JP2024011054A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１を含む第１導体層１１と、その上に絶縁層を介して形成されていて、第２配線パターン１０ｂ及びベタパターン１０２を含む第２導体層１２と、第１配線パターン１０ａとベタパターン１０１とを分離する第１ギャップパターン３１と、第２配線パターン１０ｂとベタパターン１０２とを分離する第２ギャップパターン３２と、を含んでいる。第１配線パターン１０ａは、平面視で所定の第１仮想図形ＩＳ１の外縁の一部に沿って配置されており、第２配線パターン１０ｂは、平面視で第１仮想図形ＩＳ１と中心点Ｃ１、Ｃ２を共有していて第１仮想図形ＩＳ１と相似の第２仮想図形ＩＳ２の外縁に沿って配置されており、中心点Ｃ１、Ｃ２に関する径方向Ｒ又は周方向θにおいて、第１ギャップパターン３１の位置と第２ギャップパターン３２の位置とが異なっている。【選択図】図２

Description

本発明は配線基板に関する。

特許文献１には、複数の配線層を含む多層プリント配線板が開示されている。各配線層には、下層の絶縁層を露出する複数の開口部が配置されている。

特開２０１０－３９５２号公報

特許文献１に開示の多層プリント配線板では、各配線層に配置される複数の開口部が、複数の配線層の全てで重なるように配置されている。各開口部が重なっている部分では、その上下の絶縁層が、多層プリント配線板の厚さ方向の全体に渡って、配線層を実質的に介さずに積層されている。そのため、その部分において多層プリント配線板の表面に凹みが生じ、表面上の配線層の信頼性や電気的特性が低下すると考えられる。

本発明の配線基板は、第１配線パターン及び前記第１配線パターンを囲むベタパターンを含む第１導体層と、前記第１導体層の上に積層されている第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されていて、第２配線パターン及び前記第２配線パターンを囲むベタパターンを含む第２導体層と、前記第１導体層に設けられていて、前記第１配線パターンと前記ベタパターンとを分離する領域である第１ギャップパターンと、前記第２導体層に設けられていて、前記第２配線パターンと前記ベタパターンとを分離する領域である第２ギャップパターンと、を含んでいる。そして、前記第１配線パターンは、平面視で所定の第１仮想図形の外縁の一部に沿って配置されており、前記第２配線パターンは、平面視で前記第１仮想図形と中心点を共有していて前記第１仮想図形と相似の第２仮想図形の外縁に沿って配置されており、前記中心点に関する径方向又は周方向において、前記第１ギャップパターンの位置と前記第２ギャップパターンの位置とが異なっている。

本発明の実施形態によれば、配線基板における膨れや表面の凹みの発生が抑制され、配線基板の信頼性や電気的特性などの品質が向上すると考えられる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の例の配線基板の各導体層の配線パターンを並べて示す模式図。 図２の各導体層の配線パターンを重ねて示す平面図。 一実施形態の配線基板に備えられるコイルの一例を示す模式図。 一実施形態の配線基板における各導体層の配線パターンの他の例を並べて示す模式図。 一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 図６Ａの例の配線基板の各導体層の配線パターンを並べて示す模式図。 図６Ｂの各導体層の配線パターンを重ねて示す平面図。 一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。 図７Ａの工程で用いられるレジスト膜の一例を部分的に示す平面図。 一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。 図７Ｃの工程で用いられるレジスト膜の一例を部分的に示す平面図。 一実施形態の配線基板の完成状態を示す断面図。

実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の一部を示す断面図である。図２には、図１の例の配線基板の各導体層に含まれる配線パターンが縦方向に並べて示されており、図３は、図２の各導体層の配線パターンを重ねて示す平面図である。図１は、図２及び図３に示されるＩ－Ｉ線を含む切断線での断面図である。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。実施形形態の配線基板は、２以上の任意の数の導体層、及び任意の数の絶縁層を含み得る。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さについて各構成要素がそれぞれの間の正確な比率で描かれていない場合がある。

図１に示されるように、配線基板１００は、積層されている複数の絶縁層（絶縁層２０～２４）と、それら複数の絶縁層のそれぞれを介して積層されている複数の導体層（導体層１１～１５）と、を含んでいる。具体的には、実施形態の配線基板１００は、絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成されている導体層１１（第１導体層）と、導体層１１及び絶縁層２０の上に積層されている絶縁層２１（第１絶縁層）と、絶縁層２１上に形成されている導体層１２（第２導体層）と、を含んでいる。図１の配線基板１００は、さらに、導体層１２及び絶縁層２１の上に積層されている絶縁層２２（第２絶縁層）と、絶縁層２２の上に形成されている導体層１３（第３導体層）と、導体層１３及び絶縁層２２の上に積層されている絶縁層２３と、絶縁層２３の上に形成されている導体層１４と、それらの上に順に形成されている絶縁層２４及び導体層１５と、を含んでいる。

図１では、絶縁層２０が配線基板１００の厚さ方向における一方の表面側の最表層の絶縁層であるように描かれており、他方の表面側の最表層の導体層及び絶縁層として、絶縁層２４及び導体層１５が描かれている。しかし、前述したように実施形態の配線基板の積層構造や、導体層の数は、図１の例に限定されない。例えば、実施形態の配線基板は、絶縁層２０における導体層１１と反対側に、さらに１以上の導体層及び絶縁層を備えていてもよく、導体層１５における絶縁層２４の反対側に、さらに１以上の導体層及び絶縁層を備えていてもよい。また、図１の配線基板１００は、その両面にビルドアップ層が形成されているコア基板（図示せず）を含まない、所謂コアレス配線基板であるが、実施形態の配線基板はコア基板を含んでいてもよい。

なお、配線基板１００の説明では、配線基板１００の厚さ方向において導体層１５側が「上側」又は単に「上」とも称され、絶縁層２０側は「下側」又は単に「下」とも称される。また、実施形態の配線基板の各構成要素において導体層１５側を向く表面、及び導体層１５において絶縁層２４と反対側を向く表面は「上面」とも称され、各構成要素において絶縁層２０側を向く表面、及び絶縁層２０において導体層１１と反対側を向く表面は「下面」とも称される。

図１の配線基板１００は、さらに、絶縁層２１～２４それぞれを貫通して、その各絶縁層の上下の導体層同士を接続するビア導体（ビア導体４１～４４及びビア導体４１ａ）を含んでいる。例えば、配線基板１００は、絶縁層２１を貫通して導体層１１と導体層１２とを接続するビア導体４１及びビア導体４１ａを含んでいる。同様に、ビア導体４２は、絶縁層２２を貫通して導体層１２と導体層１３とを接続し、ビア導体４３は、絶縁層２３を貫通して導体層１３と導体層１４とを接続し、ビア導体４４は、絶縁層２４を貫通して導体層１４と導体層１５とを接続している。ビア導体４１～４４は、図１が示す切断面に露出していないのでその輪郭のみが破線で示されている。ビア導体４１～４４は、それぞれ、ビア導体４１ａのような形状を有し得る。

