JP2023140628A - 被加工物の加工方法 - Google Patents

被加工物の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023140628A
JP2023140628A JP2022046557A JP2022046557A JP2023140628A JP 2023140628 A JP2023140628 A JP 2023140628A JP 2022046557 A JP2022046557 A JP 2022046557A JP 2022046557 A JP2022046557 A JP 2022046557A JP 2023140628 A JP2023140628 A JP 2023140628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
workpiece
center line
groove
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022046557A
Other languages
English (en)
Inventor
芳昌 小嶋
Yoshimasa Kojima
敦嗣 久保
Atsushi Kubo
聡 花島
Satoshi Hanashima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2022046557A priority Critical patent/JP2023140628A/ja
Priority to KR1020230032218A priority patent/KR20230138408A/ko
Priority to CN202310251451.1A priority patent/CN116805610A/zh
Priority to EP23162295.2A priority patent/EP4254471A1/en
Priority to TW112110232A priority patent/TW202338946A/zh
Priority to US18/186,339 priority patent/US20230302580A1/en
Publication of JP2023140628A publication Critical patent/JP2023140628A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D5/00—Arrangements for operating and controlling machines or devices for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
    • B26D5/007—Control means comprising cameras, vision or image processing systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Forests & Forestry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)

Abstract

【課題】被加工物の両面において一致させる必要のある中心線同士の位置が所定平面内でずれた場合には、両者を一致させる様に加工位置を修正した上で、加工を進める。【解決手段】第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、第１の撮像ユニットで第１の加工溝を撮像すると共に、保持テーブルに対して第１の撮像ユニットとは反対側に設けられた第２の撮像ユニットで、被加工物の厚さ方向で該第１の加工溝に対応する位置にある所定ラインを撮像する撮像工程と、第１の加工溝の第１の中心線の位置と所定ラインの第２の中心線の位置とが所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、検出工程において第１の中心線の位置と第２の中心線の位置とが一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、を備える被加工物の加工方法を提供する。【選択図】図７

Description

本発明は、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで保持された被加工物を加工する被加工物の加工方法に関する。
携帯電話、パーソナルコンピュータ等の電子機器には、デバイスチップが搭載されている。デバイスチップは、通常、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイスが表面側に複数個形成されたシリコンウェーハ等の被加工物を分割して製造される。
被加工物を分割するためには、例えば、切削装置が用いられる。切削装置は、被加工物を吸引保持するための保持面を有するチャックテーブルを備える。チャックテーブルの上方には、切削ブレードが装着されたスピンドルを有する切削ユニットが設けられている。
被加工物を分割する際には、通常、まず、被加工物の裏面側を保持面で吸引保持すると共に、被加工物の表面側を上方に露出させる。次に、被加工物の表面に格子状に設定された複数の分割予定ラインに沿って、切削ブレードを順次切り込んで被加工物を切削し、被加工物を個々のデバイスチップに分割する。
被加工物を分割する際には、切削加工時にクラックやチッピングの発生を抑制するために、表面及び裏面の各々に切削溝を形成した後、切削溝同士を接続する様に、被加工物を切断する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の加工方法では、被加工物の表面及び裏面において、被加工物の厚さ方向で互いに対応する位置となる様に断面視でＶ字形状を有するＶ字形状溝をそれぞれ形成し、その後、表面及び裏面のＶ字形状溝同士を接続する様に被加工物を切断する。
そのために、特許文献１に記載の加工方法では、まず、複数の分割予定ラインが設定されている被加工物の表面側をチャックテーブルで吸引保持し、被加工物の裏面を上方に露出させる。次いで、チャックテーブルの複数箇所に形成されているアライメント用窓及び覗き窓を介して、表面側のアライメントマーク（ターゲットマーク）を撮像する。
アライメントを行った後、被加工物の裏面側に、分割予定ラインに沿ってＶ字形状溝を形成する。そして、被加工物の表裏を反転して、表面側にもＶ字形状溝を形成する。その後、被加工物の厚さ方向で対応する位置にある各Ｖ字形状溝を接続する様に、Ｖ字形状溝の幅よりも小さい刃厚を有する切削ブレードで被加工物を切断する。
しかし、上述の切削装置を用いて被加工物の裏面側を切削する場合、例えば、表面側のアライメントマークの形状に歪みがあると、切削ブレードの位置合わせずれに起因して、表面側のＶ字形状溝の中心線（即ち、Ｖ字形状溝の長手方向と直交するＶ字形状溝の幅方向におけるＶ字形状溝の幅の中心位置を通り、且つ、当該長手方向と平行である中心線）の位置と、裏面側のＶ字形状溝の中心線の位置とが、所定の平面内でずれることがある。
ところで、被加工物の表面から裏面まで被加工物を切断する場合には、被加工物の厚さ方向に対して切削ブレードが斜めに切り込まれることにより、所謂、斜め切りが生じる場合がある（例えば、特許文献２参照）。斜め切りが生じると、通常、裏面に露出する切削溝の中心線の位置と、表面に露出する切削溝の中心線の位置とが、所定の平面内でずれる。
それゆえ、表面に露出する切削溝の中心線の位置と、表面の分割予定ラインの中心線の位置とを、所定の平面内で一致させると、今度は、裏面に露出する切削溝の中心線の位置と、表面の分割予定ラインの中心線の位置とが、所定の平面内でずれることになる。
しかし、斜め切りが生じる場合であっても、デバイスチップの形状の仕様要求を満たすために、裏面に露出する切削溝の中心線の位置と、表面の分割予定ラインの中心線の位置とを、所定の平面内で一致させることが必要な場合がある。
特開平６－２７５５８３号公報 特開２０２０－１１３６３５号公報
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、被加工物の両面において一致させる必要のある中心線同士の位置が所定の平面内でずれた場合には、両者を一致させる様に加工位置を修正した上で、加工を進めることを目的とする。
本発明の一態様によれば、被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面側を保持して該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を露出させた状態で、該表面側には到達しない深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物を保持した状態で第１の撮像ユニットで該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルに対して該第１の撮像ユニットとは反対側に設けられた第２の撮像ユニットで、該表面に設けられ且つ該被加工物の厚さ方向で該第１の加工溝に対応する位置にある所定ラインを撮像する撮像工程と、該撮像工程の後、該第１の撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該第２の撮像ユニットで撮像した該所定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、を備える被加工物の加工方法が提供される。
好ましくは、該撮像工程の前に、該保持テーブルで該裏面側を保持して該表面側を露出させた状態で、該被加工物の厚さ方向で該第１の加工溝の反対側に位置し、且つ、該第１の加工溝に到達しない深さを有する第２の加工溝を、第２の加工ユニットを用いて形成する第２の加工溝形成工程を更に備え、該所定ラインは、該表面に位置する該第２の加工溝の開口であり、該検出工程では、該第１の撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の該第１の中心線の位置と、該第２の撮像ユニットで撮像した該第２の加工溝の該第２の中心線の位置とが、所定の平面内で一致しているか否かを検出し、該修正工程では、該第２の加工ユニットの加工位置を修正する。
また、好ましくは、該第１の加工ユニット及び該第２の加工ユニットの少なくとも一方は、断面視での外周端部がＶ字形状を有する切削ブレードを有し、該第１の加工溝及び該第２の加工溝の少なくとも一方は、該切削ブレードの外周端部の形状に応じて、断面視でＶ字形状を有する。
