JP2023521835A - 金属酸化物層の生成によりガラス基板への金属接合を増強するガラス部品の製造方法、および、金属酸化物層を含むガラスインターポーザなどのガラス部品 - Google Patents

Abstract

ガラス部品を製造する方法は、（Ａ）ガラス基板の上に触媒金属の第１層を形成する工程と、（Ｂ）ガラス基板を加熱する工程と、（Ｃ）第１金属と第２金属の合金の第２層を第１層の上に形成する工程と、（Ｄ）ガラス基板を加熱することによりガラス部品を形成する工程とを含んでおり、該ガラス部品は（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）酸化物に接合された金属領域であって、触媒と、第１金属と、第２金属とを含んでいる金属領域から構成されている。各実施形態において、該方法は、（Ｅ）金属領域上に一次金属の第３層を形成する工程と、（Ｆ）ガラス部品を加熱することにより、（ｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉ）酸化物に接合して、触媒と、第１金属と、第２金属と、一次金属とを含んでいる新たな金属領域を備えているガラス部品を形成する工程とを更に含んでいる。

Description

関連出願との相互参照

本願は合衆国法典第３５編第１１９条のｅ（米国特許法）に基づき、２０２０年４月１４日出願の米国特許仮出願第６３／００９,７０８号の優先権を主張するものであり、同仮出願の内容は参照することでその全体が本願明細書の一部を成すものとする。

本開示は、金属酸化物層の生成によりガラス基板への金属接合を増強するガラス部品の製造方法、および、金属酸化物層を含むガラスインターポーザなどのガラス部品に関する。

半導体パッケージ化技術は多年に亘り著しい様相で進化してきた。初期より、複雑さがいや増す半導体回路をパッケージ化する（つまり、所与のパッケージにおいて機能性と性能をより高める)取組み方は、パッケージ内で半導体チップの縦横平面寸法を大きくすることであった。実際問題として、平面で横方向に際限なく拡大することは不可能であり、というのも、最終的に電力経路設定や信号経路設定の複雑さ、電力損失の諸問題、性能の諸問題、製造歩留まりの諸問題などの点で設計が不利益を被ることになるせいである。

上記の結果、半導体チップを高さ方向に拡大する努力がなされてきた。このような努力にはいわゆる平面・立体折衷（２．５次元）集積と立体（３次元）集積が含まれており、このような集積により、単一パッケージ内で２個以上の半導体チップを相互接続する目的でインターポーザを採用している。本明細書で使用される場合、「インターポーザ」という語は、２個以上の電子素子間の電気接続を拡張させまたは完成させる任意の構造を広義で指している。インターポーザの主な機能は、２個以上の半導体チップが密な端子間ピッチを採用して各半導体チップ自体を貫くビア孔の必要を回避できるようなやり方で相互接続をもたらすことである。この技術は、各半導体チップを通常の構成の反転型にして、チップ基板を上に向け、チップ面を下に向けることに関与している。各チップにはマイクロバンプ端子が（密なピッチで）設けられており、インターポーザの上面で対応する各端子に接続される。インターポーザの反対側の底面は好適な各端子によって、整理された倒壊構造チップ接続のシーフォー（Ｃоｎｔｒоｌｌｅｄ Ｃоｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ ＣоｎｎｅｃｔｉоｎすなわちＣ４）接合部によって、（通例は有機の）パッケージ基板に接続される。インターポーザには多数の基板貫通ビア孔（「貫通ビア孔」）が設けられており、インターポーザの上面側の各半導体チップの端子からインターポーザの底面側のパッケージ基板の端子へ電気接続を行うことができるようにしている。

従来、インターポーザのベース基板は通例はシリコンであった。金属化貫通ビア孔は、電気信号がインターポーザの表裏両面間を通過するようにインターポーザを貫通する通路を供与している。シリコン製インターポーザは半導体チップの高さ方向集積を達成するのに有望で有用な技術であるが、シリコン製インターポーザには問題があり、特に積載体の高さ全域の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致に関する諸問題、例えば、シリコン製インターポーザと有機パッケージ基板の間の熱膨張係数の突合せ問題がある。望ましくない熱膨張率の不一致の結果として、各半導体チップとシリコン製インターポーザとの間の相互接続の不具合、シリコン製インターポーザとパッケージ基板との間の相互接続の不具合、または、その両方が生じてしまう恐れがある。加えて、シリコン製インターポーザは比較的高価であるうえに、シリコンの半導体特性が原因で誘電損失も大きい。

有機インターポーザ、例えば、難燃剤グレード４（ＦＲ４）も導入されてきた。しかし、有機インターポーザは、寸法安定性の点でいろいろ問題がある。

インターポーザのベース基板としてのガラスは、シリコン製の有機インターポーザが示す諸問題の多くを解決してきた。ガラスが電気信号伝達に大いに有利な基板材料である理由は、寸法安定性に富み、熱膨張係数（ＣＴＥ）が調節自在であり、高周波でも電気損失が低く、熱安定性に優れ、尚且つ、層状にパネル寸法を大きくとって成形できるからである。

しかしながら、導電経路を設けるためにガラス基板の貫通ビア孔を金属化することはこれまでに困難であることが証明されているという点で問題がある。導電性金属の中には (特に銅は)、表裏両主要表面やビア孔の側壁面などのようなガラスにうまく接着しないものもある。理屈の縛り無しに考えてみると、導電性金属のガラスへの接合不良は、一方で金属を保持するという接合と他方でガラスを保持するという接合の、接合種類の相違の結果であると推察される。簡単に言うと、ガラスは共有結合した酸化物分子 (二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素など) の網状組織である。金属は、陽イオンの静止した原子核の格子の全域を自由に移動する電子の「海」で構成されている。ガラスの接合メカニズムは金属の接合メカニズムとは根本的に異なっているため、金属とガラスの間の接着には限度がある。この問題は、金属の接合対象となるべきガラス面を粗くすることで軽減でき、それにより金属とガラスの間の機械的連結をもたらしている。ただし、ガラスの表面を粗くするとまた別な問題が加わる恐れがあり、その取組み方を理想的とは言えなくしている。したがって、インターポーザとして使用することを意図したガラス基板の貫通ビア孔を金属化したうえで金属を一般的なガラス基板に接着するという、問題解決への新規な取組み方が必要となる。

本件開示は上記問題を両方とも、表面に酸化物を容易に形成する（酸化物を多く含有するガラス基板と共有結合する）第１金属の塩とそのような酸化物をそれほど容易には形成しない（銅などのような）第２金属の塩とを含んでいる溶液中でガラス基板の表面に無電解めっきを施すことによって解決している。熱処理後、第１金属の酸化物がガラス基板の表面に共有結合しているとともに金属領域（第１金属および金属形態の第２金属を含んでいる）が第１金属の酸化物に接合しているガラス部品を形成する。次いで、電気めっきにより該ガラス部品の金属領域を覆うように第２金属（またはそれ以外の何らかの金属）のより厚い層を生成する。もう一度熱処理した後、第１金属の酸化物がガラス基板の表面に依然として共有結合しているとともに第１金属および金属形態の第２金属を含んでいる金属領域が第１金属の酸化物に接合しているガラス部品を形成する。表面で酸化物を容易に形成する第１金属は、酸化物を多く含有するガラス基板と該ガラス基板に接合するよう所望された第２金属との間の接合ブリッジとして作用する。一例として、第１金属はマンガンであり、第２金属は銅である。まず最初に、溶液ベースのプロセス（回転塗布など）によりガラス基板の表面に金属(銀など)の ナノ層を付与することで触媒として作用して第１金属および第２金属の無電解析出を行うことができる。

本件開示の第１の実施形態によれば、ガラス部品を製造する方法は、（Ａ）ガラス基板の表面上に触媒金属の第１層を形成する工程と、（Ｂ）触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程と、（Ｃ）第１金属と第２金属の合金の第２層を第１層の上に形成する工程と、（Ｄ）触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことによりガラス部品を形成する工程とを含んでおり、該ガラス部品は（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）第１金属の酸化物に接合した金属領域であって、元素形態の触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属とを含んでいる金属領域から構成されている。

本件開示の第２の実施形態によれば、第１の実施形態の方法はガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を形成する工程を更に含んでいる。

本件開示の第３の実施形態によれば、第１の実施形態の方法は一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境にて２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことにより、（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属と、元素形態の一次金属とを含んでいる新たな金属領域から構成されているガラス部品を形成する工程を更に含んでいる。

本件開示の第４の実施形態によれば、第１の実施形態から第３の実施形態のいずれか１つにおいて、触媒金属は銀、金、コバルト、コバルト‐リン合金、ニッケルまたはニッケル‐リン合金、パラジウム、および、プラチナのうち１種類以上を含んでいる。

本件開示の第５の実施形態によれば、第１の実施形態から第４の実施形態のいずれか１つにおいて、表面上に触媒金属の第１層を形成する工程は、触媒金属のナノ粒子が液相担体中に分散している懸濁液と表面を接触させる工程と、液相担体を気化する工程とを含んでいる。

本件開示の第６の実施形態によれば、第５の実施形態において、懸濁液と表面を接触させる工程は懸濁液を表面上に回転塗布する工程を含んでいる。

本件開示の第７の実施形態によれば、第１の実施形態から第６の実施形態のいずれか１つにおいて、ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面および第２面で開口してガラス基板を貫いて延びている貫通ビア孔を画定している側壁面とが設けられており、第１金属の酸化物は貫通ビア孔の側壁面に共有結合している。

本件開示の第８の実施形態によると、第３の実施形態において、ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面および第２面で開口してガラス基板を貫いて延びている貫通ビア孔を画定している側壁面とが設けられており、第１金属の酸化物は貫通ビア孔の側壁面に共有結合しており、新たな金属領域は貫通ビア孔を通る導電経路を形成している。

本件開示の第９の実施形態によれば、第１の実施形態から第６の実施形態のいずれか１つにおいて、ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面と第２面のうち一方で開口してガラス基板を不十分に貫いて延びているめくらビア孔を画定している側壁面とが設けられており、第１金属の酸化物はめくらビア孔の側壁面に共有結合している。

本件開示の第１０の実施形態によれば、第１の実施形態から第９の実施形態のいずれか１つにおいて、第２層の第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上を含んでおり、第２層の第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上を含んでいる。

本件開示の第１１の実施形態によれば、第１の実施形態から第１０の実施形態のいずれか１つにおいて、第１金属の酸化物としては第２金属は除外される。

本件開示の第１２の実施形態によれば、第１の実施形態から第１０の実施形態のいずれか１つにおいて、第２層の第２金属は銅である。

本件開示の第１３の実施形態によれば、第１の実施形態から第１２の実施形態のいずれか１つにおいて、第２層の第１金属はマンガンまたは亜鉛である。

本件開示の第１４の実施形態によれば、第１の実施形態から第１３の実施形態のいずれか１つにおいて、合金の第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより大きく、合金の第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより小さい。

