JP2024007100A - 回路基板の解析装置および解析方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板におけるインピーダンス特異点を適切に特定する。【解決手段】演算部は、回路基板の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置し、回路基板の基準点から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出し、周波数特性を用いて基準周波数におけるインピーダンスを算出する処理を各観測点に対して実行し、各観測点のインピーダンスを用いて回路基板におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行なう。演算部は、抽出処理において、各観測点を判定対象点として、判定対象点の周辺に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出し、周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して判定対象点のインピーダンスが乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。【選択図】図６

Description

本開示は、回路基板を解析する技術に関する。

特開２００９－２２３８８５号公報（特許文献１）には、熟練設計者でなくとも短時間でノイズの低いプリント基板の設計が可能なプリント基板設計支援装置が開示されている。この設計支援装置は、プリント基板の設計データを入手し、入出されたプリント基板をメッシュ状に分割し、メッシュ毎に等価回路を計算し、計算されたメッシュ毎の等価回路を各端子で接続してプリント基板全体の等価回路モデルを生成する。そして、生成された等価回路モデルを用いて、電源端子から見たプリント基板のインピーダンスの絶対値を計算し、計算されたインピーダンス絶対値を評価する。

特開２００９－２２３８８５号公報

特開２００９－２２３８８５号公報に開示された設計支援装置は、電源端子を基準点とし、回路基板の特定の観測点に注目してその観測点と基準点との間のインピーダンスを算出し、算出されたインピーダンスの絶対値を評価している。そのため、特定の観測点におけるインピーダンスを評価することはできるが、その観測点のインピーダンスがその周辺領域のインピーダンスと比べて特異な値であるか否かを認識することはできない。したがって、回路基板全体のうち、どの箇所がインピーダンス特異値を持つ箇所（インピーダンス特異点）なのかを特定することはできない。

本開示は、上述の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、回路基板におけるインピーダンス特異点を適切に特定することである。

（第１項） 本開示による回路基板の解析装置は、回路基板の設計データが入力される入力部と、設計データに基づいて回路基板の解析を行なう演算部とを備える。演算部は、回路基板の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置し、回路基板の基準点から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出し、周波数特性を用いて基準周波数におけるインピーダンスを算出する処理を各観測点に対して実行し、各観測点のインピーダンスを用いて回路基板におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行なう。演算部は、抽出処理において、各観測点を判定対象点として、判定対象点の周辺に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出し、周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して判定対象点のインピーダンスが乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。

（第２項） 第１項に記載の回路基板の解析装置において、回路基板の配置領域には第１部分と第１部分とは異なる第２部分とが含まれる。演算部は、第１部分における観測点の密度と第２部分における観測点の密度とを互いに異ならせる。

（第３項） 第１または２項に記載の回路基板の解析装置において、演算部は、抽出処理において、周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して判定対象点のインピーダンスが閾値以上乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。

（第４項） 第１項に記載の回路基板の解析装置において、表示装置をさらに備える。演算部は、複数の観測点のインピーダンスを複数の観測点の配置順に並べてグラフ化した画像を表示装置に表示させる。

（第５項） 本開示による回路基板の解析方法は、回路基板の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置するステップと、回路基板の基準点から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出するステップと、周波数特性を用いて基準周波数におけるインピーダンスを算出する処理を各観測点に対して実行するステップと、各観測点のインピーダンスを用いて回路基板におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行なうステップとを含む。抽出処理を行なうステップは、各観測点を判定対象点として、判定対象点から所定範囲内に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出するステップと、周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して判定対象点のインピーダンスが乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出するステップとを含む。

本開示によれば、回路基板におけるインピーダンス特異点を適切に特定することができる。

解析システムの全体構成を概略的に示す図である。 回路基板の断面を模式的に示す図である。 観測点の配置例を示す図（その１）である。 各観測点のインピーダンス周波数特性の一例を示す図である。 インピーダンス特異点の抽出手法の一例を説明するための図である。 演算部の処理手順の一例を示すフローチャートである。 観測点の配置例を示す図（その２）である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