また、好ましくは、該第１の加工ユニット及び該第２の加工ユニットの少なくとも一方は、該被加工物に吸収される波長を有するパルス状のレーザービームを照射可能なレーザー照射ユニットである。
また、好ましくは、当該加工方法は、該被加工物の厚さ方向で対応する位置にある該第１の加工溝及び該第２の加工溝が接続する様に、第３の加工ユニットで該被加工物を分割する分割工程を更に備える。
また、好ましくは、該所定ラインは、該表面に設定された分割予定ラインであり、該撮像工程では、該分割予定ラインを該第２の撮像ユニットで撮像し、該修正工程では、該第１の加工ユニットの加工位置を修正する。
本発明の他の態様によれば、被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面側を保持して該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を露出させた状態で、該表面に到達する深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物の該表面側を吸引保持した状態で該保持テーブルの上方に位置する上側撮像ユニットで該裏面に露出する該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルの下方に位置する下側撮像ユニットで、該表面側に設けられているアライメントマークを撮像する撮像工程と、該撮像工程の後、該上側撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該下側撮像ユニットで撮像した該アライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、を備える被加工物の加工方法が提供される。
本発明の更なる他の態様によれば、被加工物の加工方法であって、該被加工物の裏面側を保持して該裏面とは反対側に位置する該被加工物の表面側を露出させた状態で、該裏面に到達する深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物の該裏面側を吸引保持した状態で該保持テーブルの下方に位置する下側撮像ユニットで該裏面に露出する該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルの上方に位置する上側撮像ユニットで、該表面側に設けられているアライメントマークを撮像する撮像工程と、該撮像工程の後、該下側撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該上側撮像ユニットで撮像した該アライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、を備える被加工物の加工方法が提供される。
本発明の一態様に係る加工方法では、被加工物の裏面側に形成された第１の加工溝を第１の撮像ユニットで撮像すると共に、被加工物の表面に設けられ、且つ、被加工物の厚さ方向で第１の加工溝に対応する位置にある所定ラインを第２の撮像ユニットで撮像する（撮像工程）。
撮像工程の後、第１の撮像ユニットで撮像した第１の加工溝の第１の中心線の位置と、第２の撮像ユニットで撮像した所定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する（検出工程）。そして、第１の中心線の位置と、第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する（修正工程）。
この様に、被加工物の表面及び裏面を直接的に観察することにより第１の中心線の位置と第２の中心線の位置とのずれを検出するので、仮に中心線同士の位置ずれが生じた場合でも、中心線同士の位置が一致する様に修正したうえで、被加工物を加工できる。それゆえ、被加工物の加工精度を向上できる。
本発明の他の態様に係る加工方法では、上側撮像ユニットで撮像した第１の加工溝の第１の中心線の位置と、下側撮像ユニットで撮像したアライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する。
本発明の更なる他の態様に係る加工方法では、下側撮像ユニットで撮像した第１の加工溝の第１の中心線の位置と、上側撮像ユニットで撮像したアライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する。
それゆえ、斜め切りが生じる場合であっても、第１の中心線の位置と、第２の中心線の位置と、を一致させることができる。この様に、被加工物の両面において一致させる必要のある中心線同士を一致させることができる。
切削装置の斜視図である。 被加工物ユニットの斜視図である。 チャックテーブルの斜視図である。 チャックテーブルの一部断面側面図である。 図４の領域Ａの拡大図である。 下側撮像ユニットの拡大斜視図である。 加工方法のフロー図である。 第１の加工溝形成工程を示す図である。 反転工程後の被加工物の断面図である。 第２の加工溝形成工程を示す図である。 撮像工程を示す図である。 図１２（Ａ）は上側撮像ユニットで取得した画像の一例であり、図１２（Ｂ）は下側撮像ユニットで取得した画像の一例である。 図１３（Ａ）は加工溝の中心線同士の位置が一致している場合の断面図であり、図１３（Ｂ）は加工溝の中心線同士の位置がずれている場合の断面図である。 追加の第２の加工溝形成工程を示す図である。 分割工程を示す図である。 第２の実施形態に係る第１の加工溝形成工程を示す図である。 第２の実施形態に係る第２の加工溝形成工程を示す図である。 第２の実施形態に係る撮像工程を示す図である。 第２の実施形態に係る追加の第２の加工溝形成工程を示す図である。 第２の実施形態に係る分割工程を示す図で合ある。 第３の実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。 第３の実施形態に係る第１の加工溝形成工程を示す図である。 第３の実施形態に係る第２の加工溝形成工程を示す図である。 第３の実施形態に係る撮像工程を示す図である。 第３の実施形態に係る追加の第２の加工溝形成工程を示す図である。 第３の実施形態に係る分割工程を示す図である。 図２７（Ａ）は拡張装置等の一部断面側面図であり、図２７（Ｂ）は第４の実施形態に係る分割工程を示す図である。 第５の実施形態に係る加工方法のフロー図である。 第５の実施形態に係る第１の加工溝形成工程を示す図である。 第５の実施形態に係る撮像工程を示す図である。 図３１（Ａ）は第５の実施形態において中心線同士の位置が一致している場合の断面図であり、図３１（Ｂ）は第５の実施形態において中心線同士の位置が一致していない場合の断面図である。 第６の実施形態に係る第１の加工溝形成工程を示す図である。 第６の実施形態に係る撮像工程を示す図である。 第７の実施形態に係る撮像工程を示す図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る切削装置２の斜視図である。なお、図１では、構成要素の一部を機能ブロックで示す。
図１に示すＸ軸方向（加工送り方向）、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向（鉛直方向）は、互いに直交する。Ｘ軸方向は、＋Ｘ及び－Ｘ方向と平行である。同様に、Ｙ軸方向は、＋Ｙ及び－Ｙ方向と平行であり、Ｚ軸方向は、＋Ｚ及び－Ｚ方向と平行である。
切削装置２は、各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の前方（＋Ｙ方向）の角部には、開口４ａが形成されており、開口４ａ内には、カセットエレベータ（不図示）が設けられている。カセットエレベータの上面には、複数の被加工物１１（図２参照）を収容するためのカセット６が載せられる。
被加工物１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）等の半導体材料で形成された円板状の単結晶基板（ウェーハ）を含む。但し、被加工物１１の形状、構造、大きさ等に制限はない。被加工物１１は、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料で形成された基板を有してもよい。
図２に示す様に、被加工物１１の表面１１ａ側には、格子状に複数の分割予定ライン１３が設定されている。複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域には、ＩＣ等のデバイス１５、アライメントマーク（不図示）等が形成されている。
表面１１ａ側には、被加工物１１の径よりも大径のテープ（ダイシングテープ）１７が貼り付けられている。テープ１７は、基材層と、粘着層（糊層）との積層構造を有し、可視光、赤外光等の所定の波長帯域の光が透過可能な透明な材料で形成されている。
基材層は、例えば、ポリオレフィン（ＰＯ）等で形成されている。粘着層は、例えば、紫外線（ＵＶ）硬化型のアクリル樹脂等の粘着性樹脂で形成されている。このテープ１７の粘着層の中央部には、被加工物１１の表面１１ａが貼り付けられている。
テープ１７の外周部分には、金属で形成された環状のフレーム１９の一面が貼り付けられ、被加工物１１がテープ１７を介してフレーム１９で支持された被加工物ユニット２１が、形成されている。
図２は、被加工物ユニット２１の斜視図である。被加工物ユニット２１は、表面１１ａとは反対側に位置する被加工物１１の裏面１１ｂが露出した状態で、カセット６に収容されている。
図１に示す様に、開口４ａの後方（－Ｙ方向）には、矩形の開口４ｂが形成されている。開口４ｂには、円板状のチャックテーブル（保持テーブル）１０が配置されている。チャックテーブル１０の外周部には、円周方向に沿って複数の吸引口が形成された円環状のフレーム吸引板（不図示）が設けられる。
ここで、図３から図６を参照して、チャックテーブル１０等について更に詳しく説明する。図３は、チャックテーブル１０の斜視図であり、図４は、チャックテーブル１０の一部断面側面図である。但し、図４では、便宜上、ハッチングを省略している。
図５は、図４の領域Ａの拡大図である。図５では、構成要素の一部を機能ブロックで示す。チャックテーブル１０は、円板状の保持部材１２を有する。保持部材１２は、略平坦な一面１２ａと、当該一面１２ａとは反対側に位置する略平坦な他面１２ｂと、を含む。
