CN109628968B - 一种tsv快速填充方法与装置 - Google Patents

一种tsv快速填充方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109628968B
CN109628968B CN201910091137.5A CN201910091137A CN109628968B CN 109628968 B CN109628968 B CN 109628968B CN 201910091137 A CN201910091137 A CN 201910091137A CN 109628968 B CN109628968 B CN 109628968B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tsv
silicon wafer
electroplating
rapid filling
copper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910091137.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109628968A (zh
Inventor
王彦
王福亮
陈卓
何虎
李军辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central South University
Original Assignee
Central South University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central South University filed Critical Central South University
Priority to CN201910091137.5A priority Critical patent/CN109628968B/zh
Publication of CN109628968A publication Critical patent/CN109628968A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109628968B publication Critical patent/CN109628968B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。

Description

一种TSV快速填充方法与装置
技术领域
本发明涉及微电子封装技术领域，特别涉及一种TSV快速填充方法与装置。
背景技术
随着集成电路技术持续向前发展，芯片进一步向集成化、小型化发展。以硅通孔(Through Silicon Via，TSV)互连为核心的三维集成封装已然成为未来封装行业的必然趋势。TSV技术是一种穿过芯片的硅衬底本身实现堆叠芯片之间的垂直上下互连，形成高密度三维集成芯片的方法，该技术具有“高密度、多功能、小尺寸”等众多优点。
TSV通常先由BOSH刻蚀技术在硅片上刻蚀出盲孔，随后利用电镀铜的方式对TSV盲孔进行填充，完成三维互连通道的制备。TSV孔径通常为几个微米至数十个微米，深度可达数数十微米至数百微米。正由于这些TSV孔径小，深宽比高(可达10～20)，其电镀填充过程非常缓慢，需要数小时至数十小时不等。
为了解决这一问题，目前大都是考虑利用增大电流密度的方式来增大电镀沉积速率，但是这一方法容易导致填充缺陷。即大电流密度条件易导致TSV孔口提前夹口，使得TSV内部有空洞或狭缝形成。另外，也可利用超声搅拌的方式提高镀液内物质传输速率，从而提高电镀沉积速率，但此方法提高能力有限，需要配合其他方法一起使用。因此，有必要开发更有效的方法提升TSV的填充速率，提高生产效率。
发明内容
为了克服现有技术中的不足，本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，其目的是为了提升TSV填充速度，提高生产效率。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种TSV快速填充方法，包括如下步骤：
1)预处理
将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，将所述硅片在200-500℃下加热15-60min；
2)电镀铜
将加热后的硅片进行电镀铜处理，至TSV盲孔被完全填充。
优选地，步骤1)中所述金属纳米粒子悬浮液中的金属纳米粒子包括纳米银粒子、纳米镍粒子或纳米钨粒子。
优选地，步骤1)中所述金属纳米粒子悬浮液为将金属纳米粒子均匀分散在有机溶剂中所得溶液。
优选地，步骤1)中所述金属纳米粒子悬浮液为将银纳米粒子均匀分散在乙醇中所得溶液。
优选地，步骤1)中所述金属纳米粒子悬浮液浓度为8-15g/L。
优选地，步骤3)中电镀铜处理所用电镀液为硫酸铜电镀液。
优选地，步骤3)中电镀铜处理所用电镀阳极为铜阳极。
本发明还提供一种TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆，所述电镀阳极的上端经导线连接所述电镀电源的正极，下端由电极夹固定在所述电镀液中；所述电镀阴极的上端经导线连接所述电镀电源的负极，下端由电极夹固定在所述电镀液中；所述超声变幅杆与所述电镀液接触，用于施加超声激励。
本发明提供的TSV快速填充方法在电镀之前先进行预处理。预处理为在TSV盲孔内沉淀一定量的金属纳米颗粒，具体包括先将含有TSV盲孔的硅片洗净后放入含有金属纳米粒子的悬浮液中，保持TSV孔开口朝上沉淀20小时以上，再取出上述硅片进行加热。其中，加热的目的有两个：一、烘干含有金属纳米粒子悬浮液中的有机溶剂；二、对TSV孔中金属纳米粒子进行烧结，使这些纳米粒子相互连接在一起并稳定地保持在TSV孔中。然后进行电镀铜填充，至TSV盲孔被完全填充。
本发明的上述方案有如下的有益效果：
(1)预处理使TSV孔内沉积金属纳米粒子，金属纳米粒子先在孔内占据一定的体积，需要电镀铜填充的空间变少，提升了铜沉积速度。
(2)电镀铜沉积是一个成核、生长的过程，镀液中铜离子在电场的作用下在阴极表面(TSV孔内)还原成铜原子。预处理后TSV孔中预先沉积的金属纳米粒子可作为电镀铜沉积的核心，促进电镀铜沉积形核生长，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明的TSV孔内金属纳米粒子与金属铜共填充的示意图；
图2为本发明的TSV快速填充装置的结构示意图；
图3为实施例2与对比例1的电镀铜沉积后硅片的电镜图。
附图说明：11、金属铜；12、金属纳米粒子；1、电镀电源；2、导线；3、电极夹；4、电镀阳极；5、超声变幅杆；6、电镀阴极(硅片)；7、电镀槽；31、对比例1样品40-1；32、对比例1样品80；33、实施例1样品Ag40。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
实施例1
本发明提供的TSV快速填充装置，如图2所示，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。电镀阳极的上端经导线连接电镀电源的正极，下端由电极夹固定在电镀液中；电镀阴极的上端经导线连接电镀电源的负极，下端由电极夹固定在电镀液中；超声变幅杆与电镀液接触，用于施加超声激励。其中，电镀阳极为铜阳极；电镀液为含铜电镀液，包括硫酸铜电镀液或磺酸铜电镀液等。
实施例2
本实施例提供的TSV快速填充方法，包括如下步骤：
第一步：配制含有银纳米粒子的悬浮液；
称取0.5g纳米银粉末倒入烧杯，其中纳米银平均粒径为20纳米；再量取50ml乙醇倒入烧杯，并充分搅拌使纳米银粒子在乙醇溶剂中充分分散、悬浮。得到10g/L银纳米粒子的悬浮液。
第二步：放入硅片并使纳米银粒子沉淀进入TSV盲孔；
切取含有TSV盲孔的硅片，其中硅片尺寸为长1cm、宽2cm，TSV盲孔尺寸为直径20μm、深度65μm；该硅片经去离子水洗净后放入步骤一中所得纳米银悬浮液中，保持TSV孔开口朝上；沉淀24小时使纳米银粒子沉淀进入TSV盲孔中。
第三步：将步骤二中所述硅片取出，放到加热台上对硅片进行加热，烘干硅片TSV中的乙醇，同时对TSV中所沉淀的纳米银粒子进行烧结，使这些纳米粒子相互连接在一起并稳定地保持在TSV孔中，其中加热温度为300℃，加热时间为15min。
第四步：配制硫酸铜电镀液；
配制200ml硫酸铜电镀液，其中含有：五水硫酸铜195g/L、PEG 0.3g/L、SPS 0.1g/L、PNI 0.1g/L、NaCl 0.1g/L、98％硫酸62ml/L。充分搅拌后备用。
第五步：组装电极；
将步骤三所得硅片浸入电镀液中并与电镀槽的负极连接，形成电镀阴极，电镀阳极为铜阳极；
第六步：电镀；
开启电镀电源，设置电流密度为0.2A/dm2，使阴极的硅片上进行铜离子沉积反应；同时设置超声功率为90W，超声频率为20kHz，并开启超声电源，对硅通孔内施加超声激励。电镀时间为40分钟。标记为样品Ag40-1。
实施例3
本实施例提供的TSV快速填充方法，包括如下步骤：
第一步：配制含有镍纳米粒子的悬浮液；
称取0.4g纳米镍粉末倒入烧杯，其中纳米镍平均粒径为20纳米；再量取50ml乙醇倒入烧杯，并充分搅拌使纳米镍粒子在乙醇溶剂中充分分散、悬浮。得到8g/L镍纳米粒子的悬浮液。
第二步：放入硅片并使纳米镍粒子沉淀进入TSV盲孔；
切取含有TSV盲孔的硅片，其中硅片尺寸为长1cm、宽2cm，TSV盲孔尺寸为直径20μm、深度65μm；该硅片经去离子水洗净后放入步骤一中所得纳米镍悬浮液中，保持TSV孔开口朝上；沉淀20小时使纳米镍粒子沉淀进入TSV盲孔中。
第三步：将步骤二中所述硅片取出，放到加热台上对硅片进行加热，烘干硅片TSV中的乙醇，同时对TSV中所沉淀的纳米镍粒子进行烧结，使这些纳米粒子相互连接在一起并稳定地保持在TSV孔中，其中加热温度为200℃，加热时间为60min。
第四步至第六步与实施例2相同。样品标记为Ag40-2。
实施例4
本实施例提供的TSV快速填充方法，包括如下步骤：
第一步：配制含有钨纳米粒子的悬浮液；
称取0.75g纳米钨粉末倒入烧杯，其中纳米钨平均粒径为20纳米；再量取50ml乙醇倒入烧杯，并充分搅拌使纳米钨粒子在乙醇溶剂中充分分散、悬浮。得到15g/L钨纳米粒子的悬浮液。
第二步：放入硅片并使纳米钨粒子沉淀进入TSV盲孔；
切取含有TSV盲孔的硅片，其中硅片尺寸为长1cm、宽2cm，TSV盲孔尺寸为直径20μm、深度65μm；该硅片经去离子水洗净后放入步骤一中所得纳米钨悬浮液中，保持TSV孔开口朝上；沉淀28小时使纳米钨粒子沉淀进入TSV盲孔中。
第三步：将步骤二中所述硅片取出，放到加热台上对硅片进行加热，烘干硅片TSV中的乙醇，同时对TSV中所沉淀的纳米钨粒子进行烧结，使这些纳米粒子相互连接在一起并稳定地保持在TSV孔中，其中加热温度为500℃，加热时间为30min。
第四步至第六步与实施例2相同。样品标记为Ag40-3。
对比例1
为了验证本发明对提升TSV填充速率的实际效果，在对比例1中进行了传统的TSV填充方案，其结果将用于与实施例2进行对比。
该填充制造方法如下：
第一步：配制硫酸铜电镀液；
配制200ml硫酸铜电镀液，其中含有：五水硫酸铜195g/L、PEG 0.3g/L、SPS 0.1g/L、PNI 0.1g/L、NaCl 0.1g/L、98％硫酸62ml/L。充分搅拌后备用。
第二步：切取含有TSV盲孔的硅片两块，其中硅片尺寸为长1cm、宽2cm，TSV盲孔尺寸为直径20μm、深度65μm；该硅片经去离子水洗净后备用。两块分别标记为样品40、样品80。
第三步：组装电极；
将步骤二所得硅片样品40浸入电镀液中并与电镀槽的负极连接，形成电镀阴极，电镀阳极为铜阳极；将步骤二所得硅片样品80浸入电镀液中并与电镀槽的负极连接，形成电镀阴极，电镀阳极为铜阳极。
第四步：电镀；
开启电镀电源，设置电流密度为0.2A/dm2，使阴极的硅片样品40上进行铜离子沉积反应。同时设置超声功率为90W，超声频率为20kHz，并开启超声电源，对硅通孔内施加超声激励。电镀时间为40分钟。电镀完成后取出保存。
开启电镀电源，设置电流密度为0.2A/dm2，使阴极的硅片样品80上进行铜离子沉积反应。同时设置超声功率为90W，超声频率为20kHz，并开启超声电源，对硅通孔内施加超声激励。电镀时间为80分钟。电镀完成后取出保存。
