JP2023148386A - 磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金 - Google Patents
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Abstract
【課題】耐食性及びスパッタリング性に優れたＦｅＣｏ系合金及びターゲット材の提供。【解決手段】軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金は、ＴＣＲ元素及びＴＡＭ元素を含む。残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。各元素の含有率（ａｔ％）は、式（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０、式（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０、式（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０及び式（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０を満たす。このＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，ＣＯ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含む金属間化合物相とからなるミクロ組織を有している。このミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。【選択図】図１
Description
本発明は、ＦｅＣｏ系合金に関する。詳細には、本発明は、磁気記録媒体の軟磁性層に適したＦｅＣｏ系合金に関する。
近年、磁気記録媒体の大容量化にともなって、垂直磁気記録方式が採用された媒体（垂直磁気記録媒体）の実用化が進められている。垂直磁気記録媒体では、磁化容易軸は、磁性膜中の媒体面に対して垂直方向に配向する。この垂直磁気記録媒体は、高記録密度に適している。
垂直磁気記録媒体は、磁気記録層と軟磁性層とを有している。垂直磁気記録媒体はさらに、磁気記録層と軟磁性層との間に、シード層、下地膜層等を有している。
軟磁性層は、記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを防止して、垂直方向の磁界を確保する。磁気記録媒体の高記録密度化の観点から、飽和磁束密度が高く、非晶質の軟磁性層が求められてきた。このような軟磁性層を形成する材質として、例えば、ＦｅＣｏ系合金が知られている。
一方、軟磁性層には、磁気記録媒体の用途及び使用環境に応じて、高い耐食性も求められている。特開２０１７－８２３３０号公報（特許文献１）は、飽和磁束密度を著しく低下させることなく、耐食性が改善された軟磁性膜層用合金として、Ｇｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔを一種以上、Ｓｃ，Ｙ，ランタノイド（原子番号５７～７１）、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｂを１種以上、残部Ｆｅ，Ｃｏ及び不可避的不純物からなり、各元素の含有率が所定の関係を満たす合金を開示している。
ＦｅＣｏ系合金からなる軟磁性層は、通常、その材質がＦｅＣｏ系合金であるターゲット材を用いたマグネトロンスパッタリングにより得られる。ターゲット材をなす合金の磁気特性が高い場合、スパッタリング時の放電が不安定となり、軟磁性層の生産性が低下する傾向にある。この傾向は、厚肉のターゲット材を使用した場合に顕著である。高い耐食性を有する軟磁性層を効率よく生産することができるターゲット材及びこのターゲット材に適したＦｅＣｏ系合金は、未だ提案されていない。
本発明の目的は、厚肉のターゲット材においてもスパッタリング性に優れ、かつ、高い耐食性を有する軟磁性層が得られうるＦｅＣｏ系合金の提供にある。
本発明者らは、所定の組成を有するＦｅＣｏ系合金において、Ｆｅ及びＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、金属化合物相とからなるミクロ組織が形成されており、磁性層である（Ｆｅ，Ｃｏ）相が、非磁性金属元素を含む金属化合物相により分断されることで、磁気特性が低下することに着目した。そして、本発明者らは、鋭意検討の結果、このミクロ組織を制御することにより、厚肉のターゲット材においても安定したスパッタリングが可能となることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金では、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たす。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。
本発明の他の実施形態に係る磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金では、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たす。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織の無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、この相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は、５個以上である。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織の無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、この相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は、５個以上である。