本件開示の第１５の実施形態によれば、第１の実施形態から第１４の実施形態のいずれか１つにおいて、合金の第２層を形成する工程は溶液を使用して無電解めっきにより第１層上に第２層を生成する工程を含んでおり、該溶液には第１金属の塩が溶解しているとともに第２金属の塩が溶解している。

本件開示の第１６の実施形態によれば、第１５の実施形態において、溶液はホルムアルデヒドを更に含んでおり、ｐＨが１１よりも高い。

本件開示の第１７の実施形態によれば、第１５の実施形態において、溶液はジメチルアミンボランを更に含んでおり、ｐＨが６ないし８である。

本件開示の第１８の実施形態によれば、第１の実施形態から第１７の実施形態のいずれか１つにおいて、触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に晒す工程は、温度を１分あたり１℃の速度またはそれより遅い速度で上昇させることを含んでいる。

本件開示の第１９の実施形態によれば、第１の実施形態から第１８の実施形態のいずれか１つにおいて、触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に晒す工程はガラス基板が空気の存在しているところにある状態で実施され、前記方法は、ガラス部品を３７５℃ないし４２５℃の温度に晒した後で、ガラス部品がフォーミングガスの存在しているところにある状態で２２５℃ないし２７５℃の温度に少なくとも３０分間ガラス部品を晒す工程を更に含んでいる。

本件開示の第２０の実施形態によれば、第２の実施形態において、一次金属は銀、金、カドミウム、クロム、銅、ニッケル、鉛、プラチナ、および、スズのうち１種類以上を含んでいる。

本件開示の第２１の実施形態によれば、第２の実施形態において、一次金属は銅を含んでいる。

本件開示の第２２の実施形態によれば、第２の実施形態、第２０の実施形態、および、第２１の実施形態のいずれか１つにおいて、第３層は厚さが２μｍないし５μｍである。

本件開示の第２３の実施形態によれば、第２の実施形態および第２０の実施形態から第２２の実施形態のいずれか１つにおいて、ガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を形成する工程は、電気めっきによりガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を生成する工程を含んでいる。

本件開示の第２４の実施形態によれば、第２３の実施形態において、電気めっきする工程は硫酸銅を含んでいるめっき液を利用する。

本件開示の第２５の実施形態によれば、第１の実施形態から第２４の実施形態のいずれか１つにおいて、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程は、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を３２５℃ないし３７５℃の温度に少なくとも２分間晒すことを含んでおり、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を３００℃ないし４２５℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでいる。

本件開示の第２６の実施形態によれば、第３の実施形態において、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程は、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を３２５℃ないし３７５℃の温度に少なくとも２分間晒すことを含んでおり、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を３００℃ないし４２５℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでおり、一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で３００℃ないし４００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでいる。

本件開示の第２７の実施形態によれば、第３の実施形態または第２６の実施形態において、不活性環境は減圧環境である。

本件開示の第２８の実施形態によれば、ガラスインターポーザは、表裏両主要面としての第１面および第２面が設けられているとともに第１面から第２面までの厚みを貫いて延びている貫通ビア孔が設けられているガラス基板であって、貫通ビア孔は側壁面が設けられて中心軸線があるようなガラス基板と、貫通ビア孔内部の中心軸線の周囲に配備された金属領域と、貫通ビア孔の側壁面に共有結合した第１金属の酸化物とを備えており、第１金属の酸化物は側壁面と金属領域の間に配備されており、金属領域は元素形態の第１金属と元素形態の第２金属とを含んでいる。

本件開示の第２９の実施形態によれば、第２８の態様において、第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上であり、第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上である。

本件開示の第３０の実施形態によれば、第２８の実施形態において、第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり３２５ｋＪより大きく、第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり１７５ｋＪより小さい。

本件開示の第３１の実施形態によれば、第２８の実施形態において、第１金属はマンガンであり、第２金属は銅である。

本件開示の第３２の実施形態によれば、第２８の実施形態ないし第３１の実施形態のいずれか１つにおいて、金属領域は銀を更に含んでいる。

上記以外の各種の特徴および利点は後段以降の詳細な説明に明示されており、その一部は詳細な説明から当業者には容易に自明となり、また、後段以降の詳細な説明および添付の特許請求の範囲の各請求項に記載されているような各実施形態を実施することにより当業者には容易に認識できる。

前段までの発明の概要と後段以降の詳細な説明の両方が具体例に過ぎず、特許請求の範囲の各請求項の本質および特性を理解するための概説または枠組みを提示しようとの意図があると解釈するべきである。

インターポーザとして使用するためのガラス基板において、第１面から第２面までガラス基板の厚みを貫いてビア孔が延びているのを例示した斜視図。 図１のガラス基板であって、ビア孔は各々が第１面および第２面に直交する中心軸線を有しているうえに孔を画定している側壁面が設けられているのを例示した、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿って破断した立面断面図。 インターポーザなどのガラス部品の製造方法であって、複数の金属層を形成してそれらの金属層を熱処理する多様な工程を例示したフロー図。 図３の方法の一工程の後の図１のガラス基板であって、触媒金属の第１層をビア孔の側壁面上に形成しているのを例示した、図１の線ＩＶ－ＩＶに沿って破断した立面断面図。 図４と同様であるが、図３の方法の残余の各工程の後の、第１金属と第２金属の合金の第２層を触媒金属の第１層上に形成しているのを例示した立面断面図。 図５と同様であるが、図３の方法のもう１つ別な工程の後の、ガラス基板の側壁面に接合された第２層から第１金属の酸化物を形成し、更に、第１金属、第２金属、および、触媒金属を全て元素形態で含んでいる金属領域が第１金属の酸化物を覆って配備されているのを例示した立面断面図。 図６と同様であるが、図３の方法の更にもう１つの工程の後の、金属領域を覆って一次金属の第３層を堆積することでビア孔の残隙を埋め、従って、ビア孔を十分に金属化しているのを例示した立面断面図。 図７と同様であるが、図３の方法の更にもう１つ別の工程の後の、第１金属、第２金属、触媒金属、および、一次金属を全て元素形態で含んでいる新たな金属領域を形成するにあたり、第１金属の酸化物が側壁面と新たな金属領域との間に配備されるとともにその両者に接合しているのを例示した立面断面図。 図３の方法に従って作製された試料ガラス部品に対するテープ引張り試験の結果であって、テープがガラス基板の第１面から新たな金属領域をあまり引き剥がさなかったことを例示しており、従って、付着性が高レベルであったのを示している写真。 図３の方法に従って作製されたもう一つ別の試料ガラス部品に対するテープ引張り試験の結果であって、テープがガラス基板の第１面から新たな金属領域をあまり引き剥がさなかったことを例示しており、従って、付着性が高レベルであったのを示している写真。 図３の方法に従って作製された別の試料ガラス部品に対するテープ引張り試験の結果であって、テープがガラス基板の第１面から新たな金属領域をあまり引き剥がさなかったことを例示しており、従って、付着性が高レベルであったのを示している写真。 図３の方法に従って作製されたのではない試料ガラス部品に対するテープ引張り試験の結果であって、テープがガラス基板の第１面から多くの堆積金属を引き剥がしたことを例示しており、従って、付着性が低レベルであったのを示している写真。 図３の方法に従って作製されたのではないもう１つ別の試料ガラス部品に対するテープ引張り試験の結果であって、テープがガラス基板の第１面から多くの堆積金属を引き剥がしたことを例示しており、従って、付着性が低レベルであったのを示している写真。

ここで本発明の好ましい実施形態を詳細に参照してゆくが、その各種実施例を添付の図面に示している。可能な場合は常に、図面全体で同一または類似した構成部材を指すのに同一参照番号が使われている。

ガラス基板
ここで図１および図２を参照すると、ガラス基板１００がインターポーザの形態で例示されている。ガラス基板１００は第１面１０２および第２面１０４が設けられている。各実施形態では、第１面１０２および第２面１０４はガラス基板１００の表裏両主要面であり、少なくともほぼ平行であり、概ね互いに逆方向を向いている。

各実施形態において、ガラス基板１００は、アルカリ土類アルミノホウケイ酸ガラス基板、アルカリアルミノケイ酸ガラス基板、アルカリアルミノホウケイ酸ガラス基板、または、溶融シリカ（高純度溶融シリカを含む）である。他の実施形態では、ガラス基板１００は、無アルカリアルミノホウケイ酸ガラス基板または無アルカリアルミノケイ酸ガラス基板などのように、アルカリ成分を含まない。「無アルカリ」とは、ガラス基板１００中には合目的量のアルカリ金属が皆無であり、ガラス基板１００中のアルカリ金属は何であれ不純物として存在しているといったようなことを意味している。各実施形態において、ガラス基板１００の組成は、次のものを（酸化物を基準にしたモル百分率で）含んでおり、すなわち、 ６０モル％ないし７８モル％のＳｉＯ_２、６モル％ないし１５モル％のＡｌ_２Ｏ_３を含んでいる。

例えば、実施形態によっては、ガラス基板１００は、（酸化物を基準にしたモル百分率で）次のものを含んでいる場合もあり、すなわち、６４．０モル％ないし７１．０モル％のＳｉＯ_２、９．０モル％ないし１２．０モル％のＡｌ_２Ｏ_３、７．０モル％ないし１２．０モル％のＢ_２Ｏ_３、１．０モル％ないし３．０モル％のＭｇＯ、６．０モル％ないし１１．５モル％のＣａＯ、０モル％ないし２．０モル％のＳｒＯ、０モル％ないし０．１モル％のＢａＯ、および、少なくとも０．０１モル％のＳｎＯ_２を含んでいるが、この場合、１．００≦Σ[ＲＯ]／[Ａｌ_２Ｏ_３]≦１．２５であり、ここでは、[Ａｌ_２Ｏ_３] とはＡｌ_２Ｏ_３のモル百分率のことであり、Σ[ＲＯ]はＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、および、ＢａＯ の各モル百分率の総和に等しい。そのような各実施形態においては、ガラス基板１００は室温での熱膨張係数（ＣＴＥ）が２０×１０^－７／℃ないし５０×１０^－７／℃であり、例えば、２８×１０^－７／℃ないし３４×１０^－７／℃であり、また例えば、３１．７×１０^－７／℃である。「ＣＴＥ」や「熱膨張係数」などといった語は、温度変化に伴って物体の寸法がどのように変化するかを指している。熱膨張係数（ＣＴＥ）は一定圧力での１℃の温度変化あたりの僅かな寸法変化の測定単位であるが、この寸法とは、例えば、体積、面積、または、直線の寸法を指すこともある。

実施形態によっては、ガラス基板１００は、（酸化物を基準としたモル百分率で）次のものを含んでいるものもある。すなわち、６１モル％ないし７５モル％のＳｉＯ_２、７モル％ないし１５モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％ないし１２モル％のＢ_２Ｏ_３、９モル％ないし２１モル％のＮａ_２Ｏ、０モル％ないし４モル％のＫ_２Ｏ、０モル％ないし７モル％のＭｇＯ、および、０モル％ないし３モル％のＣａＯを含んでいる。