保持部材１２は、可視光、赤外光（例えば、近赤外光）が透過する透明な材料で形成されている。保持部材１２は、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、又は、ソーダガラスで形成されるが、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、又は、フッ化マグネシウムで形成されてもよい。
保持部材１２の内部には、保持部材１２を上面視した場合に円板の中心軸を横切る様に、直線状の第１吸引路１２ｃ１が形成されている。また、一面１２ａに略平行な平面において第１吸引路１２ｃ１と直交する態様で、直線状の第２吸引路１２ｃ２が形成されている。
第１吸引路１２ｃ１及び第２吸引路１２ｃ２は、円板の中心軸に位置する中心点１２ｃ３で互いに接続している。一面１２ａの外周部には、複数の開口部１２ｄが形成されている。各開口部１２ｄは、一面１２ａから他面１２ｂに達しない所定の深さまで形成されている。
第１吸引路１２ｃ１の両端部と、第２吸引路１２ｃ２の両端部とには、それぞれ開口部１２ｄが形成されている。各開口部１２ｄは、保持部材１２の外周部の所定の深さに形成されている外周吸引路１２ｅにより接続されている。
開口部１２ｄの外周側には径方向に沿って延びる吸引路１２ｆが形成されており、吸引路１２ｆには、エジェクタ等の吸引源１４が接続されている（図５参照）。吸引源１４を動作させて負圧を発生させると、開口部１２ｄには負圧が発生する。それゆえ、一面１２ａは、被加工物ユニット２１（被加工物１１）を吸引して保持する保持面として機能する。
第１吸引路１２ｃ１、第２吸引路１２ｃ２、開口部１２ｄ、外周吸引路１２ｅ、吸引路１２ｆ等の流路では、入射した光の一部が散乱又は反射される。それゆえ、保持部材１２の流路は、一面１２ａ又は他面１２ｂから見た場合に、完全に透明ではなく、透光性を有する場合や不透明である場合がある。
しかし、これらの流路を除く保持部材１２の所定の領域は、一面１２ａから他面１２ｂまで透明である。例えば、第１吸引路１２ｃ１及び第２吸引路１２ｃ２により４分割され、且つ、保持部材１２の径方向において外周吸引路１２ｅよりも内側に位置する領域は、一面１２ａから他面１２ｂまで透明である。
保持部材１２の外周には、ステンレス等の金属材料で形成された円筒状の枠体１６が設けられている。枠体１６の上部には開口部１６ａが形成されており（図５参照）、保持部材１２は、この開口部１６ａを塞ぐ様に配置されている。
枠体１６は、図３及び図４に示す様に、Ｘ軸方向移動テーブル１８に支持されている。Ｘ軸方向移動テーブル１８は、長方形の底板１８ａを含む。底板１８ａの前方（＋Ｙ方向）の端部には、長方形の側板１８ｂの下端部が接続されている。
側板１８ｂの上端部には、底板１８ａと同じ長方形の天板１８ｃの前方の端部が接続されている。底板１８ａ及び天板１８ｃは、Ｚ軸方向で重なる様に配置されており、底板１８ａ、側板１８ｂ及び天板１８ｃにより、後方（－Ｙ方向）側及びＸ軸方向の両側が開放された空間１８ｄが形成されている。
底板１８ａの下方（－Ｚ方向）側は、静止基台（不図示）の上面に固定された一対のＸ軸ガイドレール２０にスライド可能に取り付けられている。Ｘ軸ガイドレール２０の近傍には、Ｘ軸リニアスケール２０ａが設けられている。
Ｘ軸方向移動テーブル１８の下面側には、読み取りヘッド（不図示）が設けられている。Ｘ軸リニアスケール２０ａの目盛りを読み取りヘッドを利用して検出することにより、Ｘ軸方向移動テーブル１８のＸ軸方向の位置（座標）や、Ｘ軸方向の移動量が算出される。
底板１８ａの下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸方向に略平行に配置されたねじ軸２２が、ボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。ねじ軸２２の一端部には、モーター２４が連結されている。
モーター２４を動作させると、ねじ軸２２が回転し、Ｘ軸方向移動テーブル１８は、Ｘ軸方向に沿って移動する。Ｘ軸方向移動テーブル１８、一対のＸ軸ガイドレール２０、ねじ軸２２、モーター２４等は、Ｘ軸方向移動機構２６を構成する。
天板１８ｃの上面側には、枠体１６が、Ｚ軸方向に略平行な回転軸の周りに回転可能に支持されている。天板１８ｃよりも上方に位置する枠体１６の側面は、プーリー部１６ｂとして機能する。
側板１８ｂの外側側面には、モーター等の回転駆動源３０が設けられている。回転駆動源３０の回転軸には、プーリー３０ａが設けられている。プーリー３０ａ及びプーリー部１６ｂには、ベルト２８がかけられている。
回転駆動源３０を動作させると、枠体１６は、Ｚ軸方向に略平行な回転軸の周りに回転する。プーリー３０ａの回転を制御することで、回転軸の周りで任意の角度だけチャックテーブル１０は回転する。
Ｘ軸方向移動機構２６のＸ軸方向の延長線上には、下側撮像ユニット５４（第１の撮像ユニット）をＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動機構３２が設けられている。Ｙ軸方向移動機構３２は、Ｙ軸方向に略平行な一対のＹ軸ガイドレール３４を備える。一対のＹ軸ガイドレール３４は、静止基台（不図示）の上面に固定されている。
Ｙ軸ガイドレール３４上には、Ｙ軸方向移動テーブル３６がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸方向移動テーブル３６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸方向に略平行に配置されたねじ軸３８がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。
ねじ軸３８の一端部には、モーター４０が連結されている。モーター４０でねじ軸３８を回転させれば、Ｙ軸方向移動テーブル３６は、Ｙ軸方向に沿って移動する。Ｙ軸ガイドレール３４の近傍には、Ｙ軸リニアスケール（不図示）が設けられている。
また、Ｙ軸方向移動テーブル３６の下面側には、読み取りヘッド（不図示）が設けられている。Ｙ軸リニアスケールの目盛りを読み取りヘッドで検出することにより、Ｙ軸方向移動テーブル３６のＹ軸方向の位置（座標）や、Ｙ軸方向の移動量が算出される。
Ｙ軸方向移動テーブル３６の上面には、Ｚ軸方向移動機構４２が設けられている。Ｚ軸方向移動機構４２は、Ｙ軸方向移動テーブル３６の上面に固定された支持構造４２ａを有する。図６に示す様に、支持構造４２ａの一面には、Ｚ軸方向に略平行に配置された一対のＺ軸ガイドレール４４が固定されている。
Ｚ軸ガイドレール４４には、Ｚ軸移動プレート４６がスライド可能に取り付けられている。Ｚ軸移動プレート４６の支持構造４２ａ側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸方向に略平行に配置されたねじ軸４８がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。
ねじ軸４８の上端部には、モーター５０が連結されている。モーター５０でねじ軸４８を回転させれば、Ｚ軸移動プレート４６は、Ｚ軸方向に沿って移動する。Ｚ軸ガイドレール４４の近傍には、Ｚ軸リニアスケール（不図示）が設けられている。
Ｚ軸移動プレート４６には、読み取りヘッド（不図示）が設けられている。Ｚ軸リニアスケールの目盛りを読み取りヘッドで検出することにより、Ｚ軸移動プレート４６のＺ軸方向の位置（座標）等が算出される。
Ｚ軸移動プレート４６には、長手部がＸ軸方向に沿って配置された支持アーム５２を介して、下側撮像ユニット５４が固定されている。図６は、下側撮像ユニット５４の拡大斜視図である。下側撮像ユニット５４は、低倍率カメラ５６と、高倍率カメラ５８とを含む、所謂、顕微鏡カメラユニットである。
低倍率カメラ５６及び高倍率カメラ５８の各々は、集光レンズ等の所定の光学系と、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサ、ＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)イメージセンサ等の撮像素子と、を有する（いずれも不図示）。
本例では、可視光を光電変換可能な撮像素子を用いる。下側撮像ユニット５４は、チャックテーブル１０よりも下方（即ち、チャックテーブル１０に対して上側撮像ユニット８６ａ、８６ｂとは反対側）に設けられている。また、各集光レンズの光軸は、保持部材１２の他面１２ｂに略垂直に配置されている。
低倍率カメラ５６の側方には、上方に配置される被加工物１１等に対して可視光を照射する照明装置５６ａが設けられている。同様に、高倍率カメラ５８の側方にも、照明装置５８ａが設けられている。
下側撮像ユニット５４で被加工物１１を撮像する場合には、Ｘ軸方向移動テーブル１８を移動させて、空間１８ｄに下側撮像ユニット５４を配置する。そして、保持部材１２を介して被加工物１１を下方から撮像すれば、表面１１ａ側の画像を取得できる。
ここで、図１に戻り、切削装置２の他の構成要素について説明する。天板１８ｃのＸ軸方向の両側には、伸縮自在な蛇腹状カバーが、開口４ｂを覆う態様で取り付けられている。また、開口４ｂの上方には、Ｙ軸方向において開口４ｂを跨ぐ様に、門型の支持構造４ｃが設けられている。
支持構造４ｃの－Ｘ方向の一側面には、２つの加工ユニット移動機構（割り出し送りユニット、切り込み送りユニット）６０が設けられている。各加工ユニット移動機構６０は、支持構造４ｃの一側面に固定された一対のＹ軸ガイドレール６２を共有している。
一対のＹ軸ガイドレール６２は、Ｙ軸方向に略平行に配置されている。一対のＹ軸ガイドレール６２には、２つのＹ軸移動プレート６４が互いに独立にスライド可能な態様で取り付けられている。
Ｙ軸移動プレート６４の一面には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸方向に略平行に配置されたねじ軸６６がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。各Ｙ軸移動プレート６４のナット部は、異なるねじ軸６６に連結されている。
各ねじ軸６６の一端部には、モーター６８が連結されている。モーター６８でねじ軸６６を回転させれば、Ｙ軸移動プレート６４は、Ｙ軸方向に沿って移動する。
後方（－Ｙ方向）側に位置するＹ軸移動プレート６４の他面に設けられた一対のＺ軸ガイドレール７２には、Ｚ軸移動プレート７０ａの一面側がスライド可能に取り付けられている。
同様に、前方（＋Ｙ方向）側に位置するＹ軸移動プレート６４の他面に設けられた一対のＺ軸ガイドレール７２には、Ｚ軸移動プレート７０ｂの一面側がスライド可能に取り付けられている。