＜システム構成＞
図１は、本実施の形態に係る解析システム１の全体構成を概略的に示す図である。解析システム１は、回路基板１０のインピーダンス特性の解析を行なう。

回路基板１０は、電子部品が実装される上面１０ａおよび下面１０ｂを有する、略矩形状の基板である。なお、図１には、回路基板１０の上面図（Top View）が示されている。以下では、回路基板１０の上面１０ａの長手方向および短手方向をそれぞれＸ軸方向およびＹ軸方向とも称し、回路基板１０の高さ（厚さ）方向をＺ軸方向とも称する。

図２は、回路基板１０の断面を模式的に示す図である。回路基板１０は、基板本体１８と、集積回路２１～２３と、電子部品３１～３６とを含む。

基板本体１８は、４層のプリント基板１１～１４と、３層の絶縁層１５～１７とを含む。４層のプリント基板１１～１４は、回路基板１０の上面１０ａから下面１０ｂまでの間に、この順に配置される。絶縁層１５はプリント基板１１，１２の間に配置され、絶縁層１６はプリント基板１２，１３の間に配置され、絶縁層１７はプリント基板１３，１４の間に配置される。

集積回路２１～２３は、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、ダイオードなどの多数の素子とそれらを結ぶ金属配線とが一枚の半導体基板の上に一体的に形成された回路である。集積回路２１～２３は、たとえばＬＳＩ（Large-Scale Integration、大規模集積回路）であってもよい。電子部品３１～３６は、抵抗、コンデンサ、ダイオードなどの回路素子である。集積回路２１～２３および電子部品３１～３６は、基板本体１８内の金属配線によって所定の接続パターンで電気的に接続されている。

なお、本実施の形態では、集積回路２１～２３および電子部品３１～３３は回路基板１０の上面１０ａに配置され、電子部品３４～３６は回路基板１０の下面１０ｂに配置される。

図１に戻って、解析システム１は、解析対象である回路基板１０の設計データが記憶されたデータベース７０と、ユーザによって操作されるキーボード等の入力装置８０と、画像等を表示するための表示装置９０と、解析装置１００とを備える。

解析装置１００は、ポート１０１～１０３と、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）等を含む記憶部１１０と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等を含む演算部１２０とを備える。

ポート１０１は、データベース７０を接続するためのインターフェースであり、データベース７０と解析装置１００との間のデータの入出力を実現する。ポート１０２は、入力装置８０を接続するためのインターフェースであり、入力装置８０と解析装置１００との間のデータの入出力を実現する。ポート１０３は、表示装置９０を接続するためのインターフェースであり、表示装置９０と解析装置１００との間のデータの入出力を実現する。

記憶部１１０は、演算部１２０により実行されるプログラムを格納する。また、記憶部１１０は、演算部１２０におけるプログラムの実行により生成されるデータと、データベース７０からポート１０１に入力される回路基板１０の設計データとを一時的に格納する。

演算部１２０は、回路基板１０の設計データに対して演算部１２０に格納されたプログラムに基づく処理を実行することによって、回路基板１０の解析処理を行なう。演算部１２０は、回路基板１０の解析結果を示す画像を表示装置９０に表示させることができる。

＜回路基板１０の解析処理＞
演算部１２０は、データベース７０からポート１０１に入力される回路基板１０の設計データに対して、以下のような解析処理を実行する。

まず、演算部１２０は、回路基板１０の設計データから回路基板１０の配置領域を特定し、たとえばユーザの入力指示に従って、回路基板１０の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置する。なお、観測点は、回路基板１０のプリント基板１１～１４のそれぞれに対して配置される。

図３は、回路基板１０のプリント基板１１における複数の観測点の配置例を示す図である。図３に示す例では、プリント基板１１が配置される領域がＸ軸方向およびＹ軸方向に一定間隔で分割されて複数のメッシュ（要素）が形成されている。観測点は、複数のメッシュ内の予め定められた点（たとえば面中心）に配置される。このような観測点の配置が、プリント基板１１～１４のそれぞれに対して行なわれる。