他の観点によれば、本発明に係る磁気記録媒体の軟磁性層用スパッタリングターゲット材の材質は、ＦｅＣｏ系合金である。このＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金では、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たす。
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（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
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さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。
さらに他の観点によれば、本発明に係る磁気記録媒体の軟磁性層用スパッタリングターゲット材の材質は、ＦｅＣｏ系合金である。このＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金では、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たす。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織の無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、この相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は、５個以上である。
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
さらにこのＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含有する金属間化合物相とから形成されるミクロ組織を有している。このミクロ組織の無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、この相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は、５個以上である。
本発明に係るＦｅＣｏ系合金によれば、スパッタリング性に優れたターゲット材が得られる。このＦｅＣｏ系合金からなるターゲット材は、耐食性の高い軟磁性層の製造に適している。
以下、適宜図面が参照されつつ、好ましい実施形態に基づいて本発明が詳細に説明される。なお、本願明細書において、範囲を示す「Ｘ～Ｙ」は「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。
［ＦｅＣｏ系合金］
本発明に係る磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金は、成分組成が下記式（１）－（４）を満たし、かつ、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相のサイズ及び数が適正なミクロ組織を有している。なお、「Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相」とは、実質的にＦｅ又はＣｏ又はその両方から形成され、他の元素の含有量が無視できる程度である相を意味する。
本発明に係る磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含む。その残部は、Ｆｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物である。このＦｅＣｏ系合金は、成分組成が下記式（１）－（４）を満たし、かつ、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相のサイズ及び数が適正なミクロ組織を有している。なお、「Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相」とは、実質的にＦｅ又はＣｏ又はその両方から形成され、他の元素の含有量が無視できる程度である相を意味する。
［（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０］
このＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素の合計含有率が０．１ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。スパッタリングにより得られる軟磁性層の耐食性が向上するとの観点から、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）は０．５ａｔ％以上が好ましく、１．０ａｔ％以上がより好ましく、２．０ａｔ％以上がさらに好ましい。飽和磁束密度Ｂｓを過度に低下させないとの観点から、合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）は、９．０ａｔ％以下が好ましく、７．０ａｔ％以下がより好ましく、５．０ａｔ％以下がさらに好ましい。
このＦｅＣｏ系合金は、Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素の合計含有率が０．１ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。スパッタリングにより得られる軟磁性層の耐食性が向上するとの観点から、ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）は０．５ａｔ％以上が好ましく、１．０ａｔ％以上がより好ましく、２．０ａｔ％以上がさらに好ましい。飽和磁束密度Ｂｓを過度に低下させないとの観点から、合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）は、９．０ａｔ％以下が好ましく、７．０ａｔ％以下がより好ましく、５．０ａｔ％以下がさらに好ましい。
［（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０］
