JP2023552850A - 誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物からなる多層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物からなる多層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023552850A JP2023552850A JP2023535500A JP2023535500A JP2023552850A JP 2023552850 A JP2023552850 A JP 2023552850A JP 2023535500 A JP2023535500 A JP 2023535500A JP 2023535500 A JP2023535500 A JP 2023535500A JP 2023552850 A JP2023552850 A JP 2023552850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- dielectric
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 90
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 29
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 claims description 15
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 28
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 16
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 16
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 14
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 14
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 13
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 13
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- -1 rare earth compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 3
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004762 CaSiO Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003378 NaNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- MUPJWXCPTRQOKY-UHFFFAOYSA-N sodium;niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Na+].[Nb+5] MUPJWXCPTRQOKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002700 urine Anatomy 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3229—Cerium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3256—Molybdenum oxides, molybdates or oxide forming salts thereof, e.g. cadmium molybdate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
Abstract
本発明は、セラミック誘電層と主に卑金属を含む内側電極とを交互に積層して作成される多層セラミックコンデンサに関し、（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３のペロブスカイト構造ＡＢＯ３を備えた主成分であって、式中、Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａの１つの元素であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎの１つの元素であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは各元素のモル分率であり、ｍはＡサイトとＢサイトの元素のモル比である主成分を含み、以下の各範囲内にある。０．９５≦ｍ≦１．０５、０．０５≦ｘ≦０．９０、０．０５≦ｙ≦０．９０、０．００≦ｚ≦０．１２、０＜ｕ＜１、０．０≦ｗ≦０．３、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１。【選択図】なし
Description
関連出願の相互参照
本願は、２０２１年１月２８日出願の係属中米国仮出願第６３／１４２，７６６号の優先権を主張するものであり、その内容を参照として本明細書に援用する。
本願は、２０２１年１月２８日出願の係属中米国仮出願第６３／１４２，７６６号の優先権を主張するものであり、その内容を参照として本明細書に援用する。
本発明は、誘電体セラミック組成物と、同誘電体セラミック組成物を含有する多層セラミックコンデンサに関する。本開示の誘電体セラミック組成物は、還元雰囲気中での卑金属内部電極との同時焼成が可能である。この製造された多層セラミックコンデンサは、高温での用途に有利に使用される。
過去２０年における情報及び電子技術の急速な開発及び普及に伴い、多層セラミックコンデンサ産業は、携帯用電子機器、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等、多数の用途における電気エネルギー貯蔵装置の需要増で大いに繁栄している。これらの場合、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ３が、その誘電率の高さ、誘電性損失、及び－５５℃～１２５℃の温度範囲に亘る安定的な容量変動のおかげで、必須のセラミック誘電材料として圧倒的に使用されてきた。しかしながら、強誘電材料として、ＢａＴｉＯ３は、約１２５℃で周知のキュリー転移を生じ、静電容量温度係数の急低下とともに誘電率の著しい低下を生じる強誘電材料として周知である。昨今では、エンジン制御ユニット、ダウンホール掘削探査、パルスパワー電子機器等、極限環境における新たな電子技術横領の出現では、１７５℃～２００℃又はそれよりも高い温度の最高動作温度窓における安定的静電容量の維持を要求する。広範囲のドーピング修正パッケージを介して、ＢａＴｉＯ３系コンデンサの温度－静電容量特性を安定化させるために、大規模な研究活動が行われてきたが、拡張された動作温度は、依然として１５０℃に限定される。しかしながら、１７５℃～２００℃又はそれよりも高い温度の厳しい環境での適用を可能にする新たな誘電材料を開発することに、かなりの注目を集めてきた。種々の候補のうち、アルカリ性ニオブ酸塩系セラミックは、そのキュリー転移温度の高さのおかげで、高温コンデンサの開発を実現可能であることがわかっている。例えば、このようなキュリー転移は、（Ｋ０．５Ｎａ０．５）ＮｂＯ３セラミックにおいて約４１０℃で発生する。詳細な焼成研究と欠陥化学調査では、アルカリ性ニオブ酸塩セラミックが、（１）アルカリ性要素の揮発性を低下させるようによく調整された化学的熱力学のおかげで、還元雰囲気中において、Ｃｕ及びＮｉ等の非金属とともに同時焼成を行うことができることと、（２）卑金属内部電極を備えた多層構造電子機器を作成可能であることと、を実証している。例えば、米国特許第９，５６４，２７１号及びＷＯ２０１８／０６２０８４Ａ１において、Ｎｉ内部電極を備えた積層セラミックキャパシタコンデンサは、（Ｋ、Ｎａ）ＮｂＯ３系及びＮａＮｂＯ３系誘電体セラミック組成物を使用して形成されている。
多大な努力にも関わらず、改良されたセラミック誘電体、特に、高電圧及び高温における使用に好適な、特に多層セラミックコンデンサ中での使用に好適なものを求める要望が依然としてある。
本明細書において、高温での使用に特に好適な誘電体セラミックを提供する。
本明細書において、誘電体セラミックを備えた多層セラミックコンデンサであって、高温での使用に好適なコンデンサも提供する。
これらの効果及び他の効果は、認識されるとおり、誘電体セラミック組成物であって、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分と、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料と、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、