以上对比例1与实施例2中的三个样品均经过抛磨后经电镜观察其生长情况。从图3可看出，对比例1利用传统方式进行TSV填充需要80分钟才能填满20×65μm的TSV孔，而实施例2利用本发明的填充方法只需40分钟就可实现填满该TSV，效率提高一倍。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种TSV快速填充方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）预处理
将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，将所述硅片在 200-500℃下加热15-60min；
2）电镀铜
将加热后的硅片进行电镀铜处理，至TSV盲孔被完全填充。
2.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤1）中所述金属纳米粒子悬浮液中的金属纳米粒子包括纳米银粒子、纳米镍粒子或纳米钨粒子。
3.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤1）中所述金属纳米粒子悬浮液为将金属纳米粒子均匀分散在有机溶剂中所得溶液。
4.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤1）中所述金属纳米粒子悬浮液为将银纳米粒子均匀分散在乙醇中所得溶液。
5.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤1）中所述金属纳米粒子悬浮液浓度为8-15g/L。
6.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤2）中电镀铜处理所用电镀液为硫酸铜电镀液。
7.如权利要求1 所述TSV快速填充方法，其特征在于，步骤2）中电镀铜处理所用电镀阳极为铜阳极。
CN201910091137.5A 2019-01-30 2019-01-30 一种tsv快速填充方法与装置 Active CN109628968B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910091137.5A CN109628968B (zh) 2019-01-30 2019-01-30 一种tsv快速填充方法与装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910091137.5A CN109628968B (zh) 2019-01-30 2019-01-30 一种tsv快速填充方法与装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109628968A CN109628968A (zh) 2019-04-16
CN109628968B true CN109628968B (zh) 2020-06-30

Family

ID=66062860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910091137.5A Active CN109628968B (zh) 2019-01-30 2019-01-30 一种tsv快速填充方法与装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109628968B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110791746B (zh) * 2019-11-08 2021-10-15 北京工业大学 一种液态合金快速填充垂直硅通孔的方法及装置
CN112018031B (zh) * 2020-09-09 2023-12-19 合肥工业大学 一种基于铜纳米粒子填充SiC通孔的方法
CN112281201B (zh) * 2020-10-30 2022-01-21 中冶赛迪技术研究中心有限公司 用于金属平板表面纳米复合电镀的设备及工艺

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171360A (zh) * 2005-05-04 2008-04-30 3M创新有限公司 具有金属纳米粒子涂层的微孔制品
CN102286760A (zh) * 2010-05-19 2011-12-21 诺发系统有限公司 用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及系统
CN103484908A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Tsv电化学沉积铜方法
CN103762198A (zh) * 2013-12-31 2014-04-30 中国科学院微电子研究所 一种tsv填孔方法
CN104091792A (zh) * 2014-06-20 2014-10-08 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 提高tsv转接板电迁移可靠性的结构和制备方法
WO2014194049A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 The Regents Of The University Of California Through silicon vias and thermocompression bonding using inkjet-printed nanoparticles
CN106011962A (zh) * 2016-07-13 2016-10-12 中南大学 一种超声外场作用下的tsv电镀方法及系统
CN107675233A (zh) * 2017-09-29 2018-02-09 中南大学 Tsv盲孔填充的新方法及系统
CN108166028A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 深圳市板明科技有限公司 一种细微盲孔直流电镀填孔药水
CN109244053A (zh) * 2018-09-17 2019-01-18 上海交通大学 一种提高tsv热机械可靠性的复合结构及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140299476A1 (en) * 2013-04-09 2014-10-09 Ebara Corporation Electroplating method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101171360A (zh) * 2005-05-04 2008-04-30 3M创新有限公司 具有金属纳米粒子涂层的微孔制品
CN102286760A (zh) * 2010-05-19 2011-12-21 诺发系统有限公司 用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及系统
WO2014194049A1 (en) * 2013-05-31 2014-12-04 The Regents Of The University Of California Through silicon vias and thermocompression bonding using inkjet-printed nanoparticles
CN103484908A (zh) * 2013-09-29 2014-01-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 Tsv电化学沉积铜方法
CN103762198A (zh) * 2013-12-31 2014-04-30 中国科学院微电子研究所 一种tsv填孔方法
CN104091792A (zh) * 2014-06-20 2014-10-08 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 提高tsv转接板电迁移可靠性的结构和制备方法
CN106011962A (zh) * 2016-07-13 2016-10-12 中南大学 一种超声外场作用下的tsv电镀方法及系统
CN107675233A (zh) * 2017-09-29 2018-02-09 中南大学 Tsv盲孔填充的新方法及系统
CN108166028A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 深圳市板明科技有限公司 一种细微盲孔直流电镀填孔药水
CN109244053A (zh) * 2018-09-17 2019-01-18 上海交通大学 一种提高tsv热机械可靠性的复合结构及其制造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
一种快速填盲孑L的工艺及原理研究;朱凯等;《电镀与涂覆》;20151231;第112-116页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109628968A (zh) 2019-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109628968B (zh) 一种tsv快速填充方法与装置
TWI474398B (zh) 製造電絕緣膜之方法及通孔之金屬化的應用
CN104419983B (zh) 单晶铜、其制备方法及包含其的基板
CN108977856B (zh) 一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法
TWI594387B (zh) 於層狀半導體結構形成垂直電氣連接的方法
CN104637831A (zh) 一种基于铜纳米线的铜铜键合工艺
CN109887882B (zh) 一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法
KR102423021B1 (ko) 구리-구리 플립칩 인터커넥션 형성 방법 및 이에 의해 형성된 구리-구리 플립칩 인터커넥션부
JP2015505904A (ja) リンドーピングされたニッケルナノ粒子およびその製造方法
CN110724983B (zh) 一种利用脉冲电沉积法制备纳米铜包覆碳化钨核壳结构粉体的方法
CN105332020B (zh) 纳米双晶金膜、其制备方法、及包含其的接合结构
JP2017183332A (ja) めっき方法
TW202140398A (zh) 金屬化玻璃物件之方法
CN100475685C (zh) 表面Ni基微纳米针状晶布阵结构的制备方法
JP4406738B2 (ja) 粒度分布の小さい銅粉の製造法
CN109576645B (zh) 一种直流电沉积制备锡铟纳米线的方法
CN103603020A (zh) 电化学沉积制备铜互连用微纳米针锥结构的方法
CN103741178B (zh) 一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法
Koo et al. Electrochemical process for 3D TSV without CMP and lithographic processes
JP2023521835A (ja) 金属酸化物層の生成によりガラス基板への金属接合を増強するガラス部品の製造方法、および、金属酸化物層を含むガラスインターポーザなどのガラス部品
CN109735890B (zh) 一种纳米TiO2-Sn微凸点的制备方法
WO2020021800A1 (ja) 導電性ペーストを用いた導電性ピラーの製造方法
CN109576766B (zh) 一种电泳-电沉积制备纳米TiO2增强Sn基微凸点的方法
WO2014030779A1 (ko) 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 및 이에 의해 제조된 구리재료
CN113523649A (zh) 一种复合焊膏的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant