JP2024034319A - フィルム、及び、積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー加工適性に優れるフィルム、及び、上記フィルムを用いた積層体の提供。【解決手段】層Ａと、上記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂとを有し、誘電正接が、０．０１以下であり、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上であるフィルム、及び、上記フィルムを用いた積層体。【選択図】なし

Description

本開示は、フィルム、及び、積層体に関する。

近年、通信機器に使用される周波数は非常に高くなる傾向にある。高周波帯域における伝送損失を抑えるため、回路基板に用いられる絶縁材料の比誘電率と誘電正接とを低くすることが要求されている。
従来、回路基板に用いられる絶縁材料として、ポリイミドが多く用いられてきたが、高耐熱性及び低吸水性であり、かつ、高周波帯域での損失が小さい液晶ポリマーが注目されている。また、近年通信機器の高性能化により、多層化や、紫外線（ＵＶ）レーザーによりブラインドビア、スルーホールビア加工の径を小さくすることが行われている。よって、回路基板に追随、および接着するための層には、優れた低誘電特性、及び優れたＵＶレーザー加工性が一層求められている。

従来の回路基板に追随及び接着するための樹脂組成物としては、例えば、特許文献１には、スチレン系ポリマーと、無機粒子と、硬化剤と、を含む樹脂組成物であって、上記スチレン系ポリマーが、カルボキシル基を有する酸変性スチレン系ポリマーであり、上記無機粒子は、シリカ及び／ 又は水酸化アルミニウムであり、上記無機粒子の粒径は、１μｍ以下であり、上記無機粒子の含有量は、前記スチレン系ポリマー１００質量部に対して２０～８０質量部であり、上記樹脂組成物は、２５μｍの厚さを有するフィルムの形態において、下記式（Ａ）及び（Ｂ）を満たす、樹脂組成物が記載されている。
Ｘ≦５０…（Ａ）
Ｙ≧４０…（Ｂ）
（式中、Ｘは、波長３５５ｎｍの光の吸収率（単位：％）を表し、Ｙは、ヘイズ値（単位：％）を表す。）

また、特許文献２には、バインダー樹脂と硬化剤とを含む熱硬化性接着シートであって、上記熱硬化性接着シートを１８０℃で１時間加熱した硬化物が、（ｉ）～（ｉｖ）を満たすことを特徴とする熱硬化性接着シートが記載されている。
（ｉ）硬化物の厚みが２５μｍであるとき、波長３５５ｎｍのエネルギー線透過率が０～４０％である。
（ｉｉ）比誘電率が、周波数１０ＧＨｚ、２３℃において１．５～３．０である。
（ｉｉｉ）誘電正接が、周波数１０ＧＨｚ、２３℃において０．０００１～０．０１である。
（ｉｖ）０℃～ガラス転移温度における線膨張係数α１が１００～５００ｐｐｍ／℃である。

特開２０１９－１９９６１２号公報 特開２０２２－１７９４７号公報

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、レーザー加工適性に優れるフィルムを提供することである。
また、本発明の他の実施形態が解決しようとする課題は、上記フィルムを用いた積層体を提供することである。

上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞ 層Ａと、上記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂとを有し、誘電正接が、０．０１以下であり、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上であるフィルム。
＜２＞ 上記層Ｂが、粒子を含み、上記粒子の平均径が、３５５ｎｍより小さい＜１＞に記載のフィルム。
＜３＞ 上記粒子が、無機粒子を含む＜２＞に記載のフィルム。
＜４＞ 上記粒子が、シリカ粒子を含む＜２＞に記載のフィルム。
＜５＞ 上記層Ｂが、空隙を含み、上記空隙の平均径が、３５５ｎｍより小さい＜１＞に記載のフィルム。
＜６＞ 上記層Ｂの１６０℃における弾性率に対する上記層Ａの１６０℃における弾性率との比が、１．２以上である＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜７＞ 上記層Ｂの１６０℃における弾性率が、１０ＭＰａ以下である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜８＞ 上記層Ａの誘電正接が、０．０１以下である＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜９＞ 上記層Ａが、液晶ポリマーを含む＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１０＞ 上記層Ａが、芳香族ポリエステルアミドを含む＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１１＞ 上記層Ｂの誘電正接が、０．０１以下である＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１２＞ 上記層Ｂが、液晶ポリマーを含む＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１３＞ 上記層Ｂが、芳香族ポリエステルアミドを含む＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１４＞ 上記層Ｂが、芳香族炭化水素基を有する単量体に基づく構成単位を含む熱可塑性樹脂を含む＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載のフィルム。
＜１５＞ ＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載のフィルムと、上記フィルムの少なくとも一方の面に配置された金属層又は金属配線と、を有する積層体。
＜１６＞ 層Ａと、層Ｂと、金属層又は金属配線とをこの順で有し、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上である積層体。

本発明の実施形態によれば、レーザー加工適性に優れるフィルムを提供することができる。
また、本発明の他の実施形態によれば、上記フィルムを用いた積層体を提供することができる。

以下において、本開示の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本開示の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本開示はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、数値範囲を示す「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
また、本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書において、「（メタ）アクリル」は、アクリル及びメタクリルの両方を包含する概念で用いられる語であり、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイル及びメタクリロイルの両方を包含する概念として用いられる語である。
また、本明細書中の「工程」の用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても、その工程の所期の目的が達成されれば本用語に含まれる。 また、本開示において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
更に、本開示において、２以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
また、本開示における重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、特に断りのない限り、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ（東ソー（株）製の商品名）のカラムを使用したゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）分析装置により、溶剤ＰＦＰ（ペンタフルオロフェノール）／クロロホルム＝１／２（質量比）、示差屈折計により検出し、標準物質としてポリスチレンを用いて換算した分子量である。
以下、本開示を詳細に説明する。

（フィルム）
本開示に係るフィルムは、層Ａと、上記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂとを有し、誘電正接が、０．０１以下であり、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上である。
また、本開示に係るフィルムは、レーザー加工用フィルムであることが好ましく、波長１８０ｎｍ～５５０ｎｍのレーザー加工用フィルムであることがより好ましく、波長３５５ｎｍのレーザー加工用フィルムであることが特に好ましい。
なお、上記拡散反射率における波長３５５ｎｍは、代表値であり、本開示に係るフィルムの層Ｂは、波長１８０ｎｍ～５５０ｎｍにおいてもある程度の拡散反射率を有している場合が多い。

従来の複数の層を有するフィルムでは、レーザー加工適性に問題があることを本発明者らは見出した。なお、本開示における「レーザー加工適性」とは、レーザーによる切削加工、特にスルーホール加工を行った場合におけるレーザーによる過剰な切削を少なくできる特性であり、上記特性に優れると、レーザー加工における切削部分の所望の形状への加工性に優れるといえる。
本開示に係るフィルムは、層Ａと、上記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂとを有し、誘電正接が、０．０１以下であり、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上であることにより、層Ｂがレーザー（特に波長３５５ｎｍのレーザー）を拡散することにより、特に層Ｂのレーザーによる過切削を抑制することができることから、レーザー加工適性に優れるフィルムを提供することができる。

＜３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率＞
本開示に係るフィルムにおいて、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上であり、レーザー加工適性の観点から、４０％～９０％であることが好ましく、４５％～７５％であることがより好ましい。
上記拡散反射率は、後述する粒子を含むこと、及び、その粒径等を調整することにより調整することができる。
本開示における拡散反射率は、層の厚み方向において、特定の波長の光を入射した場合における拡散比率を示す値である。

拡散反射率の測定方法は、以下に示す通りである。
（株）島津製作所製の分光光度計ＵＶ３１００ＰＣに、積分球反射付属装置を取り付けたものを用いる。基準板としては、硫酸バリウム粉末を押し固めたものを用い、２５℃にて測定を行い、波長３５５ｎｍにおける層Ａ及び層Ｂの厚み方向の拡散反射率を測定する。

＜誘電正接＞
本開示に係るフィルムの２８ＧＨｚにおける誘電正接は、０．０１以下であり、誘電率、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、０．００８以下であることが好ましく、０．００５以下であることがより好ましく、０．００４以下であることが更に好ましく、０を超え０．００３以下であることが特に好ましい。

本開示における誘電正接は、以下の方法により測定するものとする。
誘電正接の測定は、周波数２８ＧＨｚで共振摂動法により実施する。ネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｅ８３６３Ｂ」）に２８ＧＨｚの空洞共振器（（株）関東電子応用開発製 ＣＰ５３１）を接続し、空洞共振器に試験片を挿入し、温度２５℃、湿度６０％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化からフィルムの誘電正接を測定する。
各層を測定する場合は、カミソリ等で不要な層を削り出し、目的の層だけの評価用サンプルを作製してもよい。また、層の厚みが薄い等の理由で、単膜の取り出しが困難な場合には、カミソリ等で測定する層を削り取り、得られた粉末状の試料を用いてもよい。本開示におけるポリマーの誘電正接の測定は、各層を構成するポリマーの化学構造を特定するか又は単離し、測定するポリマーを粉末としたサンプルを用いて、上記の誘電正接の測定方法に従って行うものとする。

＜層Ａ及び層Ｂの１６０℃における弾性率＞
本開示に係るフィルムにおける層Ａの１６０℃における弾性率は、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、１００ＭＰａ～２，５００ＭＰａであることが好ましく、２００ＭＰａ～２，５００ＭＰａであることがより好ましく、３００ＭＰａ～１，５００ＭＰａであることが更に好ましく、５００ＭＰａ～２，５００ＭＰａであることが特に好ましい。
本開示に係るフィルムにおける層Ｂの１６０℃における弾性率は、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、１００ＭＰａ以下であることが好ましく、１０ＭＰａ以下であることがより好ましく、０．００１ＭＰａ～１０ＭＰａであることが更に好ましく、０．５ＭＰａ～５ＭＰａであることが特に好ましい。

本開示に係るフィルムにおける層Ａの１６０℃における弾性率ＭＤ^Ａと層Ｂの１６０℃における弾性率ＭＤ^Ｂとの比（ＭＤ^Ａ／ＭＤ^Ｂ）は、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、１．２以上であることが好ましく、１０～１，０００であることがより好ましく、１００～７００であることが更に好ましく、２００～４００であることが特に好ましい。