このＦｅＣｏ系合金は、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素の合計含有率が、１１．０ａｔ％以上２５．０ｔ％以下である。ＦｅＣｏ系合金の非晶質性を高め、かつ、Ｆｅ及び／又はＣｏとの金属間化合物の形成に寄与するとの観点から、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）は、１２．０ａｔ％以上が好ましく、１３．５ａｔ％以上がより好ましく、１５．０ａｔ％以上がさらに好ましい。飽和磁束密度Ｂｓを過度に低下させないとの観点から、合金含有率ＴＡＭ（ａｔ％）は、２３．０ａｔ％以下が好ましく、２１．０ａｔ％以下がより好ましく、２０．０ａｔ％以下がさらに好ましい。
このＦｅＣｏ系合金は、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素の合計含有率が、１１．０ａｔ％以上２５．０ｔ％以下である。ＦｅＣｏ系合金の非晶質性を高め、かつ、Ｆｅ及び／又はＣｏとの金属間化合物の形成に寄与するとの観点から、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）は、１２．０ａｔ％以上が好ましく、１３．５ａｔ％以上がより好ましく、１５．０ａｔ％以上がさらに好ましい。飽和磁束密度Ｂｓを過度に低下させないとの観点から、合金含有率ＴＡＭ（ａｔ％）は、２３．０ａｔ％以下が好ましく、２１．０ａｔ％以下がより好ましく、２０．０ａｔ％以下がさらに好ましい。
［（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０］
ＴＣＲ元素及びＴＡＭ元素は、非磁性金属元素であり、いずれも、飽和磁束密度Ｂｓの低下に寄与しうる。ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲと、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭとから算出される値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］を１６．０ａｔ％以上２５．０ａｔ％以下に制御することにより、磁気記録媒体の軟磁性層に必要とされる磁気特性を確保することができる。適正な飽和磁束密度Ｂｓが得られるとの観点から、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］は、１７．０ａｔ％以上が好ましく、１８．０ａｔ％以上がより好ましい。飽和磁束密度Ｂｓが過度に低下しないとの観点から、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］は、２３．０ｔ％以下が好ましく、２０．０ａｔ％以下がより好ましい。
ＴＣＲ元素及びＴＡＭ元素は、非磁性金属元素であり、いずれも、飽和磁束密度Ｂｓの低下に寄与しうる。ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲと、ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭとから算出される値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］を１６．０ａｔ％以上２５．０ａｔ％以下に制御することにより、磁気記録媒体の軟磁性層に必要とされる磁気特性を確保することができる。適正な飽和磁束密度Ｂｓが得られるとの観点から、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］は、１７．０ａｔ％以上が好ましく、１８．０ａｔ％以上がより好ましい。飽和磁束密度Ｂｓが過度に低下しないとの観点から、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］は、２３．０ｔ％以下が好ましく、２０．０ａｔ％以下がより好ましい。
［（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０］
ＦｅＣｏ系合金の主成分は、Ｆｅ及びＣｏである。Ｆｅ及びＣｏを主成分として形成される軟磁性層は、飽和磁束密度Ｂｓに優れる。ここで、主成分とは、Ｆｅ及びＣｏの合計含有率が少なくとも５０ａｔ％であることを意味する。磁気記録媒体に適した軟磁性層が得られるとの観点から、Ｆｅ及びＣｏの合計含有率（ａｔ％）に対するＦｅの含有率（ａｔ％）の比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、０．２０以上０．８０以下であり、０．３０以上０．７０以下が好ましく、０．４０以上０．６５以下がより好ましい。
ＦｅＣｏ系合金の主成分は、Ｆｅ及びＣｏである。Ｆｅ及びＣｏを主成分として形成される軟磁性層は、飽和磁束密度Ｂｓに優れる。ここで、主成分とは、Ｆｅ及びＣｏの合計含有率が少なくとも５０ａｔ％であることを意味する。磁気記録媒体に適した軟磁性層が得られるとの観点から、Ｆｅ及びＣｏの合計含有率（ａｔ％）に対するＦｅの含有率（ａｔ％）の比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、０．２０以上０．８０以下であり、０．３０以上０．７０以下が好ましく、０．４０以上０．６５以下がより好ましい。
［ミクロ組織］
本発明に係るＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＴＣＲ元素及びＴＡＭ元素を、前述した成分組成で含有していることに加えて、磁性相である（Ｆｅ，Ｃｏ）相のサイズ及び数が制御されたミクロ組織を有している。このミクロ組織によって、ＦｅＣｏ系合金の磁気特性が適正な範囲に低下することで、厚肉のターゲット材によっても安定したスパッタリングが可能になる。さらには、厚肉のターゲット材の使用が可能となることで軟磁性層の生産効率が向上し、結果として、磁気記録媒体の生産性が向上する。