図１及び図２に示されるように、導体層１１は、配線パターン１０ａ（第１配線パターン）、及び配線パターン１０ａを囲むベタパターン１０１を含み、導体層１２は、配線パターン１０ｂ（第２配線パターン）、及び配線パターン１０ｂを囲むベタパターン１０２を含んでいる。同様に、導体層１３は、配線パターン１０ｃ（第３配線パターン）、及び配線パターン１０ｃを囲むベタパターン１０３を含み、導体層１４は、配線パターン１０ｄ、及び配線パターン１０ｄを囲むベタパターン１０４を含んでいる。図１の配線基板１００では、導体層１１～１４の各導体層は、それぞれ２つの、配線パターン１０ａ、配線パターン１０ｂ、配線パターン１０ｃ、又は配線パターン１０ｄを含んでいる。２つの配線パターン１０ａは互いに対向して配置され、２つの配線パターン１０ｂは互いに対向して配置されている。同様に、２つの配線パターン１０ｃは互いに対向して配置され、２つの配線パターン１０ｄも互いに対向して配置されている。このように、実施形態の配線基板１００は、それぞれが配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれかを含む複数の導体層１１～１４を含んでいる。導体層１１、導体層１２、導体層１３、及び導体層１４は、それぞれ、１以上の任意の数の配線パターン１０ａ、配線パターン１０ｂ、配線パターン１０ｃ、又は配線パターン１０ｄを含み得る。

導体層１１～１４が含むベタパターン１０１～１０４は、各導体層における配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれかの周囲において特定の導体パターンに占められていない領域を導電体で埋める導体パターンである。ベタパターン１０１～１０４は、それぞれ、絶縁層２０～２３の上面のうちのベタパターン１０１～１０４以外の導体パターンに覆われていない領域を略覆い尽くすように、特定の一方向ではなく放射状に任意の方向に広がっていて薄板状又は薄膜状の形体を有している。ベタパターン１０１～１０４は、例えば、所謂グランドプレーンや電源プレーンなどとして機能し得る。

配線パターン１０ａ～１０ｄは、それぞれ、導体層１１～１４において、所定の２以上の箇所の間を導電体で繋いでいる導体パターンである。各配線パターンでは、その一端からその一端以外の端部へと、電流が流れ、及び／又は、電気信号が伝播する。各配線パターンは、図２に示されるように、パッド部１ｂ及びパッド部１ｂに接続されている配線部１ａを有している。

配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれのパッド部１ｂは、各配線パターンにおいてビア導体４１～４３又は外部の部品（図示せず）と接続される接続部であり得る。すなわち、パッド部１ｂは、ビア導体４１～４４のいずれかと接続される所謂ビアパッド又はビア受けパッドなどであり得、外部の部品の接続用の搭載パッド又は実装パッドなどであってもよい。これら各「パッド」は「ランド」と称されることもある。一方、配線部１ａは、配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれのパッド部１ｂ同士を接続する導体パターンであり、配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれにおいて一のパッド部１ｂから他のパッド部１ｂへと延びている。配線部１ａは、配線部１ａが延びる方向に直交する方向に沿う所定の長さの幅を有し得る。

配線基板１００が含むビア導体のうち図１に示されるビア導体４１～４３は、導体層１１～１４の各導体層間で、パッド部１ｂ同士を接続している。図１及び図２の例では、ビア導体４１は、配線パターン１０ａのパッド部１ｂと配線パターン１０ｂのパッド部１ｂとを接続し、ビア導体４２は、配線パターン１０ｂのパッド部１ｂと配線パターン１０ｃのパッド部１ｂとを接続し、ビア導体４３は、配線パターン１０ｃのパッド部１ｂと配線パターン１０ｄのパッド部１ｂとを接続している。なお、図２では、各パッド部１ｂ同士を接続するビア導体４１～４３は、模式的に破線で示されている。

絶縁層２０～２４は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの熱硬化性の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁層２０～２４は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ポリエステル（ＰＥ）樹脂、及び変性ポリイミド（ＭＰＩ）樹脂のような熱可塑性の絶縁性樹脂を用いて形成されていてもよい。なお、絶縁層２０～２４の材料として列挙される各樹脂は、各絶縁層を形成し得る材料の例示に過ぎない。各絶縁層は、配線基板１００に含まれる導体層同士の間に絶縁性を提供し得る任意の材料で形成され得る。また、絶縁層２０～２４は、図示されていないが、例えばガラス繊維などで構成される補強材（芯材）、及び／又は、シリカ又はアルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

導体層１１～１５、並びにビア導体４１～４４及びビア導体４１ａは、銅又はニッケルなどの適切な導電性を有する任意の金属を用いて形成される。図１では、導体層１１～１５及びビア導体４１ａとして１つの層のみが描かれているが、配線基板１００が含む各導体層及び各ビア導体は、積層された複数の金属層で構成される多層構造を有し得る。各導体層及び各ビア導体は、例えば、めっき膜又はスパッタリング膜であり得る金属膜層と、その上に形成されている電解めっき膜層とを含み得る。また、各導体層は、例えば、銅箔やニッケル箔などからなる金属箔層と、その上に形成されている上記金属膜層及び電解めっき膜層とを含んでいてもよい。各導体層は、前述したように、配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれか及びベタパターン１０１～１０４のいずれかを含んでいるが、これら以外にも任意の導体パターンを含み得る。

図２に示されるように、配線基板１００は、さらに、配線パターン１０ａとベタパターン１０１とを分離するギャップパターン３１（第１ギャップパターン）と、配線パターン１０ｂとベタパターン１０２とを分離するギャップパターン３２（第２ギャップパターン）と、を含んでいる。ギャップパターン３１は導体層１１に設けられており、ギャップパターン３２は導体層１２に設けられている。ギャップパターン３１は、配線基板１００に含まれる導体層と絶縁層との積層構造において導体層１１が占める階層内の領域であるが、導体層１１を構成する導電体で充填されていない領域である。ギャップパターン３２も同様に、導体層１２が占める階層内の領域であるが、導体層１２を構成する導電体で充填されていない領域である。ギャップパターン３１によって配線パターン１０ａの輪郭が画定されており、ギャップパターン３２によって配線パターン１０ｂの輪郭が画定されている。ギャップパターン３１によって配線パターン１０ａとベタパターン１０１とが物理的及び電気的に分離され、ギャップパターン３２によって配線パターン１０ｂとベタパターン１０２とが物理的及び電気的に分離される。

図２に示される例では、導体層１３にギャップパターン３３（第３ギャップパターン）が設けられており、導体層１４にはギャップパターン３４が設けられている。ギャップパターン３３及びギャップパターン３４は、導体層１１におけるギャップパターン３１と同様に、導体層１３又は導体層１４が占める階層内の領域であるが、導体層１３又は導体層１４を構成する導電体で充填されていない領域である。ギャップパターン３３は配線パターン１０ｃとベタパターン１０３とを物理的及び電気的に分離し、ギャップパターン３４は配線パターン１０ｄとベタパターン１０４とを物理的及び電気的に分離する。ギャップパターン３３によって配線パターン１０ｃの輪郭が画定され、ギャップパターン３４によって配線パターン１０ｄの輪郭が画定されている。このように、配線基板１００は、導体層１１～１４それぞれに設けられていて、配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれかとその周囲の導電体（ベタパターン１０１～１０４）とを分離するギャップパターン３１～３４を含んでいる。

図２に示されるように、配線基板１００において、配線パターン１０ａは、平面視で所定の仮想図形ＩＳ１（第１仮想図形）の外縁の一部に沿って配置されており、配線パターン１０ｂは、仮想図形ＩＳ２（第２仮想図形）の外縁に沿って配置されている。換言すると、例えば導体層１１が図２の例のように複数の配線パターン１０ａを含んでいる場合、各配線パターン１０ａ同士を連結することによって、仮想図形ＩＳ１の概略の輪郭が得られることがある。同様に、複数の配線パターン１０ｂの各配線パターン１０ｂ同士を連結することによって、仮想図形ＩＳ２の概略の輪郭が得られることがある。なお、「平面視」は、実施形態の配線基板を、その厚さ方向に沿う視線で見ることを意味している。仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２は、いずれも、実施形態の配線基板の各導体層において想い描かれ得る所定の平面形状を有する図形であるが、実際に視認されることがないと思われる概念上若しくは想像上の図形である。図２及び図３の例において、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２は、いずれも略真円の形状を有している。

本実施形態では、仮想図形ＩＳ２は、平面視で仮想図形ＩＳ１と中心点を共有している。すなわち、仮想図形ＩＳ１の中心点Ｃ１と仮想図形ＩＳ２の中心点Ｃ２とは、平面視で重なっている。さらに、仮想図形ＩＳ２は、仮想図形ＩＳ１と相似の平面形状（平面視で視認される形状）を有している。すなわち、仮想図形ＩＳ１と仮想図形ＩＳ２とは、略同一の形状を有し、中心点Ｃ１（又は中心点Ｃ２）を基準に、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２の一方が拡大又は縮小されると、その一方の略全体は他方の略全体と重なり合い得る。なお、実施形態の説明において、複数の図形同士の「相似」には、それら図形同士の「合同」が含まれる。従って、仮想図形ＩＳ１と仮想図形ＩＳ２とは、略同一の形状及び略同一の大きさを有していてもよい。図２の例の仮想図形ＩＳ１と仮想図形ＩＳ２とは合同である。このような相似図形それぞれの外縁に沿って配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂが配置されているので、後述されるように、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂ同士を電気的に接続することによって、所定の電気的特性を有する回路素子を小さく形成し得ることがある。

図２の例では、配線パターン１０ｃ、１０ｄも、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２と中心点を共有していて仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２と合同の仮想図形（図示せず）の外縁の一部に沿って配置されている。配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂを、配線パターン１０ｃ及び／又は配線パターン１０ｄと、電気的に接続することによって、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂだけが互いに接続される時とは異なる特性の回路素子が形成されることがある。

図２の例では、配線パターン１０ａと配線パターン１０ｂの形状及び大きさは略同じである。さらに、配線パターン１０ａ、配線パターン１０ｂ、配線パターン１０ｃ、及び配線パターン１０ｄそれぞれの形状及び大きさは互いに略同じであり、これら配線パターン１０ａ～１０ｄは互いに合同である。図２の例において、配線パターン１０ｃは、配線パターン１０ｃの略全体が配線パターン１０ａの略全体と重なり合う位置に配置されており、配線パターン１０ｄは、配線パターン１０ｄの略全体が配線パターン１０ｂの略全体と重なり合う位置に配置されている。すなわち、導体層１３は、配線パターン１０ａと略同じ形状及び大きさを有していて配線パターン１０ａと平面視で重なる配線パターン１０ｃを含んでいる。同様に、導体層１４は、配線パターン１０ｂと略同じ形状及び大きさを有していて配線パターン１０ｂと平面視で重なる配線パターン１０ｄを含んでいる。また、ギャップパターン３１、ギャップパターン３２、ギャップパターン３３、及びギャップパターン３４の形状及び大きさは略同じであり、ギャップパターン３１～３４は互いに合同である。

しかし、本実施形態では、中心点Ｃ１（及び中心点Ｃ２）に関する径方向又は周方向において、ギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とは異なっている。換言すると、ギャップパターン３１及びギャップパターン３２の位置は、中心点Ｃ１を原点として有していて配線基板１００の厚さ方向と直交する極座標平面において、動径座標同士、及び／又は、角度座標同士が互いに異なるように配置されている。図２の例では、中心点Ｃ１（及び中心点Ｃ２）に関する周方向においてギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とが異なっている。一方、中心点Ｃ１（及び中心点Ｃ２）に関する径方向においてギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とは略同じである。

なお中心点Ｃ１に関する「径方向」は、中心点Ｃ１に中心を有する円の半径に沿う方向（例えば、図３に示される矢印Ｒで示される方向であり、以下では「径方向Ｒ」とも称される）である。中心点Ｃ１に関する「周方向」は、当該円の円周に沿う方向（例えば図３に示される矢印θで示される方向であり、以下では「周方向θ」とも称される）である。また、ギャップパターン３１、３２それぞれの「位置」（並びに以下で述べられるギャップパターン３３、３４それぞれの「位置」及び配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれの「位置」）は、各ギャップパターン（又は各配線パターン）に一様に質量が分布している場合の重心位置である。

同様に、図１の例の配線基板１００では、図２及び図３に示されるように、周方向θにおいてギャップパターン３２の位置とギャップパターン３３の位置とが異なっており、ギャップパターン３３の位置とギャップパターン３４の位置とが異なっている。すなわち、絶縁層２１～２３のいずれかを介して隣接する２つの導体層（導体層１１～１４のうちの隣接する２つ）それぞれに設けられているギャップパターン（ギャップパターン３１～３４のうちの隣接する２つ）の位置は、全て、周方向θにおいて互いに異なっている。一方、ギャップパターン３１～３４の径方向Ｒにおける位置は全て同じである。

なお、図３では、絶縁層２０～２４の図示は省略されている。また、図２の例では配線パターン１０ｃ及びギャップパターン３３が配線パターン１０ａ及びギャップパターン３１と重なっているので、図３には、配線パターン１０ａ及びギャップパターン３１の輪郭は示されずに、それらの符号１０ａ及び３１だけが配線パターン１０ｃ及びギャップパターン３３の符号と共に示されている。同様に、配線パターン１０ｄ及びギャップパターン３４と重なっている配線パターン１０ｂ及びギャップパターン３２の符号１０ｂ及び３２が、配線パターン１０ｄ及びギャップパターン３４の符号と共に示されている。

本実施形態では、このように、絶縁層を介して隣接する２つの導体層に含まれるギャップパターン同士の位置が異なっているので、各導体層のギャップパターン同士が、配線基板１００の厚さ方向において連続して重なり合い難い。例えば、図１のＡ部のように、ギャップパターン３２とギャップパターン３４との間には導体層１３のベタパターン１０３が介在している。そのため、絶縁層２１～２４それぞれにおいてギャップパターン３１～３４を充填している部分と重なる部分に生じ得る上面の凹みが、絶縁層２１から絶縁層２４に渡って蓄積され難い。

各絶縁層の上面の凹みが複数の絶縁層に渡って蓄積されると、より上層側の絶縁層の上面に顕著な凹みが生じることがある。そのような顕著な凹みは、その上面への導体層（例えば絶縁層２４の上面に形成される導体層１５）の適切な形成を妨げることがある。例えば、電解めっきによるパターンめっきを用いるセミアディティブ法が用いられる場合、めっきレジストを構成するドライフィルムレジストが、絶縁層の上面の凹みに追従できず、めっきレジストと絶縁層との間に隙間が生じることがある。そして、その隙間に露出する電解めっきの給電層上にめっき金属が析出され、その結果、凹みの両側に形成される導体パターンの間で短絡が生じたり、所望の絶縁性が得られなかったりすることがある。サブトラクティブ法が用いられる場合も、エッチングレジストと導電体との間に隙間が生じてしまい、導電体における意図されていない部分がエッチン液に晒されて除去されてしまうことがある。また、外部の電子部品などが搭載される部品搭載面を構成する絶縁層の表面に大きな凹みが生じると、搭載される電子部品が傾いたり絶縁層上の接続パッドから浮いたりして、搭載部品が配線基板に適切に接続されないことがある。