本開示における弾性率は、以下の方法により測定するものとする。
まず、フィルム又は積層体をミクロトーム等で断面切削し、光学顕微鏡で観察した画像から、層Ａ又は層Ｂを特定する。次に、特定した層Ａ又は層Ｂにおける弾性率を、ナノインデンテーション法を用いて、押し込み弾性率として測定した。押し込み弾性率は、微小硬度計（製品名「ＤＵＨ－Ｗ２０１」、（株）島津製作所製）を用い、１６０℃において、ビッカース圧子により０．２８ｍＮ／秒の荷重速度で負荷をかけ、最大荷重１０ｍＮを１０秒間保持した後に、０．２８ｍＮ／秒の荷重速度で除荷を行うことにより、測定する。
上記層Ａ及び層Ｂ以外の層についても、同様に測定する。また、各層を測定する場合は、カミソリ等で不要な層を削り出し、目的の層だけの評価用サンプルを作製してもよい。また、層の厚みが薄い等の理由で、単膜の取り出しが困難な場合には、カミソリ等で測定する層を削り取り、得られた粉末状の試料を用いてもよい。

＜層Ａ＞
本開示に係るフィルムは、層Ａを有する。
更に、フィルムにおける層構成、及び、各層の厚み等の検出又は判定方法としては、以下の方法が挙げられる。
まず、ミクロトームによりフィルムの断面サンプルを切り出し、光学顕微鏡により層構成、及び、各層の厚みを判定する。光学顕微鏡での判定が困難な場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による形態観察、又は、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）等による成分分析を行って判定してもよい。

層Ａの誘電正接は、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、０．０１以下が好ましく、０．００５以下がより好ましく、０．００４以下であることが更に好ましく、０．００３以下であることが特に好ましい。下限値は特に設定されないが、例えば、０超が挙げられる。

層Ａは、フィルムの誘電正接、及び、レーザー加工適性の観点から、誘電正接が０．０１以下であるポリマーを含むことが好ましい。
また、層Ａは、フィルムの誘電正接、及び、レーザー加工適性の観点から、芳香環を有するポリマーを含むことが好ましく、芳香環を有し、かつ誘電正接が０．０１以下であるポリマーを含むことがより好ましい。
更に、層Ａは、フィルムの誘電正接、及び、レーザー加工適性の観点から、ポリマー、及び、ポリマー粒子を含むことが好ましく、誘電正接が０．０１以下であるポリマー、及び、誘電正接が０．０１以下であるポリマーの粒子を含むことがより好ましい。

〔誘電正接が０．０１以下であるポリマー〕
本開示に係るフィルムの層Ａに含まれるポリマーの誘電正接は、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、０．０１以下が好ましく、０．００５以下がより好ましく、０．００４以下であることが更に好ましく、０．００３以下であることが特に好ましい。下限値は特に設定されないが、例えば、０超が挙げられる。

誘電正接が０．０１以下であるポリマーの融点Ｔｍ又は５質量％減量温度Ｔｄは、フィルムの誘電正接、金属（例えば、金属層、金属配線等）との密着性、及び、耐熱性の観点から、２００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましく、２８０℃以上であることが更に好ましく、３００℃以上であることが特に好ましい。なお、上限値について、特に制限はないが、例えば、５００℃以下が好ましく、４２０℃以下がより好ましい。
本開示における融点Ｔｍは、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）装置を用いて測定するものとする。ＤＳＣの測定パンにサンプルを５ｍｇ入れ、これを窒素気流中で１０℃／分で３０℃から昇温した際に現れた吸熱ピークのピーク温度をフィルムのＴｍとした。
また、本開示における５質量％減量温度Ｔｄは、熱質量分析（ＴＧＡ）装置を用いて測定するものとする。すなわち、測定パンに入れたサンプルの質量を初期値とし、昇温によって上記初期値に対して質量が５質量％低下したときの温度を５質量％減量温度Ｔｄとする。

誘電正接が０．０１以下であるポリマーのガラス転移温度Ｔｇは、フィルムの誘電正接、金属との密着性、及び、耐熱性の観点から、１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることが特に好ましい。なお、上限値について、特に制限はないが、例えば、３５０℃未満が好ましく、２８０℃未満、より好ましくは２８０℃以下である。
本開示におけるガラス転移温度Ｔｇは、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）装置を用いて測定するものとする。

誘電正接が０．０１以下であるポリマーの重量平均分子量Ｍｗは、１，０００以上であることが好ましく、２，０００以上であることがより好ましく、５，０００以上であることが特に好ましい。また、誘電正接が０．０１以下であるポリマーの重量平均分子量Ｍｗは、５０，０００以下であることが好ましく、２０，０００以下であることがより好ましく、１３，０００未満であることが特に好ましい。

本開示において、誘電正接が０．０１以下であるポリマーの種類は特に限定されず、公知のポリマーを用いることができる。
誘電正接が０．０１以下であるポリマーとしては、液晶ポリマー、フッ素系ポリマー、環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物、ポリエーテルエーテルケトン、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、芳香族ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂；グリシジルメタクリレートとポリエチレンとの共重合体等のエラストマー；フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
これらの中でも、フィルムの誘電正接、金属との密着性、及び、耐熱性の観点から、液晶ポリマー、フッ素系ポリマー、環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物、ポリフェニレンエーテル及び芳香族ポリエーテルケトンよりなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーであることが好ましく、液晶ポリマー及びフッ素系ポリマーよりなる群から選ばれる少なくとも１種のポリマーであることがより好ましい。
フィルムの密着性、及び、力学強度の観点からは、液晶ポリマーであることが好ましく、耐熱性、及び、誘電正接の観点からは、フッ素系ポリマーが好ましい。

－液晶ポリマー－
本開示に係るフィルムにおける層Ａは、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、液晶ポリマーを含むことが好ましい。
本開示において、液晶ポリマーは、その種類は特に限定されず、公知の液晶ポリマーを用いることができる。
また、液晶ポリマーは、溶融状態で液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマーであってもよく、溶液状態で液晶性を示すリオトロピック液晶ポリマーであってもよい。また、液晶ポリマーがサーモトロピック液晶ポリマーである場合には、４５０℃以下の温度で溶融する液晶ポリマーであることが好ましい。
液晶ポリマーとしては、例えば、液晶ポリエステル、液晶ポリエステルにアミド結合が導入された液晶ポリエステルアミド、液晶ポリエステルにエーテル結合が導入された液晶ポリエステルエーテル、液晶ポリエステルにカーボネート結合が導入された液晶ポリエステルカーボネートなどを挙げることができる。
また、液晶ポリマーは、フィルムの誘電正接、液晶性、及び、熱膨張係数の観点から、芳香環を有するポリマーであることが好ましく、芳香族ポリエステル又は芳香族ポリエステルアミドであることがより好ましく、芳香族ポリエステルアミドであることが特に好ましい。
更に、液晶ポリマーは、芳香族ポリエステル又は芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
また、液晶ポリマーは、原料モノマーとして芳香族化合物のみを用いてなる全芳香族液晶ポリマーであることが好ましい。

液晶ポリマーの例としては、例えば、以下の液晶ポリマーが挙げられる。
１）（ｉ）芳香族ヒドロキシカルボン酸と、（ｉｉ）芳香族ジカルボン酸と、（ｉｉｉ）芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と、を重縮合させてなるもの。
２）複数種の芳香族ヒドロキシカルボン酸を重縮合させてなるもの。
３）（ｉ）芳香族ジカルボン酸と、（ｉｉ）芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンよりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物と、を重縮合させてなるもの。
４）（ｉ）ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルと、（ｉｉ）芳香族ヒドロキシカルボン酸と、を重縮合させてなるもの。
ここで、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンはそれぞれ独立に、重縮合可能な誘導体に置き換えてもよい。

例えば、カルボキシ基をアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基に変換することにより、芳香族ヒドロキシカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸を、芳香族ヒドロキシカルボン酸エステル及び芳香族ジカルボン酸エステルに置き換えることができる。
カルボキシ基をハロホルミル基に変換することにより、芳香族ヒドロキシカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸を、芳香族ヒドロキシカルボン酸ハロゲン化物及び芳香族ジカルボン酸ハロゲン化物に置き換えることができる。
カルボキシ基をアシルオキシカルボニル基に変換することにより、芳香族ヒドロキシカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸を、芳香族ヒドロキシカルボン酸無水物及び芳香族ジカルボン酸無水物に置き換えることができる。
芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシアミンのようなヒドロキシ基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、ヒドロキシ基をアシル化してアシルオキシ基に変換してなるもの（アシル化物）が挙げられる。
例えば、ヒドロキシ基をアシル化してアシルオキシ基に変換することにより、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール、及び芳香族ヒドロキシアミンをそれぞれ、アシル化物に置き換えることができる。
芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンのようなアミノ基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、アミノ基をアシル化してアシルアミノ基に変換してなるもの（アシル化物）が挙げられる。
例えば、アミノ基をアシル化してアシルアミノ基に変換することにより、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンをそれぞれ、アシル化物に置き換えることができる。

液晶ポリマーは、液晶性、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、下記式（１）～式（３）のいずれかで表される構成単位（以下、式（１）で表される構成単位等を、構成単位（１）等ということがある。）を有することが好ましく、下記式（１）で表される構成単位を有することがより好ましく、下記式（１）で表される構成単位と、下記式（２）で表される構成単位と、下記式（３）で表される構成単位とを有することが特に好ましい。
式（１） －Ｏ－Ａｒ^１－ＣＯ－
式（２） －ＣＯ－Ａｒ^２－ＣＯ－
式（３） －Ｘ－Ａｒ^３－Ｙ－
式（１）～式（３）中、Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表し、Ａｒ^２及びＡｒ^３はそれぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表し、Ｘ及びＹはそれぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基を表し、Ａｒ^１～Ａｒ^３における水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。
式（４） －Ａｒ^４－Ｚ－Ａｒ^５－
式（４）中、Ａｒ^４及びＡｒ^５はそれぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表し、Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキレン基を表す。