実施形態によっては、ガラス基板１００は（酸化物を基準としたモル百分率で）次のものを含んでいる場合もあり、すなわち、６０モル％ないし７０モル％のＳｉＯ_２、６モル％ないし１４モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％ないし１５モル％のＢ_２Ｏ_３、０モル％ないし１５モル％のＬｉ_２Ｏ、０モル％ないし２０モル％のＮａ_２Ｏ、０モル％ないし１０モル％のＫ_２Ｏ、０モル％ないし８モル％のＭｇＯ、０モル％ないし１０モル％のＣａＯ、０モル％ないし５モル％のＺｒＯ_２、０モル％ないし１モル％のＳｎＯ_２、０モル％ないし１モル％のＣｅＯ_２、５０ｐｐｍ（５０ｍｇ／Ｌ）未満のＡｓ_２Ｏ_３、および、５０ｐｐｍ（５０ｍｇ／Ｌ）未満のＳｂ_２Ｏ_３を含んでいるが、この場合、１２モル％≦Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ≦２０モル％であり、また、０モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ≦１０モル％である。

実施形態によっては、ガラス基板１００は（酸化物を基準としたモル百分率で）次のものを含んでいる場合もある、すなわち、６４モル％ないし６８モル％のＳｉＯ_２、１２モル％ないし１６モル％のＮａ_２Ｏ、８モル％ないし１２モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％ないし３モル％のＢ_２Ｏ_３、２モル％ないし５モル％のＫ_２Ｏ、４モル％ないし６モル％のＭｇＯ、および、０モル％ないし５モル％のＣａＯを含んでいるが、この場合、６６モル％≦ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＣａＯ≦６９モル％であり、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＞１０モル％であり、５モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ≦８モル％であり、（Ｎａ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ３）－Ａｌ_２Ｏ_３≦２モル％であり、２モル％≦Ｎａ_２Ｏ－Ａｌ_２Ｏ_３≦６モル％であり、また、４モル％≦（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）－Ａｌ_２Ｏ_３≦１０モル％である。

実施形態によっては、ガラス基板１００は（酸化物を基準としたモル百分率で）次のものを含んでいる場合もあり、すなわち、６６モル％ないし７８モル％のＳｉＯ_２、４モル％ないし１１モル％のＡｌ_２Ｏ_３、４モル％ないし１１モル％のＢ_２Ｏ_３、０モル％ないし２モル％のＬｉ_２Ｏ、４モル％ないし１２モル％のＮａ_２Ｏ、０モル％ないし２モル％のＫ_２Ｏ、０モル％ないし２モル％のＺｎＯ、０モル％ないし５モル％のＭｇＯ、０モル％ないし２モル％のＣａＯ、０モル％ないし５モル％のＳｒＯ、０モル％ないし２モル％のＢａＯ、および、０モル％ないし２モル％のＳｎＯ_２を含んでいる。

実施形態によっては、ガラス基板１００は、（酸化物を基準としたモル百分率で）６９．４９モル％のＳｉＯ_２、８．４５モル％のＡｌ_２Ｏ_３、１４．０１モル％のＮａ_２Ｏ、１．１６モル％のＫ_２Ｏ、０．１８５モル％のＳｎＯ_２、０．５０７モル％のＣａＯ、６．２モル％のＭｇＯ、０．０１モル％のＺｒＯ_２、および、０．００８モル％のＦｅ_２Ｏ_３を含んでいるものもある。

各実施形態において、ガラス基板１００は、ガラスシートを作製するのに溶融プロセスを利用するガラス製造システムによって作られるが、これらガラスシートを切断して所望の形状のガラス基板１００にする。溶融プロセスでガラス基板１００を既に均一な厚みを持った状態で形成し、例えば、総厚さ変動（ＴＴＶ）は１．０μｍ未満である。従って、ガラス基板１００をインターポーザとして使用する前に研磨工程やそれ以外の仕上げ工程は必要が無いことがある。この溶融プロセスによって得られたガラスシートのせいで結果的にガラス基板１００の厚さ１０６が所望したよりも厚くなってしまいそうな場合は、ガラス基板１００の厚さ１０６は、エッチングや研磨などの何らかの周知の手段により薄くすることができる。更にそれ以外の各実施形態においては、ガラス基板１００は非溶融プロセスで作製されてから、所望の厚さ１０６を有するように研磨またはエッチングを施される。ガラス基板１００はその作製後に、そこに存在する残留応力を減じるように焼きなまし処理に付してもよい。

ガラス基板１００の厚さ１０６は、図示の実施形態では、第１面１０２および第２面１０４を両起点にした広がりである。各実施形態において、厚さ１０６は２５μｍないし約１ｍｍの範囲内であるが、厚さ１０６についてはこれより小さい値やこれより大きい値も想定される。例えば、本明細書に記載の各実施形態について、ガラス基板１００の厚さ１０６は、約５０μｍ、約１００μｍ、約２００μｍ、約３００μｍ、約４００μｍ、約５００μｍ、約６００μｍ、約７００μｍ、約８００μｍ、約９００μｍ、約１ｍｍ、または、前記各値を含むいずれかの範囲であって、例えば、５０μｍないし３００μｍなどの範囲である。複数の実施形態において、厚さ１０６は５０μｍないし１００μｍの範囲である。ガラス基板１００はどのような所望の形状を呈していてもよい。複数の実施形態において、ガラス基板１００は円形を呈している。これらの実施形態では、ガラス基板１００は直径が２００ｍｍないし３００ｍｍの範囲であってもよい。これら以外の実施形態では、ガラス基板１００は正方形または矩形の形状を呈している。

ガラス基板１００には更に１つ以上のビア孔１０８が設けられている。各実施形態において、ガラス基板１００は複数のビア孔１０８を有している。各実施形態において、１つ以上のビア孔１０８の一部または全部がガラス基板１００の厚さ１０６を貫いて第１面１０２から第２面１０４まで延びている。このようなビア孔１０８を本明細書では「貫通ビア孔」と称することもある。貫通ビア孔１０８は第１面１０２および第２面１０４で開口している。それ以外の実施形態では、１つ以上のビア孔１０８の一部または全部が、第１面１０２まで開口してはいても厚さ１０６を不十分に貫通しているのみであり、厚さ１０６の全長に亘って第２面１０４に達するまで延びてはいない。このようなビア孔１０８を本明細書では「めくらビア孔」と称することもある。各実施形態において、ガラス基板１００は、貫通ビア孔１０８とめくらビア孔１０８の両方が複数設けられている。側壁面１１０は、ガラス基板１００の厚さ１０６の範囲内でビア孔１０８の各々を画定している。

ビア孔１０８は直径に参照番号１１２が付してある。ビア孔１０８の各々の直径１１２は寸法が同じであるように見えて必ずしもそうである必要はなく、すなわち、各ビア孔１０８の直径１１２は同じガラス基板１００内でも多様であっても構わない。各実施形態において、直径１１２は５ミクロン（５μｍ）から１５０ミクロン（１５０μｍ）の範囲内である。各実施形態のなかでも、図示した実施形態のような例においては、ビア孔１０８はくびれ１１４が設けられた砂時計形状を呈しており、くびれではビア孔１０８の直径１１２はガラス基板１００の第１面１０２付近よりは狭く、第２面１０４付近よりも狭く、または、その両面付近より狭くなっている。砂時計形状は、以下にさらに説明する電気めっきを良好に行う助けとなる。それ以外の実施形態では、ビア孔１０８は概ね円筒形または概ね円錐形を呈している。

ビア孔１０８は各々に中心軸線１１６がある。１つのビア孔１０８の中心軸線１１６は隣接するビア孔１０８の中心軸線１１６から参照番号１１８のピッチ（距離）だけ離れている。ピッチ１１８は、所望の適用例に応じてどのような値であってもよいが、例えば、約１０μｍないし約２０００μｍの間であればよいがこれに限定されず、具体的には、約１０μｍ、約２５μｍ、約５０μｍ、約１００μｍ、約２５０μｍ、約５００μｍ、約１０００μｍ、約２０００μｍ、または、これ以外のいずれかの値、もしくは、前記の値のうちどれか２つの値の間の（上下両限界点を含む）範囲でもよい。例えば、ピッチ１１８は１０μｍないし１００μｍの範囲、２５μｍないし５００μｍの範囲、１０μｍないし１０００μｍの範囲、または２５０μｍないし２０００μｍの範囲であればよい。同じガラス基板１００のピッチ１１８は多様であっても一定であってもよい。ピッチ１１８は、例えば、１平方ミリメートル当たりに１個ないし２０個のビア孔１０８が存在するように設定されていればよいが、インターポーザの設計と適用例次第ある。各実施形態おいて、ビア孔１０８はガラス基板１００の全体に亘ってパターニング加工されている。それ以外の実施形態は、ビア孔１０８はどんなパターンも形成していない。

ビア孔１０８は多様な成形技術のうちの１つを利用してガラス基板１００内に形成される。例えば、ビア孔１０８は、各種の機械的穿孔加工、エッチング加工、レーザーアブレーション加工、レーザー支援加工、レーザー損傷とその後のエッチング加工、研磨材吹付け加工、研磨材含有水噴射機械加工、集中電子熱エネルギー加工、または、何であれこれら以外の好適な成形技術によって形成することができる。レーザー損傷とその後のエッチング加工では、初期にガラス基板１００にレーザーを使用した損傷痕を形成することで、この損傷痕に沿ってガラス基板１００を修正する。次にガラス基板１００にエッチング液を付与する。ガラス基板１００はエッチング液によって薄くなる。ガラス基板１００のエッチング速度は損傷痕付近のほうがより速くなるので、ビア孔１０８がガラス基板１００を貫通して開口されるように、損傷痕が優先的にエッチングされる。

ビア孔１０８を金属化するなどして、ガラス基板１００を金属化する方法２００
ここで、図３ないし図６を参照すると、ガラス基板１００のビア孔１０８は、本明細書に記載の、参照番号２００の新規な方法に従って金属化される。方法２００は、ガラス基板１００をインターポーザとするのに加えてビア孔１０８を金属化する目的であると言う文脈で記載されているが、方法２００がガラス基板１００上に金属を配置することを主旨としてもその目的は任意であり、各面を金属化するという主旨はビア孔１０８の側壁面１１０以外の、例えば、第１面１０２、第２面１０４、ガラス基板１００を貫通している別な各穿孔の面、または、これらの各種組合せの表面を対象としているものと解釈するべきである。発明の背景で言及したように、ガラス基板１００の用途をインターポーザとするという文脈では、ビア孔１０８を金属化することで、電気信号が第１面１０２から第２面１０４まで通過するようにインターポーザを通り抜ける導電経路をもたらす。