Ｚ軸移動プレート７０ａ及びＺ軸移動プレート７０ｂの各一面には、それぞれナット部（不図示）が設けられており、ナット部には、ねじ軸７４がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。各ねじ軸７４は、Ｚ軸方向に略平行に配置されている。
ねじ軸７４の上端部には、モーター７６が連結されている。モーター７６でねじ軸７４を回転させれば、Ｚ軸移動プレート７０ａ及びＺ軸移動プレート７０ｂは、それぞれＺ軸方向に沿って移動する。
後方（－Ｙ方向）側に配置されたＺ軸移動プレート７０ａの下部には、第１の切削ユニット（第１の加工ユニット、第２の加工ユニット）７８ａが設けられている。第１の切削ユニット７８ａは、筒状のスピンドルハウジング８０ａを備える。
スピンドルハウジング８０ａ内には、円柱状のスピンドル８２ａ（図８参照）の一部が回転可能に収容されている。スピンドル８２ａの一端部には、モーター等の回転駆動源（不図示）が設けられている。
スピンドル８２ａの他端部には、円環状の切り刃を有する第１の切削ブレード８４ａが装着されている。本例の第１の切削ブレード８４ａは、ワッシャー型（ハブレス型）であるが、ハブ型であってもよい。
Ｚ軸移動プレート７０ａの下部には、上側撮像ユニット（第２の撮像ユニット）８６ａが固定されている。つまり、上側撮像ユニット８６ａの位置は、第１の切削ユニット７８ａに対して固定されている。
上側撮像ユニット８６ａは、チャックテーブル１０よりも上方に配置されている。上側撮像ユニット８６ａは、所謂、顕微鏡カメラユニットである。上側撮像ユニット８６ａは、光軸は、保持部材１２の一面１２ａに略垂直に配置された集光レンズ等を含む所定の光学系と、可視光等を光電変換可能な撮像素子と、を有する（いずれも不図示）。
同様に、前方（＋Ｙ方向）側に配置されたＺ軸移動プレート７０ｂの下部には、第３の切削ユニット（第３の加工ユニット）７８ｂが設けられている。第３の切削ユニット７８ｂも、スピンドルハウジング８０ｂを備え、スピンドルハウジング８０ｂ内には、円柱状のスピンドル８２ｂ（図１５参照）の一部が回転可能に収容されている。
スピンドル８２ｂの一端部には、モーター等の回転駆動源（不図示）が設けられており、スピンドル８２ｂの他端部には、第３の切削ブレード８４ｂが装着されている（図１５参照）。本例の第３の切削ブレード８４ｂは、ワッシャー型（ハブレス型）であるが、ハブ型であってもよい。
但し、第３の切削ブレード８４ｂの刃厚８４ｂ１（図１５参照）は、第１の切削ブレード８４ａの刃厚８４ａ１（図８参照）に比べて薄い。それゆえ、第３の切削ブレード８４ｂで被加工物１１を切削した際に形成される加工溝（切削溝）の幅は、第１の切削ブレード８４ａで形成される第１の加工溝（切削溝）１３ａの幅１３ａ１に比べて小さくなる（図１５参照）。
Ｚ軸移動プレート７０ｂの下部には、第３の切削ユニット７８ｂに対する位置が固定された上側撮像ユニット８６ｂが設けられている。上側撮像ユニット８６ｂの構造等は、上側撮像ユニット８６ａと略同じである。
図１に示す様に、開口４ｂの後方（－Ｙ方向）には、円形の開口４ｄが設けられている。開口４ｄ内には、切削後の被加工物１１等を純水等の洗浄水で洗浄するための洗浄ユニット９０が設けられている。
基台４上には、筐体（不図示）が設けられており、筐体の前方（＋Ｙ方向）の側面には、作業者が指示を入力するための入力部（即ち、入力インターフェース）と、作業者に情報を表示するための表示部とを兼ねるタッチパネル９２が設けられている。
タッチパネル９２には、例えば、上側撮像ユニット８６ａ、８６ｂ及び下側撮像ユニット５４で撮像した画像が表示される。タッチパネル９２には、上側撮像ユニット８６ａで撮像した画像８８ａと共に、画像処理により上側撮像ユニット８６ａの基準線９２ａが表示される（図１２（Ａ）参照）。
基準線９２ａは、上側撮像ユニット８６ａの撮像領域の中心を横断しＸ軸方向に略平行な直線である。上側撮像ユニット８６ａは、被加工物１１を直接的に観察するための目として機能する。
同様に、タッチパネル９２には、下側撮像ユニット５４で撮像した画像８８ｂと共に、画像処理により基準線９２ｂが表示される（図１２（Ｂ）参照）。基準線９２ｂも、基準線９２ａと同様に、下側撮像ユニット５４の撮像領域の中心を横断しＸ軸方向に略平行な直線である。
下側撮像ユニット５４も、上側撮像ユニット８６ａと同様に、被加工物１１を直接的に観察するための目として機能する。なお、上側撮像ユニット８６ａ及び下側撮像ユニット５４の原点位置は、一致する様に予め設定されているので、基準線９２ａ及び基準線９２ｂは、Ｘ‐Ｙ平面で互いに一致する様に予め設定されており、ずれることはない。
タッチパネル９２には、下側撮像ユニット５４と上側撮像ユニット８６ａ、８６ｂとで撮像された画像に加えて、加工条件、ＧＵＩ（Graphical User Interface）等が表示される。切削装置２は、タッチパネル９２等を制御する制御部９４を備える。
制御部９４は、吸引源１４、Ｘ軸方向移動機構２６、回転駆動源３０、Ｙ軸方向移動機構３２、Ｚ軸方向移動機構４２、下側撮像ユニット５４、加工ユニット移動機構６０、第１の切削ユニット７８ａ、第３の切削ユニット７８ｂ、上側撮像ユニット８６ａ、８６ｂ等も制御する。
制御部９４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ等の処理装置と、記憶装置９６と、を含むコンピュータによって構成されている。記憶装置９６は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置とを、有する。
補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置を動作させることによって、制御部９４の機能が実現される。次に、切削装置２を用いて被加工物１１を切削する切削方法（加工方法）について説明する。
図７は、第１の実施形態に係る切削方法のフロー図である。被加工物１１を切削するためには、まず、裏面１１ｂ側を上方に露出させた状態で、チャックテーブル１０でテープ１７を介して表面１１ａ側を吸引保持する（保持工程Ｓ１０）。
保持工程Ｓ１０の後、第１の切削ユニット７８ａを用いて裏面１１ｂ側に第１の加工溝１３ａを形成する（第１の加工溝形成工程Ｓ２０）。図８は、第１の加工溝形成工程Ｓ２０を示す図である。
第１の加工溝形成工程Ｓ２０では、まず、下側撮像ユニット５４で表面１１ａ側を撮像して、アライメントを行う。次いで、回転駆動源３０を動作させて第１の方向に沿う分割予定ライン１３をＸ軸方向と略平行にする（所謂、θ合わせを行う）。
次いで、１つの分割予定ライン１３の延長線上に第１の切削ブレード８４ａを配置すると共に、高速（例えば、３０，０００ｒｐｍ）で回転する第１の切削ブレード８４ａの下端を、裏面１１ｂから表面１１ａには到達しない所定の深さ２３ａに位置付ける。
この状態で、第１の切削ブレード８４ａに純水等の切削水を供給しながら、Ｘ軸方向移動テーブル１８を加工送りする（即ち、Ｘ軸方向に沿って移動させる）ことにより、所定の深さ２３ａを有する１つの第１の加工溝１３ａ（所謂、ハーフカット溝）を形成する。加工送り速度は、例えば、３０ｍｍ／ｓとする。
但し、深さ２３ａは、被加工物１１の厚さ１１ｃの半分でなくてもよい。本実施形態の深さ２３ａは、被加工物１１の厚さ１１ｃの半分よりも小さい。例えば、被加工物１１の厚さ１１ｃが１００μｍである場合、深さ２３ａは２５μｍに設定される。但し、深さ２３ａは、表面１１ａに到達しない程度に、適宜調節してよい。
１つの第１の加工溝１３ａを形成した後、所定の割り出し送り量だけ第１の切削ユニット７８ａを割り出し送りし、第１の方向に沿う他の分割予定ライン１３に沿って裏面１１ｂ側を切削する。
同様にして、第１の方向に沿う残りの全ての分割予定ライン１３に沿って裏面１１ｂ側を切削した後、チャックテーブル１０を９０度回転させて、第１の方向に直交する第２の方向に沿う全ての分割予定ライン１３をＸ軸方向と略平行にする。
そして、第２の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に沿って裏面１１ｂ側を同様に切削し、第１の加工溝１３ａを形成する。裏面１１ｂ側の全ての分割予定ライン１３に沿って被加工物１１を切削した後、洗浄ユニット９０で被加工物１１を洗浄する。その後、被加工物ユニット２１を切削装置２から取り出す。
その後、図９に示す様に、裏面１１ｂ及びフレーム１９の他面に別のテープ（ダイシングテープ）２７を貼り付けて、裏面１１ｂ側にテープ２７が貼り付けられ且つ表面１１ａが露出した被加工物ユニット３１を形成する（反転工程Ｓ３０）。
図９は、反転工程Ｓ３０後の被加工物１１の断面図である。なお、切削装置２がテープ貼り替え装置を有する場合には、切削装置２から被加工物ユニット２１を取り出すことなく、切削装置２内で反転工程Ｓ３０を行なってもよい。
テープ２７は、テープ１７と同様に、基材層と、粘着層（糊層）との積層構造を有し、可視光等の所定の波長帯域の光が透過可能な透明な材料で形成されている。反転工程Ｓ３０の後、チャックテーブル１０で被加工物１１の裏面１１ｂ側を吸引保持し、表面１１ａ側を上方に露出させる。
この状態で、第１の切削ユニット７８ａを用いて第２の加工溝形成工程Ｓ４０を行う。図１０は、第２の加工溝形成工程Ｓ４０を示す図である。第２の加工溝形成工程Ｓ４０でも、第１の加工溝形成工程Ｓ２０と同様に、まず、上側撮像ユニット８６ａでアライメント及びθ合わせを行う。
次いで、１つの分割予定ライン１３の延長線上に第１の切削ブレード８４ａを位置付けると共に、高速で回転する第１の切削ブレード８４ａの下端を、表面１１ａから第１の加工溝１３ａに達しない所定の深さ２３ｂに位置付ける。
そして、同様に切削水を供給しながらＸ軸方向移動テーブル１８を加工送りすることにより、被加工物１１の厚さ方向１１ｄで第１の加工溝１３ａの反対側に位置し、且つ、第１の加工溝１３ａに到達しない所定の深さ２３ｂを有する第２の加工溝１３ｂを１本だけ形成する。
なお、表面１１ａ側の切削時にも、第１の切削ブレード８４ａの回転数を、例えば、３０，０００ｒｐｍとし、加工送り速度を、例えば、３０ｍｍ／ｓとする。
第２の加工溝１３ｂも、第１の加工溝１３ａと同様に、所謂、ハーフカット溝である。但し、深さ２３ｂは、被加工物１１の厚さ１１ｃの半分でなくてもよい。本実施形態の深さ２３ｂは、被加工物１１の厚さ１１ｃの半分よりも小さい。
例えば、被加工物１１の厚さ１１ｃが１００μｍである場合、深さ２３ｂは２５μｍに設定される。但し、深さ２３ｂは、第１の加工溝１３ａに到達しない限り、適宜調節してよい。