上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
上記アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、ｎ－オクチル基及びｎ－デシル基が挙げられる。上記アルキル基の炭素数は、好ましくは１～１０である。
上記アリール基としては、フェニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、１－ナフチル基及び２－ナフチル基が挙げられる。上記アリール基の炭素数は、好ましくは６～２０である。
上記水素原子がこれらの基で置換されている場合、その置換数は、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３において、それぞれ独立に、好ましくは２個以下であり、より好ましくは１個である。

上記アルキレン基としては、メチレン基、１，１－エタンジイル基、１－メチル－１，１－エタンジイル基、１，１－ブタンジイル基及び２－エチル－１，１－ヘキサンジイル基が挙げられる。上記アルキレン基の炭素数は、好ましくは１～１０である。

構成単位（１）は、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する構成単位である。
構成単位（１）としては、Ａｒ^１がｐ－フェニレン基である態様（ｐ－ヒドロキシ安香酸に由来する構成単位）、及びＡｒ^１が２，６－ナフチレン基である態様（６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸に由来する構成単位）、又は、４，４’－ビフェニリレン基である態様（４’－ヒドロキシ－４－ビフェニルカルボン酸に由来する構成単位）が好ましい。

構成単位（２）は、芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位である。
構成単位（２）としては、Ａｒ^２がｐ－フェニレン基である態様（テレフタル酸に由来する構成単位）、Ａｒ^２がｍ－フェニレン基である態様（イソフタル酸に由来する構成単位）、Ａｒ^２が２，６－ナフチレン基である態様（２，６－ナフタレンジカルボン酸に由来する構成単位）、又は、Ａｒ^２がジフェニルエーテル－４，４’－ジイル基である態様（ジフェニルエーテル－４，４’－ジカルボン酸に由来する構成単位）が好ましい。

構成単位（３）は、芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシルアミン又は芳香族ジアミンに由来する構成単位である。
構成単位（３）としては、Ａｒ^３がｐ－フェニレン基である態様（ヒドロキノン、ｐ－アミノフェノール又はｐ－フェニレンジアミンに由来する構成単位）、Ａｒ^３がｍ－フェニレン基である態様（イソフタル酸に由来する構成単位）、又は、Ａｒ^３が４，４’－ビフェニリレン基である態様（４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４－アミノ－４’－ヒドロキシビフェニル又は４，４’－ジアミノビフェニルに由来する構成単位）が好ましい。

構成単位（１）の含有量は、全構成単位の合計量（液晶ポリマーを構成する各構成単位（「モノマー単位」ともいう。）の質量をその各構成単位の式量で割ることにより、各構成単位の物質量相当量（モル）を求め、それらを合計した値）に対して、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは３０モル％～８０モル％、更に好ましくは３０モル％～６０モル％、特に好ましくは３０モル％～４０モル％である。
構成単位（２）の含有量は、全構成単位の合計量に対して、好ましくは３５モル％以下、より好ましくは１０モル％～３５モル％、更に好ましくは２０モル％～３５モル％、特に好ましくは３０モル％～３５モル％である。
構成単位（３）の含有量は、全構成単位の合計量に対して、好ましくは３５モル％以下、より好ましくは１０モル％～３５モル％、更に好ましくは２０モル％～３５モル％、特に好ましくは３０モル％～３５モル％である。
構成単位（１）の含有量が多いほど、耐熱性、強度及び剛性が向上し易いが、あまり多いと、溶媒に対する溶解性が低くなり易い。

構成単位（２）の含有量と構成単位（３）の含有量との割合は、［構成単位（２）の含有量］／［構成単位（３）の含有量］（モル／モル）で表して、好ましくは０．９／１～１／０．９、より好ましくは０．９５／１～１／０．９５、更に好ましくは０．９８／１～１／０．９８である。

なお、液晶ポリマーは、構成単位（１）～（３）をそれぞれ独立に、２種以上有してもよい。また、液晶ポリマーは、構成単位（１）～（３）以外の構成単位を有してもよいが、その含有量は、全構成単位の合計量に対して、好ましくは１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。

液晶ポリマーは、溶媒に対する溶解性の観点から、構成単位（３）として、Ｘ及びＹの少なくとも一方がイミノ基である構成単位（３）を有すること、すなわち、構成単位（３）として、芳香族ヒドロキシルアミンに由来する構成単位及び芳香族ジアミンに由来する構成単位の少なくとも一方を有することが好ましく、Ｘ及びＹの少なくとも一方がイミノ基である構成単位（３）のみを有することがより好ましい。

液晶ポリマーは、液晶ポリマーを構成する構成単位に対応する原料モノマーを溶融重合させることにより製造することが好ましい。溶融重合は、触媒の存在下に行ってもよい。触媒の例としては、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属化合物、４－（ジメチルアミノ）ピリジン、１－メチルイミダゾール等の含窒素複素環式化合物などが挙げられ、含窒素複素環式化合物が好ましく挙げられる。なお、溶融重合は、必要に応じて、更に固相重合させてもよい。

液晶ポリマーの流動開始温度の下限値としては、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは２００℃以上、更に好ましくは２５０℃以上であり、流動開始温度の上限値としては、３５０℃が好ましく、３３０℃がより好ましく、３１０℃が更に好ましい。液晶ポリマーの流動開始温度が上記範囲であると、溶解性、耐熱性、強度及び剛性に優れ、また、溶液の粘度が適度である。

流動開始温度は、フロー温度又は流動温度とも呼ばれ、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ^２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリマーを溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４，８００Ｐａ・ｓ（４８，０００ポイズ）の粘度を示す温度であり、液晶ポリマーの分子量の目安となるものである（小出直之編、「液晶ポリマー－合成・成形・応用－」、株式会社シーエムシー、１９８７年６月５日、ｐ．９５参照）。

また、液晶ポリマーの重量平均分子量は、１，０００，０００以下であることが好ましく、３，０００～３００，０００であることがより好ましく、５，０００～１００，０００であることが更に好ましく、５，０００～３０，０００であることが特に好ましい。この液晶ポリマーの重量平均分子量が上記範囲であると、熱処理後のフィルムにおいて、厚さ方向の熱伝導性、耐熱性、強度及び剛性に優れる。

－フッ素系ポリマー－
誘電正接が０．０１以下であるポリマーは、耐熱性、及び、力学的強度の観点から、フッ素系ポリマーであることが好ましい。
本開示において、誘電正接が０．０１以下であるポリマーとして用いるフッ素系ポリマーは、誘電正接が０．０１以下であれば、フッ素系ポリマーの種類は特に限定されず、公知のフッ素系ポリマーを用いることができる。
フッ素系ポリマーとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂、四フッ化エチレン／六フッ化プロピレン共重合体、エチレン／四フッ化エチレン共重合体、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体等が挙げられる。
中でも、ポリテトラフルオロエチレンが好ましく挙げられる。

また、フッ素系ポリマーは、フッ素化α－オレフィンモノマー、すなわち、少なくとも１つのフッ素原子を含むα－オレフィンモノマー、及び、必要に応じ、フッ素化α－オレフィンモノマーに対して反応性の非フッ素化エチレン性不飽和モノマーから誘導される構成単位を含むホモポリマー及びコポリマーが挙げられる。
フッ素化α－オレフィンモノマーとしては、ＣＦ_２＝ＣＦ_２、ＣＨＦ＝ＣＦ_２、ＣＨ_２＝ＣＦ_２、ＣＨＣｌ＝ＣＨＦ、ＣＣｌＦ＝ＣＦ_２、ＣＣｌ_２＝ＣＦ_２、ＣＣｌＦ＝ＣＣｌＦ、ＣＨＦ＝ＣＣｌ_２、ＣＨ_２＝ＣＣｌＦ、ＣＣｌ_２＝ＣＣｌＦ、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＨＦ、ＣＦ_３ＣＨ＝ＣＦ_２、ＣＦ_３ＣＨ＝ＣＨ_２、ＣＨＦ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２、パーフルオロ（炭素数２～８のアルキル）ビニルエーテル（例えば、パーフルオロメチルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、パーフルオロオクチルビニルエーテル）等が挙げられる。中でも、テトラフルオロエチレン（ＣＦ_２＝ＣＦ_２）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＣｌＦ＝ＣＦ_２）、（パーフルオロブチル）エチレン、フッ化ビニリデン（ＣＨ_２＝ＣＦ_２）、及び、ヘキサフルオロプロピレン（ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_３）よりなる群から選ばれた少なくとも１種のモノマーが好ましい。
非フッ素化モノエチレン性不飽和モノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブテン、エチレン性不飽和芳香族モノマー（例えば、スチレン及びα－メチルスチレン）等が挙げられる。
フッ素化α－オレフィンモノマーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、非フッ素化エチレン性不飽和モノマーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

フッ素系ポリマーとしては、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン－プロピレン）、ポリ（エチレン－テトラフルオロエチレン）（ＥＴＦＥ）、ポリ（エチレン－クロロトリフルオロエチレン）（ＥＣＴＦＥ）、ポリ（ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）、ポリ（テトラフルオロエチレン－エチレン－プロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン）（ＦＥＰ）、ポリ（テトラフルオロエチレン－プロピレン）（ＦＥＰＭ）、ポリ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロプロピレンビニルエーテル）、ポリ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル）（ＰＦＡ）（例えば、ポリ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロプロピルビニルエーテル））、ポリビニルフルオリド（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリ（フッ化ビニリデン－クロロトリフルオロエチレン）、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロスルホン酸、パーフルオロポリオキセタン等が挙げられる。
フッ素系ポリマーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

フッ素系ポリマーは、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥ、又は、ＰＴＦＥの少なくとも１つであることが好ましい。ＦＥＰは、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）社よりテフロン（登録商標）ＦＥＰ（ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＦＥＰ）の商品名、又は、ダイキン工業（株）よりネオフロンＦＥＰ（ＮＥＯＦＬＯＮ ＦＥＰ）の商品名で入手可能であり；ＰＦＡは、ダイキン工業（株）よりネオフロンＰＦＡ（ＮＥＯＦＬＯＮ ＰＦＡ）の商品名、デュポン（ＤｕＰｏｎｔ）社よりテフロン（登録商標）ＰＦＡ（ＴＥＦＬＯＮ（登録商標）ＰＦＡ）の商品名、又は、ソルベイ・ソレクシス（Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ）社よりハイフロンＰＦＡ（ＨＹＦＬＯＮ ＰＦＡ）の商品名で入手可能である。

フッ素系ポリマーは、ＰＴＦＥを含むことが好ましい。ＰＴＦＥは、ＰＴＦＥホモポリマー、一部が変性されたＰＴＦＥホモポリマー、又は、これらの一方若しくは両方を含む組合せを含むことができる。一部が変性されたＰＴＦＥホモポリマーは、ポリマーの全質量を基準として、テトラフルオロエチレン以外のコモノマーに由来する構成単位を１質量％未満含むことが好ましい。

フッ素系ポリマーは、架橋性基を有する架橋性フルオロポリマーであってもよい。架橋性フルオロポリマーは、従来公知の架橋方法によって架橋させることができる。代表的な架橋性フルオロポリマーの１つは、（メタ）アクリロキシ基を有するフルオロポリマーである。例えば、架橋性フルオロポリマーは式：
Ｈ_２Ｃ＝ＣＲ’ＣＯＯ－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｒ－（ＣＨ_２）_ｎ－ＯＯＣＲ’＝ＣＨ_２
で表すことができ、式中、Ｒは、フッ素化α－オレフィンモノマー又は非フッ素化モノエチレン性不飽和モノマーに由来する構成単位を２以上有するフッ素系オリゴマー鎖であり、Ｒ’はＨ又は－ＣＨ_３であり、ｎは１～４である。Ｒは、テトラフルオロエチレンに由来する構成単位を含むフッ素系オリゴマー鎖であってよい。

フッ素系ポリマー上の（メタ）アクリロキシ基を介してラジカル架橋反応を開始するために、（メタ）アクリロキシ基を有するフルオロポリマーをフリーラジカル源に曝露することによって、架橋フルオロポリマー網目構造を形成することができる。フリーラジカル源は、特に制限はないが、光ラジカル重合開始剤、又は、有機過酸化物が好適に挙げられる。適切な光ラジカル重合開始剤及び有機過酸化物は当技術分野においてよく知られている。架橋性フルオロポリマーは市販されており、例えば、デュポン社製バイトンＢが挙げられる。

－環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物－
誘電正接が０．０１以下であるポリマーは、環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物であってもよい。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物の例としては、例えば、ノルボルネン又は多環ノルボルネン系モノマーのような環状オレフィンからなるモノマーから形成される構成単位を有する熱可塑性の樹脂が挙げられ、熱可塑性環状オレフィン系樹脂とも呼ばれる。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物は、上記環状オレフィンの開環重合体や２種以上の環状オレフィンを用いた開環共重合体の水素添加物であってもよく、環状オレフィンと、鎖状オレフィン又はビニル基の如きエチレン性不飽和結合を有する芳香族化合物などとの付加重合体であってもよい。また、環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物には、極性基が導入されていてもよい。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

環状脂肪族炭化水素基の環構造としては、単環であっても、２以上の環が縮合した縮合環であっても、橋掛け環であってもよい。
環状脂肪族炭化水素基の環構造としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、イソボロン環、ノルボルナン環、ジシクロペンタン環等が挙げられる。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物は、単官能エチレン性不飽和化合物であっても、多官能エチレン性不飽和化合物であってもよい。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物における環状脂肪族炭化水素基の数は、１以上であればよく、２以上有していてもよい。
環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物は、少なくとも１種の環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物を重合してなる重合体であればよく、２種以上環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物であってもよいし、環状脂肪族炭化水素基を有しない他のエチレン性不飽和化合物との共重合体であってもよい。
また、環状脂肪族炭化水素基とエチレン性不飽和結合を有する基とを有する化合物の重合物は、シクロオレフィンポリマーであることが好ましい。

－ポリフェニレンエーテル－
層Ａは、ポリフェニレンエーテルを含むことが好ましい。
ポリフェニレンエーテルの重量平均分子量（Ｍｗ）は、製膜後に熱硬化する場合には、耐熱性、及び、膜形成性の観点から、５００～５，０００であることが好ましく、５００～３，０００であることが好ましい。また、熱硬化しない場合には、特に限定されないが、３，０００～１００，０００であることが好ましく、５，０００～５０，０００であることが好ましい。
ポリフェニレンエーテルとしては、分子末端のフェノール性水酸基の１分子当たりの平均個数（末端水酸基数）が、誘電正接、及び、耐熱性の観点から、１個～５個であることが好ましく、１．５個～３個であることがより好ましい。
ポリフェニレンエーテルの水酸基数又はフェノール性水酸基は、例えば、ポリフェニレンエーテルの製品の規格値からわかる。また、末端水酸基数又は末端フェノール性水酸基数としては、例えば、ポリフェニレンエーテル１モル中に存在する全てのポリフェニレンエーテルの１分子あたりの水酸基又はフェノール性水酸基の平均値を表した数値等が挙げられる。
ポリフェニレンエーテルは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

ポリフェニレンエーテルとしては、例えば、２，６－ジメチルフェノールと２官能フェノール及び３官能フェノールの少なくともいずれか一方とからなるポリフェニレンエーテル、又は、ポリ（２，６－ジメチル－１，４－フェニレンオキサイド）等のポリフェニレンエーテルとを主成分とするもの等が挙げられる。より具体的には、例えば、式（ＰＰＥ）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

式（ＰＰＥ）中、Ｘは、炭素数１～３のアルキレン基又は単結合を表し、ｍは、０～２０の整数を表し、ｎは、０～２０の整数を表し、ｍとｎとの合計は、１～３０の整数を表す。
上記Ｘにおける上記アルキレン基としては、例えば、ジメチルメチレン基等が挙げられる。

－芳香族ポリエーテルケトン－
誘電正接が０．０１以下であるポリマーは、芳香族ポリエーテルケトンであってもよい。
芳香族ポリエーテルケトンとしては、特に限定されず、公知の芳香族ポリエーテルケトンを用いることができる。
芳香族ポリエーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトンであることが好ましい。
ポリエーテルエーテルケトンは、芳香族ポリエーテルケトンの１種であり、エーテル結合、エーテル結合、カルボニル結合（ケトン）の順に結合が配置されたポリマーである。各結合間は、２価の芳香族基により連結されていることが好ましい。
芳香族ポリエーテルケトンは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えば、下記式（Ｐ１）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、下記式（Ｐ２）で表される化学構造を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、下記式（Ｐ３）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、下記式（Ｐ４）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、下記式（Ｐ５）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）が挙げられる。

式（Ｐ１）～（Ｐ５）の各々のｎは、機械的特性の観点から、１０以上が好ましく、２０以上がより好ましい。一方、芳香族ポリエーテルケトンを容易に製造できる点では、ｎは、５，０００以下が好ましく、１，０００以下がより好ましい。すなわち、ｎは、１０～５，０００が好ましく、２０～１，０００がより好ましい。

誘電正接が０．０１以下であるポリマーは、特定の有機溶媒に可溶性のポリマー（以下、「可溶性ポリマー」ともいう。）であることが好ましい。
具体的には、本開示における可溶性ポリマーは、２５℃において、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、γ－ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、エチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノエチルエーテルよりなる群から選ばれる少なくとも１種の溶媒１００ｇに、０．１ｇ以上溶解する液晶ポリマーである。

層Ａは、誘電正接が０．０１以下であるポリマーを１種のみ含んでいても、２種以上含んでいてもよい。
層Ａにおける誘電正接が０．０１以下であるポリマー、好ましくは液晶ポリマーの含有量は、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、層Ａの全質量に対し、１０質量％～１００質量％であることが好ましく、２０質量％～１００質量％であることがより好ましく、３０質量％～１００質量％であることが更に好ましく、４０質量％～１００質量％であることが特に好ましい。
フィルムにおける誘電正接が０．０１以下であるポリマー、好ましくは液晶ポリマーの含有量は、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、フィルムの全質量に対し、２０質量％～１００質量％であることが好ましく、３０質量％～１００質量％であることがより好ましく、４０質量％～１００質量％であることが更に好ましく、５０質量％～１００質量％であることが特に好ましい。
なお、上記誘電正接が０．０１以下であるポリマーの含有量には、後述する粒子状の誘電正接が０．０１以下であるポリマーも含めるものとする。

－粒子－
層Ａは、熱膨張係数、及び、金属との密着性の観点から、粒子を含んでいてもよい。
粒子としては、粒子状でも繊維状のものでもよく、無機粒子であっても、有機粒子であってもよいが、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、有機粒子であることが好ましい。
本開示に係るフィルムにおいて、上記粒子の数密度は、熱膨張係数、及び、金属との密着性の観点から、上記フィルムの表面より内部の方が大きいことが好ましい。
ここで、フィルムにおける表面とは、フィルムの外側の面（空気又は基板に接する面）を指し、最も表面から深さ方向に３μｍの範囲、または、最も表面からフィルム全体の厚みに対して１０％以下の範囲のうち、小さい方を「表面」とする。フィルムの内部とは、フィルムの表面以外の部分、即ち、フィルムの内側の面（空気又は基板に接しない面）を指し、限定的ではないが、フィルムの厚み方向の中心から±１．５μｍの範囲、または、フィルムの厚み方向の中心から総厚みの±５％の範囲、のうち、数値の小さい方を「内部」とする。

有機粒子としては、公知の有機粒子を用いることができる。
有機粒子の材質としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、尿素－ホルマリン粒子、ポリエステル、セルロース、アクリル樹脂、フッ素樹脂、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリル樹脂、液晶ポリマー、及び、これらを２種以上含む材質が挙げられる。
また、有機粒子は、ナノファイバーのような繊維状であってもよく、中空樹脂粒子であってもよい。
中でも、有機粒子としては、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、フッ素樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリエチレン粒子、液晶ポリマー粒子、又は、セルロース系樹脂のナノファイバーであることが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン粒子、ポリエチレン粒子、又は、液晶ポリマー粒子であることがより好ましく、液晶ポリマー粒子であることが特に好ましい。ここで、液晶ポリマー粒子とは、限定的ではないが、液晶ポリマーを重合させ、粉砕機等で粉砕して、粉末状の液晶としたものをいう。液晶ポリマー粒子は、各層の厚みよりも小さいことが好ましい。
有機粒子の平均径は、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、５ｎｍ～２０μｍであることが好ましく、１００ｎｍ～１０μｍであることがより好ましい。