なお、図３に示される基準点Ｐ０は、たとえば、図示しない外部の電源から供給される電力を受ける電源端子の位置に予め設定されている。

観測点の配置が完了すると、演算部１２０は、複数の観測点の各々について、基準点Ｐ０から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出する。たとえば、演算部１２０は、基準点Ｐ０から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を、Ｓパラメータ解析を実行できるシミュレータを利用して算出する。すなわち、本実施の形態による演算部１２０は、インピーダンスの周波数特性を実測するのではなく、シミュレーションによりＳパラメータを算出し、算出されたＳパラメータをインピーダンス値に変換することによって、基準点Ｐ０から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出する。

具体的には、演算部１２０は、回路基板１０の設計データを読み込んで、回路基板１０の３次元の形状情報、回路基板１０内のプリント基板１１～１４の物理定数（電気伝導度、比誘電率など）、および、電子部品３１～３６の情報を認識する。

そして、演算部１２０は、たとえばユーザによって指定されたスイープ周波数帯および解析ステップに基づいて、各観測点に対してＳパラメータ解析（信号源の周波数の変化に対して観測点の利得と位相がどのように変化するかを観測する処理）を実施することにより、各観測点のＳパラメータを算出する。そして、演算部１２０は、算出されたＳパラメータをインピーダンス値に変換する。これにより、基準点Ｐ０から各観測点までのインピーダンスの周波数特性が算出される。

図４は、演算部１２０によって算出された、各観測点のインピーダンス周波数特性の一例を示す図である。なお、図４には、４つの観測点Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２におけるインピーダンスの周波数特性が例示されている。各観測点の周波数特性において、横軸はＳパラメータ解析に用いる信号源の周波数を示し、縦軸はインピーダンスを示す。

図４に示されるように、周波数に対するインピーダンスの値は、各観測点毎に異なっている。特に、低周波数帯では、いずれの観測点においても周波数の増加に伴ってインピーダンスが単調に低下する傾向が見られるが、回路基板１０で使用されることが想定される基準周波数ｆ０が含まれる高周波数帯では、周波数に対するインピーダンスの変化の態様が観測点毎に大きく異なっている。したがって、回路基板１０に入力される信号が基準周波数ｆ０近傍の高周波信号である場合、各観測点におけるインピーダンスが大きく異なり得る。

そのため、演算部１２０は、各観測点のインピーダンスの周波数特性を用いて、基準周波数ｆ０におけるインピーダンスを算出する処理を各観測点に対して実行する。そして、演算部１２０は、基準周波数ｆ０における各観測点のインピーダンスを用いて回路基板１０におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行なう。なお、回路基板１０で使用される信号の周波数が変動することが想定される場合には、その変動範囲をカバーできるように、基準周波数ｆ０を複数設定し、各基準周波数ｆ０毎に上記の抽出処理を行なうようにすればよい。

演算部１２０は、インピーダンス特異点を抽出する抽出処理において、各観測点を判定対象点として、判定対象点から所定範囲内に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出し、周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して判定対象点のインピーダンスが乖離している場合にその判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。

図５は、演算部１２０によるインピーダンス特異点の抽出手法の一例を説明するための図である。図５において、横軸は回路基板１０の配置領域におけるＸ軸方向の位置を示し、縦軸は基準周波数ｆ０におけるインピーダンスを示す。

図５に示す例では、演算部１２０は、Ｘ軸方向の位置が第１点ｘ１から第２点ｘ２までの領域Ｒ１内の観測点については、領域Ｒ１内の観測点群を周辺観測点群として、領域Ｒ１内の観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅ１を算出し、インピーダンス平均Ｚａｖｅ１から閾値以上乖離しているインピーダンスを有する観測点をインピーダンス特異点として抽出する。図５に示す例では、点線枠α内の観測点がインピーダンス特異点として抽出されている。

