JP2023163540A5 - - Google Patents
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022074506A JP7761524B2 (ja) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US18/176,671 US20230352397A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-03-01 | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022074506A JP7761524B2 (ja) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP2023163540A JP2023163540A (ja) | 2023-11-10 |
| JP2023163540A5 true JP2023163540A5 (enExample) | 2024-09-24 |
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ID=88512641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022074506A Active JP7761524B2 (ja) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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| US (1) | US20230352397A1 (enExample) |
| JP (1) | JP7761524B2 (enExample) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311299A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6075114B2 (ja) * | 2013-02-27 | 2017-02-08 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6336826B2 (ja) * | 2014-06-04 | 2018-06-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2022
- 2022-04-28 JP JP2022074506A patent/JP7761524B2/ja active Active
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2023
- 2023-03-01 US US18/176,671 patent/US20230352397A1/en active Pending
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