第２の加工溝形成工程Ｓ４０の後、上側撮像ユニット８６ａで表面１１ａ側の第２の加工溝１３ｂを撮像すると共に、下側撮像ユニット５４（例えば、高倍率カメラ５８及び照明装置５８ａ）で裏面１１ｂ側の第１の加工溝１３ａを撮像する（撮像工程Ｓ５０）。
図１１は、撮像工程Ｓ５０を示す図である。上側撮像ユニット８６ａは、上方に露出している表面１１ａに焦点を合わせて、表面１１ａに位置する第２の加工溝１３ｂの細長い開口（即ち、所定ライン）１３ｂ３を撮像する。
開口１３ｂ３は、表面１１ａに位置しており、且つ、厚さ方向１１ｄで第１の加工溝１３ａに対応する位置にある。撮像工程Ｓ５０では、同様に、下側撮像ユニット５４は、テープ２７を介して裏面１１ｂに焦点を合わせて、第１の加工溝１３ａの細長い開口１３ａ３を撮像する。
図１２（Ａ）は、上側撮像ユニット８６ａで取得した表面１１ａ側の画像８８ａの一例である。なお、図１２（Ａ）に示す画像８８ａでは、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２と、基準線９２ａと、が一致している。
第２の中心線１３ｂ２は、第２の加工溝１３ｂにおける開口１３ｂ３の幅方向の中心に位置し、且つ、第２の加工溝１３ｂの当該幅方向と直交する長手方向と略平行である。第２の中心線１３ｂ２は、切削時における第１の切削ブレード８４ａの切り刃の厚さ方向の中心８４ａ２（図１０参照）に略対応する。
図１２（Ｂ）は、下側撮像ユニット５４で取得した裏面１１ｂ側の画像８８ｂの一例である。図１２（Ｂ）に示す画像８８ｂでは、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２と、基準線９２ｂと、が一致している。
同様に、第１の中心線１３ａ２は、第１の加工溝１３ａにおける開口１３ａ３の幅方向の中心に位置し、且つ、第１の加工溝１３ａの当該幅方向と直交する長手方向と略平行である。第１の中心線１３ａ２は、切削時における第１の切削ブレード８４ａの切り刃の厚さ方向の中心８４ａ２（図８参照）に略対応する。
なお、上述の様に、基準線９２ａ及び基準線９２ｂはＸ‐Ｙ平面で互いに一致しており、Ｘ‐Ｙ平面内の同じ領域をＺ軸方向の異なる向きで撮像することで、画像８８ａ、８８ｂが得られている。
撮像工程Ｓ５０の後、制御部９４は、画像８８ａ及び画像８８ｂに基づいて、第１の加工溝１３ａと、第２の加工溝１３ｂと、のずれを検出する（検出工程Ｓ６０）。
具体的には、検出工程Ｓ６０では、制御部９４が画像８８ａ、８８ｂに対して所定の画像処理を行うことで、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２の位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する。
例えば、まず、画像処理により、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２と、の各位置（例えば、中心点１２ｃ３を原点とする座標）を特定する。次いで、第１の中心線１３ａ２及び第２の中心線１３ｂ２間のずれに対応する長さが算出される。
画像８８ａ及び画像８８ｂ中の１画素に相当する長さは、カメラの倍率等に応じて予め設定されているので、第１の中心線１３ａ２及び第２の中心線１３ｂ２間の画素数に基づいて、ずれ量が算出される。なお、画像処理や、ずれ量を算出するプログラムは、記憶装置９６の補助記憶装置に予め記憶されている。
図１３（Ａ）は、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２の位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内で一致している場合の被加工物１１の一部の拡大断面図である。一致している場合（Ｓ６２でＹＥＳ）、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０へ進む。
図１３（Ｂ）は、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２の位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内でずれている場合の被加工物１１の一部の拡大断面図である。
中心線同士の位置のずれは、種々の原因により生じ得る。例えば、表面１１ａ側に形成されているアライメントマークの形状に歪みがある場合には、第１の切削ブレード８４ａを切り込むべき位置と、実際に被加工物１１が切削された位置とが、ずれることがある。
しかし、本実施形態では、上側撮像ユニット８６ａで表面１１ａ側を撮像し、下側撮像ユニット５４で裏面１１ｂ側を撮像することにより、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを直接的に観察するので、このずれを検出できる。
図１３（Ｂ）では、Ｙ軸方向における第２の中心線１３ｂ２の基準線９２ｂからのずれ量及びずれ方向をベクトルＢ１で示す。検出工程Ｓ６０において、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、制御部９４は、アラームにより、作業者に、切削位置の修正を促す。
本明細書において、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致していない（即ち、ずれる）とは、Ｘ‐Ｙ平面内での第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とのＹ軸方向のずれ量が、第１の閾値（例えば、５μｍ）よりも大きいことを意味する。
ずれ量が第１の閾値よりも大きい場合、制御部９４は、作業者に切削位置の修正を促す。作業者は、画像８８ａを見ながら、タッチパネル９２を操作して、基準線９２ａ（即ち、上側撮像ユニット８６ａ）を移動させて、基準線９２ａを第２の中心線１３ｂ２に一致させる（修正工程Ｓ７０）。
修正工程Ｓ７０における基準線９２ａの移動方向及び移動距離に基づいて、制御部９４は、切削位置のずれ量及びずれ方向（図１３（Ｂ）に示すベクトルＢ１）を検出し、これを記憶装置９６に記憶する。
修正工程Ｓ７０後の切削時には、制御部９４が、このずれ量及びずれ方向を打ち消す様に加工ユニット移動機構６０を制御することで、第１の切削ブレード８４ａの中心８４ａ２の位置（即ち、第１の切削ユニット７８ａの加工位置）を修正する。具体的には、所定の割り出し送り量に、ずれ量及びずれ方向を加算することで、割り出し送り量が調整される。
これにより、以降の切削（即ち、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０）では、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とをＸ‐Ｙ平面内で一致させることができる。
修正工程Ｓ７０を経た場合に、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致するとは、Ｘ‐Ｙ平面内での第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とのＹ軸方向のずれ量が、第１の閾値よりも小さい第２の閾値（例えば、１μｍ）以下となることを意味する。
なお、図１３（Ｂ）では、説明を簡単にするために、基準線９２ｂと、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２とを、一致させているが、基準線９２ｂと、第１の中心線１３ａ２とは、ずれていてもよい。
基準線９２ｂと第１の中心線１３ａ２とがずれており、且つ、基準線９２ａと第２の中心線１３ｂ２とがずれている場合、第１の中心線１３ａ２の基準線９２ａからのずれ量及びずれ方向と、第２の中心線１３ｂ２の基準線９２ｂからのずれ量及びずれ方向と、の両方が、加工位置の修正に利用される。
いずれにしても、第１の中心線１３ａ２の位置に対する第２の中心線１３ｂ２の位置のずれ量及びずれ方向を検出工程Ｓ６０において検出し、このずれ量及びずれ方向を修正工程Ｓ７０で修正する。
図１４は、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０を示す図である。追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０では、第２の加工溝形成工程Ｓ４０で形成された第２の加工溝１３ｂの位置から第１の切削ユニット７８ａをＹ軸方向に順に割り出し送りして、４本の第２の加工溝１３ｂを追加的に形成する。
この様にして、合計５本の第２の加工溝１３ｂが形成されたら、厚さ方向１１ｄで対応する位置にある第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂが接続する様に被加工物１１を分割する分割工程Ｓ９０を開始する。図１５は、分割工程Ｓ９０を示す図である。
分割工程Ｓ９０では、刃厚８４ｂ１の中心８４ｂ２を、幅１３ａ１、１３ｂ１内に位置付けると共に、高速で回転する第３の切削ブレード８４ｂの下端を、所定の深さ２３ａよりも表面１１ａ側に位置付ける。
この状態で切削水を供給しながらチャックテーブル１０を加工送りすることで、被加工物１１を分割する。分割工程Ｓ９０では、例えば、第３の切削ブレード８４ｂの回転数を、例えば、３０，０００ｒｐｍとし、加工送り速度を、例えば、３０ｍｍ／ｓとする。
本実施形態では、１本目の第２の加工溝１３ｂに沿って被加工物１１を第３の切削ユニット７８ｂで切削する際に、６本目の第２の加工溝１３ｂを第１の切削ユニット７８ａで形成する。つまり、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０と、分割工程Ｓ９０とは、並行して行われる時間帯がある。
第１の方向に沿う残りの全ての分割予定ライン１３に沿って第２の加工溝１３ｂを形成し、更に、第１の方向に沿う第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂが接続する様に被加工物１１を分割した後、チャックテーブル１０を９０度回転させる。
その後、第２の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に沿って、同様に、第２の加工溝１３ｂを形成し、更に、第２の方向に沿う第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂが接続する様に被加工物１１を分割する。
