JP2023509879A - 読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ - Google Patents
読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023509879A JP2023509879A JP2022538927A JP2022538927A JP2023509879A JP 2023509879 A JP2023509879 A JP 2023509879A JP 2022538927 A JP2022538927 A JP 2022538927A JP 2022538927 A JP2022538927 A JP 2022538927A JP 2023509879 A JP2023509879 A JP 2023509879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- read
- write
- local
- data line
- nmos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 176
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 170
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 53
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1096—Write circuits, e.g. I/O line write drivers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/061—Improving I/O performance
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
- G06F3/0658—Controller construction arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4096—Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1063—Control signal output circuits, e.g. status or busy flags, feedback command signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/109—Control signal input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1016—Performance improvement
- G06F2212/1024—Latency reduction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4094—Bit-line management or control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2281—Timing of a read operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/229—Timing of a write operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Databases & Information Systems (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
本願は、2020年6月5日に中国特許庁に提出された、出願番号が202010505672.3であり、発明の名称が「読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ」である中国特許出願、および2020年6月5日に中国特許局に提出された、出願番号が202021024456.9であり、発明の名称が「読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ」である中国特許出願を参照し、その内容が参照によって本願に組み込まれる。
Claims (20)
- 読み取りおよび書き込み制御信号に応答して、読み取りおよび書き込み動作を実行する、読み取りおよび書き込み変換モジュールと、
読み取りおよび書き込み速度設定信号に応答して、可変な前記読み取りおよび書き込み制御信号を出力して、前記読み取りおよび書き込み変換モジュールの読み取りおよび書き込み動作の速度を可変に制御する制御モジュールと、を備えることを特徴とする、読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記制御モジュールに接続され、前記制御モジュールに前記読み取りおよび書き込み速度設定信号を出力する速度設定モジュールをさらに備えることを特徴とする
請求項1に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み制御信号は、読み取り制御信号及び書き込み制御信号を含み、前記読み取りおよび書き込み変換モジュールは、前記読み取り制御信号に応答して読み取り動作を実行し、前記書き込み制御信号に応答して書き込み動作を実行するものであり、
前記速度設定モジュールは、前記制御モジュールが前記読み取り速度設定信号に応答して可変な前記読み取り制御信号を出力して、前記読み取り動作の速度を可変に制御するように、前記制御モジュールに前記読み取りおよび書き込み速度設定信号中の読み取り速度設定信号を出力する読み取り速度設定ユニットと、
前記制御モジュールが前記読み取り速度設定信号に応答して可変な書き込み制御信号を出力して、前記書き込み動作の速度を可変に制御するように、前記制御モジュールに前記読み取りおよび書き込み速度設定信号中の書き込み速度設定信号を出力する書き込み速度設定ユニットと、を備えることを特徴とする
請求項2に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - ローカルデータライン、ローカル相補データライン及びグローバルデータラインをさらに備え、前記読み取りおよび書き込み動作の間、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインが、前記グローバルデータラインとデータ伝送を実行し、且つ前記ローカルデータラインと前記ローカル相補データラインのデータ信号位相は逆であることを特徴とする
請求項1に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換モジュールは、前記読み取りおよび書き込み制御信号中のローカル読み取りおよび書き込み制御信号に応答してローカル読み取りおよび書き込み動作を実行するためのローカル読み取りおよび書き込みユニットを備え、前記制御モジュールは、前記読み取りおよび書き込み速度設定信号中のローカル読み取りおよび書き込み速度設定信号に応答して、可変な前記ローカル読み取りおよび書き込み制御信号を出力して、前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットのローカル読み取りおよび書き込み動作の速度を可変に制御するローカル制御ユニットを備えることを特徴とする