フリットを含む第３の副材料と、を備える誘電体セラミック組成物において提供される。
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分と、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料と、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、
フリットを含む第３の副材料と、を備える誘電体セラミック組成物において提供される。
さらに他の実施形態は、多層セラミックコンデンサであって、
複数の誘電体セラミック層であって、前記層のうちの各層が、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される誘電体組成物であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である誘電体組成物、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料を有する誘電体セラミック層と、
Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金の卑金属を含む複数の内部電極と、
前記コンデンサ要素本体の各端部に形成された一対の外部電極と、を備える多層セラミックコンデンサにおいて提供される。
複数の誘電体セラミック層であって、前記層のうちの各層が、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される誘電体組成物であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である誘電体組成物、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料を有する誘電体セラミック層と、
Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金の卑金属を含む複数の内部電極と、
前記コンデンサ要素本体の各端部に形成された一対の外部電極と、を備える多層セラミックコンデンサにおいて提供される。
さらに他の実施形態は、多層セラミックコンデンサの形成方法であって、
誘電体セラミック前駆体を形成することと、
誘電体セラミック前駆体の層と金属の層とを交互にして積層を形成することと、
積層を圧縮し、誘電体前駆体を焼結することで、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料、によって規定される誘電体組成物を有する誘電体セラミック層を形成することと、を含む多層セラミックコンデンサの形成方法において提供される。
誘電体セラミック前駆体を形成することと、
誘電体セラミック前駆体の層と金属の層とを交互にして積層を形成することと、
積層を圧縮し、誘電体前駆体を焼結することで、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料、によって規定される誘電体組成物を有する誘電体セラミック層を形成することと、を含む多層セラミックコンデンサの形成方法において提供される。
本発明は、遷移金属及び希土類元素のさらなるドーピングパッケージを備えたアルカリ性ニオブ酸塩系誘電体セラミック組成物に特化される。遷移金属元素及び／又は希土類元素のドーピング又は同時ドーピングは、微細構造の観点より、電子－セラミック材料の欠陥化学調査を微調整すること、ひいては絶縁抵抗及び長期寿命の信頼性等の微細電気的特性を操作するのに好都合であることが一般的に知られている。本誘電体セラミック装置は、低酸素分圧において卑金属を主に含有する安価な電極と同時焼成することができるため、高温での適用が可能な多層セラミックコンデンサを作成することができる。
本発明は、低温から高温まで、優れた温度－静電容量特性を得ることができる誘電体セラミック組成物に特化される。具体的には、本開示の誘電体セラミック組成物で作成したコンデンサは、２５℃での静電容量に対して、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±５０％以内、より好ましくは－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±２０％以内の静電容量温度係数を有することができる。
誘電体セラミック組成物の誘電率は、２５℃で少なくとも３００、より好ましくは少なくとも１０００から２０００以下の誘電率を有する。
本発明は、還元雰囲気中でＮｉ等の安価な卑金属を使用して、内側電極と同時焼成するのに対応可能な誘電体セラミック組成物にも特化される。
本発明は、複数の積層セラミック層と複数の内側電極層とにより、セラミック層と内側電極層とが交互に積層されたパターンに形成された多層セラミックコンデンサにも特化される。セラミック層は、本発明の誘電体セラミック組成物で作成され、内側電極層は、Ｎｉ等の卑金属を主に含有する導電性ペーストによって作成される。得られた多層セラミックコンデンサは、低酸素分圧での同時焼成後、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±１５％の静電容量温度係数を有することができる。
上述の目的は、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
のペロブスカイト構造ＡＢＯ３式であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１であるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式を備えた主成分を有する誘電体セラミック組成物を備えた多層セラミックコンデンサ装置において達成される。
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
のペロブスカイト構造ＡＢＯ３式であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１であるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式を備えた主成分を有する誘電体セラミック組成物を備えた多層セラミックコンデンサ装置において達成される。
セラミック組成物は、希土類化合物より選択される少なくとも１つの元素を含む第１の副材料をさらに含み、希土類元素は、主成分１００モル部に対して、１０モル部以下である。
セラミック組成物は、遷移金属より選択される少なくとも１つの元素を含む第２の副材料をさらに含み、遷移金属元素は、主成分１００モル部に対して、０．０５モル～１０．００モル部の範囲内である。
セラミック組成物はさらに、フリットとも称される、セラミック焼結工程を支援するための低融解温度を備えた化合物を含む第３の副材料をさらに含み、これは、主成分１００モル部に対して、０．０１モル～１５．００モル部の範囲内である。
開示の誘電体セラミック組成物を得るために、（１）前駆体は、まず、か焼（calcination）で調製される。ここで前駆体は、特定の原料セラミックパウダーから作成された中間化合物又は化合物の群として規定され、前駆体は、最終組成物の全体的又は部分的な構成要素を含んでもよいが、前駆体が他の反応物とさらに混合され、所望の化学反応を達成するように特定の熱的条件下で処理されるまで、材料の最終形態は得られない。（２）その後、得られた前駆体と、遷移金属化合物、希土類化合物、及びフリット等の他のドーパントとの混合物が、焼結に先立って種々の有機物配合の補助により、ペーストの形態でさらに調製される。（３）最後に、得られたペースト混合物を含む組成物が、焼結工程に際して、本発明に開示の誘電体セラミック材料を形成する。一例が表１に一覧表示されている。前駆体は、主として、（Ｋ０．５Ｎａ０．５）ＮｂＯ３－ＢａＺｒＯ３を含有し、これは、事前反応させた酸化物と、Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２等の炭酸物とにより、か焼で調製される。焼結に先立ってペーストを形成するのに使用される無機ドーパントは、ＭｎＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、及びＳｉＯ２である。
誘電体セラミック材料はまた、表１と同一の開始原材料を使用して、表２に例示のとおり、１つを超える数の前駆体で開始する他のルートによって得られてもよい。この場合、２つの前駆体は、前駆体１には（Ｋ０．５Ｎａ０．５）ＮｂＯ３を主に含有し、前駆体２にはＢａＺｒＯ３を主に含有し、か焼によって別々に作成される。そして、有機化合物とともに、（Ｋ０．５Ｎａ０．５）ＮｂＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＭｎＣＯ３、Ｎｄ２Ｏ３、及びＳｉＯ２の配合物でペーストを形成する。焼結後、表２の調合の結果として、表１の調合で作成したのと略同一の誘電性材料組成物を得る。