Ｘ軸方向の位置が第２点ｘ２から第３点ｘ３までの領域Ｒ２内の観測点については、演算部１２０は、領域Ｒ２内の観測点群を周辺観測点群として、領域Ｒ２内の観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅ２を算出し、インピーダンス平均Ｚａｖｅ２から閾値以上乖離しているインピーダンスを有する観測点をインピーダンス特異点として抽出する。

図５に示す例では、点線枠α内のインピーダンスの大きさと点線枠β内のインピーダンスの大きさとはあまり差はない。しかしながら、点線枠α内の観測点が含まれる領域Ｒ１のインピーダンス平均Ｚａｖｅ１が比較的低く点線枠α内のインピーダンスが領域Ｒ１のインピーダンス平均Ｚａｖｅ１から閾値以上乖離しているため、点線枠α内のインピーダンスがインピーダンス特異点として抽出される。

その一方で、点線枠β内の観測点が含まれる領域Ｒ２のインピーダンス平均Ｚａｖｅ２は比較的高く点線枠β内のインピーダンスが領域Ｒ２のインピーダンス平均Ｚａｖｅ２から閾値以上乖離はしていないため、点線枠β内のインピーダンスはインピーダンス特異点としては抽出されない。

ただし、点線枠β内のインピーダンスは領域Ｒ２のインピーダンス平均Ｚａｖｅ２からやや乖離しているように見えるため、注意すべき観測点ではある。この点に鑑み、演算部１２０は、基準周波数ｆ０におけるインピーダンスを回路基板１０の全領域に亘って俯瞰描画した画像を表示装置９０に表示させる。言い換えれば、演算部１２０は、基準周波数ｆ０における全観測点のインピーダンスを観測点の配置順に並べてグラフ化した画像を表示装置９０に表示させる。たとえば、演算部１２０は、回路基板１０の配置領域をＸ軸およびＹ軸を含むＸＹ平面に配置し、Ｘ軸方向の位置およびＹ軸方向の位置に対するインピーダンスの大きさがＺ軸方向に示されるような画像を表示装置９０に表示させる。すなわち、回路基板１０のイメージ画像の上に、インピーダンスがどのように分布するのかを空間的に表示させる。これにより、ユーザは、表示装置９０に表示された画像を見ながら、注意すべき観測点の位置を確認することができる。

なお、演算部１２０が、俯瞰描画した画像を表示装置９０に表示させる際に、インピーダンス特異点を他の観測点とは異なる態様で目立つように表示させるようにしてもよい。また、点線枠β内のような注意すべき観測点についても、インピーダンス特異点およびその他の観測点とは異なる態様で表示させることによって、ユーザに注意を促すようにしてもよい。

図６は、演算部１２０がインピーダンス特異点を抽出する際に行なう処理手順の一例を示すフローチャートである。このフローチャートは、たとえばユーザが解析開始指令を入力装置８０に入力した場合に開始される。なお、図６に示す処理は上述したように回路基板１０のプリント基板１１～１４のそれぞれに対して行なわれるが、図６ではプリント基板１１～１４を区別することなく「回路基板１０」と記載している。

演算部１２０は、回路基板１０の設計データを読み込んで、回路基板１０の配置領域を特定する（ステップＳ１０）。

次いで、演算部１２０は、回路基板１０の配置領域に、基準点Ｐ０を設定する（ステップＳ１０）。たとえば、基準点Ｐ０が予めユーザによって指定されている場合には、演算部１２０は、ユーザによる指定箇所を基準点Ｐ０に設定する。また、たとえば、演算部１２０が回路基板１０の設計データから電源端子が配置されている位置を特定し、電源端子が配置されている位置を基準点Ｐ０に設定するようにしてもよい。

次いで、演算部１２０は、回路基板１０の配置領域上に、複数の観測点をメッシュ状（上述の図３参照）に配置する（ステップＳ２０）。

次いで、演算部１２０は、複数の観測点をいくつかのグループに層別する（ステップＳ３０）。なお、この処理は、１回の解析で扱えるデータ量に制限があることに鑑みて、複数の観測点をグループ化することで１回の解析で扱うデータ量を抑えるためのものである。

次いで、演算部１２０は、基準点Ｐ０からグループ内の各観測点までのインピーダンスの周波数特性（上述の図４参照）を算出する（ステップＳ４０）。

次いで、演算部１２０は、全グループに対してステップＳ４０の処理を実施したか否かを判定する（ステップＳ５０）
全グループに対してステップＳ４０の処理が実施していない場合（ステップＳ５０においてＮＯ）、演算部１２０は、全グループに対してステップＳ４０の処理が実施されるのを待つ。

全グループに対してステップＳ４０の処理が実施されている場合（ステップＳ５０においてＹＥＳ）、演算部１２０は、各観測点の基準周波数ｆ０におけるインピーダンスを算出する（ステップＳ６０）。

次いで、演算部１２０は、インピーダンス特異点の抽出処理を行なう（ステップＳ７０）。具体的には、演算部１２０は、上述したように、各観測点を判定対象点として、判定対象点の周辺に配置される周辺観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅを算出し、周辺観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅに対して判定対象点のインピーダンスが閾値以上乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。演算部１２０は、このような抽出処理を全観測点に対して行なう。なお、周辺観測点群については、たとえば、判定対象点を中心する所定範囲内に配置される観測点群としてもよいし、判定対象点が配置される領域毎に予め設定された範囲内に配置される観測点群としてもよい。

次いで、演算部１２０は、基準周波数ｆ０におけるインピーダンスを回路基板１０の全領域に亘って俯瞰描画した画像を表示装置９０に表示させる（ステップＳ８０）。たとえば、演算部１２０は、基準周波数ｆ０における全観測点のインピーダンスを観測点の配置順に並べてグラフ化した画像を表示装置９０に表示させる。

以上のように、本実施の形態による演算部１２０は、回路基板１０の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置し、回路基板の基準点Ｐ０から各観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出する。そして、演算部１２０は、算出された周波数特性を用いて基準周波数ｆ０における各観測点のインピーダンスを算出し、各観測点のインピーダンスを用いてインピーダンス特異点を抽出する。

インピーダンス特異点を抽出する際、演算部１２０は、各観測点を判定対象点として、判定対象点の周辺に配置される周辺観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅを算出し、周辺観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅに対して判定対象点のインピーダンスが閾値以上乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。

このように、本実施の形態においては、特定の観測点に注目するのではなく、回路基板１０の全体を網羅的に観測し、各観測点とその周辺領域の観測点との相対値比較によってインピーダンス特異点を特定する。そのため、特定の観測点のみに注目する場合に比べて、回路基板１０の全体のうちのどの箇所がインピーダンス特異点なのかを適切に特定することができる。また、解消すべきインピーダンス特異点の位置を特定することができるので、回路基板１０のＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）特性の向上にも寄与することができる。

さらに、本実施の形態による演算部１２０は、周辺観測点群のインピーダンス平均Ｚａｖｅに対して判定対象点のインピーダンスが「閾値」以上乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する。そのため、「閾値」の大きさを調整することで、インピーダンス特異点の抽出感度（解析感度）を簡単に調整することができる。

さらに、本実施の形態による演算部１２０は、基準周波数ｆ０における全観測点のインピーダンスを観測点の配置順に並べてグラフ化した画像を表示装置９０に表示させる。これにより、ユーザは、表示装置９０に表示された画像を見ながら、インピーダンス特異点のインピーダンスが周辺観測点のインピーダンスからどの程度乖離しているのかを確認したり、あるいは、インピーダンス特異点以外の注意すべき観測点の位置を確認したり、することができる。

＜変形例＞
上述の実施の形態においては回路基板１０の配置領域に一定間隔で観測点を配置したが、効率的な解析を行なうために、指定エリア毎に観測点を粗密化するようにしてもよい。