これに対して本実施形態では、前述したように、絶縁層２１～２４それぞれにおいてギャップパターン３１～３４を充填している部分で上面に生じ得る凹みが、絶縁層２１～２４に渡って蓄積され難い。そのため、各絶縁層の上面への大きな凹みの発生が抑制されると考えられる。従って、これら各絶縁層の上面、特に絶縁層２４の上面には、例えば導体層１５などの導体層が適切に形成され得る。従って、実施形態の配線基板では、導体パターン間の短絡や絶縁性の低下などが抑制されると考えらえる。加えて、実施形態の配線基板には、電子部品などの搭載部品が適切に接続されると考えられる。さらに、導体層２１～２４それぞれにギャップパターン３１～３４が設けられているので、絶縁層２０～２３から生じ得るガスが、各絶縁層内に留まらずに配線基板１００の外部に放出され易い。そのため、実施形態の配線基板１００では、各絶縁層内に残留するガスの膨張による膨れや、各絶縁層とその上の導体層との間の層間剥離などが生じ難い。このように、本実施形態によれば、配線基板における膨れの発生が抑制されると共に表面の凹みの発生も抑制され、もって配線基板の信頼性や電気的特性などの品質が向上することがある。

さらに、本実施形態では、前述したように、径方向Ｒ又は周方向θにおいて、隣接する２つの導体層に設けられる各ギャップパターン同士の位置（少なくともギャップパターン３１及びギャップパターン３２の位置）が互いに異なっている。そのため、各絶縁層からのガスの排出経路としての機能も有する各ギャップパターンに囲まれる配線パターン１０ａ～１０ｄによって構成し得る回路素子を、平面視で中心点Ｃ１の周囲の限られた領域内に形成し得ることがある。例えば、各ギャップパターンの位置を示すべく極座標系又は直交座標系に用いられる２つの座標の両方が互いに異なるように各ギャップパターンが配置される場合と比べて狭い領域内に回路素子を形成し得ることがある。従って、本実施形態は、そのような回路素子を含む配線基板の小型化に寄与し得ることがある。

図１～図３の例の配線基板１００では、ギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とが、周方向θにおける配線パターン１０ａとギャップパターン３１との長さの差（図３の差分ＬＤ１１＋差分ＬＤ１２）よりも長い長さで、周方向θにおいて異なっている。さらに、ギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とが、周方向θにおける配線パターン１０２とギャップパターン３２との長さの差（図３の差分ＬＤ２１＋差分ＬＤ２２）よりも長い長さで周方向θにおいて異なっている。そのため、ギャップパターン３１とギャップパターン３２とが、多くの領域で重なり合い難いと考えられ、絶縁層２２～２４の上面に大きな凹みが生じ難いと考えられる。

実施形態の配線基板１００において配線パターン１０ａ～１０ｄによって構成される回路素子が、引き続き図１～図３を参照すると共に、さらに図４を参照して説明される。図４には、図１の配線基板１００に形成され得る回路素子である２つのコイルＬ１、Ｌ２が、コイルの回路記号と共に模式的に示されている。図２及び図３の円弧状の各配線パターン、及び各ビア導体は、図４では直線的なワイヤに模式化されている。前述したように実施形態の配線基板は、図１の例の配線基板１００よりも多くの導体層及び絶縁層を含み得る。図４では、形成されるコイルが巻き数の増加によって理解され易いように、図１の絶縁層２４及び導体層１４の上に、さらに１セットの図１の導体層１１～１４が絶縁層を介して積層されている場合に形成されるコイルが、コイルＬ１、Ｌ２として示されている。

図２に示されるように、２つの配線パターン１０ａそれぞれの２つのパッド部１ｂのうちの一方がビア導体４１によって各配線パターン１０ｂの２つのパッド部１ｂのうちの一方に接続されている。同様に、各配線パターン１０ｂのもう一方のパッド部１ｂが各配線パターン１０ｃの２つのパッド部１ｂのうちの一方に接続され、各配線パターン１０ｃのもう一方のパッド部１ｂが各配線パターン１０ｄの２つのパッド部１ｂのうちの一方に接続されている。その結果、図３に示されるように、電気的に連続していて平面視で中心点Ｃ１の周囲を１周する導電路が形成される。すなわち、導体層１１～１４のうちの隣接する２つの導体層に含まれる、配線パターン１０ａ～１０ｄのうちの２つが、導体層１１～１４まで一つに繋がるように接続されることによって、巻き数１のコイルＬが形成される。例えば、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂは、ビア導体４１を介して互いに接続されることによってコイルＬの一部を構成している。

前述したように、ギャップパターン３１～３４の位置は、中心点Ｃ１に関する径方向Ｒ又は周方向θにおいて、導体層１１～１４のうちの隣接する２つの間で互いに異なっている。従って、これらギャップパターン３１～３４の位置は、コイルＬの中心軸ＣＡ（図２参照）に関する径方向又は周方向においても、複数の導体層（導体層１１～１４）のうちの隣接する少なくとも２つ（例えば導体層１１及び導体層１２）の間で、互いに異なっている。図１～図３の例では、中心軸ＣＡに関する周方向におけるギャップパターン３１～３４の位置が、導体層１１～１４のうちの隣接する少なくとも２つの導体層の間で異なっている。なお、中心軸ＣＡは、中心点Ｃ１を配線基板１００の厚さ方向に沿って貫いているので、中心軸ＣＡに関する径方向及び周方向は、それぞれ、径方向Ｒ及び周方向θと同じである。そのため、中心軸ＣＡに関する径方向及び周方向も、それぞれ、以下では単に「径方向Ｒ」及び「周方向θ」とも称される。

特に図１～図３の例では、導体層１１～１４のうちの絶縁層２１～２３のいずれか１つを介して隣接する２つの導体層の全てにおいて、周方向θおけるギャップパターン３１～３４の位置が、それら２つの導体層の間で異なっている。すなわち、それら２つの導体層に設けられるギャップパターン３１～３４のいずれか同士の位置が、周方向θにおいて互いに異なっている。

図３には明確に示されていないが、図４に示されるように、配線パターン１０ａ～１０ｄは、ビア導体４１～４４を介して接続されることで、全体として、中心軸ＣＡの周囲を取り巻くらせん状の導電路を形成している。その結果、中心軸ＣＡの周囲に巻回されている導電線からなるコイルが形成される。図２の例のように、各導体層に配線パターン１０ａのような各配線パターンが２つずつ含まれている場合は、図４に示されるように、２つのコイル（コイルＬ１及びコイルＬ２）が形成され得る。

図１の例の配線基板１００では、１セットの導体層１１～１４だけが含まれているので巻き数１のコイルが形成される。図４では、前述したように、更なる導体層の積層により形成され得る、それぞれ巻き数２のコイルＬ１及びコイルＬ２が示されている。コイルＬ１及びコイルＬ２は、それぞれ、下層側の２つの配線パターン１０ａの一方又は他方の先端１０ａａから、中心軸ＣＡの周囲を２周して、上層側の２つの配線パターン１０ｄの一方又は他方の先端１０ｄｄに達する導電路からなる。