無機粒子としては、公知の無機粒子を用いることができる。
無機粒子の材質としては、例えば、ＢＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、及び、これらを２種以上含む材質が挙げられる。
中でも、無機粒子としては、熱膨張係数、及び、金属との密着性の観点から、金属酸化物粒子、又は、繊維が好ましく、シリカ粒子、又は、チタニア粒子、又は、ガラス繊維がより好ましく、シリカ粒子、又は、ガラス繊維が特に好ましい。
無機粒子の平均径は、層Ａの厚みの約２０％～約４０％であることが好ましく、例えば、層Ａの厚みの２５％、３０％又は３５％にあるものを選択してもよい。粒子、又は、繊維が扁平状の場合には、短辺方向の長さを示す。
また、無機粒子の平均径は、熱膨張係数、及び、金属との密着性の観点から、５ｎｍ～２０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ～１０μｍであることがより好ましく、２０ｎｍ～１μｍであることが更に好ましく、２５ｎｍ～５００ｎｍであることが特に好ましい。

ここでいう平均径は、粒子の一次粒径の平均値（平均一次粒径）を意味する。
粒子の平均径は、層Ａの断面を走査電子顕微鏡にて５０視野を１，０００倍観察し、得られた粒子の一次粒径から算出することができる。

層Ａは、粒子を１種のみ含んでいても、２種以上含んでいてもよい。
層Ａにおける粒子の含有量は、金属との密着性の観点から、層Ｂにおける粒子の含有量よりも少ないことが好ましい。
また、層Ａにおける粒子の含有量は、レーザー加工適性、及び、金属との密着性の観点から、層Ａの全質量に対して、１０質量％～９０質量％が好ましく、３０質量％～８０質量％がより好ましい。
ポリエチレン、オレフィン系エラストマーなどの粒子は、例えば、５０体積％～９０体積％が好ましく、７５体積％～８５体積％が更に好ましい。この場合、層Ａにおける粒子の含有量は、層Ａの全質量に対して、５５質量％～９０質量％が好ましく、８０質量％～８５質量％がより好ましい。

－その他の添加剤－
層Ａは、上述した成分以外のその他の添加剤を含んでいてもよい。
その他の添加剤としては、公知の添加剤を用いることができる。具体的には、例えば、硬化剤、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、着色剤等が挙げられる。

また、層Ａは、その他の添加剤として、上述したポリマー及びポリマー粒子以外のその他の樹脂を含んでいてもよい。
その他の樹脂の例としては、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂；グリシジルメタクリレートとポリエチレンとの共重合体等のエラストマー；フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。

層Ａにおけるその他の添加剤の総含有量は、誘電正接が０．０１以下であるポリマーの含有量１００質量部に対して、好ましくは２５質量部以下であり、より好ましくは１０質量部以下であり、更に好ましくは５質量部以下である。

層Ａの平均厚みは、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、層Ｂの平均厚みよりも厚いことが好ましい。
層Ａの平均厚みＴ^Ａと層Ｂの平均厚みＴ^Ｂとの比であるＴ^Ａ／Ｔ^Ｂの値は、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、０．８～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましく、１を超え３以下であることが更に好ましく、１を超え２以下であることが特に好ましい。
また、層Ａの平均厚みは、特に制限はないが、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、５μｍ～９０μｍであることが好ましく、１０μｍ～７０μｍであることがより好ましく、１５μｍ～６０μｍであることが特に好ましい。

本開示に係るフィルムにおける各層の平均厚みの測定方法は、以下の通りである。
フィルムをミクロトームで切削し、断面を光学顕微鏡で観察して、各層の厚みを評価する。断面サンプルは３ヶ所以上切り出し、各断面において、３点以上厚みを測定し、それらの平均値を平均厚みとする。

＜層Ｂ＞
本開示に係るフィルムは、上記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂを有する。
上記層Ｂは、フィルムの誘電正接、及び、金属との密着性の観点から、誘電正接が０．０１以下であるポリマーを含むことが好ましい。

層Ｂの誘電正接は、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、０．０１以下が好ましく、０．００５以下がより好ましく、０．００４以下であることが更に好ましく、０．００３以下であることが特に好ましい。いずれの下限値は特に設定されないが、例えば、０超が挙げられる。

層Ｂに用いられる誘電正接が０．０１以下であるポリマーの好ましい態様は、後述する以外、層Ａに用いられる誘電正接が０．０１以下であるポリマーの好ましい態様と同様である。
層Ｂに含まれる誘電正接が０．０１以下であるポリマーは、層Ａに含まれる誘電正接が０．０１以下であるポリマーと同じものであっても、異なるものであってもよいが、層Ａと層Ｂとの密着性、及び、レーザー加工適性の観点から、層Ａに含まれる誘電正接が０．０１以下であるポリマーと同じものを含むことが好ましい。

層Ｂは、誘電正接が０．０１以下であるポリマーを１種のみ含んでいても、２種以上含んでいてもよい。
層Ｂにおける誘電正接が０．０１以下であるポリマーの含有割合は、層Ａにおける誘電正接が０．０１以下であるポリマーの含有割合以上であることが好ましい。
層Ｂにおける誘電正接が０．０１以下であるポリマーの含有量は、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、金属との密着性の観点から、層Ｂの全質量に対し、２０質量％～１００質量％であることが好ましく、３０質量％～１００質量％であることがより好ましく、４０質量％～１００質量％であることが特に好ましい。

また、層Ｂは、バインダーポリマーとして、誘電正接が０．０１以下であるポリマー以外の他のポリマーを含んでいてもよい。
他のポリマーとしては、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、熱可塑性エラストマーを含む熱可塑性樹脂等が好ましく挙げられる。なお、エラストマーとは、弾性変形を示す高分子化合物を表す。すなわち外力を加えたときに、その外力に応じて変形し、かつ外力を除いたときには、短時間に元の形状を回復する性質を有する高分子化合物が該当する。

熱可塑性樹脂としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、セルロースアシレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、環状オレフィンコポリマーからなる樹脂、脂環式ポリオレフィン樹脂）、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスルホン樹脂、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂、脂環変性ポリカーボネート樹脂、フルオレン環変性ポリエステル樹脂等が挙げられる。

熱可塑性エラストマーとしては、特に限定されず、例えば、スチレン由来の構成繰り返し単位を含むエラストマー（ポリスチレン系エラストマー）、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリアクリル系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ポリイミド系エラストマー等が挙げられる。なお、熱可塑性エラストマーは、水添物であってもよい。
ポリスチレン系エラストマーとしては、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ポリスチレン－ポリ（エチレン－プロピレン）ジブロック共重合体（ＳＥＰ）、ポリスチレン－ポリ（エチレン－プロピレン）－ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、及びポリスチレン－ポリ（エチレン／エチレン－プロピレン）－ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）、並びに、これらの水添物が挙げられる。

中でも、層Ｂは、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、他のポリマーとして、芳香族炭化水素基を有する構成単位を有する熱可塑性樹脂を含むことが好ましく、ポリスチレン系エラストマーを含むことがより好ましく、水添スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体を含むことが特に好ましい。
また、他のポリマーとしては、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、水添ポリスチレン系エラストマーが好ましい。

誘電正接が０．０１以下であるポリマー以外の他のポリマーの含有量は、特に限定されないが、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、金属との密着性の観点から、層Ｂの全質量に対し、１０質量％～１００質量％であることが好ましく、１０質量％～７０質量％であることがより好ましく、１０質量％～６０質量％であることが特に好ましい。

層Ｂが、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、金属との接着性、及び、段差追随性の観点から、粒子を含むことが好ましく、無機粒子を含むことがより好ましく、シリカ粒子を含むことが特に好ましい。
層Ｂに用いられる粒子の好ましい態様は、後述する以外、層Ａに用いられる粒子の好ましい態様と同様である。
また、層Ｂに用いられる粒子としては、上述した熱可塑性樹脂の粒子も好ましく挙げられる。
更にまた、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、層Ｂは、液晶ポリマー粒子を含むことが好ましく、芳香族ポリアミドエステル粒子を含むことがより好ましい。

上記粒子の平均径は、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、５５０ｎｍより小さいことが好ましく、３５５ｎｍより小さいことがより好ましく、１０ｎｍ以上３５５ｎｍ未満であることが特に好ましい。
上記粒子の平均径が、入射するレーザーの波長よりも小さいとより拡散性に優れ、レーザー加工適性がより向上する。また、粒径が小さいと、段差追随性にもより優れる。

また、層Ｂは、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、粒子として、架橋樹脂粒子を含むことが好ましい。
架橋樹脂粒子における架橋樹脂としては、特に制限はなく、公知の架橋樹脂を用いることができる。例えば、重合時に架橋剤を用いた架橋樹脂であってもよいし、樹脂に対し架橋剤を反応させた架橋樹脂であってもよい。
中でも、架橋樹脂粒子としては、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、上記熱可塑性エラストマー粒子が好ましく、ポリスチレン系エラストマー粒子がより好ましく、水添ポリスチレン系エラストマーが特に好ましい。

層Ｂは、粒子を１種のみ含んでいても、２種以上含んでいてもよい。
また、層Ｂにおける粒子の含有量は、レーザー加工適性、及び、金属との密着性の観点から、層Ｂの全質量に対して、１０質量％～９０質量％が好ましく、２０質量％～８０質量％がより好ましい。

層Ｂは、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、金属との接着性、及び、段差追随性の観点から、空隙を含むことが好ましく、中空粒子を含むことがより好ましい。
また、上記空隙の平均径は、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、５５０ｎｍより小さいことが好ましく、３５５ｎｍより小さいことがより好ましく、１０ｎｍ以上３５５ｎｍ未満であることが特に好ましい。
上記空隙の平均径が、入射するレーザーの波長よりも小さいとより拡散性に優れ、レーザー加工適性がより向上する。また、粒径が小さいと、段差追随性にもより優れる。