本発明は、本発明の範囲を非限定的に例示する以下の実施例において、より完全に説明する。しかしながら、これらの実施例は、本発明の原則が採用される種々のやり方のうちのいくつかを示しているに過ぎない。
本発明の誘電体セラミック組成物は、副材料とともに主成分を含み、主成分は、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３．．．（１）
で表現されるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式を有する。これらの下添字は、以下の各範囲内である。
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である。
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３．．．（１）
で表現されるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であるペロブスカイト構造ＡＢＯ３式を有する。これらの下添字は、以下の各範囲内である。
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である。
このセラミック組成物は、希土類元素：Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕを含有する少なくとも１つの化合物を含む第１の副材料をさらに含む。希土類元素の量は、主成分１００モル部に対して、１０モル部以下である。モル比の値は、ＹＯ３／２、ＳｃＯ３／２、ＬａＯ３／２、ＣｅＯ２、ＰｒＯ１１／６、ＮｄＯ３／２、ＳｍＯ３／２、ＥｕＯ３／２、ＧｄＯ３／２、ＴｂＯ７／４、ＤｙＯ３／２、ＨｏＯ３／２、ＥｒＯ３／２、ＴｍＯ３／２、ＹｂＯ３／２及びＬｕＯ３／２に基づいて計算される。
セラミック組成物は、遷移金属元素：Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎを含有する少なくとも１つの化合物を含む第２の副材料をさらに備え、このような化合物は、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、及びＭｎのうちの少なくとも１つを含有することが好ましい。希土類元素の量は、主成分１００モル部に対して、０．０５モル～１０．００モル部の範囲内である。
セラミック組成物は、セラミック焼結工程を支援するため、フリットとも称される低溶解温度の化合物を含む第３の副材料をさらに含み、少なくとも１つのフリットは、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、及びＭｇＦ２等のフッ化物、Ｓｉ、ＳｉＯ２、及び（ＢａｘＳｒｙＣａ１－ｘ－ｙ）ＳｉＯ３（０≦ｘ、ｙ≦１）等のケイ酸塩、ＢＷＯ３等のホウ化物、Ｌｉ２Ｏ、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５等の酸化物などより選択される。フリットの含有量は、主成分１００モル部に対して、０．０１モル～１５．００モル部の範囲内である。
図１に示される多層セラミックコンデンサ１におけるセラミック層２において本開示の誘電体セラミック組成物を得るため、Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットが開始セラミック原材料として準備される。さらに、本開示の誘電体調合物において各構成要素を含有する原材料化合物は、酸化物及び炭酸塩のみならず、水酸化物も使用され得る。具体的には、原材料は、いずれの形態にも限定されるものでない。例えば、Ｍｎ等の遷移金属元素は、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、ＭｎＣＯ３等の形態で添加可能であるが、これは他のすべての原材料にも適用される。主要構成成分としての原材料は、本開示の組成物調合を満たすように秤量された後、イットリウム安定化ジルコニウム媒体によるボールミリングを介して、水、エタノール、イソプロパノール、トルエン、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、ミネラルスピリット、又はその他好適な炭化水素液体、又はこれらのレンド等、好適な溶媒でともに湿式混合される。このようにして、乾燥及びか焼後、焼結前のセラミック材料を得た。
本明細書中に開示のか焼粉末は、水、及び／又は、結合剤、分散剤、溶媒、可塑剤等、他の好適な有機添加物を添加して、さらに湿式ミリングされることで、セラミックスリップを形成する。ここで使用される有機添加物又は有機内容物の選択は、特別に限定されるものでない。
この後本明細書に開示のセラミックスリップと本開示のセラミック組成物を得るために、調製ステップは、上述の行程に限定されるものでなく、前駆体材料が最初にか焼された後、前駆体と混合されるか、ドーパントが所望の組成物の他の構成要素を含有することで、焼結に先立って好適な有機添加物でセラミックスリップを形成するようにやり方であり得る。
実施例１～４は、例示として示されるものであるが、これらの例示は、本発明の範囲を限定するものでない。本発明の範囲内において、当業者にとって明らかな変更が包含される。
実施例１
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｐｒ６Ｏ１１からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＰｒ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｐｒ６Ｏ１１からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＰｒ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例２
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、並びにＭｎＯ及びＷＯ３等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｎＯからの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
ＷＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＷ
を含み、希土類酸化物及びフリットの混合物は、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、並びにＭｎＯ及びＷＯ３等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｎＯからの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
ＷＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＷ
を含み、希土類酸化物及びフリットの混合物は、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例３
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＹ２Ｏ３等の希土類酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
Ｙ２Ｏ３からのからの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ
を含み、遷移金属酸化物及びフリットの混合物は、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｂ２Ｏ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＹ２Ｏ３等の希土類酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
Ｙ２Ｏ３からのからの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ
を含み、遷移金属酸化物及びフリットの混合物は、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｂ２Ｏ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例４
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、並びにＮｄ２Ｏ３等の希土類酸化物、及びＭｎＯ等の遷移金属酸化物物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＴｉＯ２からの０．０５ｍｏｌ％～４．７０ｍｏｌ％のＴｉ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