本実施形態では、第３の切削ユニット７８ｂが第１の切削ユニット７８ａをＹ軸方向に沿って追いかける様に、被加工物１１の加工を進めるが、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０が完了した後に、分割工程Ｓ９０を開始してもよい。
例えば、シリコンで形成された単結晶基板に比べて脆いガラス等の脆性材料で形成された基板を被加工物１１が有する場合、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０が完了した後に、分割工程Ｓ９０を開始する方が、チッピング、クラッキング等の発生を低減できる。
これまで説明した様に、第１の実施形態では、第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の中心線１３ｂ２の位置とが、ずれた場合でも、次の分割予定ライン１３の切削時から第１の中心線１３ａ２及び第２の中心線１３ｂ２の位置が一致する様に修正したうえで、被加工物１１を切削できる。
加えて、当該加工方法によれば、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを直接的に観察することにより、仮に、アライメントマークの形状に歪みがあったとしても、アライメントマークの形状の歪みの影響を緩和できる。
この様に、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを直接的に観察しない場合に比べて、被加工物１１の加工精度を向上できる。即ち、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２とを、より高い精度で一致させることができる。
（第１の変形例）第１の実施形態では、撮像工程Ｓ５０及び検出工程Ｓ６０を１回だけ行ったが、複数回行ってもよい。具体的には、所定数（例えば５本）の第２の加工溝１３ｂを形成する毎に、撮像工程Ｓ５０及び検出工程Ｓ６０を行ってもよい。
検出工程Ｓ６０の結果、もし、中心線同士の位置がずれている場合には修正工程Ｓ７０を行う。これにより、加工時間は長くなるが、更に、高い精度での加工を保証できる。
（第２の変形例）ところで、第１の実施形態の第１の加工溝形成工程Ｓ２０では、第１及び第２の加工ユニットとして、第１の切削ユニット７８ａを使用した。しかし、切削装置２と同様の他の切削装置を用いて第１の加工溝形成工程Ｓ２０を行ってもよい。
他の切削装置を用いて第１の加工溝形成工程Ｓ２０を行う場合、他の切削装置に設けられるチャックテーブルは、上述のチャックテーブル１０であってもよく、金属製の枠体の円板状の凹部に多孔質セラミックスで形成された多孔質板が固定されたチャックテーブルであってもよい。
多孔質セラミックスで形成された多孔質板をチャックテーブルとして用いる場合、裏面１１側から表面１１ａ側を撮像するために、上側撮像ユニットとして、所定の光学系と、赤外線を光電変換可能な撮像素子と、を有する赤外線カメラユニットが用いられる。
他の切削装置を用いた第１の加工溝形成工程Ｓ２０の後、第２の加工溝形成工程Ｓ４０及び追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０では、第２の加工ユニットとして第１の切削ユニット７８ａが用いられ、分割工程Ｓ９０では、第３の加工ユニットとして第３の切削ユニット７８ｂが用いられる。
この様に、第１の加工溝形成工程Ｓ２０と第２の加工溝形成工程Ｓ４０とで使用する切削ユニットが異なる場合、スピンドルに対する切削ブレードの装着が、一方の切削ユニットでは正常であるが、他の方の切削ユニットでは異常である（即ち、切削ブレードの側面がスピンドルに対して斜めになる様に切削ブレードがスピンドルに装着されている）ことがある。
その結果、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内でずれることがある。しかし、第１の実施形態で説明したように、修正工程Ｓ７０を経ることによって、このずれを修正できる。
（第２の実施形態）次に、図１６から図２０を用いて第２の実施形態について説明する。第２の実施形態でも、上述の切削装置２を使用し、図７のフローに従って、被加工物１１を加工する。それゆえ、第１の実施形態と重複する説明を省略する。
第２の実施形態では、第１の切削ユニット（第１の加工ユニット、第２の加工ユニット）７８ａに装着されている切削ブレード９８ａ（図１６参照）が、切削ブレード９８ａの径方向の中心を通る断面での断面視で外周端部がＶ字形状を有する。係る点が、第１の実施形態と異なる。
即ち、切削ブレード９８ａは、刃厚９８ａ１の中心９８ａ２が径方向で最も突出しており、刃厚９８ａ１の中心９８ａ２から切削ブレード９８ａの円環状の両面に向かって傾斜面が形成されている。第２の実施形態の加工方法でも、保持工程Ｓ１０の後、第１の加工溝形成工程Ｓ２０を行う。
図１６は、第２の実施形態に係る第１の加工溝形成工程Ｓ２０を示す図である。第１の加工溝形成工程Ｓ２０で形成される第１の加工溝１３ａの底部は、切削ブレード９８ａの外周端部の形状に応じて、第１の加工溝１３ａの長手方向に直交する断面での断面視でＶ字形状を有する。
第１の加工溝形成工程Ｓ２０で、全ての分割予定ライン１３に沿って第１の加工溝１３ａを形成した後、反転工程Ｓ３０（図９参照）を経て、第２の加工溝形成工程Ｓ４０を行う。図１７は、第２の実施形態に係る第２の加工溝形成工程Ｓ４０を示す図である。
第２の加工溝１３ｂの底部も、断面視でＶ字形状を有する。第２の加工溝形成工程Ｓ４０で１本の第２の加工溝１３ｂを形成した後、撮像工程Ｓ５０を行う。図１８は、第２の実施形態に係る撮像工程Ｓ５０を示す図である。
撮像工程Ｓ５０の後、検出工程Ｓ６０を行う。検出工程Ｓ６０では、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２の位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する。
そして、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致している場合、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０へ進む。これに対して、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、修正工程Ｓ７０を経て、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０へ進む。
図１９は、第２の実施形態に係る追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０を示す図である。修正工程Ｓ７０を経ているので、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０では、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とをＸ‐Ｙ平面内で一致させることができる。
第２の実施形態でも、５本の第２の加工溝１３ｂが形成されたら、分割工程Ｓ９０を開始する。図２０は、第２の実施形態の分割工程Ｓ９０を示す図である。但し、上述の様に、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０の完了後に、分割工程Ｓ９０を開始してもよい。
第２の実施形態においても、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを直接的に観察しない場合に比べて、被加工物１１の加工精度を向上できる。加えて、各加工溝のＶ字形状に応じて、最終的に製造されるデバイスチップ（不図示）の表面１１ａ側及び裏面１１ｂ側の外周部に、面取り部を形成できる。
面取り部を形成することで、面取り部を形成しない場合に比べて、表面１１ａ側及び裏面１１ｂ側の外周部におけるクラックやチッピングの発生を抑制できる。なお、第２の実施形態でも、第１及び第２の変形例を適用してもよい。
（第３の変形例）第１の加工溝形成工程Ｓ２０を行う切削ユニット（第１の加工ユニット）に装着される切削ブレード（不図示）と、第１の切削ユニット（第２の加工ユニット）７８ａに装着される切削ブレードとの、少なくとも一方が、断面視で外周端部がＶ字形状を有してもよい。
この場合、断面視で外周端部がＶ字形状を有する切削ブレードで形成された加工溝、即ち、第１の加工溝１３ａと、第２の加工溝１３ｂと、の少なくとも一方が、断面視でＶ字形状を有する様に加工される。
（第３の実施形態）次に、図２１から図２６を用いて第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、レーザービームＬ（図２１参照）を照射して被加工物１１をアブレーション加工することにより、第１の加工溝１３ａ（図２２参照）及び第２の加工溝１３ｂ（図２３参照）を形成する。
図２１は、第３の実施形態に係るレーザー加工装置１０２の斜視図である。なお、切削装置２と同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
レーザー加工装置１０２では、静止基台１０４に下側撮像ユニット５４が固定されている。但し、下側撮像ユニット５４は、Ｘ軸方向又はＹ軸方向に移動可能な態様で設けられてもよい。
静止基台１０４の上方には、Ｘ軸方向移動テーブル１８が設けられている。Ｘ軸方向移動テーブル１８は、Ｘ軸方向移動テーブル１８の側板１８ｂとは反対側に位置する領域から下側撮像ユニット５４が空間１８ｄ内に進入できるように、配置されている。
Ｘ軸方向移動テーブル１８は、Ｘ軸方向移動機構２６によりＸ軸方向に沿って移動可能である。１対のＸ軸ガイドレール２０は、Ｙ軸移動テーブル１０６上に固定されている。Ｙ軸移動テーブル１０６は、静止基台１０４の上面に固定された一対のＹ軸ガイドレール１０８上に、スライド可能に取り付けられている。
Ｙ軸ガイドレール１０８の近傍には、Ｙ軸移動テーブル１０６のＹ軸方向の位置を検出する際に利用されるＹ軸リニアスケール１０８ａが設けられている。Ｙ軸移動テーブル１０６の下面側には、ナット部（不図示）が設けられている。
ナット部には、Ｙ軸ガイドレール１０８に略平行に配置されたねじ軸１１０がボール（不図示）を介して回転可能な態様で連結されている。ねじ軸１１０の一端部には、モーター１１２が連結されている。Ｙ軸ガイドレール１０８、ねじ軸１１０、モーター１１２等は、Ｙ軸方向移動機構１１４を構成する。
下側撮像ユニット５４に対して＋Ｙ方向に隣接する位置には、静止基台１０４の上面から上方に突出する態様でコラム１１６が設けられている。コラム１１６には、Ｘ軸方向に略平行な長手部を有するケーシング１１８が設けられている。
ケーシング１１８には、レーザー照射ユニット１２０の少なくとも一部が設けられている。レーザー照射ユニット（第１の加工ユニット、第２の加工ユニット）１２０は、被加工物１１に吸収される波長（例えば、３５５ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームＬを照射可能である。
レーザー照射ユニット１２０は、レーザー発振器１２０ａ等を有する。レーザー照射ユニット１２０のＸ軸方向の先端部には、集光レンズ１２２ａを含むヘッド部１２２が設けられている。
レーザー発振器１２０ａから出射されたレーザービームは、集光レンズ１２２ａにより集光され、ヘッド部１２２から下方に照射される。図２１では、ヘッド部１２２から下方に照射されるレーザービームＬを破線矢印で示す。ケーシング１１８の先端部において、ヘッド部１２２に隣接する位置には、上側撮像ユニット８６ａが設けられている。
図２１にそれぞれ示す、上側撮像ユニット８６ａと、下側撮像ユニット５４（例えば、高倍率カメラ５８及び照明装置５８ａ）とは、Ｙ軸方向の位置は一致しているが、Ｘ軸方向の位置はずれている。
それゆえ、チャックテーブル１０で吸引保持された被加工物１１において、厚さ方向１１ｄで対応する位置を同時には観察できない。しかし、チャックテーブル１０に対して、上側撮像ユニット８６ａ及び下側撮像ユニット５４の位置関係は予め定められている。
従って、Ｘ軸方向移動テーブル１８をＸ軸方向に沿って移動させれば、保持部材１２の中心点１２ｃ３（図３参照）を基準とするＸ‐Ｙ平面内の同じ領域を、上側撮像ユニット８６ａ及び下側撮像ユニット５４で観察できる。
この様に、画像８８ａに表示される基準線９２ａと、画像８８ｂに表示される基準線９２ｂとは、画像上では一致した座標位置にあり、互いにずれることはない。
第３の実施形態でも、図７のフローに従って被加工物１１を加工する。第３の実施形態の加工方法では、保持工程Ｓ１０に先立ち、裏面１１ｂ側に水溶性樹脂で形成された第１の保護膜２９ａ（図２２参照）を設ける。
次いで、表面１１ａ側をチャックテーブル１０で吸引保持した後（即ち、保持工程Ｓ１０の後）、第１の加工溝形成工程Ｓ２０を行う。図２２は、第３の実施形態に係る第１の加工溝形成工程Ｓ２０を示す図である。
第１の加工溝形成工程Ｓ２０では、レーザービームＬの集光点を裏面１１ｂに位置付けると共に、例えば、下記の加工条件でレーザー加工を行う。
レーザービームの波長 ：３５５ｎｍ
平均出力 ：２Ｗ
パルスの繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
加工送り速度 ：４００ｍｍ／ｓ
パス数 ：１
第１の加工溝形成工程Ｓ２０で、全ての分割予定ライン１３に沿って第１の加工溝１３ａを形成した後、スピンナ洗浄装置（不図示）を用いて第１の保護膜２９ａを洗浄して除去する。
次いで、反転工程Ｓ３０において被加工物ユニット３１を形成し、裏面１１ｂ側にテープ２７を貼り付けると共に、表面１１ａ側に第２の保護膜２９ｂ（図２３参照）を形成する。
第２の保護膜２９ｂも、第１の保護膜２９ａと同様に、アブレーション加工で発生したデブリ（例えば、被加工物１１を構成する材料の溶融物）が被加工面に固着することを防止する機能を有する。
第２の保護膜２９ｂ及び上述の第１の保護膜２９ａは、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等の水溶性樹脂と、光吸収剤とを含む溶液を、塗布した後、乾燥させることで形成できる。
表面１１ａ側に第２の保護膜２９ｂを形成した後、第２の加工溝形成工程Ｓ４０を行う。図２３は、第３の実施形態に係る第２の加工溝形成工程Ｓ４０を示す図である。第２の加工溝形成工程Ｓ４０では、上述の加工条件で１本の第２の加工溝１３ｂを形成する。
第２の加工溝形成工程Ｓ４０の後、撮像工程Ｓ５０を行う。図２４は、第３の実施形態に係る撮像工程Ｓ５０を示す図である。撮像工程Ｓ５０では、厚さ方向１１ｄで対応する位置にある第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを撮像する。
撮像工程Ｓ５０の後、検出工程Ｓ６０を行う。検出工程Ｓ６０では、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、第２の加工溝１３ｂの第２の中心線１３ｂ２の位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する。
そして、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致している場合、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０へ進む。これに対して、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、修正工程Ｓ７０を経て、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０へ進む。
図２５は、第３の実施形態に係る追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０を示す図である。修正工程Ｓ７０を経ることで、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０では、第１の中心線１３ａ２の位置と第２の中心線１３ｂ２の位置とをＸ‐Ｙ平面内で一致させることができる。
全ての分割予定ライン１３に沿って第２の加工溝１３ｂを形成した後、スピンナ洗浄装置（不図示）を用いて第２の保護膜２９ｂを洗浄して除去する。そして、被加工物ユニット３１を切削装置２へ搬送する。
切削装置２では、第３の切削ユニット７８ｂを用いて、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂが接続する様に被加工物１１を切削する（分割工程Ｓ９０）。図２６は、第３の実施形態の分割工程Ｓ９０を示す図である。
第３の実施形態においても、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂを直接的に観察しない場合に比べて、被加工物１１の加工精度を向上できる。ところで、第３の実施形態では、第１及び第２の加工ユニットとして、レーザー照射ユニット１２０を用いた。
しかし、第１及び第２の加工ユニットの少なくとも一方を、レーザー照射ユニット１２０としてもよい。例えば、第１及び第２の加工ユニットの一方を、レーザー照射ユニット１２０とする場合、第１及び第２の加工ユニットの他方を、第１の切削ユニット７８ａとする。
（第４の変形例）上述の実施形態及び変形例の分割工程Ｓ９０では、比較的薄い刃厚８４ｂ１を有する第３の切削ユニット７８ｂを用いて被加工物１１を切削した。しかし、被加工物１１に対してアブレーション加工を施すことで、分割工程Ｓ９０を行ってもよい。
（第４の実施形態）次に、図２７（Ａ）及び図２７（Ｂ）を用いて第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、拡張装置１３０を用いて分割工程Ｓ９０を行う。係る点が上述の実施形態及び変形例と異なる。
図２７（Ａ）は、拡張装置１３０等の一部断面側面図である。拡張装置１３０は、被加工物１１の径よりも大きい径を有する円筒状のドラム１３２を有する。ドラム１３２の上端部には、ドラム１３２の周方向に沿って略等間隔に複数のコロ１３４が設けられている。
ドラム１３２の径方向においてドラム１３２の外側には、円環状のフレーム支持台１３６が設けられている。フレーム支持台１３６の上面側には、フレーム支持台１３６に載置された被加工物ユニット３１のフレーム１９をそれぞれ挟持する複数のクランプ１３８が設けられている。
また、フレーム支持台１３６は、フレーム支持台１３６の周方向に沿って略等間隔に配置された複数の脚部１４０で支持されている。各脚部１４０は、エアシリンダ等の昇降機構により、昇降可能である。
分割工程Ｓ９０では、図２７（Ａ）に示す様に、ドラム１３２の上端とフレーム支持台１３６の上面とを略同じ高さ位置にした上で、追加の第２の加工溝形成工程Ｓ８０後の被加工物ユニット３１を、ドラム１３２及びフレーム支持台１３６に載置する。
被加工物１１には、第１の加工溝１３ａの底部と第２の加工溝１３ｂの底部との距離が、所定の距離以下（例えば、５０μｍ以下）となる様に、第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂが既に形成されている。
被加工物ユニット３１の載置後に、各昇降機を作動させ脚部１４０を引き下げると、フレーム支持台１３６がドラム１３２に対して引き下げられる。これにより、図２７（Ｂ）に示す様に、テープ２７が径方向に拡張されると共に、厚さ方向１１ｄにおける第１の加工溝１３ａ及び第２の加工溝１３ｂ間の未分割領域が分割される。
図２７（Ｂ）は、第４の実施形態に係る分割工程Ｓ９０を示す図である。分割工程Ｓ９０では、拡張装置１３０を用いて、被加工物１１を複数のデバイスチップ３３に分割する。分割と同時にデバイスチップ３３間の間隔を広げることで、後続するデバイスチップ３３のピックアップ工程が容易になるというメリットがある。
（第５の実施形態）次に、図２８から図３１（Ｂ）を用いて第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、上述の切削装置２を使用して裏面１１ｂ側に第１の加工溝１３ａを形成する際に、撮像工程Ｓ５０、検出工程Ｓ６０、修正工程Ｓ７０等を行う。係る点が上述の実施形態と異なる。
図２８は、第５の実施形態に係る加工方法のフロー図である。第５の実施形態では、保持工程Ｓ１０の後の第１の加工溝形成工程Ｓ２２で、裏面１１ｂ側に１本だけ第１の加工溝１３ａを形成する（図２９参照）。図２９は、第５の実施形態に係る第１の加工溝形成工程Ｓ２２を示す図である。
第１の加工溝形成工程Ｓ２２の後、図３０に示す様に、上側撮像ユニット（第１の撮像ユニット）８６ａで第１の加工溝１３ａを撮像すると共に、厚さ方向１１ｄで第１の加工溝１３ａに対応する位置にある分割予定ライン（所定ライン）１３を下側撮像ユニット（第２の撮像ユニット）５４で撮像する（撮像工程Ｓ５０）。
図３０は、第５の実施形態に係る撮像工程Ｓ５０を示す図である。なお、第５の実施形態では、上側撮像ユニット８６ａが第１の撮像ユニットとして機能し、下側撮像ユニット５４が第２の撮像ユニットとして機能する。