このように、実施形態の配線基板の一例である配線基板１００は、複数の導体層（導体層１１～１４）の各導体層に含まれる配線パターン１０ａ～１０ｄ及びビア導体４１～４４によって構成される、コイルＬ１、Ｌ２のような１以上のコイルを備えている。配線基板１００が用いられる電気機器の小型化に寄与し得ることがある。特に、図１～図３に例示の配線基板１００では、複数の導体層１１～１４の各導体層が、それぞれ複数の配線パターン１０ａ～１０ｄを含んでいる。そのため、配線基板１００は複数のコイル（コイルＬ１、Ｌ２）を備えている。より多くの回路素子を配線基板１００内に内蔵させることができる。

図５には、図１の配線基板１００のような本実施形態の配線基板における、各導体層の配線パターン１０ａ～１０ｄの他の例が、図２と同様に並べて模式的に示されている。図５の例においても、配線パターン１０ａ～１０ｄは、図２の例の配線パターン１０ａ～１０ｄと同様に、仮想図形ＩＳ１、又は仮想図形ＩＳ１と平面視で中心点を共有していて仮想図形ＩＳ１と合同の仮想図形ＩＳ２のような仮想図形の外縁の一部に沿って配置されている。配線パターン１０ａ～１０ｄは、ギャップパターン３１～３４のいずれかによって、ベタパターン１０１～１０４と、それぞれ分離されている。そして、ギャップパターン３１～３４のうちの隣接する２つの導体層に設けられているギャップパターン同士の位置は、仮想図形ＩＳ１の中心点Ｃ１に関する周方向θにおいて互いに異なっている。

しかし、図５の例では、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２は六角形の形状を有し、特に略正六角形の形状を有している。そして、配線パターン１０ａ～１０ｄは、それぞれ、平面視で、仮想図形ＩＳ１の六角形の各辺に沿って配置されている。このように、本実施形態の配線基板では、配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれが平面視でその外縁に沿って配置される仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２が多角形であると共に互いに合同であってもよい。そして配線パターン１０ａ～１０ｄがその多角形の各辺に沿って配置されていてもよい。さらに、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２は、六角形に限らず、任意のｎ個（ｎは自然数）の頂点を有する、例えば正多角形のような多角形であって互いに合同であってもよい。そして、配線パターン１０ａ～１０ｄそれぞれが、その正多角形のいずれかの辺に沿って配置されていてもよい。

図５の例において、略正六角形の形状を有する仮想図形ＩＳ１又は仮想図形ＩＳ２の各辺に沿って配置されている配線パターン１０ａの位置と配線パターン１０ｂの位置とは、周方向θにおいて、６０度（＝３６０度／（仮想図形ＩＳ１、ＩＳ２の頂点の数６））の角度だけずれている。このように、仮想図形ＩＳ１及び仮想図形ＩＳ２が、ｎ個の頂点を有する正多角形である場合、配線パターン１０ａ～１０ｄのうちの隣接する導体層にそれぞれが含まれる２つの配線パターン同士の位置は、周方向θにおいて（３６０度／ｎ）の角度だけずれていてもよい。配線パターン１０ａ～１０ｄによって構成される回路素子が、平面視で小さく形成されることがある。

図５の例では、導体層１１及び導体層１２は、それぞれ、複数の配線パターン１０ａ及び複数の配線パターン１０ｂを含んでいる。同様に、導体層１３及び導体層１４も、それぞれ、複数の配線パターン１０ｃ及び複数の配線パターン１０ｄを含んでいる。具体的には、六角形である仮想図形ＩＳ１の頂点の数である６個の１／２の数である３個の配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれかが、各導体層に配置されている。そのため、各配線パターンが１個だけ配置されている場合と比べて多くの回路素子が、互いに接続された配線パターン１０ａ～１０ｄによって構成されると考えられる。

そして、仮想図形ＩＳ１がｎ個の頂点を有する正多角形であってそれぞれ（ｎ／２）個の配線パターン１０ａ～１０ｄが導体層１１～１４に設けられる図５の例（ｎ＝６の例）において、配線パターン１０ａ同士の位置が、周方向θにおいて１２０度（＝（３６０度／ｎ）の２倍）又は２４０度（３６０度／ｎ）の４倍）だけずれている。同様に、配線パターン１０ｂ同士の位置、配線パターン１０ｃ同士の位置、及び配線パターン１０ｄ同士の位置も、それぞれ、周方向θにおいて１２０度又は２４０度ずつずれている。このように、本実施形態では、仮想図形ＩＳ１がｎ個の頂点を有する正多角形であってそれぞれ（ｎ／２）個の各配線パターンが各導体層に設けられる場合、各導体層における各配線パターン同士の位置は、周方向θにおいて（３６０度／ｎ）の偶数倍の角度だけずれていてもよい。以下に説明されるような、互いに接続された各１つの配線パターン１０ａ～１０ｄを含む１セットの配線パターンからなる（ｎ／２）個の複数の回路素子が構成され得ることがある。

図５の例においても、配線パターン１０ａがビア導体４１によって配線パターン１０ｂに接続され、同様に、配線パターン１０ｂ、配線パターン１０ｃ、及び配線パターン１０ｄが、ビア導体４２又はビア導体４３によって互いに接続されている。その結果、図３などを参照して説明された例と同様に、巻き数１のコイルが形成され得る。形成されるコイルは、平面視で、ｎ個（図５の例では６個）の頂点を有する仮想図形ＩＳ１の多角形の形状を有し得る。そして、導体層１１～１４が、それぞれ、ｎ個の１／２である３個の配線パターン１０ａ～１０ｄのいずれかを含んでいる図５の例では、３個のコイルが形成され得る。このように本実施形態の配線基板は、平面視で、多角形である仮想図形ＩＳ１の頂点の数と同じｎ個の頂点を有する多角形の形状をそれぞれ有する（ｎ／２）個のコイルを備えていてもよい。

図６Ａ～図６Ｃを参照して一実施形態の配線基板の他の例が説明される。図６Ａには、一実施形態の配線基板の他の例である配線基板１００ａの一部の断面図が示されている。図６Ｂには、図６Ａの配線基板１００ａの各導体層に含まれる配線パターンが、図２と同様に縦方向に並べて示されている。図６Ｃは、図６Ｂの配線パターンを重ねて示す平面図である。図６Ｃには、解り易さの為に図６Ｂの配線パターン１０ｄ及び配線パターン１０ｅ並びにそれらの周囲のパターンだけが示されている。図６Ａは、図６Ｂ及び図６Ｃに示されるVIＡ－VIＡ線を含む切断線での断面図である。配線基板１００ａは、図１の例の配線基板１００と同様に絶縁層２０～２４、導体層１１～１５、及びビア導体４１～４４を含み、さらに、絶縁層２４及び導体層１５の上に積層されている絶縁層２５及び導体層１６を含んでいる。

図６Ａ～図６Ｃに示されるように、配線基板１００ａが含む導体層１１～１４は、それぞれ、図１の配線基板１００と同様に、配線パターン１０ａ～１０ｄ及びベタパターン１０１～１０４のうちの対応する各配線パターン及びベタパターンを含んでいる。また、導体層１１～１４には、それぞれ、図１の配線基板１００と同様に、ギャップパターン３１～３４のいずれかが設けられている。同様に、導体層１５は、配線パターン１０ａ～１０ｄと同様の配線パターン１０ｅ、及びベタパターン１０１～１０４と同様のベタパターン１０５を含んでいる。また、導体層１５には、配線パターン１０ｅとベタパターン１０５とを分離する、ギャップパターン３１～３４と同様のギャップパターン３５が設けられている。配線基板１００ａの各導体層は、例えば図１の配線基板１００の各導体層と同様の材料及び方法で形成され、配線基板１００ａの各絶縁層は、例えば配線基板１００の各絶縁層と同様の材料及び方法で形成され得る。