請求項4に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換回路は、前記ローカル制御ユニットに接続され、前記ローカル制御ユニットに前記ローカル読み取りおよび書き込み速度設定信号を出力するローカル速度設定モジュールをさらに備えることを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換回路は、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインを介して前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットに接続され、ビットラインの電圧を検知するためのセンスアンプをさらに備えることを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 同一の前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットは、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインを介して、複数の前記センスアンプに接続されることを特徴とする
請求項7に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 書き込みデータ経路は、前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットから、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データライン経由で前記センスアンプまで、さらに前記センスアンプ経由で前記ビットラインまでの経路を含み、読み取りデータ経路は、前記ビットラインから、前記センスアンプ経由で前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインまで、さらに前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データライン経由で前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットまでの経路を含むことを特徴とする
請求項7に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換モジュールは、前記読み取りおよび書き込み制御信号中のグローバル読み取りおよび書き込み制御信号に応答してグローバル読み取りおよび書き込み動作を実行するためのグローバル読み取りおよび書き込みユニットを備え、前記制御モジュールは、前記読み取りおよび書き込み速度設定信号中のグローバル読み取りおよび書き込み速度設定信号に応答して、可変な前記グローバル読み取りおよび書き込み制御信号を出力して、前記グローバル読み取りおよび書き込みユニットのグローバル読み取りおよび書き込み動作の速度を可変に制御するグローバル制御ユニットを備えることを特徴とする
請求項4に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換回路は、前記グローバル制御ユニットに接続され、前記グローバル制御ユニットに前記グローバル読み取りおよび書き込み速度設定信号を出力するグローバル速度設定モジュールをさらに備えることを特徴とする
請求項10に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットは、前記ローカルデータラインと前記ローカル相補データラインの間に接続され、前記ローカルデータラインのデータ及び前記ローカル相補データラインのデータを増幅するためのローカルアンプを備えることを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記ローカルアンプは、第1入力端が前記ローカルデータラインに電気的に接続され、第1出力端が前記ローカル相補データラインに電気的に接続される第1位相反転器と、第2入力端が前記第1位相反転器の第1出力端及び前記ローカル相補データラインに電気的に接続され、第2出力端が前記第1位相反転器の第1入力端及び前記ローカルデータラインに電気的に接続される第2位相反転器と、を備えることを特徴とする
請求項12に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記第1位相反転器は、第1PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタを備え、前記第1PMOSトランジスタのゲートと前記第1NMOSトランジスタのゲートが接続され且つ前記第1位相反転器の第1入力端として使用され、前記第1PMOSトランジスタのソースが作動電源に接続され、前記第1PMOSトランジスタのドレインと前記第1NMOSトランジスタのドレインが接続され且つ前記第1位相反転器の第1出力端として使用され、前記第2位相反転器は、第0PMOSトランジスタ及び第0NMOSトランジスタを備え、前記第0PMOSトランジスタのゲートと前記第0NMOSトランジスタのゲートが接続され且つ前記第2位相反転器の第2入力端として使用され、前記第0PMOSトランジスタのソースが作動電源に接続され、前記第0PMOSトランジスタのドレインと前記第0NMOSトランジスタのドレインが接続され且つ前記第2位相反転器の第2出力端として使用されることを特徴とする
請求項13に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットは、前記ローカル読み取りおよび書き込み制御信号中のローカル読み取り制御信号に応答して、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインのデータを前記グローバルデータラインに伝送するためのローカル読み取り変換回路を備え、
前記ローカル読み取り変換回路は、第3NMOSトランジスタ及び第4NMOSトランジスタを備え、前記第3NMOSトランジスタのドレインが前記グローバルデータラインに接続され、前記第3NMOSトランジスタのゲートが前記ローカル相補データラインに接続され、前記第3NMOSトランジスタのソースが前記第4NMOSトランジスタのドレインに接続され、前記第4NMOSトランジスタのゲートが前記ローカル読み取り制御信号中のローカル読み信号を受信し、ソースが接地されることを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換回路は、グローバル相補データラインをさらに備え、且つ前記読み取り動作の間、前記グローバル相補データラインと前記グローバルデータラインのデータ信号位相は逆であり、前記ローカル読み取り変換回路は、第8NMOSトランジスタ及び第9NMOSトランジスタをさらに備え、前記第8NMOSトランジスタのドレインが前記グローバル相補データラインに接続され、前記第8NMOSトランジスタのゲートが前記ローカルデータラインに接続され、前記第8NMOSトランジスタのソースが前記第9NMOSトランジスタのドレインに接続され、前記第9NMOSトランジスタのゲートが前記ローカル読み信号を受信し、ソースが接地されることを特徴とする
請求項15に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットは、前記ローカル読み取りおよび書き込み制御信号中のローカル書き込み制御信号に応答して、前記グローバルデータラインのデータを前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインに伝送するためのローカル書き込み変換回路を備え、