Ｎｄ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＬａ、
ＭｎＯからの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
を含み、
０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のＬｉＦのフリットが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、並びにＮｄ２Ｏ３等の希土類酸化物、及びＭｎＯ等の遷移金属酸化物物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＴｉＯ２からの０．０５ｍｏｌ％～４．７０ｍｏｌ％のＴｉ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
Ｎｄ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＬａ、
ＭｎＯからの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
を含み、
０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のＬｉＦのフリットが、好適な有機添加物とともにドーパントとして添加され、セラミックスリップを形成する。
さらに、本発明に開示の所望の誘電体組成物を得るために、遷移金属化合物、希土類化合物、及びフリットのようなドーパントも、２つの別個のステップで添加可能である。これは、遷移金属化合物、希土類化合物、及び／又はフリットの一部分量が原材料中に最初に添加され、７００℃～１２００℃での焼成後に前駆体を調製し、これがステップ１とされ、その後、残りの量の遷移金属化合物、希土類化合物、及び／又はフリットを、好適な有機添加物とともに前駆体にさらに添加して、セラミックスリップを形成するが、これがステップ２と称されることを意味する。ステップ１及びステップ２において添加される遷移金属化合物は、同一の標的遷移金属元素を含有する同一の化合物であり得るか、又は異なる標的遷移金属元素を含有する異なる化合物であり得る。これは、希土類化合物及びフリットがステップ１及びステップ２で別々に添加される場合にも適用される。ステップ１及びステップ２において添加される遷移金属元素、希土類元素、及びフリットの総量は、式（１）において特定される値範囲を満たす。
実施例５～１０は、例示として与えられるが、これらの例示は、本発明の範囲を限定するものでない。本発明の範囲内において、当業者にとって明らかな変更が包含される。
実施例５
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２及びＭｏＯ３等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｏ、
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｄｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＤｙ、
ＬｉＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
からなる遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２及びＭｏＯ３等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｏ、
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｄｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＤｙ、
ＬｉＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
からなる遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例６
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＹｂ２Ｏ３等の希土類酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１３．２ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
Ｙｂ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～１．８ｍｏｌ％のＹ
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＣｅＯ２からの０．２ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＣｅ、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＹｂ２Ｏ３等の希土類酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１３．２ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
Ｙｂ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～１．８ｍｏｌ％のＹ
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＣｅＯ２からの０．２ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＣｅ、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＭｎ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含むものが、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例７
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＭｎＯ２等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１．６ｍｏｌ％のＭｎ
を含み、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＫＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む希土類酸化物、遷移金属酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＭｎＯ２等の遷移金属酸化物を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１．６ｍｏｌ％のＭｎ
を含み、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＫＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む希土類酸化物、遷移金属酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例８
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＷＯ３等の遷移金属酸化物、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
ＷＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＷ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＢａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む希土類酸化物、遷移金属酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＷＯ３等の遷移金属酸化物、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
Ｌｉ２ＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１０．１ｍｏｌ％のＬｉ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．１ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
ＷＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＷ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＢａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む希土類酸化物、遷移金属酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例９