触媒金属の第１層１２０を形成する工程： 工程２０２においては、方法２００は、ガラス基板１００の表面上に触媒金属の第１層１２０を形成することを含んでいる（特に図４を参照のこと）。各実施形態において、触媒金属の第１層１２０は、ガラス基板１００の全体または概ね全体を被覆するようにしてもよい。各実施形態において、例えば図示の実施形態などでは、工程２０２はガラス基板１００のビア孔１０８の側壁面１１０上に触媒金属の第１層１２０を形成する工程を含んでいる。それ以外の各実施形態では、工程２０２は、第１面１０２上または第２面１０４上に、もしくは、第１面１０２と第２面１０４の両面上に触媒金属の第１層１２０を形成する工程を含んでいる。代替例として、触媒金属の第１層１２０は、第１面１０２の一部、第２面１０４の一部、ビア孔１０８の側壁面１１０の一部もしくは全体、または、前記の各面の何らかの組合せでガラス基板１００の一部を被覆するパターニング加工が施されてもよい。パターニング加工は、触媒金属の第１層１２０をガラス基板１００上へ堆積している期間中に、ガラス基板１００の或る領域を遮断テープまたはフォトレジストなどで選択的にマスキングすることによって実施されるとよい。

触媒金属はそれを覆って後続の金属層を堆積するにあたり無電解析出法またはそれ以外の各種方法によって実施するのを促進するという意味で、触媒である。各実施形態において、触媒金属は銀、金、コバルト、コバルト‐リン合金、ニッケル、ニッケル‐リン合金、パラジウム、および、プラチナのうち１種類以上を含んでいる。各実施形態において、触媒金属は銀またはパラジウムであるか、或いは、そのいずれかを必須として含んでいる。各実施形態において、触媒金属の第１層１２０はナノ層であり、参照番号１２２を付したその厚さが５ｎｍから１００００ｎｍの範囲内にあって、例えば、５ｎｍから約１００ｎｍの範囲内にある。

各実施形態において、触媒金属の第１層１２０は銀であるか、または、必須として銀を含んでおり、方法２００の工程２０２は、ガラス基板１００のビア孔１０８の側壁面１１０の上に触媒金属としての銀の第１層１２０を形成する工程を含んでいる。

各実施形態において、ガラス基板１００のビア孔１０８の側壁面１１０（または、ガラス基板１００のどこであれ他の所望の表面）上に触媒金属の第１層１２０を形成する工程は、（ｉ）ガラス基板１００の側壁面１１０を触媒金属のナノ粒子が液相担体中に分散している懸濁液に接触させる工程と、（ｉｉ）液相担体を蒸発させる工程とを含んでいる。液相担体は水または溶剤ベースの液体であるとよい。溶剤ベースの液相担体は、単一の溶剤、複数溶剤の混合物、または、或る溶剤（単一の溶剤または複数溶剤の混合物）がそれ以外の複数の非溶剤成分を含んでいるものであってもよい。利用できる具体的な溶剤には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、アルコール、エーテル、ケトン、これらに類似する各種物質、または、前記のものの各種の混合物であって、例えば、２‐プロパノール（イソプロパノール、ＩＰＡ、または、イソプロピルアルコールとも呼ばれる)、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エタノール、クロロホルム、アセトン、ブタノール、オクタノール、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、および、これらの各種混合物が挙げられるが、これらに限定されない。懸濁液の一例には、触媒金属のナノ粒子をシクロヘキサン中に１０％Ｗ／Ｖないし３０％Ｗ／Ｖの濃度で含んでいるものがある。液相担体の蒸発により、ガラス基板１００のビア孔１０８の側壁面１１０上に触媒金属のナノ粒子が残留する。

「ナノ粒子」という語は、最短軸線に沿った平均直径（または、断面寸法）が約１ｎｍないし約１００００ｎｍである粒子・成分を指している。ナノ粒子の粒子寸法は分布特性である場合もあると解釈するべきである。更に、実施形態によっては、ナノ粒子は寸法や分布が多様であったり、或いは、寸法や分布が２種類以上であったりすることもある。従って、特定寸法は、個々の粒子寸法の分布に関連している平均粒子径のことを指していると言える。実施形態によっては、ナノ粒子は平均直径が約５ｎｍないし約１００００ｎｍ、約５ｎｍないし約７５００ｎｍ、約５ｎｍないし約５０００ｎｍ、約５ｎｍないし約２５００ｎｍ、約５ｎｍないし約２０００ｎｍ、約５ｎｍないし約１５００、約５ｎｍないし約１２５０ｎｍ、約５ｎｍないし約１０００ｎｍ、約５ｎｍないし約７５０ｎｍ、約５ｎｍないし約５００ｎｍ、約５ｎｍないし約２５０ｎｍ、約５ｎｍないし約２００ｎｍ、約５ｎｍないし約１５０ｎｍ、約５ｎｍないし約１２５ｎｍ、約５ｎｍないし約１００ｎｍ、約５ｎｍないし約７５ｎｍ、約５ｎｍないし約５０ｎｍ、約５ｎｍないし約２５ｎｍ、約５ｎｍないし約２０ｎｍ、および、約５ｎｍないし約１５ｎｍなどであり、具体例として、約５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、１００ｎｍ、１２５ｎｍ、１５０ｎｍ、１７５ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、９００ｎｍ、１０００ｎｍ、１２５０ｎｍ、１５００ｎｍ、２０００ｎｍ、２５００ｎｍ、５０００ｎｍ、７５００ｎｍ、または、１００００ｎｍなどである。ナノ粒子の寸法は、動的光散乱技術のような多様な方法により、或いは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を利用して測定することができる。例えば、当該技術分野で理解されているように、粒子寸法の分布は数百もの多様なナノ粒子から成る試料を透過型電子顕微鏡で画像解析することにより算定されることが多い。

ナノ粒子の形状や表面特性はどのようなものであってもよい。ナノ粒子の構造および表面形状は多様であってよく、本件開示はどのような特定の表面形状、構造、または、その両方に限定されることを意図するものではない。本明細書の各実施形態は複数のナノ粒子を扱うが、個々のナノ粒子または個々のナノ粒子群は他のナノ粒子と同じ構造または同じ表面形状であっても、異なる構造または異なる表面形状であっても、いずれでもよい。例えば、実施形態によっては、ナノ粒子は球構造、楕円構造、多面体構造、薄片構造などである場合もあれば、結晶型構造を採っていることもある。実施形態によっては、ナノ粒子表面は滑らか、粗い、規則的、不規則的、パターン化されているなどの場合もある。

各実施形態において、金属のナノ粒子は銀のナノ粒子である。実施形態によっては、銀のナノ粒子は平均直径が１０ｎｍないし１３ｎｍであり、シクロヘキサン中に２０％Ｗ／Ｖの濃度で分散されている（米国ニューヨーク州ロチェスタに居所をおくセリオン有限責任会社（Ｃｅｒｉоｎ, ＬＬＣ）から市販されている）。

ガラス基板１００をナノ粒子の懸濁液に接触させる前に、任意でナノ粒子の懸濁液を超音波処理することで液相担体全体にナノ粒子を分散させるのを促進する。例えば、ナノ粒子の懸濁液は１５分ないし４５分の範囲内の期間、例えば、約３０分間、超音波処理するとよい。

上述のように、触媒金属の第１層１２０はナノ層であり、その厚さが５ｎｍないし１００００ｎｍの範囲内であり、例えば、５ｎｍないし約１００ｎｍの範囲内である。第１層１２０は、ナノ粒子の単分子層より薄い層、単分子層、または、複数の単分子層から構成されているとよい。各実施形態において、触媒金属の第１層１２０は均一ではなく、むしろ、ガラス基板１００のビア孔１０８の側壁面１１０上の（または、場合によっては、第１面１０２上や第２面１０４上の）単一種類の粒子群または多種粒子の粒子塊であり、側壁面１１０の多数部分は剥き出しのままの状態である。

各実施形態において、ガラス基板１００の所望の表面（例えば、第１面１０２、第２面１０４、側壁面１１０など）を触媒金属のナノ粒子の懸濁液に接触させる工程はガラス基板１００の表面に建託益を回転塗布することを含んでいる。この回転塗布は、ガラス基板１００上にナノ粒子状の金属触媒の所望のナノ粒子層を形成するのに適していると思われるのであれば、どのような速度で実施されても、また、どれほどの時間に亘り実施されてもよい。例えば、ナノ粒子の懸濁液をガラス基板１００上に堆積させるにあたり、１０００ｒｐｍないし５０００ｒｐｍの速度で（例えば、１０００ｒｐｍ、２０００ｒｐｍ、３０００ｒｐｍ、４０００ｒｐｍ、または、５０００ｒｐｍなどで）、約３０秒、３０秒未満、または、３０秒を超える時間に亘って回転させながら実施されるとよい。

各実施形態において、ガラス基板１００の所望の表面（例えば、第１面１０２、第２面１０４、側壁面１１０など）を触媒金属のナノ粒子の懸濁液に接触させる工程は、ガラス基板１００の所望の表面をナノ粒子の懸濁液中で浸漬被膜する工程、または、ガラス基板１００の表面にナノ粒子の懸濁液を吹き付け塗布する工程を含んでいる。浸漬被膜は、ガラス基板１００の表面に触媒金属の第１層１２０を形成するのに好適であれば、どのような離脱速度（引抜き速度と呼ばれることもある）で実施されてもよく、例えば、毎分３０ｍｍないし毎分３５ｍｍで実施されるとよい。

ガラス基板１００の表面（例えば、第１面１０２、第２面１０４、側壁面１１０など）の上に触媒金属の第１層１２０を形成するための上記のような溶液ベースのプロセスは、溶液ベースではない真空蒸着などのような各種プロセスに優る改良例である。回転塗布や浸漬被膜といった上述の溶液ベースのプロセスは真空蒸着よりも安価である。これに加えて、そのような溶液ベースの各プロセスはビア孔１０８の側壁面１１０上に触媒金属の第１層１２０を形成することはできるが、真空蒸着では、ビア孔１０８のアスペクト比が大きくなるにつれて、ビア孔１０８の側壁面１１０を第１層１２０で完全に覆ってしまえる見込みが減る。