本発明に係るＦｅＣｏ系合金は、Ｆｅ、Ｃｏ、ＴＣＲ元素及びＴＡＭ元素を、前述した成分組成で含有していることに加えて、磁性相である（Ｆｅ，Ｃｏ）相のサイズ及び数が制御されたミクロ組織を有している。このミクロ組織によって、ＦｅＣｏ系合金の磁気特性が適正な範囲に低下することで、厚肉のターゲット材によっても安定したスパッタリングが可能になる。さらには、厚肉のターゲット材の使用が可能となることで軟磁性層の生産効率が向上し、結果として、磁気記録媒体の生産性が向上する。
具体的には、このＦｅＣｏ系合金のミクロ組織は、Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含む金属間化合物相とから形成されている。本願明細書において、「ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含む金属間化合物相」とは、その比率によらず、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素と、Ｆｅ及び／又はＣｏとの反応によって形成される金属間化合物の相を意味する。
このＦｅＣｏ系合金のミクロ組織を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察するとき、無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、その内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は５個以上である。ここで、「その内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数が５個以上」とは、換言すれば、このミクロ組織では、磁性相である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の多くが分断されていて、同相によるネットワーク化が抑制されたミクロ組織に制御されていることを意味する。（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワーク化が抑制されるとは、相対的に、非磁性相である金属間化合物相のネットワーク化が進行し、金属間化合物相による（Ｆｅ，Ｃｏ）相の分断が促進され、その結果、（Ｆｅ，Ｃｏ）相によるネットワークの全長が短くなることを意味する。形成される（Ｆｅ，Ｃｏ）相の総面積は合金組成により決定されるので、（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワークの全長が短くなれば、その幅は大きくなる。これは、最小外接円の直径が小さく、かつ、最大内接円の直径が大きい（Ｆｅ，Ｃｏ）相の個数が増加することを意味する。
他の観点から、本発明に係るＦｅＣｏ系合金のミクロ組織を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察するとき、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個である。ここで、「その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は０個」とは、換言すれば、このミクロ組織では、（Ｆｅ，Ｃｏ）相が金属間化合物相により分断され、その結果、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の過大なネットワーク化が抑制されていることを意味する。
ここで、「最大内接円」とは、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に包含される仮想の円のうち、直径が最大となる円であり、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の輪郭と少なくとも２点で内接し、この輪郭と交差せずに描かれうる最大の円として定義される。また、「最小外接円」とは、（Ｆｅ，Ｃｏ）相を内包することができる仮想の円のうち、直径が最小となる円であり、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の輪郭と少なくとも２点で外接し、この輪郭と交差せずに描かれうる最小の円として定義される。
以下、図３の走査型電子顕微鏡画像を参照して、本発明に係るＦｅＣｏ系合金のミクロ組織を具体的に説明する。図３中、黒色部分がＦｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相であり、白色部分がＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含む金属間化合物相である。例えば、（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ｂと（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ｃとは、金属間化合物相により分断されている。換言すれば、（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ｂと（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ｃとは、ネットワーク化されていない。また、図３中、符号１で示される破線の円が、（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ａの最大内接円であり、符号２で示される一点破線の円が、（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ａの最小外接円である。この（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ａの内部に描かれる最大内接円の直径は１．８μｍ以上であり、かつ、（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ａの外部を囲む最小外接円の直径は、３０μｍ以下である。この（Ｆｅ，Ｃｏ）相Ａは部分的にネットワーク化されているが、そのネットワークが過大にならないように制御されている。図３の面積３２５０μｍ２の視野において、「その内部に直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相」の数Ｎは５個以上と認められる。また、図３のミクロ組織には、最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相は存在しない。即ち、このミクロ組織では、磁性相である（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワーク化が抑制されている。