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３等の遷移金属酸化物、Ｙ２Ｏ３等の希土類酸化物、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｏ、
Ｙ２Ｏ３からの０．１ｍｏｌ％～１．５ｍｏｌ％のＹ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％
を含む遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、及びＭｏＯ３等の遷移金属酸化物、Ｙ２Ｏ３等の希土類酸化物、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＭｏＯ３からの０．１ｍｏｌ％～２．２ｍｏｌ％のＭｏ、
Ｙ２Ｏ３からの０．１ｍｏｌ％～１．５ｍｏｌ％のＹ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｙ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＹ、
ＣａＳｉＯ３からの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％
を含む遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例１０
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．０ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｖ２Ｏ５からの０．１ｍｏｌ％～３．４ｍｏｌ％のＶ、
Ｐｒ６Ｏ１１からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＰｒ、
ＬｉＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、及びＳｉＯ２等のフリットを、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＢａＣＯ３からの０．５ｍｏｌ％～１２．５ｍｏｌ％のＢａ、
ＳｒＣＯ３からの０．３ｍｏｌ％～１１．０ｍｏｌ％のＳｒ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１３．６ｍｏｌ％のＣａ、
Ｔａ２Ｏ５からの０．０５ｍｏｌ％～２７．７０ｍｏｌ％のＴａ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１９．７ｍｏｌ％のＺｒ、
ＨｆＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．４ｍｏｌ％のＨｆ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～２．２０ｍｏｌ％のフリット
を含み、
ＭｎＯ２からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｖ２Ｏ５からの０．１ｍｏｌ％～３．４ｍｏｌ％のＶ、
Ｐｒ６Ｏ１１からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＰｒ、
ＬｉＦからの０．０１ｍｏｌ％～５．３０ｍｏｌ％のフリット
を含む遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物が、好適な有機添加物とともにドーパントとしてさらに添加され、セラミックスリップを形成する。
実施例１１
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｅｕ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＥｕ、
ＳｉＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２５．３ｍｏｌ％のフリット
を含むものを、ドーパントとして主成分に添加する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１５ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２３．１ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
Ｅｕ２Ｏ３からの０．２ｍｏｌ％～４．９ｍｏｌ％のＥｕ、
ＳｉＯ２からの０．１ｍｏｌ％～２５．３ｍｏｌ％のフリット
を含むものを、ドーパントとして主成分に添加する。
実施例１２－比較例
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒｃＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１１．７ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１３．５ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～４．２ｍｏｌ％のＣａ、
ＷＯ３からの０．２ｍｏｌ％～２．５ｍｏｌ％のＷ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～３．３ｍｏｌ％のフリット
を含むものを、ドーパントとして主成分に添加する。
Ｋ２ＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、ＳｒｃＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、及びＺｒＯ２を、７００℃～１２００℃でのか焼後に前駆体を調製するために、開始セラミック原材料として混合する。開始セラミック材料は、
Ｋ２ＣＯ３からの３０．７ｍｏｌ％～７０．４ｍｏｌ％のＫ、
Ｎａ２ＣＯ３からの２９．５ｍｏｌ％～６９．８ｍｏｌ％のＮａ、
ＳｒＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～１１．７ｍｏｌ％のＳｒ、
Ｎｂ２Ｏ５からの７０．２ｍｏｌ％～９５．５ｍｏｌ％のＮｂ、
ＺｒＯ２からの０．１ｍｏｌ％～１３．５ｍｏｌ％のＺｒ、
を含み、遷移金属酸化物、希土類酸化物、及びフリットの混合物は、
ＭｎＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～５．０ｍｏｌ％のＭｎ、
ＣａＣＯ３からの０．１ｍｏｌ％～４．２ｍｏｌ％のＣａ、
ＷＯ３からの０．２ｍｏｌ％～２．５ｍｏｌ％のＷ、
ＳｉＯ２からの０．０１ｍｏｌ％～３．３ｍｏｌ％のフリット
を含むものを、ドーパントとして主成分に添加する。
誘電体セラミックディスクサンプルの調製
主成分のセラミックパウダーと副成分とを実施例に記載の比率で秤量し、ボールミルで１２～３０時間湿式配合を行った。その後、この配合物を１５０℃で１～８時間乾燥させた。結合剤溶液を乳鉢中で混合物に添加した後、粒状に形成した。その後、得られた粒状物を１３ｍｍ直径のスチール型に入れ、２００ＭＰａの圧力でプレス成型し、ディスク成形体を作製した。得られた成形体を、３７５℃で１０～１００時間、空気中で焼きつけ、有機結合剤を燃え尽きさせた。次に、還元雰囲気中で燃焼を施し、焼結ディスクを得た。この燃焼は、９００～１３５０℃のピーク温度で１～６時間の保持時間、実施した。その後、銀電極を焼結体の２つの面に塗布し、実施例１１及び実施例１２に対応するディスクセラミックコンデンサを得た。
主成分のセラミックパウダーと副成分とを実施例に記載の比率で秤量し、ボールミルで１２～３０時間湿式配合を行った。その後、この配合物を１５０℃で１～８時間乾燥させた。結合剤溶液を乳鉢中で混合物に添加した後、粒状に形成した。その後、得られた粒状物を１３ｍｍ直径のスチール型に入れ、２００ＭＰａの圧力でプレス成型し、ディスク成形体を作製した。得られた成形体を、３７５℃で１０～１００時間、空気中で焼きつけ、有機結合剤を燃え尽きさせた。次に、還元雰囲気中で燃焼を施し、焼結ディスクを得た。この燃焼は、９００～１３５０℃のピーク温度で１～６時間の保持時間、実施した。その後、銀電極を焼結体の２つの面に塗布し、実施例１１及び実施例１２に対応するディスクセラミックコンデンサを得た。
ＭＬＣＣサンプルの調製
９００～１３５０℃の温度範囲で焼結することにより、３．２ｍｍ×１．６ｍｍの標準サイズとニッケル内部電極を備えた焼結ＭＬＣＣチップを得た。焼結ＭＬＣＣチップは、１９のアクティブ誘電体セラミック層と、２０のニッケル電極を含んだ。上記誘電体セラミック層の平均厚さは、約１２μｍと判定された。
９００～１３５０℃の温度範囲で焼結することにより、３．２ｍｍ×１．６ｍｍの標準サイズとニッケル内部電極を備えた焼結ＭＬＣＣチップを得た。焼結ＭＬＣＣチップは、１９のアクティブ誘電体セラミック層と、２０のニッケル電極を含んだ。上記誘電体セラミック層の平均厚さは、約１２μｍと判定された。