触媒金属の第１層１２０が設けられたガラス基板１００を熱処理する工程： 工程２０４において、方法２００は、触媒金属の第１層１２０が設けられたガラス基板１００を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程をさらに含んでいる。各実施形態において、温度は２５０℃ないし４００℃の範囲であり、例えば、約３２５℃ないし約３７５℃であり、例えば、約３５０℃または丁度３５０℃である。各実施形態において、持続時間は２分ないし５分である。工程２０４は本明細書では触媒金属の堆積された第１層１２０が設けられたガラス基板１００を「熱処理する工程」と呼ぶことができる。触媒金属の第１層１２０が酸化されやすい場合、工程２０４は不活性雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）で実施することができ、そうでない場合、還元雰囲気（例えば、水素ガス雰囲気）での後続の熱処理を行うことで酸化された触媒金属を還元して元素形態に戻すことができる。触媒金属の酸化された第１層１２０は、後ほど方法２００において金属の第２層が更に付与されることを阻止することができる（後述する）。触媒金属の第１層１２０が銀である各実施形態では、方法２００の熱処理工程２０４の期間中に空気の存在下でも銀が酸化する恐れは無い。各実施形態においては、ガラス基板１００は室温に晒されてから、或る昇温速度 (例えば、毎分０．５℃ないし毎分１０度の範囲内の昇温速度) で温度上昇を受ける。これ以外の各実施形態では、触媒金属の第１層１２０が設けられたガラス基板１００を、工程２０４の操作可能な範囲内の予め定められた温度に設定された予熱された炉内に直接置く。工程２０４は、触媒金属の第１層１２０が設けられたガラス基板１００を垂直炉、管状炉、または、急速熱焼灼装置（ＲＴＡ）の中に置くことにより、或いは、ホットプレート上に置くなどして実施することができる。パラジウムを第１層１２０の触媒金属として利用する各実施形態においては、工程２０４を省いてもよく、すなわち、方法２００は工程２０４を含んでいなくてもよい。

第１層１２０上に合金の第２層１２４を形成する工程： 工程２０６においては、方法２００は第１層１２０上に第１金属と第２金属の合金の第２層１２４を形成する工程を更に含んでいる。第１層１２０が均一ではないうえに側壁面１１０の多数部分が剥き出し状態のままである各実施形態においては、第１金属と第２金属の合金の第２層１２４が第１層１２０および剥き出しの側壁面１１０上に形成される。図示の実施形態のように、第１層１２０が側壁面１１０上に形成された各実施形態では、第２層１２４は第１層１２０よりも中心軸線１１６に近い側に形成されるが、ビア孔１０８を閉鎖することはない。工程２０６が行われるのは熱処理工程２０４の後である。第２金属と比較して第１金属は、ガラス基板１００の所望の表面（例えば、ビア孔１０８の側壁面１１０など）と共有結合する酸化物を生成する傾向が強い。このような酸化物の生成エンタルピーは上記傾向の一種の定量化である。各実施形態において、第１金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は、第２金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値より大きい。各実施形態において、第１金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり６００ｋＪより高いが、第２金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり６００ｋＪより低い。各実施形態において、第１金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり３２５ｋＪより高いが、第２金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり１７５ｋＪより低い。各実施形態において、第１金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり９００ｋＪより高いが、第２金属の酸化物の生成エンタルピーの絶対値は１モル当たり１７５ｋＪより低い。各実施形態において、第２層１２４の第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上を含んでおり、第２層１２４の第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上を含んでいる。各実施形態において、第２層１２４の第１金属はマンガンまたは亜鉛であり、第２層１２４の第２金属は銅である。以下の表 1 は多様な金属の多様な酸化物ごとの生成エンタルピーを列挙したものである。

各実施形態において、第１金属と第２金属の合金の第２層１２４を第１層１２０上に形成する工程２０６は溶液を使って無電解めっきで第１層１２０上に第２層１２４を生成する工程を含んでおり、該溶液は（ｉ）溶液中に溶解した第１金属の塩、および、（ｉｉ）溶液中に溶解した第２金属の塩を含有している。無電解めっきでは、陰イオンと第１金属の陽イオンとのイオン化合物、および、陰イオンと第２金属の陽イオンとのイオン化合物が、化学還元剤により還元されて元素形態の第１金属および第２金属に変性する。典型的な無電解めっきプロセスは、（ａ）第１金属の陽イオンおよび第２金属の陽イオンを含んでいるイオン化合物のめっき液、（ｂ）還元剤、（ｃ）ｐＨ調整剤、（ｄ）イオン化合物を可溶化するための錯化剤、および、（ｅ）溶液の安定性とめっき速度を制御するための特殊な添加剤に関与している。これらの溶液は、触媒金属の第１層１２０が触媒活性面を供与しているガラス部品の上に堆積される。この触媒活性面が触媒となってイオン化合物の各金属カチオンの還元を進めた結果として、ガラス部品の第１層１２０上（例えば、ビア孔１０８内）に元素形態の第１金属と第２金属を同時に析出し、従って、第１金属と第２金属の合金を第２層１２４として形成することになる。第２層１２４は自己触媒的であるため、元素形態の付加的な第１金属および第２金属に触媒として更に作用して第２層１２４上に堆積させ、従って、該層の厚さを増大させる。

上述したように、無電解めっきプロセスは、第１金属のイオン化合物と第２金属のイオン化合物が溶剤中に溶解しためっき液を組入れて使用する。好適なイオン化合物には、例えば、第１金属および第２金属それぞれの硝酸塩、硫酸塩、塩化物、酢酸塩、および、シアン化物が挙げられる。めっき液の一例には、第１金属のイオン化合物としては硫酸マンガン一水和物があり、第２金属のイオン化合物としては硫酸銅五水和物が挙げられる。もう１つ別の具体的なめっき液には、第１金属のイオン化合物としては塩化亜鉛があり、第２金属のイオン化合物としては硫酸銅五水和物が挙げられる。通例は、これらイオン化合物は約０．００１ｍＭ（０．００１ｍоｌ／ｍ^３）ないし約２５ｍＭ（２５ｍоｌ／ｍ^３）の範囲の濃度で溶液中に存在している。各実施形態においては、第１金属のイオン化合物の濃度と第２金属のイオン化合物の濃度の比は、１：２００００ないし１：１の範囲内であり、例えば、１：２０ないし１：３の範囲であり、そこには約１：４または丁度１：４も含まれる。溶媒は水性であってもよいし、或いは、イオン化合物に適しているものとして何らかの有機液であってもよい。このような有機液としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アルカン類などが挙げられる。

上述のように、無電解めっきプロセスは還元剤、ｐＨ調整剤、および、錯化剤を組入れて使用する。還元剤はガラス基板１００の第１層１２０上に存在している金属の陽イオンを還元する。還元剤の特定の具体例としては、ＮａＢＨ_４、ＫＢＨ_４、ＮａＨ_２ＰＯ_２、ヒドラジン、ホルマリン、ホルムアルデヒド、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、および、多糖類（例えば、グルコース）がある。ｐＨ調整剤はめっき液のｐＨを調整し、酸性化合物でも塩基性化合物でもよい。ホルムアルデヒドを還元剤として使用する各実施形態では、ｐＨ調整剤を利用することで溶液のｐＨを１１以上に調整することができる。ジメチルアミンボランを還元剤として使用する各実施形態では、ｐＨ調整剤を利用して、溶液のｐＨをほぼ中性（ｐＨが約７、例えば、ｐＨ６ないしｐＨ８）になるように調整することができる。

錯化剤は、アルカリ溶液中で水酸化物が析出するのを防ぐとともに第１金属の陽イオンと第２金属の陽イオンの濃度を制御することにより、イオン化合物の分解を防ぎ、めっき速度を調整するのに役立つ。錯化剤の特定の具体例としては、アンモニア溶液、酢酸、グアニン酸、酒石酸、各種のキレート剤（例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ））、ロッシェル塩（酒石酸ナトリウムカリウム四水和物）、各種の有機アミン化合物などが挙げられる。

各実施形態において、めっき液の温度は３０℃ないし７０℃の範囲内であり、例えば、約６０℃である。各実施形態において、ガラス基板１００は無電解めっきプロセスを２０秒ないし３０分の範囲内の時間に亘って受け、例えば、約２０分間受ける。各実施形態において、無電解めっきに由来して形成された金属の第２層１２４は参照番号１２６で表す厚さが１０ｎｍないし１００ｎｍの範囲であり、例えば、約５０ｎｍである。金属の第２層１２４は、後述するように、その後に金属の第３層を付与することができるようにするのに十分な導電性を確保するのに十分な厚みを有しているべきである。

第２層１２４が設けられたガラス基板１００を熱処理する工程： 工程２０８において、方法２００は触媒金属の第１層１２０上に第１金属と第２金属の合金の第２層１２４が設けられたガラス基板１００を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程を更に含んでいる。各実施形態において、温度は３００℃ないし４５０℃であるが、例えば、３７５℃ないし４２５℃などであり、例えば、約４００℃または丁度４００℃である。熱処理によりガラス部品１２８が形成される（図６を参照のこと）が、該ガラス部品は、（ｉ）ガラス基板１００、（ｉｉ）ガラス基板１００に共有結合した第１金属の酸化物１３０、および、（ｉｉｉ）第１金属の酸化物１３０に接合した金属領域１３２をから構成されている。各実施形態において、第１金属の酸化物１３０としては、第２金属を除外する。金属領域１３２は元素形態の触媒金属、元素形態の第１金属、および、元素形態の第２金属を含んでいる。工程２０８の熱処理の持続期間中に、第２層１２４に由来する第１金属は、触媒金属の第１層１２０から置換わって、ガラス基板１００の表面に接合する酸化物１３０を形成する。

各実施形態において、工程２０８の期間中のガラス基板１００の周囲環境の温度は毎分５℃またはそれより遅い速度で、例えば、毎分１℃またはそれより遅い速度で上昇する。

各実施形態において、熱処理工程２０８はガラス基板１００が空気の存在する中にある状態で実施される。空気が存在していることで、ガラス基板１００の側壁面１１０に接合している第１金属の酸化物１３０の形成を助けることができる。そのような実施形態では、方法２００は、工程２０８の結果として生じたガラス部品１２８をフォーミングガス（Ｈ_２とＮ_２の混合物）の存在下で２２５℃ないし２７５℃の温度に少なくとも３０分間（例えば、３０分ないし９０分）晒すという熱処理による還元工程２１０を更に含んでいる。還元工程２１０により金属領域１３２の導電性を回復することで、後述するように、金属領域１３２を覆うように金属の第３層を後続して付与することができる。

ガラス部品１２８上に一次金属の第３層１３４を形成する工程： 工程２１２において、方法２００はガラス部品１２８の金属領域１３２上に一次金属の第３層１３４を形成する工程を更に含んでいる（図７を参照のこと）。一次金属は、その金属がガラス部品１２８上の厚さで優勢な金属であるという意味で「一次」なのであり、すなわち、第３層１３４の参照番号１３６で示した厚さは第１層１２０の厚さ１２２や第２層１２４の厚さ１２６のそれぞれよりも厚い。ガラス部品１２８がインターポーザである場合は、一次金属はビア孔１０８の導電機能を実行することを意図した金属であるうえに、方法２００に従った金属化の後ではビア孔１０８内部で主要な金属となる。各実施形態において、一次金属は銅である、或いは、銅を含んでいる。各実施形態において、一次金属は銀、金、カドミウム、クロム、銅、ニッケル、鉛、プラチナ、および、スズのうちの１種類以上であるか、または、１種類以上を含有している。各実施形態において、一次金属の第３層１３４の厚さ１３６は２μｍ以上であり、例えば、２μｍないし５μｍである。