前記ローカル書き込み変換回路は、第5NMOSトランジスタ、第6NMOSトランジスタ及び第7NMOSトランジスタを備え、前記第5NMOSトランジスタのドレインが前記ローカル相補データラインに接続され、前記第5NMOSトランジスタのゲートが前記第7NMOSトランジスタのソースに接続され、前記第5NMOSトランジスタのソースが前記第6NMOSトランジスタのドレインに接続され、前記第6NMOSトランジスタのゲートが前記ローカル書き込み制御信号中のローカル書き信号を受信し、ソースが接地され、前記第7NMOSトランジスタのドレインが前記ローカルデータラインに接続され、ゲートが前記ローカル書き信号を受信することを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記読み取りおよび書き込み変換回路は、グローバル相補データラインをさらに含み、且つ前記読み取りおよび書き込み動作の間、前記グローバル相補データラインと前記グローバルデータラインのデータ信号位相は逆であり、前記ローカル書き込み変換回路は、第10NMOSトランジスタ、第11NMOSトランジスタ及び第12NMOSトランジスタをさらに備え、前記第10NMOSトランジスタのドレインが前記ローカルデータラインに接続され、前記第10NMOSトランジスタのゲートが前記第12NMOSトランジスタのソースに接続され且つ前記グローバル相補データラインに接続され、前記第10NMOSトランジスタのソースが前記第11NMOSトランジスタのドレインに接続され、前記第11NMOSトランジスタのゲートが前記ローカル書き信号を受信し、ソースが接地され、前記第12NMOSトランジスタのドレインが前記ローカル相補データラインに接続され、ゲートが前記ローカル書き信号を受信することを特徴とする
請求項17に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 前記ローカル読み取りおよび書き込みユニットは、前記ローカルデータラインと前記ローカル相補データラインの間に接続され、プリチャージ制御信号に応答して、前記ローカルデータライン及び前記ローカル相補データラインをプリチャージするためのプリチャージ回路をさらに備えることを特徴とする
請求項5に記載の読み取りおよび書き込み変換回路。 - 請求項1~19のいずれか1項に記載の読み取りおよび書き込み変換回路を備えることを特徴とする、メモリ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021024456.9U CN212032138U (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 读写转换电路以及存储器 |
CN202021024456.9 | 2020-06-05 | ||
CN202010505672.3A CN113760174A (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 读写转换电路以及存储器 |
CN202010505672.3 | 2020-06-05 | ||
PCT/CN2021/074702 WO2021244055A1 (zh) | 2020-06-05 | 2021-02-01 | 读写转换电路以及存储器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023509879A true JP2023509879A (ja) | 2023-03-10 |
JP7352741B2 JP7352741B2 (ja) | 2023-09-28 |
Family
ID=78817831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022538927A Active JP7352741B2 (ja) | 2020-06-05 | 2021-02-01 | 読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11783877B2 (ja) |
EP (1) | EP4002081A4 (ja) |
JP (1) | JP7352741B2 (ja) |
KR (1) | KR20220101735A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116486850A (zh) * | 2022-01-14 | 2023-07-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种感应放大电路、方法和半导体存储器 |
US12112791B2 (en) | 2022-01-14 | 2024-10-08 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05189976A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-07-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子機器 |
US6212109B1 (en) * | 1999-02-13 | 2001-04-03 | Integrated Device Technology, Inc. | Dynamic memory array having write data applied to selected bit line sense amplifiers before sensing to write associated selected memory cells |
JP2004158050A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2012531635A (ja) * | 2009-06-29 | 2012-12-10 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 周波数構成可能クロックドメインを有するブリッジデバイス(bridgingdevice) |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19961518B4 (de) | 1999-12-20 | 2007-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Betreiben eines Strom-Leseverstärkers |
JP2002032985A (ja) | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
DE10121837C1 (de) | 2001-05-04 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | Speicherschaltung mit mehreren Speicherbereichen |
US7203102B2 (en) | 2004-10-27 | 2007-04-10 | Infineon Technologies, Ag | Semiconductor memory having tri-state driver device |
KR100689707B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 뱅크 선택신호 제어회로, 이를 포함하는 반도체 메모리 장치 및 뱅크 선택신호 제어방법 |
US7227799B2 (en) | 2005-04-29 | 2007-06-05 | Infineon Technologies Ag | Sense amplifier for eliminating leakage current due to bit line shorts |
DE102005045311B4 (de) | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher, insbesondere Halbleiterspeicher mit Leseverstärker und Bitleitungs-Schalter |