電気測定値
静電容量及び誘電損失は、各組成物について－５５℃～２００℃の温度範囲において１ｋＨｚ及びＡＣ１Ｖの条件下で測定された。せいで尿量温度係数（ＴＣＣ）は、以下の式に基づいて計算され、
ＴＣＣ（％）＝［（ＣＴ－Ｃ２５）／Ｃ２５］×１００
式中、Ｔは、測定が実施された温度であり、ＣＴ及びＣ２５は、各々、温度Ｔ及び２５℃における静電容量である。
静電容量及び誘電損失は、各組成物について－５５℃～２００℃の温度範囲において１ｋＨｚ及びＡＣ１Ｖの条件下で測定された。せいで尿量温度係数（ＴＣＣ）は、以下の式に基づいて計算され、
ＴＣＣ（％）＝［（ＣＴ－Ｃ２５）／Ｃ２５］×１００
式中、Ｔは、測定が実施された温度であり、ＣＴ及びＣ２５は、各々、温度Ｔ及び２５℃における静電容量である。
希土類元素の添加を伴うか、又は伴わないディスクサンプルの誘電率特性を表３に示す。
表３に表された結果は、比較例１２に対する希土類元素Ｅｕを含有する本発明の実施例１１の効果を示している。両方の実施例において±２０％以内のＴＣＣを提供しているのにも関わらず、比較例では、十分な誘電率を達成していない。
実施例１１の調合で作成したディスクサンプルの焼成温度の関数としての誘電率を表４に提供する。
表４の結果は、焼成温度を変更することにより、高範囲に亘る誘電率が得られることを実証している。
実施例１１及び実施例１２に示される調合で作成されたＭＬＣＣサンプルの誘電率特性は、表５に表されるデータで示される。
表５に表される結果は、希土類の添加により、誘電率を大幅に改善し、ＴＣＣ範囲を狭めることができる。
ドクターブレード法を使用してスリップをセラミックフィルム上に広げることにより、テープキャスティング工程を使用して、セラミックグリーンシートをさらに形成する。好適な乾燥工程後、図１に示されるような内部電極３ａ及び３ｂは、Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金等、卑金属を主に含有する導電性インクを使用して、セラミックグリーンシート上にスクリーンプリントする。Ｎｉ又は主にＮｉからなる合金を使用することが好ましい。
得られたものを、積層工程を介してさらにグリーンチップに加工する。プリント電極をその上に伴わない複数のセラミックグリーンシートを底部カバー層４ｂとして積層した後、プリント電極をその上に備えた複数のセラミックグリーンシートを交互の方向に積層し、両端で終端する交流電極３ａ及びえｂを形成するようにし、最終的に、プリント電極を備えない特定数のセラミックグリーンシートを上部被覆層４ａとして積層する。その後、この積層体を２０℃～１２０℃の間でプレスしてすべての積層の接着を改善し、さらに個々のグリーンチップに切断する。
グリーンチップは、０．１～１００時間、周囲空気又は僅かに還元した雰囲気中で２００℃～７００℃に加熱して結合剤を燃え尽きさせた後、１０－４ａｔｍ～１０－１６ａｔｍの間の酸素部分圧力の還元雰囲気中、９００℃～１３５０℃の間の温度で焼結される。焼結後、１０－３ａｔｍ～１０－１４ａｔｍの間の酸素部分圧力で１１００℃以下の温度に加熱することにより、チップに再酸化ステップをさらに適用してもよい。
焼結チップは、セラミック焼結体の両端面に形成された内部電極を露出するために、バレル又はサンドブラストによる角丸め工程が施される。次いで、外部電極５ａ及び５ｂを以下のようにして両端面に形成する。（１）焼結チップの両端面に好適な銅ペーストを付与し、窒素又は僅かに還元した雰囲気中で１～６０分間、６００℃～１０００℃の温度で焼きつけを行うことにより、銅末端を形成する。（２）バレルめっき法により、ニッケルめっき層及び錫めっき層又は他の好適なはんだ組成物をさらに銅末端上に載置して、はんだ付け性を向上し、銅外部電極の酸化を防止する。このようにして、卑金属電極３ａ及び３ｂと本発明に開示の誘電体組成物を含んだ誘電体セラミック層２とで形成された多層セラミックコンデンサ１が得られる。
本発明は、高温適用可能な誘電体セラミック組成物を開示する。このようなセラミック調合物は、還元雰囲気中で卑金属電極とともに同時焼成を実現することができる。このため、Ｎｉ等の非金属内部電極とともに本開示の誘電体セラミック組成物を使用することで、多層セラミックコンデンサを作成することができる。
本記載全体を通じて、表示した範囲には、同一数の有効数を有するすべての中間値が含まれる。非限定的な例として、表示した０．０１～０．０５の範囲には、０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、及び０．０６が含まれる。異なる有効数の２つの数を有する表示として、ある範囲が表示される場合、最小のインクリメント有効数を有するものが双方にとっての有効数を判定する。非限定的な例として、或る範囲が１．０～５として表示される場合、これは１．０～５．０のすべての数を指すものであることが意図される。
以下の文書を参照として本明細書中に援用する。Ｂａｎｎｏらの米国特許第９，５６４，２７１号、ＢａｎｎｏのＷＯ２０１８－０６２０８４号、ＴａｋａｈａｓｈｉらのＪＰ２０２０－２９３７４Ａ号、卑金属同時焼成多層圧電物質，Ｇａｏら，Ａｃｔｕａｔｏｒｓ，５巻，第１発行，８ページ，２０１６年
本発明は、本発明の正確さのために提供された明細書の一体的且つ非限定的な部分である図面を参照して説明する。種々の図面を通じて、同様の要素にはそれに応じた番号が付される。本発明は、好適な実施形態を参照し、これに限定することなく説明を行ってきた。当業者は、添付の図面に説明及び記載のさらなる実施形態を認識するであろう。
Claims (32)
- 誘電体セラミック組成物であって、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分と、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料と、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、
フリットを含む第３の副材料と、を備える誘電体セラミック組成物。 - 前記主成分１００モル％に対して、１０モル％以下の前記希土類元素を含む請求項１に記載に誘電体組成物。
- 前記主成分１００モル％に対して、０．０５～１０モル％の前記遷移金属を含む請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
- 前記主成分１００モル％に対して、０．０１モル～１５．００モル％の前記フリットを含む請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
- 前記フリットは、フッ化物、ケイ酸塩、ホウ化物、及び酸化物からなる群より選択された材料を含む請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
- －５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±５０％の静電容量温度係数を有する請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
- －５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±２０％の静電容量温度係数を有する請求項６に記載の誘電体セラミック組成物。
- ２５℃で少なくとも３００の誘電率を有する請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
- ２５℃で少なくとも１０００の誘電率を有する請求項８に記載の誘電体セラミック組成物。
- 多層セラミックコンデンサであって、
複数の誘電体セラミック層であって、前記層のうちの各層が、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される誘電体組成物であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である誘電体組成物、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料を有する誘電体セラミック層と、
Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金の卑金属を含む複数の内部電極と、