各実施形態において、ガラス部品１２８の金属領域１３２上に一次金属の第３層１３４を形成する工程は、電気めっきによりガラス部品１２８の金属領域１３２上に一次金属の第３層１３４を生成することを含んでいる。電気めっきする工程において、ガラス部品１２８はめっき液中に置かれるが、該めっき液は、陰イオンと第３層１３４を形成する一次金属の陽イオンとを有しているイオン化合物を含んでおり、電流が印加される。その結果、ガラス部品１２８の金属領域１３２を覆うように元素形態の一次金属が第３層１３４として付与される。堆積されることになる一次金属の陽イオンを含んでいるイオン化合物の陰イオンには、硫酸イオン、硝酸イオン、塩化物イオンなどがある。めっき液に使用されるイオン化合物の一例が硫酸銅である。めっき液の一例には、硫酸銅(II)五水和物（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）、ピロリン酸カリウム（Ｋ_４Ｐ_２Ｏ_７）、および、クエン酸を蒸留水中に含んだものがある。めっき液のもう1つ別な例は、硫酸銅(II)五水和物（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ）、硫酸マンガン(II) 一水和物（ＭｎＳＯ_４・Ｈ_２Ｏ）、酒石酸ナトリウムカリウム四水和物（ロッシェル塩）、および、ホルムアルデヒドを含有している。各実施形態において、めっき液中のイオン化合物の濃度は０．００１Ｍ（１ｍоｌ／ｍ^３）以上である。イオン化合物は、脱イオン水のような液体媒体中に溶解している。ガラス部品１２８に加えて、何であれ導電性の材料から作製された電極もめっき液中に配備される。各実施形態において、めっき液は温度が１０℃ないし５０℃の間であり、例えば、室温または４０℃である。

電流、電圧、または、その両方の組み合わせが電極とガラス部品１２８との間に印加されて、ガラス部品１２８に負の定電流を供与する。各実施形態において、電流密度範囲にして約０．００１ｍＡ／ｃｍ^２ないし約１Ａ／ｃｍ^２と電圧範囲にして約－０．００１Ｖないし約－２０Ｖが印加される。その結果、第３層１３４となる一次金属の陽イオンは、ガラス部品１２８の金属領域１３２の全面で還元されて元素形態になる。電流密度はこの還元反応の速度を制御する。従って、印加電流を増減することによって析出速度を増減することができる。しかし、高すぎる印加電流は多孔性だが空所が充填された堆積を生じることがあり、低すぎる印加電流は実用上役立たなくなるほどプロセスを長引かせてしまう事がある点に留意するべきである。一次金属の第３層１３４がガラス部品１２８に付与されて金属領域１３２を覆った後、電流を停止し、ガラス部品１２８をめっき液から取り出し、ガラス部品１２８を脱イオン水で洗浄することができる。この時点で任意であるが、窒素の流れをガラス部品１２８上に吹き流すなどしてガラス部品１２８を乾燥させてもよい。

ガラス部品１２８をインターポーザとすることを意図した各実施形態においては、一次金属の第３層１３４がビア孔１０８の残存している空隙部を充填する。一次金属の第３層１３４が電気めっきにより付加されてしまえば、ガラス部品１２８をめっき液中に配備することで、１個以上のビア孔１０８の全部にめっき液を充満させる。一次金属の第３層１３４はガラス部品１２８の金属領域１３２上に堆積されるが、ビア孔１０８が密封されてしまうまでは、従って、十分に金属化されてしまうまでは継続して積上げられてゆく。ビア孔１０８が砂時計形状を取る各実施形態においては、初期に堆積される一次金属の導電性の第３層１３４に対して、狭まったくびれ部１１４が金属の「ブリッジ（懸け橋）」を供与する。一次金属の第３層１３４は、ビア孔１０８が充填されてしまうまでこのブリッジの両側に継続して堆積される。「ブリッジ」は、第１面１０２または第２面１０４の近傍に一次金属の第３層１３４が堆積されるのを防ぐことで、ビア孔１０８が一次金属の第３層１３４で充填されてしまう前にビア孔１０８の内部に通じる開口部が閉じてしまうのを回避するのに役立つ。ビア孔１０８の内部に通じる開口部をそうせず閉じてしまうとビア孔１０８の内部に空隙が生じてしまい、導電性を低下させる。ビア孔１０８が充填されて金属領域１３２および一次金属の第３層１３４で完全に金属化されている場合は、ビア孔１０８のおかげでガラス部品１２８の第１面１０２および第２面１０４に直にまたは隣接して配備された各電気構成部材の電気配線を電気接続することができるようになる。一次金属の第３層１３４がガラス部品１２８のビア孔１０８を充填してしまえば、電流を停止し、めっき液とガラス部品１２８を離隔させる。

一次金属の第３層１３４が設けられたガラス部品１２８を熱処理する工程： 工程２１４において、方法２００は、不活性環境(減圧環境、窒素環境、フォーミングガス環境など)で一次金属の第３層１３４が設けられたガラス部品１２８を２５０℃ないし６００℃、例えば、３００℃ないし４００℃、より具体的には、３２５℃ないし３７５℃、更には、約３５０℃または丁度３５０℃などの温度に少なくとも３０分間晒す工程を更に含んでいる。熱処理工程２１４によりガラス部品１２８を形成するが、該ガラス部品は、（ｉ）ガラス基板１００、（ｉｉ）ガラス基板１００に共有結合した第１金属の酸化物１３０、ならびに、（ｉｉｉ）触媒金属、第１金属、第２金属、および、一次金属の全てを元素形態で含有している新たな金属領域１３２を備えている（図８を参照のこと）。換言すると、熱処理工程２１４は、工程２０８で生成された金属領域１３２を、元素形態の一次金属を更に含有している新たな金属領域１３８に変性する。

工程２１４の１つの目的は、工程２０８に由来する金属領域１３２と工程２１２で付加された一次金属の第３層１３４とを混合することである。３２５℃を下回る温度はその目的を満たしているかもしれないが、そのような温度は実用上合目的というにはむやみに長い時間を必要とする可能性がある。換言すると、工程２１４の持続中の３２５℃より低い温度の結果として上記のような混合効果を生じ得るが、時間がかかりすぎる傾向があるので商業上実用的ではない。工程２１４の３７５℃またはそれ未満の温度は大半のガラス基板１００に適用できる。工程２１４のもう１つ別の目的は、ガラス部品１２８において発生した可能性のある応力を緩和することである。例えば、インターポーザとして使用するよう意図されたガラス基板１００にビア孔１０８を形成するために採用されるレーザー加工プロセスは、ガラス基板１００の内部に熱応力を生じる可能性がある。ビア孔１０８の金属化工程の後に形成される後続ガラス部品１２８の焼きなまし工程は、ガラス基板１００に存在している恐れのある残留応力を緩和する。

ガラス部品１２８がインターポーザである各実施形態では、ビア孔１０８は現時点で完全に金属化されており、ビア孔１０８はその側壁面１１０に第１金属が共有結合され、第１金属の酸化物に新たな金属領域１３８が共有結合されている。第１金属の酸化物１３０はこのように貫通ビア孔１０８の側壁面１１０と新たな金属領域１３８との間に配置されている。新たな金属領域１３８は貫通ビア孔１０８を通る導電経路を形成している。新たな金属領域１３８は貫通ビア孔１０８の内部で中心軸線１１６の周囲に配備されている。新たな金属領域１３８は元素形態の第１金属を含んでおり、これが第１金属の酸化物１３０に結合する。各実施形態において、ガラス基板１００の第１面１０２および第２面１０４の各部が金属化され、このとき第１金属の酸化物１３０は第１面１０２および第２面１０４に共有結合した状態にあり、触媒金属、第１金属、第２金属、および、一次金属を全て元素形態で含有している新たな金属領域１３８は第１金属の酸化物１３０に接合している。新たな金属領域１３８は主として中心軸線１１６およびその近傍にある一次金属であると期待される。

第１金属の酸化物１３０の形成して取込むことで、一次金属（例えば、銅）をガラス基板１００により効果的に接着させている。第１金属と第２金属の合金の第２層１２４はこのように（ｉ）第１金属の酸化物１３０の形成によりガラス基板１００に後続的に付与される金属の粘着を促進する機能、および、（ｉｉ）合金の第２層１２４のうち第２金属は酸化物を形成しそうに無いうえに工程２０８に由来して生成された金属領域１３２が工程２１２における（電気めっきなどによる）一次金属の第３層１３４の形成に寄与するのに十分な導電性を有しているのが確実なせいで、一次金属の第３層１３４の付与を促進する機能を果たす。ガラス基板１００の側壁面１１０に共有結合している第１金属の酸化物１３０と新たな金属領域１３８における触媒金属、第１金属、第２金属、および、一次金属の金属結合および混合との組み合わせにより、一次金属がガラス基板１００に強固に接着する結果となる。更に、第１層１２０、第２層１２４、および、第３層１３４を形成する全ての工程２０２、工程２０６、工程２１２はどれも溶液ベースで実施されており、このことにより、ビア孔１０８は、高アスペクト比のビア孔であっても、経費効率の高い方法で顕著な空隙（例えば、ピンホール）も生じずに十分に金属化することができる。

実施例１。方法２００の工程２０２に従って、試料であるガラス基板１００の第１面１０２上に触媒金属としての銀の第１層１２０を形成した。この実施例および後段の全ての更なる各実施例のためのガラス基板１００はアルカリ土類アルミノホウケイ酸ガラス基板であった。より具体的には、銀のナノ粒子を液相担体中に分散させた。ナノ粒子は平均寸法が１０ｎｍないし１３ｎｍであった。液相担体はシクロヘキサンであった。銀のナノ粒子の濃度はシクロヘキサンの２０％ｗ／ｖであった。分散液を３０分間超音波処理に付すことで銀のナノ粒子の凝集塊を分離するのに役立った。次いで、分散液をガラス基板１００の第１面１０２上に１０００ＲＰＭの回転速度で回転塗布した。液相担体を蒸発させることができるようにした。次いで、方法２００の工程２０４に従って、触媒金属（銀）の第１層１２０が設けられたガラス基板１００の試料を空気環境で３５０℃に２分間晒し、こうして、触媒金属が第１面１０２上の第１層として配備されたガラス基板１００を形成した。

次に、方法２００の工程２０６に従って、合金の第２層１２４を無電解析出により触媒金属上に形成した。無電解析出に使用した浴液は後段の表２に明示されているような組成であり、第１金属としてのマンガンのイオン化合物の濃度と第２金属としての銅のイオン化合物の濃度との比は１：４であった。