図６Ａ～図６Ｃの例では、配線パターン１０ａは、円形である仮想図形ＩＳ１の外縁の一部に沿って配置されており、配線パターン１０ｂは、仮想図形ＩＳ１と相似且つ中心点を平面視で共有する仮想図形ＩＳ２の外縁の一部に沿って配置されている。配線パターン１０ｃ～１０ｅも、平面視で、仮想図形ＩＳ１の外縁の一部に沿って配置されている。ベタパターン１０１～１０５は、それぞれ、このように配置されている配線パターン１０ａ～１０ｅのうちの対応する配線パターンを囲んでいる。ギャップパターン３１～３５は、それぞれ、対応する配線パターン１０ａ～１０ｅと対応するベタパターン１０１～１０５とを分離している。

図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、配線パターン１０ａ～１０ｅは、それぞれ、平面視で仮想図形ＩＳ１の外縁の略全体に渡るように形成されており、１カ所の不連続部（開口部）を有する「Ｃ字」状の平面形状を有している。図６Ｂ及び図６Ｃの例では、各配線パターンのＣ字状の平面形状の不連続部（例えば配線パターン１０ｅに示されるＣ部）の位置が、導体層１１～１５の間で、仮想図形ＩＳ１の中心点Ｃ１に関する周方向において異なっている。

図６Ｂに示されるように、配線基板１００ａの配線パターン１０ａ～１０ｅは、図１～図３の配線基板１００の配線パターン１０ａ～１０ｄと同様に、配線部１ａ及びパッド部１ｂを有している。配線パターン１０ａの２つのパッド部１ｂのうちの一方がビア導体４１によって配線パターン１０ｂの一方のパッド部１ｂに接続されており、配線パターン１０ｂの他方のパッド部１ｂがビア導体４２によって配線パターン１０ｃのパッド部１ｂに接続されている。同様に、配線パターン１０ｃと配線パターン１０ｄとがビア導体４３によって接続され、配線パターン１０ｄと配線パターン１０ｅとがビア導体４４によって接続されている。その結果、平面視で中心点Ｃ１の周囲を周回する導電路が形成される。

すなわち、図１～図３の例と同様に、中心点Ｃ１を貫く中心軸ＣＡの周囲にコイルＬが形成される。例えば、導体層１１（第１導体層）に含まれる配線パターン１０ａ及び導体層１２（第２導体層）に含まれる配線パターン１０ｂは、コイルＬの一部を構成している。図６Ａ～図６Ｃの例の配線パターン１０ａ～１０ｄは、それぞれ、平面視で仮想図形ＩＳ１の外縁の略全体に渡るように形成されている。そのため、例えば、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂだけでも、少なくとも巻き数１のコイルＬが構成され得る。前述したように２以上の任意の数の導体層を含み得る実施形態の配線基板は、導体層として導体層１１及び導体層１２だけを含んでいてもよい。従って、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂが、配線基板１００ａ内に形成されるコイルＬの全部を構成していてもよい。

配線基板１００ａでは、導体層１１～１５のうちの少なくとも２つの間で、コイルＬの中心軸ＣＡに関する径方向において、ギャップパターン３１～３５のいずれか２つ同士の位置が異なっている。具体的には、ギャップパターン３１～３５それぞれのうちの、配線パターン１０ａ～１０ｅそれぞれの配線部１ａを挟んでいる部分の中心軸ＣＡに関する径方向における位置が、導体層１１～１５のうちの少なくとも２つの間で異なっている。なお、配線基板１００ａに関する説明においても、配線基板１００の説明と同様に、中心軸ＣＡに関する径方向は、以下では単に「径方向Ｒ」とも称される。

例えば、ギャップパターン３１の位置とギャップパターン３２の位置とが径方向において異なっている。そのため、図６ＡのＢ１部及びＢ２部に示されるように、配線パターン１０ａ及び配線パターン１０ｂの少なくとも一方が、ギャップパターン３１又はギャップパターン３２と平面視で重なっている。Ｂ１部では、配線パターン１０ａが、ギャップパターン３２における配線パターン１０ｂよりも内側（中心軸ＣＡ側）の部分と重なり、且つ、配線パターン１０ｂがギャップパターン３１における配線パターン１０ａよりも外側（中心軸ＣＡ側と反対側）の部分と重なっている。一方、配線パターン１０ｂのパッド部１ｂが示されているＢ２部では、配線パターン１０ａはギャップパターン３２と重なっていないが、配線パターン１０ｂのパッド部１ｂは、ギャップパターン３１における配線パターン１０ａの両側の部分と重なっている。

図６Ｃにおいても、実線で示される配線パターン１０ｅの配線部１ａは、破線で示されるギャップパターン３４における配線パターン１０ｄよりも内側の部分と重なっている。そして、破線で示される配線パターン１０ｄの配線部１ａは、実線で示されるギャップパターン３５における配線パターン１０ｅよりも外側の部分と重なっている。

特に、配線基板１００ａでは、図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、導体層１１～１５のうちの絶縁層２１～２４のいずれか１つを介して隣接する２つの導体層の全てにおいて、径方向Ｒにおけるギャップパターン３１～３５の位置が、それら２つの導体層の間で異なっている。すなわち、それら２つの導体層に含まれる、ギャップパターン３１～３５のいずれか同士の位置が、径方向Ｒにおいて互いに異なっている。

このように、ギャップパターン３１～３５のいずれか同士の位置が互いに異なっているので、図６ＡのＢ１部及びＢ２部に示されるように、ギャップパターン３１～３５同士が、配線基板１００ａの厚さ方向の全体に渡るようには重なり合い難い。そのため、配線基板１００に関して前述したように、配線基板１００ａにおいても、絶縁層２１～２５それぞれにおいてギャップパターン３１～３５を充填している部分の各絶縁層の上面に生じ得る凹みが、絶縁層２１から絶縁層２５に渡って蓄積され難い。そのため、各絶縁層の上面への大きな凹みの発生が抑制され、これら各絶縁層の上面には、例えば導体層１６などの導体層が適切に形成され得る。従って、配線基板１００ａにおいても、膨れの発生が抑制されると共に、導体パターン間の短絡や絶縁性の低下が抑制され、もって信頼性や電気的特性などの品質が向上することがある。

配線基板１００ａでは、配線パターン１０ａ～１０ｄ及びギャップパターン３１～３５のうちの各導体層に含まれる配線パターン及びギャップパターンの位置が、導体層１１から導体層１５に至るまで、径方向Ｒにおける外側と内側とに交互に異なっている。例えば、配線パターン１０ｂ及びギャップパターン３２は、配線パターン１０ａ及びギャップパターン３１よりも径方向Ｒにおいて外側（中心軸ＣＡ側と反対側）に位置している。一方、導体層１３（第３導体層）に属する配線パターン１０ｃ及びギャップパターン３３は、配線パターン１０ｂ及びギャップパターン３２よりも径方向Ｒにおいて内側（中心軸ＣＡ側）に位置している。

そして図６Ａ～図６Ｃの例では、配線パターン１０ｃ及び配線パターン１０ｅは、配線パターン１０ａと径方向Ｒにおいて略同じ位置に配置されており、配線パターン１０ａと大半の部分で重なっている。同様に配線パターン１０ｄは、配線パターン１０ｂと径方向Ｒにおいて略同じ位置に配置されていて配線パターン１０ｂと大半の部分で重なっている。すなわち、導体層１３及び導体層１５は、それぞれ、配線パターン１０ａと重なっている配線パターン１０ｃ又は配線パターン１０ｅを含み、導体層１４は、配線パターン１０ｂと重なっている配線パターン１０ｄを含んでいる。このように配線パターン１０ａ～１０ｅの位置を導体層１１～導体層１５の間で、径方向Ｒの内側と外側とに交互にずらすことによって、配線パターン１０ａ～１０ｅによって構成されるコイルＬのような回路素子を平面視で小さく形成できることがある。

また、図６Ａ～図６Ｃの例では、配線パターン１０ａ～１０ｅそれぞれにおける径方向Ｒに沿う幅は、隣接する各導体層に設けられる各ギャップパターンにおけるそのギャップパターンに囲まれる配線パターンの外側部分の幅及び内側部分の幅よりも大きい。例えば、配線パターン１０ａの径方向Ｒに沿う幅は、ギャップパターン３２における配線パターン１０ｂよりも中心点Ｃ１側の部分及び中心点Ｃ１と反対側の部分それぞれの径方向Ｒに沿う幅よりも大きい。また、配線パターン１０ｂの径方向Ｒに沿う幅は、ギャップパターン３１における配線パターン１０ａよりも中心点Ｃ１側の部分及び中心点Ｃ１と反対側の部分それぞれの径方向Ｒに沿う幅よりも大きい。

各配線パターンがこのような幅を有しているので、隣接する２つの導体層に渡っていずれかのギャップパターン同士が重なり合い難く、上層側の絶縁層の上面に大きな凹みが生じ難い。なお、各配線パターンの幅は、隣接する各導体層のギャップパターンにおける外側部分の幅及び内側部分の幅のいずれかより大きいだけでもよい。各配線パターンの幅が、隣接する各導体層のギャップパターンにおける外側部分の幅及び内側部分の幅の少なくともいずれか（各ギャップパターンにおける当該配線パターンと平面視で重なっている部分の幅）よりも大きければ、ギャップパターン同士の重なり合いが回避され易いと考えられる。

実施形態の配線基板は、配線基板の一般的な製造方法で製造され得る。例えば実施形態の配線基板は、一般的なビルドアップ工法によって製造される。但し、実施形態の配線基板の各導体層の形成工程では、先に参照した各図面に例示の配線パターン１０ａ～１０ｅやギャップパターン３１～３５のような配線パターン及びギャップパターンに応じた開口を有するレジスト膜が設けられる。その開口内に、銅めっき膜のような導電体が形成されるか、その開口内に露出する導電体が除去される。図１～図３に示される配線基板１００が製造される場合を例に、実施形態の配線基板を製造する方法の概略が、図７Ａ～図７Ｅを参照して以下に説明される。

先ず、図７Ａに示されるように、絶縁層２０が用意され、絶縁層２０の一方の表面に導体層１１が形成される。絶縁層２０は、種々の方法で用意され得る。例えば、図示されていないが、既に形成されている他の絶縁層及びその絶縁層の上に形成されている導体層の上に、シート状やフィルム状に成形されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を積層して熱圧着することによって絶縁層２０が用意される。絶縁層２０は、図示されていないが、剛性を有する支持板の上に接合された剥離可能な２層の金属箔上に、前述したようなシート状やフィルム状に成形された絶縁性樹脂を積層して熱圧着することによって用意されてもよい。また、所謂両面銅張積層板を用意することによって、その両面銅張積層板の絶縁層からなる絶縁層２０が用意されてもよい。

導体層１１は、導体層の任意の形成方法を用いて形成され得る。例えばセミアディティブ法、フルアディティブ法、又はサブトラクティブ法によって、配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１を含む導体層１１が形成される。図７Ａでは、ビア導体４１ａ（図１参照）と接続される導体パッド１１ａも含む導体層１１が形成されている。導体層１１には、ギャップパターン３１が設けられる。例えばセミアディティブ法が用いられる場合、金属箔（図示せず）が絶縁層２０上に接合されるか、そのような金属箔が接合されないまま、絶縁層２０上に、無電解めっきやスパッタリングによって、銅などからなる金属膜が形成される。その金属膜の上に、配線パターン１０ａ、ベタパターン１０１、及びギャップパターン３１に応じた開口を有していてめっきレジストとして用いられるレジスト膜Ｍ１（図７Ｂ参照）が形成される。

図７Ｂには、導体層１１の形成に用いられるレジスト膜Ｍ１の一部が示されている。レジスト膜Ｍ１は第１部分Ｍ１１及び第２部分Ｍ１２を有している。セミアディティブ法で用いられるレジストＭ１において、第１部分Ｍ１１は開口部であり、第１部分Ｍ１１以外の第２部分Ｍ１２は、絶縁層２０上に形成されている金属膜を覆うマスク部である。第１部分Ｍ１１は、形成されるべき配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１などと略同じ平面形状を有し、第２部分Ｍ１２はギャップパターン３１などと略同じ形状を有している。そして、図示されない金属膜を給電層として用いる電解めっきが行われ、第１部分Ｍ１１内に銅などの電解めっき膜が形成される。その後レジスト膜Ｍ１が除去され、それにより露出する部分の金属膜が除去される。その結果、配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１などを含み、ギャップパターン３１が設けられた導体層１１が形成される。フルアディティブ法が用いられる場合、前述した銅などからなる金属膜が形成されずにレジスト膜Ｍ１が設けられ、無電解めっきによって、第１部分Ｍ１１内に、配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１などの導体パターンを構成する無電解めっき膜が形成される。第２部分Ｍ１２に覆われていた部分がギャップパターン３１となる。

サブトラクティブ法が用いられる場合は、絶縁層２０の一方の表面の全面に無電解めっきや電解めっきによって金属膜が形成され、その上に、エッチングレジストとして用いられる、図７Ｂのレジスト膜Ｍ１が形成される。サブトラクティブ法で用いられるレジストＭ１において、第１部分Ｍ１１はマスク部であり、第２部分Ｍ１２は開口部である。そして、ウェットエッチングなどによって、第２部分Ｍ１２に露出する金属膜が除去される。その後、レジスト膜Ｍ１が除去される。その結果、配線パターン１０ａ及びベタパターン１０１などを含み、ギャップパターン３１が設けられた導体層１１が形成される。

図７Ｃに示されるように、絶縁層２０及び導体層１１の上に絶縁層２１が形成され、絶縁層２１の上に、配線パターン１０ｂ及びベタパターン１０２を含む導体層１２が形成される。導体層１２には、ギャップパターン３２が設けられる。図７Ｃの例では、絶縁層２１を貫通して導体層１１と導体層１２とを接続するビア導体４１、４１ａも形成されており、ビア導体４１ａと接続される導体パッド１２ａも含む導体層１２が形成されている。

絶縁層２１は、例えば、絶縁層２０及び導体層１１の上に、シート状やフィルム状に成形されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を積層して熱圧着することによって形成される。絶縁層２１には、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、ビア導体４１、４１ａの形成位置に貫通孔が形成される。