前記コンデンサ要素本体の各端部に形成された一対の外部電極と、を備える多層セラミックコンデンサ。 - 前記主成分１００モル％に対して、１０モル％以下の前記希土類元素を含む請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 前記主成分１００モル％に対して、０．０５～１０モル％の前記遷移金属を含む請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 前記主成分１００モル％に対して、０．０１モル～１５．００モル％の前記フリットを含む請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 前記フリットは、フッ化物、ケイ酸塩、ホウ化物、及び酸化物からなる群より選択される材料を含む請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体組成物は、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±５０％の静電容量温度係数を有する請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 誘電体組成物は、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±２０％の静電容量温度係数を有する請求項１５に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体組成物は、２５℃で少なくとも３００の誘電率を有する請求項１０に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 請前記誘電体組成物は、２５℃で少なくとも１０００の誘電率を有する求項１７に記載の多層セラミックコンデンサ。
- 多層セラミックコンデンサの形成方法であって、
誘電体セラミック前駆体を形成することと、
前記誘電体セラミック前駆体の層と金属の層とを交互にして積層を形成することと、
前記積層を圧縮し、前記誘電体前駆体を焼結することで、
（ＫｘＮａｙＬｉｚＡ１－ｘ－ｙ－ｚ）ｍ（ＮｂｕＴａｖＢｗ）Ｏ３
によって規定される主成分であって、式中
Ａは、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＳｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素であり、
ｘ、ｙ、ｚ、ｕ、ｖ、及びｗは、各元素のモル分率であり、
ｍは、ＡサイトとＢサイトの元素のモル比であり、
０．９５≦ｍ≦１．０５、
０．０５≦ｘ≦０．９０、
０．０５≦ｙ≦０．９０、
０．００≦ｚ≦０．１２、
０＜ｕ＜１、
０．０≦ｗ≦０．３、及び
ｕ＋ｖ＋ｗ＝１である主成分、
Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択された少なくとも１つの希土類元素を含む第１の副材料、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択された少なくとも１つの遷移金属元素を含む第２の副材料、及び
フリットを含む第３の副材料、によって規定される誘電体組成物を有する誘電体セラミック層を形成することと、を含む多層セラミックコンデンサの形成方法。 - 前記誘電体セラミック前駆体の層は、無機材料と有機添加物との混合物を含むセラミックグリーンペーストとして調製され、前記無機固形物は、前駆体とドーパントとの少なくとも１つの組み合わせを含み、
前記ドーパントは、以下の群のうちの少なくとも１つより選択される請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。 - 前記セラミックグリーンペーストを焼結することをさらに含む請求項２０に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記遷移金属は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選択される請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記希土類元素は、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＹｕからなる群より選択される請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記フリットは、フッ化物、ケイ酸塩、ホウ化物、酸化物からなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記焼結は、９００℃～１３５０℃の温度で実施される請求項２０に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記焼結することは、１０－１６ａｔｍ～１０－４ａｔｍの酸素分圧の雰囲気中で実施される請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、又はこれらの合金の卑金属である請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記コンデンサ要素本体の各端部に一対の外部電極を形成することをさらに含む請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記誘電体組成物は、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±５０％の静電容量温度係数を有する請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前期誘電体組成物は、－５５℃～２００℃の温度範囲に亘って±２０％の静電容量温度係数を有する請求項２９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記誘電体組成物は、２５℃で少なくとも３００の誘電率を有する請求項１９に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
- 前記誘電体組成物は、２５℃で少なくとも１０００の誘電率を有する請求項３１に記載の多層セラミックコンデンサの形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163142766P | 2021-01-28 | 2021-01-28 | |
| US63/142,766 | 2021-01-28 | ||
| PCT/US2022/014032 WO2022164986A1 (en) | 2021-01-28 | 2022-01-27 | Dielectric ceramic composition and multi-layered ceramic capacitor comprised thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023552850A true JP2023552850A (ja) | 2023-12-19 |
Family
ID=82495990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023535500A Pending JP2023552850A (ja) | 2021-01-28 | 2022-01-27 | 誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物からなる多層セラミックコンデンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11935698B2 (ja) |
| EP (1) | EP4284769A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023552850A (ja) |
| CN (1) | CN116761786A (ja) |
| TW (1) | TW202229205A (ja) |
| WO (1) | WO2022164986A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024504904A (ja) * | 2021-01-28 | 2024-02-02 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物を使用したセラミックコンデンサ |
| CN113860871B (zh) * | 2021-11-03 | 2022-12-13 | 电子科技大学 | 一种低温烧结改性NiO-Ta2O5基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1094917C (zh) * | 1998-09-30 | 2002-11-27 | Tdk株式会社 | 抗还原的介电陶瓷材料、制备方法及多层陶瓷电容器 |
| JP4616544B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2011-01-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子 |
| JP2005159224A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2006083045A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Hitachi Ltd | ガラス部材 |