無電解めっき浴液のｐＨは１２．５に調整してあった。無電解めっき浴液の温度は６０℃に維持してあった。銀の触媒金属が設けられているガラス基板１００を浴液中に２０分間浸漬した。次に、ガラス基板１００を浴液から取り出し、水で濯いでから、窒素環境で乾燥させた。こうして、結果として生じた第２層１２４は第１金属としてのマンガンと第２金属としての銅の合金であった。

次に、方法２００の工程２０８に従って、合金の第２層１２４が設けられたガラス基板１００を空気環境中で４００℃の温度に３０分間晒した。温度は毎分１℃の速度で４００℃まで上昇させた。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を利用して、結果として生じた、金属領域１３２が設けられたガラス部品１２８の元素組成を判定した。その結果を以下の表３に示す。

この結果が立証しているのは、工程２０２ないし工程２０８の結果として無電解めっき浴液に由来するマンガンと銅、および、回転塗布に由来する銀を含有している金属領域１３２を実際に生じたことである。炭素が存在していることは無電解めっき浴液に由来していそうでもあり、或いは、大気に由来している可能性もある。

次に、方法２００の工程２１２に従って、一次金属（銅）の第３層１３４を電気めっきプロセスによって金属領域１３２を覆うように付与した。電気めっきプロセスは、硫酸銅が脱イオン水に溶解した非酸性めっき液を利用した。銅板を陽極に使用した。５０ｍＡの定電流を１時間流した結果、２．５μｍの厚さ１３４の銅の第３層１３４が生じた。次に、ガラス部品１２８をめっき液から取り出して濯いだ。

次に、方法２００の工程２１４に従って、一次金属（銅）の第３層１３４が設けられたガラス部品１２８を減圧下で３５０℃の温度に３０分間晒した。３５０℃に達するまでのランプ速度は毎分５℃に制御されていた。

ここで図９を参照すると、結果として生じたガラス部品１２８に対して、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０９（テープ試験による付着性を測定するための標準試験方法）に従ってクロスハッチテープ試験を実施することで、新たな金属領域１３８のガラス基板１００への接合力（付着性）を試験した。テープ試験については、一方向ごとに１１本の切込みを入れた格子模様を新たな金属領域１３８の内奥にまで作った。次いで、感圧テープ１４０を格子模様の上から貼付けた。次に、テープ１４０を剥がした。それから、除去した量と種類を、ＡＳＴＭ文書の記述および図説と対照させた。テープ１４０の剥離でガラス部品１２８から除去したのは、新たな金属領域１３８の５％未満であった。ＡＳＴＭ規格に照らして、試験結果は４Ｂまたは５Ｂであった。これは、銅、マンガン、および、銀を含有している新たな金属領域１３８のガラス基板１００への接合が高レベルであったことを示している。

実施例２。方法２００の工程２０２および工程２０４に従って、実施例１と同じ態様で、触媒金属としての銀の第１層１２０を試料であるガラス基板１００の第１面１０２上に形成してから、後続して熱処理に付した。

次に、方法２００の工程２０６に従って、合金の第２層１２４を無電解析出により触媒金属上に形成した。無電解析出で使用した浴液は、以下の表４に明示されているような組成であった。

無電解めっき浴液のｐＨは１２．５に調整してあった。無電解めっき浴液の温度は６０℃に維持してあった。銀の触媒金属が設けられたガラス基板１００を浴液中に２０分間浸漬した。次に、ガラス基板１００を浴液から取り出して水で濯ぎ、窒素環境で乾燥させた。こうして、結果として生じた第２層１２４は第１金属としての亜鉛と第２金属としての銅の合金であった。

次に、方法２００の工程２０８に従って、合金の第２層１２４が設けられたガラス基板１００を空気環境で４００℃の温度に３０分間晒した。温度は毎分１℃の速度で４００℃まで上昇させた。Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を利用することで、熱処理工程２０８の後の金属領域１３２の元素組成を判定した。この結果を以下の表５に示す。

この結果が立証しているのは、工程２０２ないし工程２０８の結果として、無電解めっき浴液に由来する亜鉛と銅、および、回転塗布に由来する銀を含有している金属領域１３２を生じたことである。

次に、方法２００の工程２１２および工程２１４に従って、実施例１と同じ態様で、一次金属（銅）の第３層１３４を電気めっきプロセスによって金属領域１３２を覆うように付与してから熱処理に付した。

ここで図１０を参照すると、結果として生じたガラス部品１２８に対し、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０９に従って、クロスハッチテープ試験を実施し、結果として得られた新たな金属領域１３８のガラス基板１００への接合力（付着性）を試験した。テープ試験については、一方向ごとに１１本の切込みを入れた格子模様を新たな金属領域１３８の内奥にまで作った。その後、感圧テープ１４０を格子模様の上から貼付けた。次に、テープ１４０を剥がした。そこで、除去した量と種類をＡＳＴＭ文書の記述および図説と対照した。テープ１４０の剥離でガラス部品１２８から除去されたのは、新たな金属領域１３８の５％未満であった。ＡＳＴＭ規格に照らして、試験結果は４Ｂであった。これは、銅、亜鉛、および、銀を含有している新たな金属領域１３８のガラス基板１００への付着性が高レベルであったことを示している。

実施例３。方法２００の工程２０２および工程２０４に従って、実施例１と同じ態様で、触媒金属としてのパラジウムの第１層１２０を試料であるガラス基板１００の第１面１０２上に形成してから、後続して熱処理に付した。

次に、方法２００の工程２０６に従って、無電解析出により触媒金属の第１層１２０上に合金の第２層１２４を形成した。無電解めっき浴液の組成を以下の表６に示す。

無電解めっき浴液の温度は４３℃に維持してあった。従って、第２層１２４は、第１金属としてのマンガンと第２金属としての銅の合金である。方法２００の工程２０８に従って、毎分１℃の制御温度上昇の後に空気環境で、マンガンと銅の合金の第２層１２４が設けられたガラス基板１００を４００℃に３０分間晒した。次に、方法２００の工程２１０に従って、結果として生じたガラス部品１２８をフォーミングガス中で２５０℃の温度に３０分間晒し、これにより空気環境で起きた工程２０８に由来して生じたあらゆる酸化銅を還元した。

次に、方法２００の工程２１２に従って、一次金属（銅）の第３層１３４を電気めっきプロセスにより金属領域１３２を覆うように付与した。第３層１３４は厚さ１３６が２．５μｍになっている。

次に、方法２００の工程２１４に従って、一次金属（銅）の第３層１３４が設けられたガラス部品１２８を減圧下で３５０℃の温度に３０分間晒した。

ここで図１１を参照すると、結果として生じたガラス部品１２８に対して、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０９に従ってクロスハッチテープ試験を実施し、新たな金属領域１３８のガラス基板１００への接合力（付着性）を試験した。このテープ試験については、一方向ごとに１１本の切込みを入れた格子模様を新たな金属領域１３８の内奥にまで作った。次いで、格子模様の上から感圧テープ１４０を貼付けた。その後、テープ１４０を剥がした。次に、除去した量と種類をＡＳＴＭ文書の記述および図説と対照した。テープ１４０の剥離でガラス部品１２８から除去したのは、新たな金属領域１３８の５％未満であった。ＡＳＴＭ規格に照らして、試験結果は４Ｂであった。これは、実施例１の無電解めっき浴液と比べて無電解めっき浴液中のマンガンの濃度が低くても、銅、マンガン、および、銀を含有している新たな金属領域１３８のガラス基板１００への接合が高レベルであることを示している。

比較例１。比較例１では、触媒金属（銀）の第１層１２０をガラス基板１００の第１面１０２に付加してから高温に晒すことで、触媒金属膜が設けられたガラス基板１００を作成した。第１金属（酸化物１３０を形成しやすい）と第２金属の合金の第２層１２４は第１層１２０上に堆積されていなかった。代わりに、厚さ２．５μｍの銅の層を触媒金属の第１層１２０上に電気めっきで生成してから減圧下で或る時間に亘り高温に晒した。

ここで図１２を参照すると、クロスハッチテープ試験をＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０９に従って実施し、電気めっきで生成された銅および銀のガラス基板１００への接合力（付着性）を試験した。テープ試験については、一方向ごとに１１本の切込みを入れた格子模様を金属の層内奥にまで作った。次に、格子模様の上から感圧テープ１４０を貼付けた。その後、テープ１４０を剥がした。次に、除去した量と種類をＡＳＴＭ文書の記述と図説と対照した。テープ１４０の剥離でガラス基板１００から除去したのは、電気めっきで生成された銅および回転塗布された銀の概ね全部であった。ＡＳＴＭ規格に照らして、試験結果は０Ｂであった。これは、電気めっきで生成された銅と回転塗布された銀のガラス基板１００への接合が非常に低いレベルであったことを示している。これが例証しているのは、ガラス基板１００の第１面１０２と接合している酸化物１３０を形成する第１金属を含んでいる合金を付与するための方法２００の各工程はガラス基板１００の第１面１０２に一次金属を接合するために重要である、という点である。

比較例２。比較例２では、触媒金属（銀）の第１層１２０をガラス基板１００の第１面１０２に付加してから高温に晒した。次に、第１金属（酸化物１３０を形成しやすい）と第２金属の合金の第２層１２４を触媒金属上に無電解析出する代わりに、銅（酸化物１３０を形成しにくい）のみを第１層１２０上に無電解析出した。次に、銀の第１層１２０と無電解析出された銅の層が設けられたガラス基板１００を４００℃に３０分間晒したが、これが実施されたのは空気環境中で毎分１℃の制御ランプ速度で上記温度に到達させた後のことである。次いで、試料をフォーミングガス環境で２５０℃に３０分間晒した。この無電解析出された銅の層を覆うように厚さ２．５μｍの銅の層を電気めっきで生成した。次に、試料を減圧下で３５０℃に３０分間晒した。

ここで図１３を参照すると、結果として生成されたガラス部品に対して、クロスハッチテープ試験をＡＳＴＭ Ｄ３３５９‐０９に従って実施し、電気めっきで生成された銅、無電解析出された銅、および、回転塗布された銀のガラス基板１００への接合力（付着性）を試験した。テープ試験については、一方向ごとに１１本の切込みを入れた格子模様を新たな金属領域の内奥にまで作った。次に、格子模様の上から感圧テープ１４０を貼付けた。その後、テープ１４０を剥がした。次に、除去した量と種類をＡＳＴＭ文書の記述および図説と対照した。テープ１４０の剥離でガラス基板１００から除去されたのは堆積金属のほぼ１００％であった。ＡＳＴＭ規格に照らして、試験結果は０Ｂであった。これは、堆積された各金属のガラス基板１００への接合が非常に低いレベルであったことを示している。これが例証しているのは、ガラス基板１００の第１面１０２に接合している酸化物１３０を形成している第１金属を含有している合金を付与するための方法２００の工程２０６は一次金属（例えば、銅）は元よりそれ以外の各金属をガラス基板１００の第１面１０２に結合するために重要である、という点である。

特許請求の範囲の精神または範囲から逸脱することなく多様な修正および変更を行うことができることは、当業者には明らかである。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
ガラス部品を製造する方法において、
ガラス基板の表面上に触媒金属の第１層を形成する工程と、
触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程と、
第１金属と第２金属の合金の第２層を第１層の上に形成する工程と、
触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことによってガラス部品を形成する工程であって、該ガラス部品は（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）第１金属の酸化物に接合された金属領域であって、元素形態の触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属とを含んでいる金属領域から構成されているようにする工程と、
を含む方法。

実施形態２
ガラス部品の金属領域の上に一次金属の第３層を形成する工程を更に含んでいる、実施形態１の方法。

実施形態３
一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことにより、（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属と、元素形態の一次金属とを含んでいる新たな金属領域から構成されているガラス部品を形成する工程を更に含んでいる、実施形態２の方法。

実施形態４
触媒金属は銀、金、コバルト、コバルト‐リン合金、ニッケルまたはニッケル‐リン合金、パラジウム、および、プラチナのうち１種類以上を含んでいる、実施形態１から実施形態３のいずれか１つの方法。

実施形態５
表面上に触媒金属の第１層を形成する工程は、触媒金属のナノ粒子が液相担体中に分散している懸濁液と表面を接触させる工程と、
液相担体を気化する工程とを含んでいる、実施形態１から実施形態４のいずれか１つの方法。

実施形態６
懸濁液と表面を接触させる工程は懸濁液を表面上に回転塗布する工程を含んでいる、実施形態５の方法。

実施形態７
ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面および第２面で開口してガラス基板を貫いて延びている貫通ビア孔を画定している側壁面とが設けられており、第１金属の酸化物は貫通ビア孔の側壁面に共有結合している、実施形態１から実施形態６のいずれか１つの方法。

実施形態８
ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面および第２面で開口してガラス基板を貫いて延びている貫通ビア孔を画定している側壁面とが設けられており、
第１金属の酸化物は貫通ビア孔の側壁面に共有結合しており、
新たな金属領域は貫通ビア孔を通る導電経路を形成している、実施形態３の方法。

実施形態９
ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面と第２面のうち一方で開口してガラス基板を不十分に貫いて延びているめくらビア孔を画定している側壁面とが設けられており、
第１金属の酸化物はめくらビア孔の側壁面に共有結合している、実施形態１から実施形態６のいずれか１つの方法。

実施形態１０
第２層の第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上を含んでおり、
第２層の第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上を含んでいる、実施形態１から実施形態９のいずれか１つの方法。

実施形態１１
第１金属の酸化物としては第２金属は除外される、実施形態１から実施形態１０のいずれか１つの方法。

実施形態１２
第２層の第２金属は銅である、実施形態１から実施形態１１のいずれか１つの方法。

実施形態１３
第２層の第１金属はマンガンまたは亜鉛である、実施形態１から実施形態１２のいずれか１つの方法。

実施形態１４
合金の第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより大きく、
合金の第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより小さい、実施形態１から実施形態１３のいずれか１つの方法。

実施形態１５
合金の第２層を形成する工程は溶液を使用して無電解めっきにより第１層上に第２層を生成する工程を含んでおり、該溶液には第１金属の塩が溶解しているとともに第２金属の塩が溶解している、実施形態１から実施形態１４のいずれか１つの方法。

実施形態１６
溶液はホルムアルデヒドを更に含んでおり、ｐＨが１１よりも高い、実施形態１５の方法。

実施形態１７
溶液はジメチルアミンボランを更に含んでおり、ｐＨが６ないし８である、実施形態１５の方法。

実施形態１８
触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に晒す工程は、温度を１分あたり１℃の速度またはそれより遅い速度で上昇させる工程を含んでいる、実施形態１から実施形態１７のいずれか１つの方法。

実施形態１９
触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に晒す工程はガラス基板が空気の存在しているところにある状態で実施され、
前記方法は、ガラス部品を３７５℃ないし４２５℃の温度に晒した後で、ガラス部品がフォーミングガスの存在しているところにある状態で２２５℃ないし２７５℃の温度に少なくとも３０分間ガラス部品を晒す工程を更に含んでいる、実施形態１から実施形態１８のいずれか１つの方法。

実施形態２０
一次金属は銀、金、カドミウム、クロム、銅、ニッケル、鉛、プラチナ、および、スズのうち１種類以上を含んでいる、実施形態２の方法。

実施形態２１
一次金属は銅を含んでいる、実施形態２の方法。

実施形態２２
第３層は厚さが２μｍないし５μｍである、実施形態２、実施形態２０、および、実施形態２１のいずれか１つの方法。

実施形態２３
ガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を形成する工程は、電気めっきによりガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を生成する工程を含んでいる、実施形態２、および、実施形態２０から実施形態２２のいずれか１つの方法。

実施形態２４
電気めっきする工程は硫酸銅を含んでいるめっき液を利用する、実施形態２３の方法。

実施形態２５
触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程は、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を３２５℃ないし３７５℃の温度に少なくとも２分間晒すことを含んでおり、
触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を３００℃ないし４２５℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでいる、実施形態１から実施形態２４のいずれか１つの方法。

実施形態２６
触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程は、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を３２５℃ないし３７５℃の温度に少なくとも２分間晒すことを含んでおり、
触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を３００℃ないし４２５℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでおり、
一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で３００℃ないし４００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでいる、実施形態３の方法。

実施形態２７
不活性環境は減圧環境である、実施形態３または実施形態２６の方法。

実施形態２８
ガラスインターポーザにおいて、
表裏両主要面としての第１面および第２面が設けられているとともに第１面から第２面までの厚みを貫いて延びている貫通ビア孔が設けられているガラス基板であって、貫通ビア孔は側壁面が設けられて中心軸線がある、ガラス基板と、
貫通ビア孔内部の中心軸線の周囲に配備された金属領域と、
貫通ビア孔の側壁面に共有結合した第１金属の酸化物と、
を備えており、
第１金属の酸化物は側壁面と金属領域の間に配備されており、金属領域は元素形態の第１金属と元素形態の第２金属とを含んでいる、ガラスインターポーザ。

実施形態２９
第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上であり、
第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上である、実施形態２８のガラスインターポーザ。

実施形態３０
第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり３２５ｋＪより大きく、
第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり１７５ｋＪより小さい、実施形態２８のガラスインターポーザ。

実施形態３１
第１金属はマンガンであり、第２金属は銅である、実施形態２８のガラスインターポーザ。

実施形態３２
金属領域は銀を更に含んでいる、実施形態２８から実施形態３１のいずれか１つのガラスインターポーザ。

１００ ガラス基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１０８ ビア孔
１１０ 側壁面
１２０ 第１層
１２４ 第２層
１２８ ガラス部品
１３０ 酸化物
１３２ 金属領域
１３４ 第３層
１３８ 金属領域

Claims (10)

1. ガラス部品を製造する方法において、
   ガラス基板の表面上に触媒金属の第１層を形成する工程と、
   触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程と、
   第１金属と第２金属の合金の第２層を第１層の上に形成する工程と、
   触媒金属の第１層の上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことによってガラス部品を形成する工程であって、該ガラス部品は（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）第１金属の酸化物に接合された金属領域であって、元素形態の触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属とを含んでいる金属領域から構成されているようにする工程と、
   ガラス部品の金属領域の上に一次金属の第３層を形成する工程と、
   一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことにより、（ｉ）ガラス基板、（ｉｉ）ガラス基板に共有結合した第１金属の酸化物、および、（ｉｉｉ）触媒金属と、元素形態の第１金属と、元素形態の第２金属と、元素形態の一次金属とを含んでいる新たな金属領域から構成されているガラス部品を形成する工程とを含んでいる。
2. ガラス基板はその表裏両主要面としての第１面および第２面と、第１面および第２面で開口してガラス基板を貫いて延びている貫通ビア孔を画定している側壁面とが設けられており、
   第１金属の酸化物は貫通ビア孔の側壁面に共有結合しており、
   新たな金属領域は貫通ビア孔を通る導電経路を形成している、請求項１に記載の方法。
3. 触媒金属は銀、金、コバルト、コバルト‐リン合金、ニッケルまたはニッケル‐リン合金、パラジウム、および、プラチナのうち１種類以上を含んでおり、
   第２層の第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上を含んでおり、
   第２層の第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上を含んでおり、
   一次金属は銀、金、カドミウム、クロム、銅、ニッケル、鉛、プラチナ、および、スズのうち１種類以上を含んでいる、請求項１および請求項２のいずれか一方に記載の方法。
4. 合金の第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより大きく、
   合金の第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モルあたり６００ｋＪより小さい、請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の方法。
5. 合金の第２層を形成する工程は溶液を使用して無電解めっきにより第１層上に第２層を生成する工程を含んでおり、該溶液には第１金属の塩が溶解しているとともに第２金属の塩が溶解している、請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の方法。
6. ガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を形成する工程は、電気めっきによりガラス部品の金属領域上に一次金属の第３層を生成する工程を含んでいる、請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の方法。
7. 触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を１５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも２分間晒す工程は、触媒金属の第１層が設けられたガラス基板を３２５℃ないし３７５℃の温度に少なくとも２分間晒すことを含んでおり、
   触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、触媒金属の第１層上に第１金属と第２金属の合金の第２層が設けられたガラス基板を３００℃ないし４２５℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでおり、
   一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で２５０℃ないし６００℃の温度に少なくとも３０分間晒す工程は、一次金属の第３層が設けられたガラス部品を不活性環境で３００℃ないし４００℃の温度に少なくとも３０分間晒すことを含んでいる、請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の方法。
8. ガラスインターポーザにおいて、
   表裏両主要面としての第１面および第２面が設けられて第１面から第２面までの厚みを貫いて延びている貫通ビア孔が設けられているガラス基板であって、貫通ビア孔は側壁面が設けられて中心軸線がある、ガラス基板と、
   貫通ビア孔内部の中心軸線の周囲に配備された金属領域と、
   貫通ビア孔の側壁面に共有結合した第１金属の酸化物と、
   を備えており、
   第１金属の酸化物は側壁面と金属領域の間に配備されており、金属領域は元素形態の第１金属と元素形態の第２金属とを含んでいる、ガラスインターポーザ。
9. 第１金属はタンタル、ニオブ、アルミニウム、マンガン、レニウム、ハフニウム、クロム、ジルコニウム、チタン、インジウム、タングステン、マグネシウム、モリブデン、ニッケル、および、亜鉛のうち１種類以上であり、
   第２金属は銀、パラジウム、および、銅のうち１種類以上である、請求項８に記載のガラスインターポーザ。
10. 第１金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり３２５ｋＪより大きく、
    第２金属の酸化物は生成エンタルピーの絶対値が１モル当たり１７５ｋＪより小さい、請求項８に記載のガラスインターポーザ。

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