図７は、本変形例による観測点の配置例を示す図である。図７に示す例では、詳しい観測が必要なエリアとして、集積回路２１と電子部品３１とを含むエリアＡ１、集積回路２２と電子部品３２とを含むエリアＡ２、および集積回路２３と電子部品３３とを含むエリアＡ３が指定されている。そして、エリアＡ１，Ａ２，Ａ２内の観測点の配置密度が密となり、エリアＡ１，Ａ２，Ａ２以外の観測点の配置密度が粗くなるように、観測点（メッシュ）が配置されている。さらに、図７に示す例では、エリアＡ１内の観測点の配置密度が、エリアＡ１，Ａ２内の観測点の配置密度よりも高くなるように、観測点（メッシュ）が配置されている。

このように、回路基板１０の配置領域における指定エリアの観測点の密度と、指定エリア以外の観測点の密度とを互いに異ならせるようにしてもよい。このようにすることで、たとえば詳しい観測が必要な領域内の観測点数を多くし、そうでない領域内の観測点数を少なくすることができる。その結果、解析精度を確保しつつ、解析に要する演算負荷を軽減することができる。

なお、より効率的に解析を行なうために、第１回目の解析では全体の観測点の配置密度を粗くしておき、その結果で観測点の配置密度を密にする領域（詳しい観測を行なう領域）を決めるようにしてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 解析システム、１０ 回路基板、１０ａ 上面、１０ｂ 下面、１１～１４ プリント基板、１５～１７ 絶縁層、１８ 基板本体、２１～２３ 集積回路、３１～３６ 電子部品、７０ データベース、８０ 入力装置、９０ 表示装置、１００ 解析装置、１０１，１０２，１０３ ポート、１１０ 記憶部、１２０ 演算部。

Claims (5)

1. 回路基板の解析装置であって、
   前記回路基板の設計データが入力される入力部と、
   前記設計データに基づいて前記回路基板の解析を行なう演算部とを備え、
   前記演算部は、
   前記回路基板の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置し、
   前記回路基板の基準点から各前記観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出し、
   前記周波数特性を用いて基準周波数におけるインピーダンスを算出する処理を各前記観測点に対して実行し、
   各前記観測点の前記インピーダンスを用いて前記回路基板におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行ない、
   前記演算部は、前記抽出処理において、各前記観測点を判定対象点として、
   前記判定対象点の周辺に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出し、
   前記周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して前記判定対象点のインピーダンスが乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する、回路基板の解析装置。
2. 前記回路基板の配置領域には第１部分と前記第１部分とは異なる第２部分とが含まれ、
   前記演算部は、前記第１部分における観測点の密度と前記第２部分における観測点の密度とを互いに異ならせる、請求項１に記載の回路基板の解析装置。
3. 前記演算部は、前記抽出処理において、前記周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して前記判定対象点のインピーダンスが閾値以上乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出する、請求項１または２に記載の回路基板の解析装置。
4. 表示装置をさらに備え、
   前記演算部は、前記複数の観測点のインピーダンスを前記複数の観測点の配置順に並べてグラフ化した画像を前記表示装置に表示させる、請求項１に記載の回路基板の解析装置。
5. 回路基板の解析方法であって、
   前記回路基板の配置領域上に複数の観測点をメッシュ状に配置するステップと、
   前記回路基板の基準点から各前記観測点までのインピーダンスの周波数特性を算出するステップと、
   前記周波数特性を用いて基準周波数におけるインピーダンスを算出する処理を各前記観測点に対して実行するステップと、
   各前記観測点の前記インピーダンスを用いて前記回路基板におけるインピーダンス特異点を抽出する抽出処理を行なうステップとを含み、
   抽出処理を行なうステップは、各前記観測点を判定対象点として、
   前記判定対象点から所定範囲内に配置される周辺観測点群のインピーダンスの平均を算出するステップと、
   前記周辺観測点群のインピーダンスの平均に対して前記判定対象点のインピーダンスが乖離している場合に、当該判定対象点をインピーダンス特異点として抽出するステップとを含む、回路基板の解析方法。

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