JP2025029128A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2025029128A5 JP2025029128A5 JP2024211136A JP2024211136A JP2025029128A5 JP 2025029128 A5 JP2025029128 A5 JP 2025029128A5 JP 2024211136 A JP2024211136 A JP 2024211136A JP 2024211136 A JP2024211136 A JP 2024211136A JP 2025029128 A5 JP2025029128 A5 JP 2025029128A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- plasma processing
- silicon
- film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019203326 | 2019-11-08 | ||
| JP2019203326 | 2019-11-08 | ||
| JP2020148214A JP7599872B2 (ja) | 2019-11-08 | 2020-09-03 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020148214A Division JP7599872B2 (ja) | 2019-11-08 | 2020-09-03 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2025029128A JP2025029128A (ja) | 2025-03-05 |
| JP2025029128A5 true JP2025029128A5 (enExample) | 2025-09-05 |
| JP7793741B2 JP7793741B2 (ja) | 2026-01-05 |
Family
ID=75849834
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020148214A Active JP7599872B2 (ja) | 2019-11-08 | 2020-09-03 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2024211136A Active JP7793741B2 (ja) | 2019-11-08 | 2024-12-04 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020148214A Active JP7599872B2 (ja) | 2019-11-08 | 2020-09-03 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US12387941B2 (enExample) |
| JP (2) | JP7599872B2 (enExample) |
| KR (2) | KR102893533B1 (enExample) |
| TW (2) | TWI887291B (enExample) |
| WO (1) | WO2021090516A1 (enExample) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7412257B2 (ja) * | 2019-12-20 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
| JP7763251B2 (ja) * | 2021-07-27 | 2025-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、半導体装置の製造方法、エッチングプログラムおよびプラズマ処理装置 |
| JP7667060B2 (ja) * | 2021-10-22 | 2025-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム |
| JP7674223B2 (ja) | 2021-11-01 | 2025-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム |
| JP2023082809A (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US11694876B2 (en) * | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
| JPWO2023233673A1 (enExample) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | ||
| TW202425121A (zh) * | 2022-08-25 | 2024-06-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法及電漿處理裝置 |
| JP2025529122A (ja) * | 2022-08-31 | 2025-09-04 | ラム リサーチ コーポレーション | 窒化物熱原子層エッチング |
| JP2025530844A (ja) * | 2022-09-13 | 2025-09-17 | ラム リサーチ コーポレーション | スタック内にフィーチャをエッチングするための方法 |
| JP7773971B2 (ja) * | 2022-12-27 | 2025-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| KR20250150572A (ko) * | 2023-02-13 | 2025-10-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| KR20240128194A (ko) * | 2023-02-17 | 2024-08-26 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
| WO2025150427A1 (ja) * | 2024-01-09 | 2025-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理システム |
| WO2025204638A1 (ja) * | 2024-03-25 | 2025-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、電源システム、及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107780A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-19 | Hitachi Ltd | Etching method |
| US4450042A (en) * | 1982-07-06 | 1984-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon |
| JP2650970B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング方法 |
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
| JPH07147273A (ja) | 1993-11-24 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Ltd | エッチング処理方法 |
| JPH08181116A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
| TW473857B (en) | 1996-04-26 | 2002-01-21 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing semiconductor device |
| US6635185B2 (en) | 1997-12-31 | 2003-10-21 | Alliedsignal Inc. | Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds |
| JP4153606B2 (ja) * | 1998-10-22 | 2008-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
| JP2001035832A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Canon Inc | ドライエッチング方法 |
| US7338907B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-03-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Selective etching processes of silicon nitride and indium oxide thin films for FeRAM device applications |
| JP5041696B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US7951683B1 (en) | 2007-04-06 | 2011-05-31 | Novellus Systems, Inc | In-situ process layer using silicon-rich-oxide for etch selectivity in high AR gapfill |
| JP5235596B2 (ja) | 2008-10-15 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Siエッチング方法 |
| US7993937B2 (en) | 2009-09-23 | 2011-08-09 | Tokyo Electron Limited | DC and RF hybrid processing system |
| US8193094B2 (en) | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
