JP2023175872A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023175872A5 JP2023175872A5 JP2023163712A JP2023163712A JP2023175872A5 JP 2023175872 A5 JP2023175872 A5 JP 2023175872A5 JP 2023163712 A JP2023163712 A JP 2023163712A JP 2023163712 A JP2023163712 A JP 2023163712A JP 2023175872 A5 JP2023175872 A5 JP 2023175872A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- underlayer film
- resist
- formula
- resist underlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018051617 | 2018-03-19 | ||
| JP2018051617 | 2018-03-19 | ||
| JP2020507800A JP7587984B2 (ja) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| PCT/JP2019/011245 WO2019181873A1 (ja) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020507800A Division JP7587984B2 (ja) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023175872A JP2023175872A (ja) | 2023-12-12 |
| JP2023175872A5 true JP2023175872A5 (enExample) | 2025-03-31 |
| JP7769309B2 JP7769309B2 (ja) | 2025-11-13 |
Family
ID=67986297
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020507800A Active JP7587984B2 (ja) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2023163948A Active JP7602212B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-09-26 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2023163712A Active JP7769309B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-09-26 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2023163753A Active JP7684640B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-09-26 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020507800A Active JP7587984B2 (ja) | 2018-03-19 | 2019-03-18 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2023163948A Active JP7602212B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-09-26 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023163753A Active JP7684640B2 (ja) | 2018-03-19 | 2023-09-26 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210018840A1 (enExample) |
| JP (4) | JP7587984B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102779929B1 (enExample) |
| CN (1) | CN111902774B (enExample) |
| TW (1) | TW201945848A (enExample) |
| WO (1) | WO2019181873A1 (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022114132A1 (enExample) * | 2020-11-27 | 2022-06-02 | ||
| TW202305509A (zh) * | 2021-03-31 | 2023-02-01 | 日商日產化學股份有限公司 | 含矽之光阻下層膜形成用組成物 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2034364A4 (en) * | 2006-06-27 | 2010-12-01 | Jsr Corp | METHOD FOR FORMING A STRUCTURE AND COMPOSITION FOR FORMING AN ORGANIC THIN FILM FOR USE THEREOF |
| CN101946209B (zh) * | 2008-02-18 | 2014-01-22 | 日产化学工业株式会社 | 具有环状氨基的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物 |
| JP5038354B2 (ja) | 2009-05-11 | 2012-10-03 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 |
| KR101400182B1 (ko) | 2009-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP5679129B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2015-03-04 | 日産化学工業株式会社 | 窒素含有環を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP5650086B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| US9337052B2 (en) * | 2011-10-06 | 2016-05-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing EUV resist underlayer film forming composition |
| JP5882776B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-03-09 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| JP5739360B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| KR102044968B1 (ko) * | 2012-04-23 | 2019-12-05 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 첨가제를 포함하는 규소함유 euv레지스트 하층막 형성 조성물 |
| JP5833492B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-16 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素化合物、ポリシロキサン化合物、これを含むレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP5886804B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2016-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法 |
| US10197917B2 (en) * | 2014-06-17 | 2019-02-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing resists underlayer film-forming composition having phenyl group-containing chromophore |
| WO2016009939A1 (ja) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | 日産化学工業株式会社 | ハロゲン化スルホニルアルキル基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP6243815B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置基板の製造方法 |
| JP6250513B2 (ja) * | 2014-10-03 | 2017-12-20 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法 |
| KR102439087B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2022-09-01 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 습식제거가 가능한 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| EP3222688A4 (en) * | 2014-11-19 | 2018-06-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Film-forming composition containing crosslinkable reactive silicone |
| US9580623B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-02-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process using a boron phosphorus silicon glass film |
| JP6445382B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2018-12-26 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用塗布膜形成用組成物の製造方法及びパターン形成方法 |
| CN107615168B (zh) * | 2015-06-11 | 2023-12-19 | 日产化学工业株式会社 | 感放射线性组合物 |
| KR102038942B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2019-10-31 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 적층체, 및 유기 용제 현상용 레지스트 조성물 |
| US20190265593A1 (en) * | 2016-10-27 | 2019-08-29 | Nissan Chemical Corporation | Silicon-containing resist underlayer film-forming composition containing organic group having dihydroxy group |
| US11966164B2 (en) * | 2017-10-25 | 2024-04-23 | Nissan Chemical Corporation | Semiconductor device production method employing silicon-containing resist underlayer film-forming composition including organic group having ammonium group |
-
2019
- 2019-03-18 WO PCT/JP2019/011245 patent/WO2019181873A1/ja not_active Ceased
- 2019-03-18 JP JP2020507800A patent/JP7587984B2/ja active Active
- 2019-03-18 US US16/981,801 patent/US20210018840A1/en active Pending
- 2019-03-18 CN CN201980020366.6A patent/CN111902774B/zh active Active
- 2019-03-18 KR KR1020207025822A patent/KR102779929B1/ko active Active
- 2019-03-19 TW TW108109267A patent/TW201945848A/zh unknown
-
2023
- 2023-09-26 JP JP2023163948A patent/JP7602212B2/ja active Active
- 2023-09-26 JP JP2023163712A patent/JP7769309B2/ja active Active
- 2023-09-26 JP JP2023163753A patent/JP7684640B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2023175872A5 (enExample) | ||
| KR101849638B1 (ko) | 습식-박리성 실리콘-함유 반사방지제 | |
| KR101677289B1 (ko) | 실리콘 함유 막 형성용 조성물 및 실리콘 함유 막 및 패턴 형성 방법 | |
| KR101767692B1 (ko) | 규소 함유 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
| JP7024744B2 (ja) | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR100238567B1 (ko) | 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스트 조성물 | |
| CN108885997B (zh) | 使用了含硅组合物的半导体基板的平坦化方法 | |
| US20120196225A1 (en) | Photo Patternable Coating Compositions of Silicones and Organic-Inorganic Hybrids | |
| TWI842839B (zh) | 官能性聚氫倍半矽氧烷樹脂組成物、產生其的方法及其用途 | |
| WO2012050065A1 (ja) | 単分子層又は多分子層形成用組成物 | |
| WO2016111210A1 (ja) | シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法 | |
| KR20200079731A (ko) | 반도체 레지스트용 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR102395936B1 (ko) | 규소-풍부 실세스퀴옥산 수지 | |
| CN115362216A (zh) | 膜形成用组合物 | |
| WO2016143436A1 (ja) | レジスト下層膜の形成方法 | |
| JPH1160733A (ja) | 重合体、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法 | |
| JP2025134863A (ja) | 添加剤含有シリコン含有レジスト下層膜形成組成物 | |
| JP5835593B2 (ja) | シラン化合物及びそれを用いた単分子層又は多分子層形成用組成物 | |
| US7026497B2 (en) | Adhesive compound and method for forming photoresist pattern using the same | |
| JP3636242B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料 | |
| TW202507419A (zh) | 濕式可去除之含矽抗蝕下層膜形成組合物 | |
| WO2024237188A1 (ja) | 積層体、積層体の製造方法、及び感光性表面改質剤 | |
| JPH046563A (ja) | ３層レジスト中間層用材料およびパターン形成方法 | |
| CN117396810A (zh) | 含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | |
| WO2025142834A1 (ja) | 積層体の製造方法、及び半導体素子の製造方法 |