JP2023181657A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製品寿命を確保することができる半導体装置を提供する。製品寿命が確保される半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置11は、発熱素子である半導体素子21と、半導体素子21に固着される放熱部材である金属製のヒートスプレッダ22と、を有している。ヒートスプレッダ22は、互いに離隔した複数の接合端部を有している。接合端部は、ヒートスプレッダ22を構成する柱32Aの端部である。接合端部は、半導体素子21に直接固着されている。ヒートスプレッダ22は、三次元積層造形技術を利用して、半導体素子21からの距離が半導体素子21に直交する方向に増加する造形方向に造形される。ヒートスプレッダ22の接合端部は、造形過程において半導体素子21に直接固着される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置11は、発熱素子である半導体素子21と、半導体素子21に固着される放熱部材である金属製のヒートスプレッダ22と、を有している。ヒートスプレッダ22は、互いに離隔した複数の接合端部を有している。接合端部は、ヒートスプレッダ22を構成する柱32Aの端部である。接合端部は、半導体素子21に直接固着されている。ヒートスプレッダ22は、三次元積層造形技術を利用して、半導体素子21からの距離が半導体素子21に直交する方向に増加する造形方向に造形される。ヒートスプレッダ22の接合端部は、造形過程において半導体素子21に直接固着される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
たとえば特許文献1の半導体装置は、金属製のヒートシンクと、ヒートシンクに接合される半導体モジュールとを有している。半導体モジュールは、ヒートスプレッダと、ヒートスプレッダに半田により接合される半導体素子とを有している。ヒートスプレッダは、直方体状の金属ブロックである。半導体素子は、ヒートスプレッダを介して、ヒートシンクに固定されている。ヒートスプレッダとヒートシンクとは、半田により接合されている。半導体素子が発生する熱は、ヒートスプレッダおよびヒートシンクを介して放熱される。
特許文献1の半導体装置では、つぎのようなことが懸念される。たとえば、半導体素子とヒートスプレッダとを接合する際、半導体素子が半田付けに伴う熱の影響を受けるおそれがある。熱は、半導体素子の機能に影響を与えることがある。すなわち、熱は、半導体装置の製品寿命を縮める一因となる。
上記課題を解決し得る半導体装置は、発熱素子である半導体素子と、前記半導体素子に固着される放熱部材である金属製のヒートスプレッダと、を有している。前記ヒートスプレッダは、互いに離隔した複数の接合端部を有し、前記接合端部が前記半導体素子に直接固着されている。
この構成によれば、ヒートスプレッダと半導体素子との接合箇所が、複数の接続端部を介して、複数の箇所に分散される。このため、温度変化が発生した場合、温度変化による各接続端部の変形に伴い、半導体素子には応力が複数の箇所に分散して発生する。接続端部の変形は、加熱に伴う接続端部の膨張、または冷却に伴う収縮を含む。また、たとえば平面部分を有するヒートスプレッダの平面部分を半導体素子に面接触させた状態で、ヒートスプレッダを半導体素子に接合する場合に比べて、複数の接続端部の各々と半導体素子との接合面積は狭い。このため、半導体素子の複数の箇所に分散して発生する個々の応力が緩和される。したがって、半導体装置の製品寿命を確保することができる。
上記の半導体装置において、前記ヒートスプレッダは、複数の柱が組まれることにより構成されてもよい。
この構成によれば、ヒートスプレッダに固着される複数の接続端部を簡単に設けることができる。
この構成によれば、ヒートスプレッダに固着される複数の接続端部を簡単に設けることができる。
上記の半導体装置において、錐状に組まれる複数の第1の柱を有する第1の構造部と、錐状に組まれる複数の第2の柱を有する第2の構造部と、を有していてもよい。この場合、前記複数の第1の柱の端部が集合する部分である前記第1の構造部の先端部と、前記複数の第2の柱の端部が集合する部分である前記第2の構造部の先端部とは互いに連結されており、前記第2の構造部の前記先端部と反対側の端部である基端部は、前記接合端部として前記半導体素子に直接固着されていてもよい。
この構成によれば、第1の構造部の先端部と第2の構造部の先端部とが互いに連結される連結部分の寸法は、第1の構造部の基端部の寸法よりも小さくなる。このため、たとえば、第1の構造部の先端部と反対側の端部である基端部を、平板状の土台を介して基板に接合する場合、温度変化による土台の変形に伴い発生する圧縮応力あるいは引張応力が、第1の構造部と第2の構造部との連結部分に伝達されたとしても、連結部分にはモーメントが働きにくい。連結部分が大きく変形することがないため、土台の変形に伴い発生する圧縮応力あるいは引張応力が、第2の構造部、ひいては半導体素子に伝わることが抑制される。すなわち、土台の変形に伴い発生する圧縮応力あるいは引張応力の伝達が、連結部分によって遮断される。したがって、半導体素子に発生する応力が低減される。このため、半導体素子、ひいては半導体装置の製品寿命を確保することができる。
上記の半導体装置において、前記ヒートスプレッダは、銅または銅合金により一体的に形成されていてもよい。
この構成によれば、製品コストを抑えつつも、放熱性を確保することができる。
この構成によれば、製品コストを抑えつつも、放熱性を確保することができる。
上記課題を解決し得る半導体装置の製造方法は、上記の半導体装置の製造方法であって、前記ヒートスプレッダは、三次元積層造形技術を利用して、前記半導体素子からの距離が前記半導体素子に直交する方向に増加する造形方向に造形され、造形過程において前記半導体素子に直接固着される。
この製造方法によれば、ヒートスプレッダは、三次元積層造形技術を利用して造形される。三次元積層造形技術は、複雑な形状を有する造形物の製作に好適である。三次元積層造形技術を利用することにより、ヒートスプレッダを簡単に製作することができる。また、ヒートスプレッダは、三次元積層造形技術を利用した造形過程において、半導体素子に直接固着される。このため、ヒートスプレッダと半導体素子との接合を別工程とする場合に比べて、半導体装置の製造効率が向上する。また、製品寿命が確保される半導体装置を得ることができる。
本発明の半導体装置によれば、製品寿命を確保することができる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、製品寿命が確保される半導体装置を得ることができる。
以下、半導体装置の一実施の形態を説明する。半導体装置は、たとえば、特定の機能を有する半導体モジュールに使用される。
<半導体モジュール>
図1に示すように、半導体モジュール10は、半導体装置11および基板12を有している。基板12は、たとえば平板状の放熱基板である。放熱基板は、放熱性を強化したプリント配線基板である。半導体装置11は、接合層13を介して、基板12の表面に取り付けられている。接合層13は、溶融した半田あるいは銀ろうが凝固することにより形成される金属層である。半導体装置11と基板12とは、金属製のワイヤ14により接続されている。
<半導体モジュール>
図1に示すように、半導体モジュール10は、半導体装置11および基板12を有している。基板12は、たとえば平板状の放熱基板である。放熱基板は、放熱性を強化したプリント配線基板である。半導体装置11は、接合層13を介して、基板12の表面に取り付けられている。接合層13は、溶融した半田あるいは銀ろうが凝固することにより形成される金属層である。半導体装置11と基板12とは、金属製のワイヤ14により接続されている。
半導体装置11は、半導体素子21およびヒートスプレッダ22を有している。
半導体素子21は、通電によって熱を発生する発熱素子であって、たとえばMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor)である。半導体素子21は、ベアチップの状態である。ベアチップは、合成樹脂製のパッケージに封入されていない半導体チップである。半導体素子21は、たとえば、四角形の板状である。半導体素子21の構成材料は、たとえば、ケイ素(Si)、炭化ケイ素(SiC)、あるいは窒化ガリウム(GaN)である。
半導体素子21は、通電によって熱を発生する発熱素子であって、たとえばMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor)である。半導体素子21は、ベアチップの状態である。ベアチップは、合成樹脂製のパッケージに封入されていない半導体チップである。半導体素子21は、たとえば、四角形の板状である。半導体素子21の構成材料は、たとえば、ケイ素(Si)、炭化ケイ素(SiC)、あるいは窒化ガリウム(GaN)である。
半導体素子21は、電極を有している。電極は、たとえば半導体素子の表面に設けられている。表面は、ヒートスプレッダ22と反対側の半導体素子21の面である。半導体素子21の電極は、ワイヤ14を介して、基板12の電極に接続されている。基板12は、ワイヤ14を介して、半導体素子21に電力を供給する。
