JP2025502947A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2025502947A5 JP2025502947A5 JP2024539977A JP2024539977A JP2025502947A5 JP 2025502947 A5 JP2025502947 A5 JP 2025502947A5 JP 2024539977 A JP2024539977 A JP 2024539977A JP 2024539977 A JP2024539977 A JP 2024539977A JP 2025502947 A5 JP2025502947 A5 JP 2025502947A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- process according
- polycrystalline silicon
- slab
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR2200766A FR3132381B1 (fr) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | Procédé de fabrication d’une plaquette de p-SiC non déformable |
| FR2200766 | 2022-01-28 | ||
| PCT/FR2023/050109 WO2023144493A1 (fr) | 2022-01-28 | 2023-01-27 | Procédé de fabrication d'une plaquette de p-sic non déformable |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2025502947A JP2025502947A (ja) | 2025-01-30 |
| JP2025502947A5 true JP2025502947A5 (https=) | 2025-12-05 |
Family
ID=80999400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024539977A Pending JP2025502947A (ja) | 2022-01-28 | 2023-01-27 | 非変形可能p-SiCウェハの製造のためのプロセス |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20250125140A1 (https=) |
| EP (1) | EP4470030A1 (https=) |
| JP (1) | JP2025502947A (https=) |
| KR (1) | KR20240141304A (https=) |
| CN (1) | CN118575257A (https=) |
| FR (1) | FR3132381B1 (https=) |
| TW (1) | TW202340554A (https=) |
| WO (1) | WO2023144493A1 (https=) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3160052A1 (fr) | 2024-03-05 | 2025-09-12 | Soitec | Procede de preparation d’un substrat support en materiau polycristallin et procede de fabrication d’une structure composite incluant ledit substrat support |
| FR3160053A1 (fr) | 2024-03-05 | 2025-09-12 | Soitec | Procede de preparation d’un substrat support en materiau polycristallin et procede de fabrication d’une structure composite incluant ledit substrat support |
| FR3165753A1 (fr) * | 2024-08-21 | 2026-02-27 | Soitec | Procédé de fabrication d’une structure composite incluant une couche mince monocristalline transférée sur un substrat support |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014213403A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 基板の反りの低減方法、基板の製造方法、サファイア基板 |
| JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| JP7255473B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2023-04-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 |
-
2022
- 2022-01-28 FR FR2200766A patent/FR3132381B1/fr active Active
-
2023
- 2023-01-13 TW TW112101600A patent/TW202340554A/zh unknown
- 2023-01-27 WO PCT/FR2023/050109 patent/WO2023144493A1/fr not_active Ceased
- 2023-01-27 CN CN202380017903.8A patent/CN118575257A/zh active Pending
- 2023-01-27 KR KR1020247028821A patent/KR20240141304A/ko active Pending
- 2023-01-27 EP EP23706407.6A patent/EP4470030A1/fr active Pending
- 2023-01-27 US US18/834,122 patent/US20250125140A1/en active Pending
- 2023-01-27 JP JP2024539977A patent/JP2025502947A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2025502947A5 (https=) | ||
| JP2024533774A5 (https=) | ||
| TW202340554A (zh) | 用於製作不易變形p-sic晶圓的方法 | |
| TWI667364B (zh) | 包括SiC蒸鍍層的半導體製造用部件及其製造方法 | |
| TW202318662A (zh) | 應用多晶碳化矽中間層將單晶碳化矽層移轉到多晶碳化矽載體底材上之方法 | |
| JP2024535267A5 (https=) | ||
| CN103811293B (zh) | 晶圆背面金属化的方法 | |
| JP6317056B2 (ja) | アルミニウム膜被着方法 | |
| CN117912943A (zh) | 一种图形化金属层制备方法 | |
| CN109148263A (zh) | 沉积非晶硅的成膜方法 | |
| CN116761494A (zh) | 一种复合压电衬底及其制备方法 | |
| JP2024110836A (ja) | ウエハ支持体 | |
| JP5116945B2 (ja) | 音響共振器 | |
| TW202449208A (zh) | 用於半導體製造裝置的邊緣環及其製造方法 | |
| JP2024537777A5 (https=) | ||
| JPH02137323A (ja) | 低応力薄膜の形成方法 | |
| KR101267424B1 (ko) | 기판 표면처리 공정을 이용한 자립형 실리콘 필름의 제조방법 | |
| CN209906867U (zh) | 一种陶瓷薄膜电路 | |
| JP2012531732A (ja) | 金属結晶領域、特に集積回路における金属結晶領域を生成する方法 | |
| JP2025007558A (ja) | タングステン配線膜の成膜方法 | |
| CN120006249A (zh) | 基于铜基材生长的金刚石膜及其制备方法 | |
| CN106158732B (zh) | 金属互连层的金属化工艺 | |
| CN115051675A (zh) | 一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法 | |
| TW202517847A (zh) | SiC基板的製造方法、半導體裝置的製造方法、SiC基板、及半導體裝置 | |
| CN119351957A (zh) | 一种改善腔室内表面薄膜剥离的方法 |