DE102007007565A1 (de) | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Qimonda Ag | Halbleiter-Speicherbauelement mit umschaltbarem Substratpotential, und Verfahren zum Betrieb eines Halbleiter-Speicherbauelements |
US8817562B2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-08-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Devices and methods for controlling memory cell pre-charge operations |
CN103077740A (zh) | 2012-12-27 | 2013-05-01 | 北京大学 | 带补偿电路的电流模式灵敏放大器及使用方法 |
CN110827891B (zh) | 2018-08-10 | 2021-08-03 | 北京百度网讯科技有限公司 | 信号转换单元、存储器以及应用于存储器的驱动方法 |
CN110867203B (zh) | 2019-11-19 | 2021-12-14 | 上海华力微电子有限公司 | 存储器读取速度调节电路 |
CN212032138U (zh) | 2020-06-05 | 2020-11-27 | 长鑫存储技术(上海)有限公司 | 读写转换电路以及存储器 |
-
2021
- 2021-02-01 KR KR1020227022256A patent/KR20220101735A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-02-01 EP EP21818317.6A patent/EP4002081A4/en not_active Ceased
- 2021-02-01 JP JP2022538927A patent/JP7352741B2/ja active Active
- 2021-08-22 US US17/445,604 patent/US11783877B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05189976A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-07-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子機器 |
US6212109B1 (en) * | 1999-02-13 | 2001-04-03 | Integrated Device Technology, Inc. | Dynamic memory array having write data applied to selected bit line sense amplifiers before sensing to write associated selected memory cells |
JP2004158050A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2012531635A (ja) * | 2009-06-29 | 2012-12-10 | モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 周波数構成可能クロックドメインを有するブリッジデバイス(bridgingdevice) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7352741B2 (ja) | 2023-09-28 |
EP4002081A4 (en) | 2022-10-19 |
US20210383846A1 (en) | 2021-12-09 |
KR20220101735A (ko) | 2022-07-19 |
US11783877B2 (en) | 2023-10-10 |
EP4002081A1 (en) | 2022-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN212032138U (zh) | 读写转换电路以及存储器 | |
CN212032139U (zh) | 读写转换电路以及存储器 | |
EP4020477B1 (en) | Read/write switching circuit and memory | |
WO2021253870A1 (zh) | 半导体集成电路以及存储器 | |
US9159401B2 (en) | Semiconductor device having hierarchical bit line structure | |
CN113760174A (zh) | 读写转换电路以及存储器 | |
CN212392000U (zh) | 半导体集成电路以及存储器 | |
US12080340B2 (en) | Control circuit, method for reading and writing and memory | |
WO2022062556A1 (zh) | 集成电路 | |
JP7352741B2 (ja) | 読み取りおよび書き込み変換回路及びメモリ | |
WO2023273554A1 (zh) | 读出电路结构 | |
US20120081974A1 (en) | Input-output line sense amplifier having adjustable output drive capability | |
US5751642A (en) | Voltage control circuit for input and output lines of semiconductor memory device | |
WO2021244055A1 (zh) | 读写转换电路以及存储器 | |
US11830569B2 (en) | Readout circuit, memory, and method of reading out data of memory | |
US11862283B2 (en) | Sense amplifier, storage device and read-write method | |
US10726907B2 (en) | Electronic device with a sense amp mechanism | |
RU2797927C1 (ru) | Схема преобразования чтения-записи и память | |
RU2797927C9 (ru) | Схема преобразования чтения-записи и память | |
EP3971897A1 (en) | Semiconductor integrated circuit and memory | |
TWI792833B (zh) | 存取記憶體晶片的頁資料之裝置 | |
KR20050043093A (ko) | 저전압 동작특성을 개선하기 위한 로컬 센스 앰프를 갖는반도체 메모리 장치 | |
JP2004272944A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH07230689A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230516 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7352741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |