタン膜
および窒化チタン膜は不要である。第２層の金属配線を
積層膜で形成するのは、この金属配線が下層の例えばポ
リサイド配線等に直接に接続されるためである。その
後、これらの積層膜がパターニングされ、チタン膜１
６，窒化チタン膜１７およびアルミ系金属膜１８からな
る１０５μｍ×１０５μｍ程度の面積を有したボンディ
ング・パッド部１０ｄが形成される。次に、全面に表面
保護膜１２が堆積され、ボンディング・パッド部１０ｄ
に達する例えば１００μｍ×１００μｍの開口面積を有
する開口部１３がこの表面保護膜１２に形成される〔図
４（ｃ）〕。
【００２７】上記第４の実施例は、ボンディング時の効
果に関しては上記第１の実施例と同様の効果を有してい
る。なお、本実施例は、２重パッド構造を採用すること
により、他の実施例に比べて耐湿性が向上する。
果に関しては上記第１の実施例と同様の効果を有してい
る。なお、本実施例は、２重パッド構造を採用すること
により、他の実施例に比べて耐湿性が向上する。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本実施例によると、
フィールド酸化膜上に設けられた導電体膜は、この導電
体膜が直接に接触する下地絶縁膜（フィールド酸化膜も
しくは層間絶縁膜）との密着性が良好である。また、こ
の導電体膜とボンディング・パッド部との直接の接続
は、このボンディング・パッド部の最下層を構成するチ
タン・シリサイドを含むチタン系金属膜によりなされて
いる。このため、導電体膜とボンディング・パッド部と
密着性も大幅に改善され、ボンディング・ワイヤをボン
ディング・パッド部に接続する際の下地絶縁膜からのボ
ンディング・パッド部の剥れは急減する。
フィールド酸化膜上に設けられた導電体膜は、この導電
体膜が直接に接触する下地絶縁膜（フィールド酸化膜も
しくは層間絶縁膜）との密着性が良好である。また、こ
の導電体膜とボンディング・パッド部との直接の接続
は、このボンディング・パッド部の最下層を構成するチ
タン・シリサイドを含むチタン系金属膜によりなされて
いる。このため、導電体膜とボンディング・パッド部と
密着性も大幅に改善され、ボンディング・ワイヤをボン
ディング・パッド部に接続する際の下地絶縁膜からのボ
ンディング・パッド部の剥れは急減する。
【図１】本発明の第１の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体装置の断面図である。
１ 半導体基板 ２ フィールド酸化膜 ３ａ〜３ｄ 多結晶シリコン膜 ４Ａ ＢＰＳＧ膜 ４Ｂ，１４ 層間絶縁膜 ５ａ，５ｂ，５ｄ，１５ 接続口 ６ａ，６ａａ，６ａｂ，６ｂａ，６ｂｂ，６ｃａ，６ｃ
ｂ，６ｄａ，６ｄｂ，６ｅａ，６ｅｂ，１６ チタン
膜 ７ａ，７ａａ，７ａｂ，７ｂａ，７ｂｂ，７ｃａ，７ｃ
ｂ，７ｄａ，７ｄｂ，７ｅａ，７ｅｂ，１７ 窒化チ
タン膜 ８ａ，８ａａ，８ａｂ，８ｂａ，８ｂｂ，８ｃａ，８ｃ
ｂ，８ｄａ，８ｄｂ，８ｅａ，８ｅｂ，１８ アルミ
系金属膜 ９ａ〜９ｄ チタン・シリサイド膜 １０ａ〜１０ｅ ボンディング・パッド部 １１ａ〜１１ｅ 金属配線 １２ 表面保護膜 １３ 開口部 ２０ バッド部
ｂ，６ｄａ，６ｄｂ，６ｅａ，６ｅｂ，１６ チタン
膜 ７ａ，７ａａ，７ａｂ，７ｂａ，７ｂｂ，７ｃａ，７ｃ
ｂ，７ｄａ，７ｄｂ，７ｅａ，７ｅｂ，１７ 窒化チ
タン膜 ８ａ，８ａａ，８ａｂ，８ｂａ，８ｂｂ，８ｃａ，８ｃ
ｂ，８ｄａ，８ｄｂ，８ｅａ，８ｅｂ，１８ アルミ
系金属膜 ９ａ〜９ｄ チタン・シリサイド膜 １０ａ〜１０ｅ ボンディング・パッド部 １１ａ〜１１ｅ 金属配線 １２ 表面保護膜 １３ 開口部 ２０ バッド部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板表面に設けられたフィールド
酸化膜と、 所望の形状を有して、前記フィールド酸化膜上に設けら
れた多結晶シリコン膜，高融点金属シリサイド膜もしく
は高融点金属ポリサイド膜からなる導電体膜と、 前記導電体膜の表面に接続して設けられた少なくともチ
タン・シリサイドを含むチタン系金属膜，該チタン系金
属膜表面に接続して設けられた窒化チタン膜および該窒
化チタン膜表面に接続して設けられたアルミ系金属膜と
を少なくとも含んでなるボンディング・パッド部と、 前記チタン系金属膜に接続して絶縁膜上に設けられたチ
タン膜，該チタン膜表面に接続して前記ボンディング・
パッド部から延在してた前記窒化チタン膜および該窒化
チタン膜表面に接続して前記ボンディング・パッド部か
ら延在した前記アルミ系金属膜とからなる金属配線と、 前記ボンディング・パッド部表面および前記金属配線表
面を覆い、該ボンディング・パッド部に達する開口部を
有する表面保護膜とを有することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜が前記導電体膜に達する接続
口を有する層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記導電体膜が層間絶縁膜を介して前記
フィールド酸化膜上に設けらてれていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記絶縁膜が前記導電体膜に達する接続
口を有する第２の層間絶縁膜であることを特徴とする請
求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 半導体基板表面に設けられたフィールド
酸化膜と、 所望の形状を有して、前記フィールド酸化膜上に設けら
れた多結晶シリコン膜，高融点金属シリサイド膜もしく
は高融点金属ポリサイド膜からなる導電体膜と、 前記導電体膜に達する第１の接続口を有する第１の層間
絶縁膜と、 前記第１の接続口を介して前記導電体膜の表面に接続す
る少なくともチタン・シリサイドを含むチタン系金属
膜，該チタン系金属膜表面に接続して設けられた窒化チ
タン膜および該窒化チタン膜表面に接続して設けられた
第１のアルミ系金属膜とを少なくとも含んでなるパッド
部と、 前記チタン系金属膜に接続して前記第１の層間絶縁膜上
に設けられたチタン膜，該チタン膜表面に接続して前記
パッド部から延在してた前記窒化チタン膜および該窒化
チタン膜表面に接続して前記パッド部から延在した前記
第１のアルミ系金属膜とからなる金属配線と、 前記パッド部に達する第２の接続口を有して前記第１の
層間絶縁膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、 前記第２の接続口を介して前記パッド部に接続し、前記
第２の総括絶縁膜絶縁膜上に設けられた少なくとも第２
のアルミ系金属膜からなるボンディング・パッド部と、 前記ボンディング・パッド部表面を覆い、該ボンディン
グ・パッド部に達する開口部を有する表面保護膜とを有
することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275341A JP2503921B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5275341A JP2503921B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130789A JPH07130789A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2503921B2 true JP2503921B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17554127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5275341A Expired - Lifetime JP2503921B2 (ja) | 1993-11-04 | 1993-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2503921B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100295240B1 (ko) | 1997-04-24 | 2001-11-30 | 마찌다 가쯔히꼬 | 반도체장치 |
| JP3327244B2 (ja) | 1999-03-12 | 2002-09-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP2007142164A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Toshiba Corp | 電界効果型半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035525A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
| JPH0230139A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH0316145A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-01-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-04 JP JP5275341A patent/JP2503921B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130789A (ja) | 1995-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3482779B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2596331B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2003031575A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3104534B2 (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JP3106493B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2503921B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2600593B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3327244B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2590738B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01130545A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2945010B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04196486A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3407516B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2897313B2 (ja) | 配線形成法 | |
| JP3498619B2 (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JP2850341B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62165342A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3045850B2 (ja) | Ａｌ−Ｓｉ系合金配線の製造方法 | |
| JPH05175196A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH11214513A (ja) | 集積回路の配線構造と配線形成法 | |
| JP3493863B2 (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| JPH05129447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01233739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0251273A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH08274169A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960206 |