空隙の平均径は、層Ｂの厚さ方向における断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、３０，０００倍で撮影することにより、各空隙を最大径を測定し、最大径が大きいほうから１０個の測定の平均値をとることにより測定できる。

層Ｂは、レベリング剤を含んでいてもよい。例えば、炭化水素系、シリコーン系又はフッ素系の化合物が挙げられる。フッ素系界面活性剤としては、メガファックＦ－４４４等のＤＩＣ（株）製メガファックシリーズ、サーフロンＳ－２２１等のＡＧＣセイミケミカル（株）製サーフロンシリーズ、及び、フタージェント１００等の（株）ネオス製フタージェントシリーズが挙げられる。更に、界面活性剤は、ポリマーでもよく、フッ素化アルキル基含有した単量体を必須成分としたアクリル重合体、鎖骨格がＳｉ－Ｏ結合からなるシロキサン系の重合体が挙げられる。

層Ｂは、上記以外のその他の添加剤を含んでいてもよい。
層Ｂに用いられるその他の添加剤の好ましい態様は、後述する以外、層Ａに用いられるその他の添加剤の好ましい態様と同様である。

また、層Ｂの平均厚みは、特に制限はないが、フィルムの誘電正接、レーザー加工適性、及び、段差追随性の観点から、１μｍ～９０μｍであることが好ましく、５μｍ～６０μｍであることがより好ましく、１０μｍ～４０μｍであることが特に好ましい。

本開示に係るフィルムは、層Ｂを有することにより、金属との密着性に優れるフィルムが得られる。例えば、層Ａが粒子を有する場合、粒子添加で脆化した層Ａを、層Ｂを有することにより、フィルムの表面が改善し、密着性向上等の効果が得られると推定している。
また、層Ｂは、表面層（最外層）であることが好ましい。フィルムを、例えば、金属層／層Ａ／層Ｂの層構成である積層体（金属層付積層板）として用いる場合、層Ｂ側に、更に、別の金属層又は金属層付積層板を配置することがある。この場合、積層体における層Ｂと別の金属層間での界面破壊が抑制され、金属との密着性が向上することになる。
また、層Ｂに含まれるポリマーは、層Ａに含まれるポリマーよりも破断強度（靭性）が高いポリマーを含むことが好ましい。
破断強度の測定は、以下の方法により行うものとする。
測定するポリマーからなるサンプルを作製し、東洋ボールドウィン（株）製万能引っ張り試験機“ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰ”を用い、２５℃、６０％ＲＨ雰囲気中、引張速度１０％／分で伸びに対する応力を測定し、破断強度を求める。

本開示に係るフィルムの平均厚みは、強度、及び、金属層との積層体にした際の電気特性（特性インピーダンス）の観点から、６μｍ～２００μｍであることが好ましく、１２μｍ～１００μｍであることがより好ましく、２０μｍ～８０μｍであることが特に好ましい。

フィルムの平均厚みは、任意の５箇所について、接着式の膜厚計、例えば、電子マイクロメータ（製品名「ＫＧ３００１Ａ］、アンリツ社製）を用いて測定し、それらの平均値とする。

本開示に係るフィルムの誘電正接は、誘電率の観点から、０．００８以下であることが好ましく、０．００５以下であることがより好ましく、０．００４以下であることが更に好ましく、０を超え０．００３以下であることが特に好ましい。

＜フィルムの製造方法＞
〔製膜〕
本開示に係るフィルムの製造方法は、特に制限はなく、公知の方法を参照することができる。
本開示に係るフィルムの製造方法としては、例えば、共流延法、重層塗布法、共押出法等が好適に挙げられる。中でも、比較的薄手の製膜には共流延法が特に好ましく、厚手の製膜には共押出法が特に好ましい。
共流延法及び重層塗布法により製造する場合、誘電正接が０．０１以下であるポリマー又は液晶ポリマー、及び、官能基を有する化合物等の各層の成分をそれぞれ溶媒に溶解又は分散した層Ａ形成用組成物、層Ｂ形成用組成物等として、共流延法又は重層塗布法を行うことが好ましい。

溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，２，２－テトラクロロエタン、１－クロロブタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ｐ－クロロフェノール、ペンタクロロフェノール、ペンタフルオロフェノール等のハロゲン化フェノール；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等のエーテル；アセトン、シクロヘキサノン等のケトン；酢酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート；トリエチルアミン等のアミン；ピリジン等の含窒素複素環芳香族化合物；アセトニトリル、スクシノニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド、テトラメチル尿素等の尿素化合物；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物；ヘキサメチルリン酸アミド、トリｎ－ブチルリン酸等のリン化合物等が挙げられ、それらを２種以上用いてもよい。

溶媒としては、腐食性が低く、取り扱い易いことから、非プロトン性化合物（特に好ましくはハロゲン原子を有しない非プロトン性化合物）を含むことが好ましい。溶媒全体に占める非プロトン性化合物の割合は、好ましくは５０質量％～１００質量％、より好ましくは７０質量％～１００質量％、特に好ましくは９０質量％～１００質量％である。また、上記非プロトン性化合物としては、液晶ポリマーを溶解し易いことから、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、テトラメチル尿素、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド又はγ－ブチロラクトン等のエステルを含むことが好ましく、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、又は、Ｎ－メチルピロリドンがより好ましい。

また、溶媒としては、液晶ポリマー等の上記ポリマーを溶解し易いことから、双極子モーメントが３～５である化合物を含むことが好ましい。溶媒全体に占める双極子モーメントが３～５である化合物の割合は、好ましくは５０質量％～１００質量％、より好ましくは７０質量％～１００質量％、特に好ましくは９０質量％～１００質量％である。
上記非プロトン性化合物として、双極子モーメントが３～５である化合物を用いることが好ましい。

また、溶媒としては、除去し易いことから、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を含むことが好ましい。溶媒全体に占める１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物の割合は、好ましくは５０質量％～１００質量％、より好ましくは７０質量％～１００質量％、特に好ましくは９０質量％～１００質量％である。
上記非プロトン性化合物として、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を用いることが好ましい。

また、本開示に係るフィルムの製造方法は、上記共流延法、重層塗布法及び共押出法等により製造する場合、支持体を使用してもよい。また、後述する積層体に用いる金属層（金属箔）等を支持体として使用する場合、剥離せずそのまま使用してもよい。
支持体としては、例えば、金属ドラム、金属バンド、ガラス板、樹脂フィルム又は金属箔が挙げられる。中でも、金属ドラム、金属バンド、樹脂フィルムが好ましい。
樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド（ＰＩ）フィルムを挙げることができ、市販品の例としては、宇部興産（株）製Ｕ－ピレックスＳ及びＵ－ピレックスＲ、東レデュポン（株）製カプトン、並びに、ＳＫＣコーロンＰＩ社製ＩＦ３０、ＩＦ７０及びＬＶ３００等が挙げられる。
また、支持体は、容易に剥離できるように、表面に表面処理層が形成されていてもよい。表面処理層は、ハードクロムメッキ、フッ素樹脂等を用いることができる。
支持体の平均厚みは、特に制限はないが、好ましくは２５μｍ以上７５μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ以上７５μｍ以下である。

また、流延、又は、塗布された膜状の組成物（流延膜又は塗膜）から溶媒の少なくとも一部を除去する方法としては、特に制限はなく、公知の乾燥方法を用いることができる。

〔延伸〕
本開示に係るフィルムは、分子配向を制御し、線膨張係数や力学物性を調整する観点で、適宜、延伸を組み合わせることができる。延伸の方法は、特に制限はなく、公知の方法を参照することができ、溶媒を含んだ状態で実施してもよく、乾膜の状態で実施してもよい。溶媒を含んだ状態での延伸は、フィルムを把持して伸長してもよく、伸長せずに乾燥による自己収縮を利用して実施してもよい。延伸は、無機粒子等の添加によってフィルム脆性が低下した場合に、破断伸度や破断強度を改善する目的で特に有効である。

また、本開示に係るフィルムの製造方法は、必要に応じて、光又は熱により重合する工程を含んでいてもよい。
光の照射手段、及び、熱の付与手段としては、特に制限はなく、メタルハライドランプ等の公知の光の照射手段、及び、ヒーター等の公知の熱の付与手段を用いることができる。
光照射条件、及び、熱付与条件としては、特に制限はなく、所望の温度及び時間、並びに、公知の雰囲気で行うことができる。

〔熱処理〕
本開示に係るフィルムの製造方法は、フィルムを熱処理（アニール）する工程を含むことが好ましい。
上記熱処理する工程における熱処理温度として具体的には、誘電正接と剥離強度の観点から、２６０℃～３７０℃であることが好ましく、２８０℃～３６０℃であることがより好ましく、３００℃～３５０℃であることが更に好ましい。熱処理時間は、１５分～１０時間であることが好ましく、３０分～５時間であることが更に好ましい。
また、本開示に係るフィルムの製造方法は、必要に応じ、他の公知の工程を含んでいてもよい。

＜用途＞
本開示に係るフィルムは、種々の用途に用いることができる、中でも、プリント配線板などの電子部品用フィルムに好適に用いることができ、フレキシブルプリント回路基板により好適に用いることができる。
また、本開示に係るフィルムは、金属接着用フィルムとして好適に用いることができる。

（積層体）
本開示に係る積層体は、本開示に係るフィルムが積層したものであればよいが、本開示に係るフィルムと、上記フィルムの少なくとも一方の面に配置された金属層又は金属配線と、を有する積層体であることが好ましい。
また、本開示に係る積層体は、層Ａと、層Ｂと、金属層又は金属配線とをこの順で有し、上記層Ａ及び上記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、５０％以上であることが好ましい。
また、本開示に係る積層体は、本開示に係るフィルムと、上記フィルムにおける上記層Ｂ側の面に配置された金属層とを有することが好ましく、上記金属層が、銅層であることがより好ましい。
上記層Ｂ側の面に配置された金属層は、上記層Ｂの表面に配置された金属層であることが好ましい。

本開示に係るフィルムと金属層とを貼り付ける方法としては、特に制限はなく、公知のラミネート方法を用いることができる。

上記金属層が、上記銅層である場合、上記フィルムと上記銅層との剥離強度は、０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．７ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましく、０．７ｋＮ／ｍ～２．０ｋＮ／ｍであることが更に好ましく、０．９ｋＮ／ｍ～１．５ｋＮ／ｍであることが特に好ましい。