（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワークが形成されたミクロ組織を有するターゲット材では、（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワークが磁気回路のように働いて、ターゲット材の内部（即ち、ＦｅＣｏ系合金の内部）で軟磁気特性が向上し、またＰＴＦ（Pass Through Flux）が低下するため、マグネトロンスパッタリング時に安定した放電がしにくく、スパッタリング加工が困難になる傾向にある。これに対し、面積３２５０μｍ２の視野において、その内部に描かれる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数が５個以上のミクロ組織、及び、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数が０個であるミクロ組織では、Ｆｅ及びＣｏ含有率が比較的高い場合でも、（Ｆｅ，Ｃｏ）相同士がネットワーク状に連結することが回避され、かつ、非磁性相である金属間化合物相が（Ｆｅ、Ｃｏ）相により分断されることが回避される。このようなミクロ組織を有するターゲット材では、磁気性能の過剰な増大が抑制され、スパッタリング時の放電安定性が向上する。この観点から、面積３２５０μｍ２の視野において、その内部に直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数は、６個以上が好ましく、８個以上がより好ましく、１０個以上がさらに好ましい。
本願明細書において、「その内部に直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数」は、試験片のＳＥＭ観察をおこなって、視野面積が３２５０μｍ２となるように、例えば、縦５０μｍ、横６５μｍの視野を無作為に選択して、最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相を計数することにより得られる。また、「その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数」は、得られたＳＥＭ画像において、最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相を計数することにより求めることができる。なお、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことのできる最大内接円の直径及びその外部を囲む最小外接円の直径は、ＳＥＭ画像を画像処理することにより測定される。画像処理には、市販の画像解析ソフトが用いられうる。
［スパッタリングターゲット材］
本発明に係るスパッタリングターゲット材の材質は、前述した成分組成及びミクロ組織を有するＦｅＣｏ系合金である。このターゲット材は、磁気記録媒体の軟磁性層の製造に適している。
本発明に係るスパッタリングターゲット材の材質は、前述した成分組成及びミクロ組織を有するＦｅＣｏ系合金である。このターゲット材は、磁気記録媒体の軟磁性層の製造に適している。
このターゲット材は、例えば、原料である合金粉末をＨＩＰ成形（熱間等方圧プレス）して成形体を形成し、この成形体を機械的手段等で適正な形状に加工することにより得られうる。ＨＩＰ成形の、好ましい圧力は９０～１５０ＭＰａであり、好ましい温度は１０００～１２００℃である。
本発明に係るＦｅＣｏ系合金からなる粉末は、アトマイズによって得られうる。好ましいアトマイズは、ガスアトマイズである。この合金粉末に、必要に応じ、分級（例えば、目開き３００μｍの篩を用いた篩分級）がなされる。この分級後の粉末が、ＨＩＰ成形に用いられうる。
好ましくは、平均粒子径が１０μｍ以上８０μｍ以下の合金粉末を原料として得られるターゲット材である。平均粒子径が１０μｍ未満の合金粉末では、外周部の酸素値が増加する。そのため、スパッタリング時に、酸化物に起因するパーティクルの発生が増加しやすい。パーティクル発生低減の観点から、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上の平均粒子径に調整した合金粉末を原料として得られるターゲット材である。また、平均粒子径が８０μｍを超える合金粉末を用いて得られるターゲット材では、ミクロ組織に形成される（Ｆｅ，Ｃｏ）相のサイズが小さくなり、磁気性能が低下する場合がある。この観点から、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下の平均粒子径に調整した合金粉末を原料として得られるターゲット材である。
本願明細書において、特に記載がない限り、「平均粒子径」は、レーザー回折散乱法により得られる体積基準の累積カーブにおいて、累積体積が５０％である点の粒子径Ｄ５０（メジアン径）である。ＦｅＣｏ系合金粉末の平均粒子径Ｄ５０は、例えば、市販のレーザー回折・散乱式粒子径分布測定装置により測定される。この装置のセル内に、合金粉末が純水と共に流し込まれ、得られる粒子の光散乱情報に基づいて、累積カーブが作成され、平均粒子径Ｄ５０が求められる。この装置の一例として、日機装社の「マイクロトラックＭＴ３０００」が挙げられる。
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされるが、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。なお、特に言及がない限り、試験温度は、全て室温（２５℃±５℃）である。
［原料粉末の製造］