| WO2008152851A1 (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品 |
| US8178456B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-05-15 | Ian Burn Consulting, Inc. | Sintered dielectric ceramic, composition for making, and use thereof in multilayer capacitor and energy storage device |
| WO2010050258A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社 村田製作所 | 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品 |
| CN101570434B (zh) * | 2009-06-16 | 2012-03-28 | 清华大学 | X8r型贱金属内电极多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法 |
| JP5662888B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-02-04 | 太陽誘電株式会社 | 多積層圧電セラミックス部品 |
| JP5929640B2 (ja) | 2011-12-26 | 2016-06-08 | Tdk株式会社 | 圧電磁器および圧電素子 |
| US9277869B2 (en) * | 2012-11-28 | 2016-03-08 | Tdk Corporation | Thin-film piezoelectric element, thin-film piezoelectric actuator, thin-film piezoelectric sensor, hard disk drive, and inkjet printer apparatus |
| WO2014162752A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2016160131A (ja) * | 2015-03-02 | 2016-09-05 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
| WO2018062084A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物、及びセラミックコンデンサ |
| US20190189904A1 (en) | 2017-12-14 | 2019-06-20 | Eastman Kodak Company | Method for providing piezoelectric devices |
| JP7037945B2 (ja) | 2018-01-26 | 2022-03-17 | 太陽誘電株式会社 | セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7426771B2 (ja) | 2018-04-11 | 2024-02-02 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2024504904A (ja) * | 2021-01-28 | 2024-02-02 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物を使用したセラミックコンデンサ |
-
2022
- 2022-01-27 TW TW111103745A patent/TW202229205A/zh unknown
- 2022-01-27 US US17/586,027 patent/US11935698B2/en active Active
- 2022-01-27 EP EP22746581.2A patent/EP4284769A1/en active Pending
- 2022-01-27 JP JP2023535500A patent/JP2023552850A/ja active Pending
- 2022-01-27 CN CN202280008323.8A patent/CN116761786A/zh active Pending
- 2022-01-27 WO PCT/US2022/014032 patent/WO2022164986A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116761786A (zh) | 2023-09-15 |
| EP4284769A1 (en) | 2023-12-06 |
| TW202229205A (zh) | 2022-08-01 |
| WO2022164986A1 (en) | 2022-08-04 |
| US11935698B2 (en) | 2024-03-19 |
| US20220238277A1 (en) | 2022-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4805938B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ | |
| EP1767507B1 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor | |
| JP4434142B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ | |
| JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| US8592334B2 (en) | Dielectric ceramic composition and an electronic component | |
| KR100562433B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 적층 세라믹콘덴서 | |
| CN104003711B (zh) | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 | |
| WO2012053316A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2023552850A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び同誘電体セラミック組成物からなる多層セラミックコンデンサ | |
| JP5655866B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| KR102551214B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 | |
| TWI790114B (zh) | 介電陶瓷組合物及使用其的陶瓷電容器 | |
| JP2013211398A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR20160084193A (ko) | 유전체 자기 조성물, 유전체 재료 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2009096671A (ja) | 誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP6226078B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR20160092365A (ko) | 유전체 자기 조성물, 유전체 재료 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 | |
| JPWO2008075525A1 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| KR101548864B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP4753859B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2008109019A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR20190015434A (ko) | 유전체 자기조성물 및 이를 적용한 전자소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20230609 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230609 |