| US8608973B1 (en) | 2012-06-01 | 2013-12-17 | Lam Research Corporation | Layer-layer etch of non volatile materials using plasma |
| JP2014049466A (ja) | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Tokyo Electron Ltd | エッチング処理方法及び基板処理装置 |
| JP6154820B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US20140248718A1 (en) | 2013-03-04 | 2014-09-04 | Jisoo Kim | Patterning of magnetic tunnel junction (mtj) film stacks |
| JP6230930B2 (ja) | 2014-02-17 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI658509B (zh) | 2014-06-18 | 2019-05-01 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | 用於tsv/mems/功率元件蝕刻的化學物質 |
| JP6327970B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜をエッチングする方法 |
| JP6199250B2 (ja) | 2014-07-25 | 2017-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
| JP6400425B2 (ja) | 2014-10-15 | 2018-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
| JP6334369B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2018-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US9997373B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch |
| US10246772B2 (en) | 2015-04-01 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices |
| JP6498022B2 (ja) | 2015-04-22 | 2019-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
| JP6327295B2 (ja) | 2015-08-12 | 2018-05-23 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US9543148B1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Mask shrink layer for high aspect ratio dielectric etch |
| US10861693B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method |
| JP6479698B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2019-03-06 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2017176027A1 (ko) | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 주식회사 테스 | 실리콘산화막의 선택적 식각 방법 |
| JP6568822B2 (ja) | 2016-05-16 | 2019-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9960049B2 (en) | 2016-05-23 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Two-step fluorine radical etch of hafnium oxide |
| US10790140B2 (en) * | 2017-02-14 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate and high quality nitride |
| JP7045152B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2022-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US10410878B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-09-10 | American Air Liquide, Inc. | Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications |
| US10453684B1 (en) * | 2018-05-09 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method for patterning a material layer with desired dimensions |
-
2020
- 2020-02-14 WO PCT/JP2020/005847 patent/WO2021090516A1/ja not_active Ceased
- 2020-09-03 JP JP2020148214A patent/JP7599872B2/ja active Active
- 2020-11-03 KR KR1020200145268A patent/KR102893533B1/ko active Active
- 2020-11-04 TW TW109138386A patent/TWI887291B/zh active
- 2020-11-04 TW TW114119470A patent/TW202536933A/zh unknown
-
2022
- 2022-06-29 US US17/852,395 patent/US12387941B2/en active Active
-
2024
- 2024-12-04 JP JP2024211136A patent/JP7793741B2/ja active Active
-
2025
- 2025-07-17 US US19/271,820 patent/US20250349552A1/en active Pending
- 2025-11-26 KR KR1020250182004A patent/KR20250171242A/ko active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2025029128A5 (enExample) | ||
| JP6956288B2 (ja) | 基板処理方法、プラズマ処理装置、及びエッチングガス組成物 | |
| KR102459129B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| TW202125583A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
| JP2024178200A (ja) | アルミニウム含有膜除去のためのシステム及び方法 | |
| JP2023063526A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN116206968A (zh) | 蚀刻方法及等离子体处理装置 | |
| US12198938B2 (en) | Etching method | |
| JP7343461B2 (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN115885369A (zh) | 蚀刻方法以及蚀刻装置 | |
| US12341020B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| US20230377850A1 (en) | Etching method and plasma processing system | |
| KR20220150845A (ko) | 기판 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US12412749B2 (en) | Etching method and plasma processing system | |
| CN112786441B (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
| TW202437381A (zh) | 蝕刻方法及電漿處理裝置 | |
| JP2024068109A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2024088589A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| WO2024171666A1 (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理装置 | |
| CN118231243A (zh) | 蚀刻方法及等离子体处理装置 | |
| JP2024114273A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JP2023171269A (ja) | エッチング方法及びプラズマ処理システム | |
| CN120883336A (zh) | 蚀刻方法和等离子体处理装置 | |
| CN119698689A (zh) | 蚀刻方法及等离子体处理装置 | |
| CN112786441A (zh) | 蚀刻方法及等离子体处理装置 |