表１－２に示される組成となるように、各原料を秤量して、耐火物からなる坩堝に投入して、減圧下、Ａｒガス雰囲気又は真空雰囲気で、誘導加熱により溶解した。その後、溶解した溶湯を、坩堝下部に設けられた小孔（直径８ｍｍ）から流出させ、高圧のＡｒガスを用いてガスアトマイズすることにより、実施例Ｎｏ．１－１３及び比較例Ｎｏ．１４－２１のＦｅＣｏ系合金粉末を得た。
表１－２に示される組成となるように、各原料を秤量して、耐火物からなる坩堝に投入して、減圧下、Ａｒガス雰囲気又は真空雰囲気で、誘導加熱により溶解した。その後、溶解した溶湯を、坩堝下部に設けられた小孔（直径８ｍｍ）から流出させ、高圧のＡｒガスを用いてガスアトマイズすることにより、実施例Ｎｏ．１－１３及び比較例Ｎｏ．１４－２１のＦｅＣｏ系合金粉末を得た。
［スパッタリングターゲット材の製造］
実施例Ｎｏ．１－１３及び比較例Ｎｏ．１４－２１のＦｅＣｏ系合金粉末を、それぞれ、以下の手順によりＨＩＰ成形（熱間等方圧プレス）して、スパッタリングターゲット材を製造した。
実施例Ｎｏ．１－１３及び比較例Ｎｏ．１４－２１のＦｅＣｏ系合金粉末を、それぞれ、以下の手順によりＨＩＰ成形（熱間等方圧プレス）して、スパッタリングターゲット材を製造した。
始めに、得られた合金粉末を、目開き３００μｍの篩を用いて分級した。分級後の合金粉末の平均粒子径（メジアン径）を前述した方法により測定した結果が、下表１－２に示されている。
次に、篩分級後の粉末を、炭素鋼で形成された缶（直径１２０ｍｍ、長さ２０ｍｍ）に充填して真空脱気した後、ＨＩＰ装置を用いて、温度１０００～１２００℃、圧力９０～１５０ＭＰａ、保持時間５～１０時間の条件で焼結し、焼結体を作製した。この焼結体を、ワイヤーカット、旋盤加工及び平面研磨により加工して、直径９５ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲット材を作製した。
［走査型電子顕微鏡観察］
得られたターゲット材Ｎｏ．１－２１から、それぞれ試験片を採取して、各試験片の断面を研磨した。各試験片の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、縦５０μｍ、横６５μｍ（面積３２５０μｍ２）の領域を無作為に選択して、１０視野撮影した。その後、画像解析をおこなって、（Ｆｅ，Ｃｏ）相に描かれる最大内接円の直径と、最小外接円の直径とを測定し、直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数を記録した。１０視野で計測した数値の平均値が、数Ｎ１として下表１－２に示されている。同様に、最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数を記録した。１０視野で計測した結果が、数Ｎ２として下表１－２に示されている。
得られたターゲット材Ｎｏ．１－２１から、それぞれ試験片を採取して、各試験片の断面を研磨した。各試験片の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、縦５０μｍ、横６５μｍ（面積３２５０μｍ２）の領域を無作為に選択して、１０視野撮影した。その後、画像解析をおこなって、（Ｆｅ，Ｃｏ）相に描かれる最大内接円の直径と、最小外接円の直径とを測定し、直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数を記録した。１０視野で計測した数値の平均値が、数Ｎ１として下表１－２に示されている。同様に、最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数を記録した。１０視野で計測した結果が、数Ｎ２として下表１－２に示されている。
Ｎｏ．１及びＮｏ．１８のターゲット材について得られたＳＥＭ画像が、それぞれ図１及び図２に示されている。図中、矢印で示された黒色部分が（Ｆｅ，Ｃｏ）相であり、白色部分が、ＴＣＲ元素又はＴＡＭ元素を含む金属間化合物相である。図１に示される通り、実施例であるＮｏ．１のミクロ組織には、その内部に直径１．８μｍ以上の最大内接円を描くことができ、かつ、その外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下の（Ｆｅ，Ｃｏ）相を、面積３２５０μｍ２の視野中、５個以上確認することができる。また、Ｎｏ．１のミクロ組織には、最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相が存在せず、（Ｆｅ，Ｃｏ）相のネットワーク化が抑制されていることを確認した。一方、図２に示される通り、比較例であるＮｏ．１８のミクロ組織では、最小外接円の直径３０μｍを超える最小外接円を有する（Ｆｅ，Ｃｏ）相が複数確認された。また、Ｎｏ．１８のミクロ組織中、最大内接円の直径が１．８μｍ以上、かつ、最小外接円の直径が３０μｍ以下（Ｆｅ．Ｃｏ）相の数Ｎ１は５未満であった。
［スパッタリング性評価］
得られたターゲット材Ｎｏ．１－２１（厚さ５ｍｍ）を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタにて、以下の条件でスパッタリングをおこなって、放電状態の安定性を評価した。評価結果が、下表１－２に示されている。表中、安定して放電したものがＡ、放電が不安定だったものがＢ、放電しなかったものがＣとして示されている。
基板：ガラス基板（厚さ１ｍｍ）
チャンバー内雰囲気：アルゴンガス（純度９９．９９％）
チャンバー内圧：圧力０．６Ｐａ
得られたターゲット材Ｎｏ．１－２１（厚さ５ｍｍ）を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタにて、以下の条件でスパッタリングをおこなって、放電状態の安定性を評価した。評価結果が、下表１－２に示されている。表中、安定して放電したものがＡ、放電が不安定だったものがＢ、放電しなかったものがＣとして示されている。
基板：ガラス基板（厚さ１ｍｍ）
チャンバー内雰囲気：アルゴンガス（純度９９．９９％）
チャンバー内圧：圧力０．６Ｐａ
［合金薄膜の物性］
前述の条件でのスパッタリングにより作成し合金薄膜（厚さ５００ｎｍ）の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）、非晶質性及び耐食性を評価した。なお、放電不安定（評価：Ｂ）又は放電不能（評価：Ｃ）だったＮｏ．１４、１５及び１８－２１については、ターゲット材の厚さを２ｍｍに変更してスパッタリングをおこない、合金薄膜（厚さ５００ｎｍ）を作成して評価した。各評価方法の詳細は、以下の通りである。
前述の条件でのスパッタリングにより作成し合金薄膜（厚さ５００ｎｍ）の飽和磁束密度Ｂｓ（Ｔ）、非晶質性及び耐食性を評価した。なお、放電不安定（評価：Ｂ）又は放電不能（評価：Ｃ）だったＮｏ．１４、１５及び１８－２１については、ターゲット材の厚さを２ｍｍに変更してスパッタリングをおこない、合金薄膜（厚さ５００ｎｍ）を作成して評価した。各評価方法の詳細は、以下の通りである。
［飽和磁束密度Ｂｓ］
ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）を使用し、印加磁場１２００ｋＡ／ｍで、室温における飽和磁束密度Ｂｓを測定した。なお、飽和磁束密度Ｂｓの算出に必要な試料の体積は、合金薄膜の面積と、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察で求めた合金薄膜の厚さとから算出した。得られた結果が、下表１－２に示されている。
ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）を使用し、印加磁場１２００ｋＡ／ｍで、室温における飽和磁束密度Ｂｓを測定した。なお、飽和磁束密度Ｂｓの算出に必要な試料の体積は、合金薄膜の面積と、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察で求めた合金薄膜の厚さとから算出した。得られた結果が、下表１－２に示されている。
［非晶質性］
ガラス板に両面テープで合金薄膜を貼り付け、Ｘ線回折装置にて回折パターンを得た。回折の条件は、下記の通りである。
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線
スキャンスピード：４°／ｍｉｎ
非晶質材料のＸ線回折パターンでは、回折ピークが見られず、非晶質特有のハローパターンが得られる。不完全な非晶質材料のＸ線回折パターンでは、回折ピークは見られるが、結晶質材料の回折ピークと比較するとピークの高さが低く、かつハローパターンも見られる。そこで、下記の基準に基づき、格付けをおこなった。この結果が、下記の表１－２に示されている。
Ａ：ハローパターンが見られる
Ｃ：ハローパターンが見られない
ガラス板に両面テープで合金薄膜を貼り付け、Ｘ線回折装置にて回折パターンを得た。回折の条件は、下記の通りである。
Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線
スキャンスピード：４°／ｍｉｎ
非晶質材料のＸ線回折パターンでは、回折ピークが見られず、非晶質特有のハローパターンが得られる。不完全な非晶質材料のＸ線回折パターンでは、回折ピークは見られるが、結晶質材料の回折ピークと比較するとピークの高さが低く、かつハローパターンも見られる。そこで、下記の基準に基づき、格付けをおこなった。この結果が、下記の表１－２に示されている。
Ａ：ハローパターンが見られる
Ｃ：ハローパターンが見られない
［耐食性］
スパッタリング後の合金薄膜をガラス基板毎１０×２５ｍｍに切り出して、１０質量％の硝酸溶液１０ｍｌに浸漬した。６０ｍｉｎ浸漬後の硝酸溶液を採取して試験液とし、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析装置により、試験液中のＦｅイオン及びＣｏイオンの含有量を定量した。得られたＦｅイオン及びＣｏイオンの合計量を、試験液の容積で除すことにより算出した値が、溶出量（ｍｇ／ｌ）として下表１－２に示されている。
スパッタリング後の合金薄膜をガラス基板毎１０×２５ｍｍに切り出して、１０質量％の硝酸溶液１０ｍｌに浸漬した。６０ｍｉｎ浸漬後の硝酸溶液を採取して試験液とし、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析装置により、試験液中のＦｅイオン及びＣｏイオンの含有量を定量した。得られたＦｅイオン及びＣｏイオンの合計量を、試験液の容積で除すことにより算出した値が、溶出量（ｍｇ／ｌ）として下表１－２に示されている。
表１のＮｏ．１－１３は実施例のＦｅＣｏ系合金であり、表２のＮｏ．１４－２１は比較例のＦｅＣｏ系合金である。表１に示される通り、実施例のＦｅＣｏ系合金によれば、厚さ５ｍｍのターゲット材を用いた安定したスパッタリングが可能であり、耐食性に優れた軟磁性層となりうる合金薄膜を得ることができた。
これに対し、Ｎｏ．１４は、ＴＣＲ元素を含まず、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］が低く、所定のサイズの（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ１も少なく、大きくネットワーク化された（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ２が多い。そのため、Ｎｏ．１４は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、厚さ５ｍｍのターゲット材でのスパッタリングが不安定であり、得られる合金薄膜は非晶質性及び耐食性に劣るものであった。
Ｎｏ．１５は、ＴＡＭ元素が少なく、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］が低く、所定のサイズの（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ１も少なく、大きくネットワーク化された（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ２が多い。そのため、Ｎｏ．１５は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、厚さ５ｍｍのターゲット材でのスパッタリングが不安定であり、得られる合金薄膜は非晶質性に劣るものであった。