ヒートスプレッダ22は、放熱部材であって、半導体素子21と基板12との間に介在されている。ヒートスプレッダ22は、たとえば銅により一体的に形成されている。銅は、熱伝導性に優れる金属である。基板12に直交する方向のヒートスプレッダ22の一端は、半導体素子21に直接固着されている。すなわち、ヒートスプレッダ22の一端と半導体素子21との間に接合層は存在しない。基板12に直交する方向のヒートスプレッダ22の他端は、接合層13を介して、基板12の表面に接合されている。第2の端部は、第1の端部と反対側の端部である。
半導体素子21が発生する熱は、ヒートスプレッダ22を介して基板12に伝達される。基板12に伝達される熱は、さらに基板12の外部に放熱される。
<ヒートスプレッダ22の構成>
つぎに、ヒートスプレッダ22の構成について詳細に説明する。
<ヒートスプレッダ22の構成>
つぎに、ヒートスプレッダ22の構成について詳細に説明する。
図1および図2に示すように、ヒートスプレッダ22は、第1の構造部31および第2の構造部32を有している。第1の構造部31は、全体として錐形の輪郭を有している。第2の構造部32も、全体として錐形の輪郭を有している。第1の構造部31の先端部と、第2の構造部32の先端部とは、連結部33で互いに連結されている。連結部33は、第1の構造部31の先端部と、第2の構造部32の先端部との連結部分である。
第1の構造部31は、複数の柱31Aおよび土台31Bを有している。柱31Aは、第1の柱である。柱31Aの延びる方向に直交する方向の断面形状は、たとえば円形である。土台31Bは、たとえば四角形の平板である。土台31Bは、ヒートスプレッダ22を基板12に接合するための部分である。複数の柱31Aは、土台31Bの表面上において、錐状に組まれている。複数の柱31Aは、土台31Bからの距離が土台31Bに直交する方向に増加するにつれて、互いに近づくように傾斜している。
複数の柱31Aの第1の端部は、それぞれ土台31Bの表面に連結されている。複数の柱31Aの第1の端部は、互いに離隔している。複数の柱31Aの第2の端部は、互いに連結されている。複数の柱31Aの第2の端部が連結された部分は、第1の構造部31の先端部に相当する。すなわち、連結部33は、複数の柱31Aの第2の端部が集合する部分でもある。第1の構造部31の密度は、第1の構造部31の基端部から先端部へ向かうにつれて高くなる。密度は、第1の構造部31において柱31Aが占める割合である。基端部は、先端部と反対側の第1の構造部31の端部である。
第2の構造部32は、複数の柱32Aを有している。柱32Aは、第2の柱である。柱32Aの延びる方向に直交する方向の断面形状は、たとえば円形である。複数の柱32Aは、錐状に組まれている。複数の柱32Aは、半導体素子21からの距離が半導体素子21に直交する方向に増加するにつれて、互いに近づくように傾斜している。
複数の柱32Aの第1の端部は、それぞれ半導体素子21の裏面に直接固着されている。すなわち、柱32Aの第1の端部は、半導体素子21に接合される接合端部である。裏面は、ワイヤ14が接続される半導体素子21の表面と反対側の面である。複数の柱32Aの第1の端部は、互いに離隔している。複数の柱32Aの第2の端部は、互いに連結されている。複数の柱32Aの第2の端部が連結された部分は、第2の構造部32の先端部に相当する。すなわち、連結部33は、複数の柱32Aの第2の端部が集合する部分でもある。第2の構造部32の密度は、第2の構造部32の基端部から先端部へ向かうにつれて高くなる。密度は、第2の構造部32において柱32Aが占める割合である。基端部は、先端部と反対側の第2の構造部32の端部である。
なお、第1の構造部31の柱31Aの延びる方向に直交する方向の断面積、および第2の構造部32の柱32Aの延びる方向に直交する方向の断面積は、たとえば、半導体素子21の発熱量に応じて、適宜設定される。
図1に示すように、第1の構造部31および第2の構造部32の並び方向(図1中の上下方向)に直交する方向において、第1の構造部31の基端部の寸法W1、第2の構造部32の基端部の寸法W2、および連結部33の寸法W3の大小関係は、つぎの関係式(1)に示す通りである。第1の構造部31の基端部の寸法W1は、土台31Bの寸法である。
W1>W2≫W3 …(1)
ただし、「≫」は、非常に大きいことを示す。
関係式(1)に示されるように、連結部33の寸法W3は、第1の構造部31の基端部の寸法W1および第2の構造部32の基端部の寸法W2よりも非常に小さい値に設定されている。また、第1の構造部31の基端部の寸法W1は、第2の構造部32の基端部の寸法W2よりも大きい値に設定されている。