本開示において、フィルムと金属層（例えば、銅層）との剥離強度は、以下の方法により測定するものとする。
フィルムと金属層との積層体から１．０ｃｍ幅の剥離用試験片を作製し、フィルムを両面接着テープで平板に固定し、ＪＩＳ Ｃ ５０１６（１９９４）に準じて１８０°法により、５０ｍｍ／分の速度で金属層からフィルムを剥離したときの強度（ｋＮ／ｍ）を測定する。

上記フィルムに接する側の上記金属層の表面粗さＲｚは、高周波信号の伝送損失低減の観点から、１μｍ未満が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が特に好ましい。
なお、上記金属層の表面粗さＲｚは、少ないほど好ましいため、下限値は特に設定されないが、例えば、０以上が挙げられる。

本開示において「表面粗さＲｚ」とは、基準長さにおける粗さ曲線で観察される山の高さの最大値と谷の深さの最大値との合計値をマイクロメートルで表した値を意味する。
本開示において、金属層（例えば、銅層）の表面粗さＲｚは、以下の方法により測定するものとする。
非接触表面・層断面形状計測システムＶｅｒｔＳｃａｎ（菱化システム社製）を用い、縦４６５．４８μｍ、横６２０．６４μｍ四方を測定して、測定対象物（金属層）の表面における粗さ曲線及び上記粗さ曲線の平均線を作成する。粗さ曲線から基準長さに相当する部分を抜き取る。抜き出した粗さ曲線で観察される山の高さ（すなわち、平均線から山頂までの高さ）の最大値と谷の深さ（すなわち、平均線から谷底までの高さ）の最大値との合計値を求めることで、測定対象物の表面粗さＲｚを測定する。

金属層は、銅層であることが好ましい。銅層としては、圧延法により形成された圧延銅箔、電解法により形成された電解銅箔、スパッタリング法を用いて形成された銅箔、又は、蒸着法を用いて形成された銅箔であることが好ましい。

金属層、好ましくは銅層の平均厚みは、特に限定されないが、０．１ｎｍ～３０μｍであることが好ましく、０．１μｍ～２０μｍであることがより好ましく、１μｍ～１８μｍであることが更に好ましい。銅箔は、支持体（キャリア）上に剥離可能に形成されているキャリア付き銅箔であってもよい。キャリアとしては、公知のものを用いることができる。キャリアの平均厚みは、特に限定されないが、５μｍ～１００μｍであることが好ましく、１０μｍ～５０μｍであることがより好ましい。

また、上記金属層は、本開示における効果をより発揮する観点から、上記フィルムに接する側の面に、樹脂との接着力を確保するための公知の表面処理層（例えば、化学処理層）を有することが好ましい。また、上記相互作用可能な基は、例えば、アミノ基とエポキシ基、ヒドロキシ基とエポキシ基のように、上記フィルムが含有する官能基を有する化合物の官能基に対応する基であることが好ましい。
相互作用可能な基としては、上記官能基を有する化合物において官能基をして挙げた基が挙げられる。
中でも、密着性、及び、処理容易性の観点から、共有結合可能な基であることが好ましく、アミノ基、又は、ヒドロキシ基であることがより好ましく、アミノ基であることが特に好ましい。

本開示に係る積層体における金属層は、回路パターンを有する金属層であってもよい。 本開示に係る積層体における金属層を、例えば、エッチングにより所望の回路パターンに加工し、フレキシブルプリント回路基板することも好ましい。エッチング方法としては、特に制限はなく、公知のエッチング方法を用いることができる。

以下に実施例を挙げて本開示を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本開示の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本開示の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
また、本実施例において、「％」、「部」とは、特に断りのない限り、それぞれ「質量％」、「質量部」を意味する。

＜＜測定法＞＞
〔１６０℃における弾性率〕
まず、フィルムをミクロトーム等で断面切削し、光学顕微鏡で層Ａ又は層Ｂを特定した。次に、特定した層Ａ又は層Ｂにおける弾性率を、ナノインデンテーション法を用いて、押し込み弾性率として測定した。押し込み弾性率は、微小硬度計（製品名「ＤＵＨ－Ｗ２０１」、（株）島津製作所製）を用い、１６０℃において、ビッカース圧子により０．２８ｍＮ／秒の荷重速度で負荷をかけ、最大荷重１０ｍＮを１０秒間保持した後に、０．２８ｍＮ／秒の荷重速度で除荷を行うことにより、測定した。

〔質量残存率〕
層Ａ、又は、層Ｂをフィルムから切削し、５ｍｇを白金パンに加え、示差熱天秤（ＴＧ－ＤＴＡ）（（株）リガク製ＴＧ－８１２０）にて昇温速度：１０℃／分、測定温度：２５℃～９００℃にて測定した。質量残存率（Ｌ^Ａ又はＬ^Ｂ）は、以下の値とした。
質量残存率（％、Ｌ^Ａ又はＬ^Ｂ）＝４４０℃における質量残存率（％）－９００℃における質量残存率（％）

＜＜製造例＞＞
＜ポリマー又はポリマー粒子＞
Ｐ１：下記製造方法に従って作製した芳香族ポリエステルアミド（液晶ポリマー）

－芳香族ポリエステルアミドＰ１の合成－
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計、及び還流冷却器を備えた反応器に、６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸９４０．９ｇ（５．０モル）、イソフタル酸４１５．３ｇ（２．５モル）、アセトアミノフェン３７７．９ｇ（２．５モル）、及び無水酢酸８６７．８ｇ（８．４モル）を入れ、反応器内のガスを窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下、撹拌しながら、室温（２３℃、以下同じ）から１４０℃まで６０分かけて昇温し、１４０℃で３時間還流させた。
次いで、副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら、１５０℃から３００℃まで５時間かけて昇温し、３００℃で３０分保持した。その後、反応器から内容物を取り出し、室温まで冷却した。得られた固形物を、粉砕機で粉砕して、粉末状の芳香族ポリエステルアミドＡ１ａを得た。芳香族ポリエステルアミドＡ１ａの流動開始温度は、１９３℃であった。また、芳香族ポリエステルアミドＡ１ａは、全芳香族ポリエステルアミドであった。
芳香族ポリエステルアミドＡ１ａを、窒素雰囲気下、室温から１６０℃まで２時間２０分かけて昇温し、次いで１６０℃から１８０℃まで３時間２０分かけて昇温し、１８０℃で５時間保持することにより固相重合させた後、冷却した。次いで、粉砕機で粉砕して、粉末状の芳香族ポリエステルアミドＡ１ｂを得た。芳香族ポリエステルアミドＡ１ｂの流動開始温度は、２２０℃であった。
芳香族ポリエステルアミドＡ１ｂを、窒素雰囲気下、室温から１８０℃まで１時間２５分かけて昇温し、次いで１８０℃から２５５℃まで６時間４０分かけて昇温し、２５５℃で５時間保持することにより固相重合させた後、冷却して、粉末状の芳香族ポリエステルアミドＰ１を得た。
芳香族ポリエステルアミドＰ１の流動開始温度は、３０２℃であった。また、芳香族ポリエステルアミドＰ１の融点を、示差走査熱量分析装置を用いて測定した結果、３１１℃であった。芳香族ポリエステルアミドＰ１は、１４０℃のＮ－メチルピロリドンに対する溶解度は、１質量％以上であった。

ＰＰ－１：下記製造方法に従って作製した液晶ポリマー粒子

－液晶ポリマー粒子ＰＰ－１の作製－
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、２－ヒドロキシ－６－ナフトエ酸１０３４．９９ｇ（５．５モル）、２，６－ナフタレンジカルボン酸８９．１８ｇ（０．４１モル）、テレフタル酸２３６．０６ｇ（１．４２モル）、４，４－ジヒドロキシビフェニル３４１．３９ｇ（１．８３モル）及び触媒として酢酸カリウムと酢酸マグネシウムを入れた。反応器内のガスを窒素ガスで置換した後、無水酢酸（水酸基に対して１．０８モル当量）を更に添加した。窒素ガス気流下、撹拌しながら、室温から１５０℃まで１５分かけて昇温し、１５０℃で２時間還流させた。
次いで、副生した酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら、１５０℃から３１０℃まで５時間かけて昇温し、重合物を取り出して室温まで冷却した。得られた重合物を室温から２９５℃まで１４時間かけて昇温し、２９５℃で１時間固相重合した。固相重合後、５時間かけて室温冷却し、液晶ポリマー粒子ＰＰ－１を得た。液晶ポリマー粒子ＰＰ－１は、メジアン径（Ｄ５０）７μｍ、誘電正接０．０００７、融点３３４℃であった。

Ｐ２：水添スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体、旭化成ケミカルズ（株）製タフテックＭ１９１３
ＰＰ－２：水添スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体粒子、旭化成ケミカルズ（株）製タフテックＭ１９１３の凍結粉砕品（平均粒径５．０μｍ（Ｄ５０））
ＰＰ－３：スチレンーブタジエンのブロック共重合体粒子、旭化成ケミカルズ（株）製タフプレン９１２の凍結粉砕品（平均粒径５．０μｍ（Ｄ５０）
ポリイミド：ＰＩＡＤ－１００Ｈ、荒川化学工業（株）製、熱可塑性ポリイミドワニス

＜添加剤＞
Ｃ１：硬化剤、ｊＥＲ ＹＸ８８００、三菱化学（株）製、縮合多縮型エポキシ樹脂
Ａ１：シリカ粒子、ＳＣ２０５０－ＭＢ、（株）アドマテックス製、粒径０．５μｍ
Ａ２：シリカ粒子、粒径３５０ｎｍ
Ａ３：シリカ粒子、ＱＳＧ－１７０、信越化学工業（株）製、粒径１７０ｎｍ
Ａ４：シリカ粒子、ＱＳＧ－３０、信越化学工業（株）製、粒径３０ｎｍ
Ａ５：中空シリカ粒子、シリナックス、日鉄鉱業（株）製、粒径１０５ｎｍ
Ａ６：水酸化アルミニウム粒子、ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、粒径０．２５μｍ

＜銅箔＞
Ｍ１：ＣＦ－Ｔ９ＤＡ－ＳＶ－１８、福田金属箔粉工業（株）製、平均厚み１８μｍ
Ｍ２：ＭＴ１８ＦＬ、三井金属鉱業（株）製、平均厚み１．５μｍ

（実施例１～１３、並びに、比較例１及び２）
－下塗り層コーティング液の調製－
芳香族ポリエステルアミドＰ１ ８部を、Ｎ－メチルピロリドン９２部に加え、窒素雰囲気下、１４０℃４時間撹拌し、芳香族ポリエステルアミド溶液Ｐ１（固形分濃度８質量％）を得た。
芳香族ポリエステルアミド溶液Ｐ１（１０．０質量部）に対して、アミノフェノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ６３０」、０．０４部）を混合し、下塗り層コーティング液を調製した。

－層Ａ用コーティング液の調製－
表１に記載のポリマー及びポリマー粒子を表１に記載の質量部比で混合し、Ｎ－メチルピロリドンを加え固形分濃度が２５質量％となるように調整し、層Ａ用コーティング液を得た。

－層Ｂ用コーティング液の調製－
表１に記載のポリマー、ポリマー粒子、硬化剤、及び、添加剤（粒子又は空隙）を表１に記載の質量部比で混合し、Ｎ－メチルピロリドンを加え固形分濃度が２０質量％となるように調整し、層Ｂ用コーティング液を得た。

－片面銅張積層板の作製－
得られた下塗り層コーティング液、層Ａ用コーティング液、及び、層Ｂ用コーティング液を、スライドコーターを装備したスロットダイコーターに送液し、表２に記載の銅箔の処理面上に表１に記載する膜厚になるように流量を調整して３層構成（下塗り層／層Ａ／層Ｂ）で塗布した。４０℃にて４時間乾燥することにより、塗膜から溶媒を除去した。更に窒素雰囲気下で室温から３００℃まで１℃／分で昇温し、その温度で２時間保持する熱処理を行い、銅層を有するポリマーフィルム（片面銅張積層板）を得た。

＜＜評価＞＞
作製したフィルムについて、下記の方法で評価を行い、結果を表２に記載した。

〔拡散反射率〕
（株）島津製作所製の分光光度計ＵＶ３１００ＰＣに、積分球反射付属装置を取り付けたものを用いた。基準板としては、硫酸バリウム粉末を押し固めたものを用い、２５℃にて測定を行い、波長３５５ｎｍにおける層Ｂの厚み方向の拡散反射率を測定した。

〔誘電正接〕
誘電正接の測定は、周波数２８ＧＨｚで共振摂動法により実施した。ネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｅ８３６３Ｂ」）に２８ＧＨｚの空洞共振器（（株）関東電子応用開発製 ＣＰ５３１）を接続し、空洞共振器に試験片を挿入し、温度２５℃、湿度６０％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化からフィルムの誘電正接を測定した。

〔段差追随性（配線追随性）〕
（１）サンプルの作製
－配線パターン付き基材Ａの作製－
銅箔（製品名「ＣＦ－Ｔ９ＤＡ－ＳＶ－１８」、平均厚み１８μｍ、福田金属箔粉工業（株）製）と、基材として液晶ポリマーフィルム（製品名「ＣＴＱ－５０」、平均厚み５０μｍ、クラレ社製）を準備した。銅箔の処理面が基材と接するように、銅箔と基材と銅箔とをこの順に重ねた。ラミネータ（製品名「真空ラミネータＶ－１３０」、ニッコー・マテリアルズ社製）を使用して、１４０℃及びラミネート圧０．４ＭＰａの条件で１分間のラミネート処理を行い、両面銅箔積層板の前駆体を得た。続いて、熱圧着機（製品名「ＭＰ－ＳＮＬ」、（株）東洋精機製作所製）を用いて、得られた両面銅張積層板の前駆体を、３００℃及び４．５ＭＰａの条件で１０分間熱圧着することにより、両面銅張積層板を作製した。
上記両面銅張積層板の両面の銅箔に対して表面粗化し、ドライフィルムレジストを貼合した。配線パターンが残るように露光、現像をし、エッチングし、更にドライフィルムを除去することで、基材の両側にグランド線及び３対の信号線を含むライン／スペースが１００μｍ／１００μｍとなる配線パターン付き基材を作製した。信号線の長さは５０ｍｍ、幅は特性インピーダンスが５０Ωになるように設定した。

－配線パターン付き基材Ｂの作製－
銅箔（製品名「ＭＴ１８ＦＬ」、平均厚み１．５μｍ、キャリア銅箔（厚み１８μｍ）付き、三井金属鉱業（株）製）と、基材として液晶ポリマーフィルム（製品名「ＣＴＱ－５０」、平均厚み５０μｍ、（株）クラレ製）を準備した。銅箔の処理面が基材と接するように、銅箔と基材と銅箔とをこの順に重ねた。ラミネータ（製品名「真空ラミネータＶ－１３０」、ニッコー・マテリアルズ（株）製）を使用して、１４０℃及びラミネート圧０．４ＭＰａの条件で１分間のラミネート処理を行い、片面銅箔積層板の前駆体を得た。続いて、熱圧着機（製品名「ＭＰ－ＳＮＬ」、（株）東洋精機製作所製）を用いて、得られた片面銅張積層板の前駆体を、３００℃及び４．５ＭＰａの条件で１０分間熱圧着することにより、片面銅張積層板を作製した。片面銅張積層板の基材と反対面にあるキャリア銅箔とを剥離し、露出した１．５μｍの銅箔を表面粗化し、ドライフィルムレジストを貼合した。配線パターン露光、現像し、レジストパターンが配置されていない領域にめっき処理をした。さらに、ドライフィルムレジストを剥離し、剥離工程によって露出した銅をフラッシュエッチングにより除去することで、ライン／スペースが２０μｍ／２０μｍとなる配線パターン付き基材を作製した。

－配線基板の作製－
作製した片面銅張積層板の層Ｂ側に上記で作製した配線パターン付き基材を重ね合わせ、１６０℃及び４ＭＰａの条件で、１時間の熱プレスを行うことにより、配線基板を得た。
得られた配線基板は、配線パターン（グランド線及び信号線）が埋設されており、配線パターン付き基材Ａを用いた場合は配線パターンの厚みは１８μｍ、配線パターン付き基材Ｂを用いた場合は配線パターンの厚みは１２μｍであった。

（２）測定方法
配線基板をミクロトームで厚み方向に沿って切削し、断面を光学顕微鏡で観察した。樹脂層と配線パターン間において面内方向に生じる隙間の長さＬを測定した。１０箇所における平均値を算出した。評価基準は以下のとおりである。
Ａ：Ｌは１μｍ未満である。
Ｂ：Ｌは１μｍ以上２μｍ未満である。
Ｃ：Ｌは２μｍ以上である。

〔レーザー加工適性〕
（１）サンプルの作製
作製した片面銅張積層板のうち、銅箔Ｍ２を積層したものは、電解銅めっきにより、銅箔厚みを１８μｍにした。更に、全てのサンプルの層Ｂ面側に、銅箔（製品名「ＣＦ－Ｔ９ＤＡ－ＳＶ－１８」、平均厚み１８μｍ、福田金属箔粉工業（株）製）の処理面が接するように重ねた。ラミネータ（製品名「真空ラミネータＶ－１３０」、ニッコー・マテリアルズ社製）を使用して、１６０℃及びラミネート圧４ＭＰａの条件で６０分間のラミネート処理を行い、両面銅箔積層板を得た。

（２）測定方法
ＥＳＩ社製のＵＶ－ＹＡＧレーザー Ｍｏｄｅｌ５３３０を用いて、両面銅張積層板の片面銅張積層板側から、スルーホールビア加工を行った。ビア部の断面を光学顕微鏡にて観察し、層Ａ及び層Ｂのケズレの長さ（すなわち、切断部位の水平方向の切断面に形成される凹みの水平方向の最大長）を測定した。

表１及び表２に記載の結果から、本開示に係るフィルムである実施例１～１３のフィルムは、比較例１及び２のフィルムよりも、レーザー加工適性に優れる。
また、表１及び表２に記載の結果から、本開示に係るフィルムである実施例１～１３のフィルムは、低誘電正接であり、段差追随性にも優れる。

Claims (16)

1. 層Ａと、前記層Ａの少なくとも一方の面に層Ｂとを有し、
   誘電正接が、０．０１以下であり、
   前記層Ａ及び前記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上である
   フィルム。
2. 前記層Ｂが、粒子を含み、
   前記粒子の平均径が、３５５ｎｍより小さい請求項１に記載のフィルム。
3. 前記粒子が、無機粒子を含む請求項２に記載のフィルム。
4. 前記粒子が、シリカ粒子を含む請求項２に記載のフィルム。
5. 前記層Ｂが、空隙を含み、
   前記空隙の平均径が、３５５ｎｍより小さい請求項１に記載のフィルム。
6. 前記層Ｂの１６０℃における弾性率に対する前記層Ａの１６０℃における弾性率との比が、１．２以上である請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
7. 前記層Ｂの１６０℃における弾性率が、１０ＭＰａ以下である請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
8. 前記層Ａの誘電正接が、０．０１以下である請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
9. 前記層Ａが、液晶ポリマーを含む請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
10. 前記層Ａが、芳香族ポリエステルアミドを含む請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
11. 前記層Ｂの誘電正接が、０．０１以下である請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
12. 前記層Ｂが、液晶ポリマーを含む請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
13. 前記層Ｂが、芳香族ポリエステルアミドを含む請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
14. 前記層Ｂが、芳香族炭化水素基を有する構成単位を含む熱可塑性樹脂を含む請求項１又は請求項２に記載のフィルム。
15. 請求項１又は請求項２に記載のフィルムと、前記フィルムの少なくとも一方の面に配置された金属層又は金属配線と、を有する積層体。
16. 層Ａと、層Ｂと、金属層又は金属配線とをこの順で有し、
    前記層Ａ及び前記層Ｂの２層での３５５ｎｍの波長における厚み方向の拡散反射率が、４０％以上である
    積層体。