Ｎｏ．１６は、ＴＣＲ元素が過剰であり、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］が高いため、飽和磁束密度Ｂｓが過度に低い合金薄膜となった。また、Ｎｏ．１７は、ＴＡＭ元素が過剰であり、値［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］が高いため、飽和磁束密度Ｂｓが過度に低い合金薄膜となった。
Ｎｏ．１８－２０は、成分組成が適切であるものの、所定のサイズの（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ１が少なく、大きくネットワーク化された（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ２が多いため、厚さ５ｍｍのターゲット材では放電できなかった。Ｎｏ．２１は、Ｆｅ含有量が高いために飽和磁束密度Ｂｓが低くなり、所定サイズの（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ１も少なく、大きくネットワーク化された（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数Ｎ２が多いため、安定したスパッタリングができなかった。
表１及び２に示されるように、本発明に係るＦｅＣｏ系合金から、諸性能に優れた軟磁性層が得られうる。この評価結果から、本発明の優位性は明らかである。
以上説明されたＦｅＣｏ系合金は、種々の磁気記録媒体の軟磁性層に適している。
１・・・最大内接円
２・・・最小外接円
２・・・最小外接円
Claims (3)
- Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含み、その残部がＦｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物であり、
上記ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、上記ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たし、
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、上記ＴＣＲ元素又は上記ＴＡＭ元素を含む金属間化合物相とからなるミクロ組織を有しており、
上記ミクロ組織において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍを超える（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数が０個である、磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金。 - Ｒｕ及びＲｅから選択される１種以上のＴＣＲ元素と、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ及びＷから選択される１種以上のＴＡＭ元素と、を含み、その残部がＦｅ、Ｃｏ及び不可避的不純物であり、
上記ＴＣＲ元素の合計含有率ＴＣＲ（ａｔ％）、上記ＴＡＭ元素の合計含有率ＴＡＭ（ａｔ％）、並びに、Ｆｅ及びＣｏの含有率（ａｔ％）が、下記式（１）－（４）を全て満たし、
（１）０．１≦ＴＣＲ≦１０．０
（２）１１．０≦ＴＡＭ≦２５．０
（３）１６．０≦［ＴＣＲ／２＋ＴＡＭ］≦２５．０
（４）０．２０≦［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］≦０．８０
Ｆｅ及び／又はＣｏを主体とする（Ｆｅ，Ｃｏ）相と、上記ＴＣＲ元素又は上記ＴＡＭ元素を含む金属間化合物相とからなるミクロ組織を有しており、
上記ミクロ組織の無作為に選択された面積３２５０μｍ２の視野において、（Ｆｅ，Ｃｏ）相の内部に描くことができる最大内接円の直径が１．８μｍ以上であり、かつ、その相の外部を囲む最小外接円の直径が３０μｍ以下である（Ｆｅ，Ｃｏ）相の数が５個以上である、磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金。 - その材質が請求項１又は２に記載のＦｅＣｏ系合金である、磁気記録媒体の軟磁性層用スパッタリングターゲット材。
Priority Applications (1)
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| JP2022056372A JP2023148386A (ja) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金 |
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| JP2022056372A JP2023148386A (ja) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金 |
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| JP2023148386A true JP2023148386A (ja) | 2023-10-13 |
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Family Applications (1)
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| JP2022056372A Pending JP2023148386A (ja) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 磁気記録媒体の軟磁性層用ＦｅＣｏ系合金 |
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2022
- 2022-03-30 JP JP2022056372A patent/JP2023148386A/ja active Pending
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