ただし、「≫」は、非常に大きいことを示す。
関係式(1)に示されるように、連結部33の寸法W3は、第1の構造部31の基端部の寸法W1および第2の構造部32の基端部の寸法W2よりも非常に小さい値に設定されている。また、第1の構造部31の基端部の寸法W1は、第2の構造部32の基端部の寸法W2よりも大きい値に設定されている。
<半導体装置11の製造方法>
つぎに、半導体装置11の製造方法について説明する。
半導体装置11は、3Dプリンタを使用して製造される。3Dプリンタは、三次元積層造形技術を利用して、立体の造形物を製作する装置である。三次元積層造形技術は、三次元の設計データに基づき、スライスされた2次元の層を1層ずつ積み重ねていくことによって、立体の造形物を製作する技術である。
つぎに、半導体装置11の製造方法について説明する。
半導体装置11は、3Dプリンタを使用して製造される。3Dプリンタは、三次元積層造形技術を利用して、立体の造形物を製作する装置である。三次元積層造形技術は、三次元の設計データに基づき、スライスされた2次元の層を1層ずつ積み重ねていくことによって、立体の造形物を製作する技術である。
造形方式は、たとえばパウダーベッド方式である。パウダーベッド方式は、たとえば金属粉末を造形床に機械的に敷き詰め、敷き詰めた金属粉末にレーザあるいは電子ビームを熱源として照射することにより、造形する部分を溶融させた後、凝固させる方法である。造形物は、定められた積層厚みで一層ずつ金属粉末を敷き詰め、溶融と凝固とを繰り返すことにより造形される。レーザあるいは電子ビームが照射されない部分の金属粉末は固化していないので、造形物は金属粉末に徐々に埋もれていく。造形物の造形が完了した後、金属粉末を取り除き、造形物を取り出す。
半導体装置11の製造手順は、つぎの通りである。
図3に示すように、まず、半導体素子21を3Dプリンタの造形床41にセットする。半導体素子21は、位置決め装置によって、造形床41に沿う方向、および造形床41に直交する方向の移動が規制された状態に維持される。また、半導体素子21の表面は、その全面が造形床41に接触した状態に維持される。表面は、ワイヤ14が接続される半導体素子21の面である。
図3に示すように、まず、半導体素子21を3Dプリンタの造形床41にセットする。半導体素子21は、位置決め装置によって、造形床41に沿う方向、および造形床41に直交する方向の移動が規制された状態に維持される。また、半導体素子21の表面は、その全面が造形床41に接触した状態に維持される。表面は、ワイヤ14が接続される半導体素子21の面である。
この状態で、ヒートスプレッダ22の造形が開始される。図3に矢印D1で示されるように、造形方向は、半導体素子21からの距離が半導体素子21に直交する方向に増加する方向である。すなわち、ヒートスプレッダ22は、第2の構造部32および第1の構造部31の順序で造形される。第2の構造部32における複数の柱32Aの第1の端部が造形される際、溶融した金属が凝固することにより、柱32Aの第1の端部が半導体素子21の裏面に直接固着される。ヒートスプレッダ22の造形が完了した後、金属粉末42を取り除き、半導体装置11を取り出す。
以上で、半導体装置11の製造が完了となる。
半導体装置11におけるヒートスプレッダ22の土台31Bを基板12に接合することにより、半導体モジュール10が製造される。接合は、半田または銀ろうを使用した、ろう付けにより行われる。
半導体装置11におけるヒートスプレッダ22の土台31Bを基板12に接合することにより、半導体モジュール10が製造される。接合は、半田または銀ろうを使用した、ろう付けにより行われる。
<実施の形態の作用および効果>
本実施の形態によれば、以下の作用および効果を得ることができる。
(1)半導体素子21に接合される複数の柱32Aの第1の端部は、互いに離隔している。柱32Aの第1の端部は、三次元積層造形技術を利用した造形過程において、半導体素子21に直接固着される。このため、たとえば直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に面接触させた状態で、直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に接合する場合と異なり、半導体素子21の熱応力が抑制される。
本実施の形態によれば、以下の作用および効果を得ることができる。
(1)半導体素子21に接合される複数の柱32Aの第1の端部は、互いに離隔している。柱32Aの第1の端部は、三次元積層造形技術を利用した造形過程において、半導体素子21に直接固着される。このため、たとえば直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に面接触させた状態で、直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に接合する場合と異なり、半導体素子21の熱応力が抑制される。
これは、つぎの理由による。すなわち、ヒートスプレッダ22と半導体素子21との接合箇所が、複数の柱32Aを介して、複数の箇所に分散される。このため、温度変化が発生した場合、温度変化による各柱32Aの変形に伴い、半導体素子21には応力が複数の箇所に分散して発生する。柱32Aの変形は、加熱に伴う柱32Aの膨張、または冷却に伴う収縮を含む。また、たとえば直方体状のヒートスプレッダの平面部分を半導体素子21に面接触させた状態で、直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に接合する場合に比べて、複数の柱32Aの各々と半導体素子21との接合面積は狭い。このため、半導体素子21の複数の箇所に分散して発生する個々の応力が緩和される。したがって、半導体素子21の製品寿命を確保することができる。また、半導体装置11の動作の信頼性を確保することもできる。
(2)ヒートスプレッダ22は、複数の柱31A,32Aが組まれることにより構成されている。このため、ヒートスプレッダ22に固着される複数の接続端部を簡単に設けることができる。接続端部は、第2の構造部を構成する柱32Aの第1の端部である。
(3)ヒートスプレッダ22は、互いに離隔した複数の柱32Aの第1の端部を介して、半導体素子21に接合される。このため、たとえば直方体状のヒートスプレッダの平面部分を半導体素子21に面接触させた状態で、直方体状のヒートスプレッダを半導体素子21に接合する場合に比べて、ヒートスプレッダ22と半導体素子21との接合面積が狭くなることが懸念される。
この点、ヒートスプレッダ22の構成材料は、たとえば銅である。銅は、たとえば半田に比べて、熱伝導性に優れる。その銅製の柱32Aの第1の端部が半導体素子21に直接固着されている。このため、接合面積の減少に伴う放熱性の低下が、複数の柱32Aの第1の端部を半導体素子21に直接固着することにより補われる。すなわち、半田などの接合層を介さないことにより、ヒートスプレッダ22のトータルとしての放熱性を確保することができる。
(4)図4に示すように、ヒートスプレッダ22と基板12とを接合する際、ろう付けによる第1の構造部31の基端部の加熱により、土台31Bが反るおそれがある。土台31Bは、たとえば、半導体素子21側が凸となるように反る。このとき、土台31Bの反りに起因して土台31Bに発生する圧縮応力F1あるいは引張応力F2が、第1の構造部31および第2の構造部32を介して、半導体素子21に伝達されることが懸念される。
この点、複数の柱31Aの第2の端部および複数の柱32Aの第2の端部が集合する部分である連結部33の寸法W3は、第1の構造部31の基端部の寸法W1よりも非常に小さい。このため、土台31Bの変形に伴い発生する圧縮応力F1あるいは引張応力F2が連結部33に伝達されたとしても、連結部33にはモーメントが働きにくい。モーメントは、物体の特定の点を中心として物体を回転させる方向に作用する力である。連結部33が大きく変形することがないため、土台31Bの変形に伴い発生する圧縮応力あるいは引張応力が、第2の構造部32、ひいては半導体素子21に伝わることが抑制される。すなわち、土台31Bの変形に伴い発生する圧縮応力あるいは引張応力の伝達が、連結部33によって遮断される。したがって、半導体素子21に発生する応力が低減される。このため、半導体素子21、ひいては半導体装置11の製品寿命を確保することができる。また、半導体装置11の動作の信頼性を確保することもできる。
(5)ヒートスプレッダ22は、銅により一体的に形成されている。このため、製品コストを抑えつつも、放熱性を確保することができる。銅は、熱伝導率が高いだけでなく、価格が手頃である。たとえば、金あるいは銀は、優れた熱伝導性を有するものの、高価である。
(6)ヒートスプレッダ22は、三次元積層造形技術を利用して造形される。三次元積層造形技術は、複雑な形状を有する造形物の製作に好適である。三次元積層造形技術を利用することにより、ヒートスプレッダ22を簡単に製作することができる。また、ヒートスプレッダ22は、三次元積層造形技術を利用した造形過程において、半導体素子21に接合される。このため、ヒートスプレッダ22と半導体素子21との接合を別工程とする場合に比べて、半導体装置11の製造効率が向上する。