導体層１２は、導体層１１と同様に、例えばセミアディティブ法、フルアディティブ法、又はサブトラクティブ法などの、導体層の任意の形成方法を用いて形成され得る。

図７Ｄには、導体層１２の形成に用いられるレジスト膜Ｍ２の一部が示されている。セミアディティブ法及びフルアディティブ法で用いられるレジストＭ２において、第１部分Ｍ２１は開口部であり、第２部分Ｍ２２はマスク部である。サブトラクティブ法で用いられるレジストＭ２において、第１部分Ｍ２１はマスク部であり、第２部分Ｍ２２は開口部である。第１部分Ｍ２１は、形成されるべき配線パターン１０ｂ及びベタパターン１０２などと略同じ平面形状を有し、第２部分Ｍ２２はギャップパターン３２と略同じ形状を有している。このようなレジスト膜Ｍ２を用いる電解めっきやエッチングなどを含む、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの方法によって、配線パターン１０ｂ及びベタパターン１０２などを含み、ギャップパターン３２が設けられた導体層１２が形成される。絶縁層２１の貫通孔内には、ビア導体４１、４１ａが形成される。

図７Ｅに示されるように、絶縁層２１及び導体層１２の上にさらに、絶縁層２２、導体層１３、絶縁層２３、導体層１４、絶縁層２４、及び導体層１５が形成される。絶縁層２２～２４それぞれには、ビア導体４２～４４が形成される。絶縁層２２～２４は、それぞれ、例えば絶縁層２１の形成方法と同様の方法で形成される。導体層１３～１５及びビア導体４２～４４は、例えば導体層１２及びビア導体４１の形成方法と同様の方法で形成される。但し、導体層１３の形成では、配線パターン１０ｃ、ベタパターン１０３、及びギャップパターン３３（図２参照）などに応じた開口を有するレジスト膜が、めっきレジスト又はエッチングレジストとして用いられる。そして導体層１４の形成では、配線パターン１０ｄ、ベタパターン１０４、及びギャップパターン３４などに応じた開口を有するレジスト膜が、めっきレジスト又はエッチングレジストとして用いられる。例えば以上の工程を経て図１の配線基板１００が製造される。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述されたように、実施形態の配線基板は、絶縁層を挟む２以上の任意の数の導体層を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板とその両面それぞれに積層された絶縁層及び導体層を含む配線基板であってもよく、コア基板を含まない配線基板であってもよい。実施形態の配線基板に含まれる各導体層は、それぞれがコイルを構成する複数の配線パターンを含んでいなくてもよく、従って、実施形態の配線基板は複数のコイルを含んでいなくてもよい。実施形態の配線基板は、図１などに示される最表層の導体層及び絶縁層を覆うソルダーレジスト層をさらに含んでいてもよい。また、実施形態の配線基板を製造する方法は、図７Ａ～図７Ｅを参照して説明された方法に限定されない。実施形態の配線基板は、実施形態の配線基板について説明された、構造、並びに、各導体層における配線パターン及びギャップパターンの配置などの実現が可能な任意の方法で製造され得る。

１００、１００ａ 配線基板
１ａ 配線部
１ｂ パッド部
１０ａ 配線パターン（第１配線パターン）
１０ｂ 配線パターン（第２配線パターン）
１０ｃ 配線パターン（第３配線パターン）
１０ｄ、１０ｅ 配線パターン
１０１～１０５ ベタパターン
１１ 導体層（第１導体層）
１２ 導体層（第２導体層）
１３ 導体層（第３導体層）
１４～１６ 導体層
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２ 絶縁層（第２絶縁層）
２０、２３～２５ 絶縁層
３１ ギャップパターン（第１ギャップパターン）
３２ ギャップパターン（第２ギャップパターン）
３３～３５ ギャップパターン
４１～４４、４１ａ ビア導体
ＣＡ コイルの中心軸
Ｃ１、Ｃ２ 仮想図形の中心点
ＩＳ１ 仮想図形（第１仮想図形）
ＩＳ２ 仮想図形（第２仮想図形）
Ｌ、Ｌ１、Ｌ２ コイル
Ｒ 径方向
θ 周方向

Claims (13)

1. 第１配線パターン及び前記第１配線パターンを囲むベタパターンを含む第１導体層と、
   前記第１導体層の上に積層されている第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に形成されていて、第２配線パターン及び前記第２配線パターンを囲むベタパターンを含む第２導体層と、
   前記第１導体層に設けられていて、前記第１配線パターンと前記ベタパターンとを分離する領域である第１ギャップパターンと、
   前記第２導体層に設けられていて、前記第２配線パターンと前記ベタパターンとを分離する領域である第２ギャップパターンと、
   を含む配線基板であって、
   前記第１配線パターンは、平面視で所定の第１仮想図形の外縁の一部に沿って配置されており、
   前記第２配線パターンは、平面視で前記第１仮想図形と中心点を共有していて前記第１仮想図形と相似の第２仮想図形の外縁に沿って配置されており、
   前記中心点に関する径方向又は周方向において、前記第１ギャップパターンの位置と前記第２ギャップパターンの位置とが異なっている。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１仮想図形と前記第２仮想図形とが合同であり、
   前記周方向において前記第１ギャップパターンの位置と前記第２ギャップパターンの位置とが異なっている。
3. 請求項２記載の配線基板であって、
   前記第１ギャップパターンの位置と前記第２ギャップパターンの位置とが、前記周方向における前記第１配線パターンと前記第１ギャップパターンとの長さの差、及び前記周方向における前記第２配線パターンと前記第２ギャップパターンとの長さの差よりも長い長さで、前記周方向において異なっている。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンの形状及び大きさが略同じである。
5. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１仮想図形及び前記第２仮想図形が、任意のｎ個（ｎは自然数）の頂点を有する正多角形であると共に互いに合同であり、
   前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンそれぞれが、前記正多角形のいずれかの辺に沿って配置されている。
6. 請求項５記載の配線基板であって、前記周方向において前記第１配線パターンの位置と前記第２配線パターンの位置とが（３６０度／前記ｎ）の角度だけずれている。
7. 請求項５記載の配線基板であって、
   前記第１導体層は、複数の前記第１配線パターンを含み、
   前記第２導体層は、複数の前記第２配線パターンを含み、
   前記周方向において、前記複数の第１配線パターンの各第１配線パターン同士の位置、及び、前記複数の第２配線パターンの各第２配線パターン同士の位置が、（３６０度／前記ｎ）の偶数倍の角度だけずれている。
8. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２導体層の上に積層されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成されている第３導体層とを含み、
   前記第３導体層は、前記第１配線パターンと略同じ形状及び大きさを有していて前記第１配線パターンと平面視で重なる配線パターンを含んでいる。
9. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記径方向において前記第１ギャップパターンの位置と前記第２ギャップパターンの位置とが異なっており、
   前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンの少なくとも一方が、前記第１ギャップパターン又は前記第２ギャップパターンと平面視で重なっている。
10. 請求項９記載の配線基板であって、前記第１配線パターンの前記径方向に沿う幅は、前記第２ギャップパターンにおける前記第２配線パターンよりも前記中心点側の部分及び前記中心点と反対側の部分の少なくともいずれかの前記径方向に沿う幅よりも大きい。
11. 請求項９記載の配線基板であって、前記第２配線パターンの前記径方向に沿う幅は、前記第１ギャップパターンにおける前記第１配線パターンよりも前記中心点側の部分及び前記中心点と反対側の部分の少なくともいずれかの前記径方向に沿う幅よりも大きい。
12. 請求項９記載の配線基板であって、さらに、前記第２導体層の上に積層されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成されている第３導体層とを含み、
    前記第３導体層は、平面視で前記第１仮想図形の外縁に沿って前記第１配線パターンと重なっている配線パターンを含んでいる。
13. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層を貫通するビア導体を含んでおり、
    前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンは、前記ビア導体を介して互いに接続されると共に、コイルの一部又は全部を構成している。

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