<他の実施の形態>
なお、本実施の形態は、つぎのように変更して実施してもよい。
・ヒートスプレッダ22の構成材料は、熱伝導性に優れた材料であればよい。ヒートスプレッダ22の構成材料は、たとえば、銅合金、あるいはアルミニウムであってもよい。
なお、本実施の形態は、つぎのように変更して実施してもよい。
・ヒートスプレッダ22の構成材料は、熱伝導性に優れた材料であればよい。ヒートスプレッダ22の構成材料は、たとえば、銅合金、あるいはアルミニウムであってもよい。
・半導体素子21にヒートシンクを造形するようにしてもよい。ヒートシンクの構成材料は、たとえばアルミニウムである。ヒートシンクは、三次元積層造形技術、すなわち金属3Dプリンタを利用して造形してもよい。
・第1の構造部31の柱31Aの数は、3つ以上であればよい。第2の構造部32の柱32Aの数も、3つ以上であればよい。
・第1の構造部31の柱31Aの断面形状、および第2の構造部32の柱32Aの断面形状は、円形に限らない。断面形状は、四角形、三角形、または楕円形であってもよい。
・第1の構造部31の柱31Aの断面形状、および第2の構造部32の柱32Aの断面形状は、円形に限らない。断面形状は、四角形、三角形、または楕円形であってもよい。
・第1の構造部31および第2の構造部32の輪郭形状は、円錐状に限らない。輪郭形状は、四角錐状、三角錐状、または楕円錐状であってもよい。
・第1の構造部31は、複数の柱31Aを錐状に組むかたちで構成したが、錐状の金属ブロックであってもよい。
・第1の構造部31は、複数の柱31Aを錐状に組むかたちで構成したが、錐状の金属ブロックであってもよい。
・ヒートスプレッダ22は、三次元積層造形技術を利用して製造しなくてもよい。柱31A、土台31B、および柱32Aを、たとえばレーザ溶接などにより、個別に接合してもよい。複数の柱32Aの第1の端部は、たとえば半田付けなどのろう付けによって、半導体素子21に接合される。
11…半導体装置
12…基板
21…半導体素子
22…ヒートスプレッダ
31…第1の構造部
31A…柱(第1の柱)
31B…土台
32…第2の構造部
32A…柱(第2の柱)
12…基板
21…半導体素子
22…ヒートスプレッダ
31…第1の構造部
31A…柱(第1の柱)
31B…土台
32…第2の構造部
32A…柱(第2の柱)
Claims (5)
- 発熱素子である半導体素子と、
前記半導体素子に固着される放熱部材である金属製のヒートスプレッダと、を有し、
前記ヒートスプレッダは、互いに離隔した複数の接合端部を有し、前記接合端部が前記半導体素子に直接固着されている半導体装置。 - 前記ヒートスプレッダは、複数の柱が組まれることにより構成される請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヒートスプレッダは、錐状に組まれる複数の第1の柱を有する第1の構造部と、錐状に組まれる複数の第2の柱を有する第2の構造部と、を有し、
前記複数の第1の柱の端部が集合する部分である前記第1の構造部の先端部と、前記複数の第2の柱の端部が集合する部分である前記第2の構造部の先端部とは互いに連結されており、前記第2の構造部の前記先端部と反対側の端部である基端部は、前記接合端部として前記半導体素子に直接固着されている請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ヒートスプレッダは、銅または銅合金により一体的に形成されている請求項3に記載の半導体装置。
- 請求項1~請求項4のうちいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ヒートスプレッダは、三次元積層造形技術を利用して、前記半導体素子からの距離が前記半導体素子に直交する方向に増加する造形方向に造形され、造形過程において前記半導体素子に直接固着される半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2022094913A JP2023181657A (ja) | 2022-06-13 | 2022-06-13 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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2022
- 2022-06-13 JP JP2022094913A patent/JP2023181657A/ja active Pending
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