撮像工程Ｓ５０の後、制御部９４は、上側撮像ユニット８６ａで得た画像８８ａと、下側撮像ユニット５４で得た画像８８ｂと、に基づいて、第１の加工溝１３ａと分割予定ライン１３とのずれを検出する（検出工程Ｓ６０）。
図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）は、検出工程Ｓ６０を示す拡大断面図である。なお、図３１（Ａ）及び図３１（Ｂ）では、被加工物１１及びチャックテーブル１０を間に挟んで上側撮像ユニット８６ａ及び下側撮像ユニット５４が、Ｘ‐Ｙ平面内の同じ位置にある。
しかし、これは便宜上の図示に過ぎず、下側撮像ユニット５４は、上側撮像ユニット８６ａが撮像する裏面１１ｂ側の領域とＸ‐Ｙ平面内で対応する表面１１ａ側の領域を撮像する様に設定されているということを意味している。
検出工程Ｓ６０では、第１の実施形態と同様に、制御部９４が、画像処理を行うことで、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、分割予定ライン１３の中心線１３ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する。
なお、分割予定ライン１３の中心線１３ｃは、分割予定ライン１３の幅方向の中心に位置し、且つ、分割予定ライン１３の長手方向と略平行である仮想的な直線である。
図３１（Ａ）は、第５の実施形態において、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、分割予定ライン１３の中心線１３ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内で一致している場合の被加工物１１の一部の拡大断面図である。一致している場合（Ｓ６２でＹＥＳ）、追加の第１の加工溝形成工程Ｓ７２へ進む。
図３１（Ｂ）は、第５の実施形態において、第１の加工溝１３ａの第１の中心線１３ａ２の位置と、分割予定ライン１３の中心線１３ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内でずれている場合の被加工物１１の一部の拡大断面図である。
図３１（Ｂ）では、Ｙ軸方向における第１の中心線１３ａ２の基準線９２ａからのずれ量及びずれ方向をベクトルＣ１で示す。検出工程Ｓ６０において、第１の中心線１３ａ２の位置と中心線１３ｃの位置とがＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、第１の実施形態と同様に、修正工程Ｓ７０へ進む。
修正工程Ｓ７０後の切削時には、制御部９４が、ベクトルＣ１に対応するずれ量及びずれ方向を打ち消す様に、第１の切削ブレード８４ａの中心８４ａ２の位置（即ち、第１の切削ユニット７８ａの加工位置）を修正する。
これにより、以降の切削（即ち、追加の第１の加工溝形成工程Ｓ７２）では、第１の中心線１３ａ２の位置と中心線１３ｃの位置とをＸ‐Ｙ平面内で一致させることができる。なお、図３１（Ｂ）では、説明を簡単にするために、基準線９２ｂと中心線１３ｃとを一致させているが、基準線９２ｂと中心線１３ｃとは、ずれていてもよい。
いずれにしても、第１の中心線１３ａ２の位置に対する中心線１３ｃの位置のずれ量及びずれ方向を検出工程Ｓ６０において検出し、このずれ量及びずれ方向を修正工程Ｓ７０で修正する。
追加の第１の加工溝形成工程Ｓ７２では、第１の加工溝形成工程Ｓ２２で形成された第１の加工溝１３ａの位置から第１の切削ユニット７８ａをＹ軸方向に順に割り出し送りして、第１の方向に沿う残り全ての分割予定ライン１３に沿って、第１の加工溝１３ａを追加的に形成する。
図２８には示していないが、第１の方向に沿う全ての分割予定ライン１３に沿って第１の加工溝１３ａを形成した後、チャックテーブル１０を９０度回転させる。そして、第１の方向に直交する第２の方向に沿う分割予定ライン１３に沿って、Ｓ２２からＳ７２を経て同様に、第１の加工溝１３ａを形成する。
第５の実施形態でも、表面１１ａ側及び裏面１１ｂ側を直接的に観察することで、第１の中心線１３ａ２及び中心線１３ｃのずれを検出できる。第１の中心線１３ａ２の位置と、中心線１３ｃの位置とが、ずれた場合には、次の分割予定ライン１３の切削時から第１の中心線１３ａ２及び中心線１３ｃの位置が一致する様に修正したうえで、被加工物１１を切削できる。
加えて、当該加工方法によれば、被加工物１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂを直接的に観察することにより、仮に、アライメントマークの形状に歪みがあったとしても、アライメントマークの形状の歪みの影響を緩和できる。
なお、第５の実施形態においても、第２の実施形態と同様に第１の加工溝１３ａを断面視でＶ字形状としてもよく、第３の実施形態と同様に第１の加工溝１３ａをレーザーアブレーションで形成してもよい。
（第６の実施形態）次に、図３２及び図３３を用いて第６の実施形態について説明する。第６の実施形態では、上述の切削装置２を使用し図２８のフローに従って被加工物１１を加工する。それゆえ、第５の実施形態と重複する説明を省略する。
第６の実施形態では、保持工程Ｓ１０の後の第１の加工溝形成工程Ｓ２２において、被加工物１１の裏面１１ｂから表面１１ａに到達する深さを有する第１の加工溝４３を形成する。係る点が、第５の実施形態と異なる。
第１の加工溝形成工程Ｓ２２では、まず、所謂フルカット溝と呼ばれる第１の加工溝４３を１本だけ形成する（図３２参照）。図３２は、第６の実施形態に係る第１の加工溝形成工程Ｓ２２を示す図である。しかし、図３２に示す様に、第１の加工溝４３が被加工物１１の厚さ方向（例えば、Ｚ軸方向）に対して傾くことがある（所謂、斜め切り）。
例えば、第１の切削ブレード８４ａがスピンドル８２ａに対して傾いて取り付けられている、第１の切削ブレード８４ａが偏摩耗している、被加工物１１の切削抵抗が比較的大きい等の理由により、所謂、斜め切りが生じることがある。
この様な斜め切りが生じた場合であっても、表面１１ａの分割予定ライン４５ａの幅４５ｂの中心線（第１の中心線）４５ｃを、裏面１１ｂに露出する第１の加工溝４３における開口４３ａの幅４３ｂの中心線（第２の中心線）４３ｃと、一致させる必要がある場合がある。
なお、中心線４３ｃは、開口４３ａの幅方向の中心に位置し、開口４３ａの幅方向と直交する長手方向と略平行である。同様に、中心線４５ｃは、分割予定ライン４５ａの幅方向の中心に位置し、分割予定ライン４５ａの幅方向と直交する長手方向と略平行である。
本実施形態では、第１の加工溝形成工程Ｓ２２の後、図３３に示す様に、表面１１ａ側をチャックテーブル１０で吸引保持したまま、裏面１１ｂに露出する第１の加工溝４３を上側撮像ユニット８６ａで撮像すると共に、分割予定ライン４５ａの近傍を下側撮像ユニット５４で撮像する（撮像工程Ｓ５０）。
図３３は、第６の実施形態に係る撮像工程Ｓ５０を示す図である。下側撮像ユニット５４の各々の撮像視野は、表面１１ａ側に露出する第１の加工溝４３を含む分割予定ライン４５ａの幅４５ｂよりも小さい場合がある。
この場合、下側撮像ユニット５４で分割予定ライン４５ａを撮像しても分割予定ライン４５ａの幅４５ｂの中心線４５ｃを特定できない。そこで、本実施形態の撮像工程Ｓ５０では、表面１１ａ側において分割予定ライン４５ａの近傍に設けられているアライメントマーク４５を下側撮像ユニット５４で撮像する。
撮像工程Ｓ５０の後、制御部９４は、画像処理を行うことで、アライメントマーク４５の位置座標に基づいて分割予定ライン４５ａの中心線４５ｃの位置座標を特定する。なお、アライメントマーク４５から中心線４５ｃまでの距離は、切削装置２に予め登録されている。
更に、制御部９４は、第１の加工溝４３の裏面１１ｂ側における中心線４３ｃの座標も同様に、画像処理により特定する。その後、制御部９４は、中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する（検出工程Ｓ６０）。
図３２及び図３３では、Ｙ軸方向における中心線４５ｃからの中心線４３ｃのずれ量及びずれ方向をベクトルＤ１で示す。中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内で一致している場合（Ｓ６２でＹＥＳ）、追加の第１の加工溝形成工程Ｓ７２へ進む。
これに対して、中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置と、がＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、修正工程Ｓ７０へ進む。修正工程Ｓ７０後の切削時には、制御部９４が、中心線４３ｃ及び中心線４５ｃのずれ量及びずれ方向を打ち消す様に、第１の切削ブレード８４ａの位置（即ち、第１の切削ユニット７８ａの加工位置）を修正する。
これにより、以降の切削では、表面１１ａにおける分割予定ライン４５ａの中心線４５ｃを裏面１１ｂに投影した位置に、裏面１１ｂ側における開口４３ａの中心線４３ｃを合せることができる。
（第７の実施形態）次に、図３４を用いて第７の実施形態について説明する。第７の実施形態では、表面１１ａではなく裏面１１ｂ側にテープ１７を貼り付け、保持工程Ｓ１０及び第１の加工溝形成工程Ｓ２２では、裏面１１ｂ側を吸引保持し、表面１１ａ側を露出させる。
係る点が、第６の実施形態と異なる。それゆえ、第６の実施形態と重複する説明を省略する。第７の実施形態では、第１の加工溝形成工程Ｓ２２において、被加工物１１の表面１１ａから裏面１１ｂに到達する深さを有する第１の加工溝４３を形成する。
また、撮像工程Ｓ５０では、裏面１１ｂ側を吸引保持した状態で、裏面１１ｂに到達している第１の加工溝４３を下側撮像ユニットで撮像すると共に、分割予定ライン４５ａ近傍のアライメントマーク４５を上側撮像ユニット８６ａで撮像する（撮像工程Ｓ５０）。
制御部９４は、表面１１ａ側における分割予定ライン４５ａの中心線４５ｃの座標と、第１の加工溝４３の裏面１１ｂ側における中心線４３ｃの座標と、を特定し、中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面（所定の平面）内で一致しているか否かを検出する（検出工程Ｓ６０）。
図３４は、第７の実施形態に係る撮像工程Ｓ５０を示す図である。図３４では、Ｙ軸方向における中心線４５ｃからの中心線４３ｃのずれ量及びずれ方向をベクトルＤ２で示す。中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置とが、Ｘ‐Ｙ平面内で一致している場合（Ｓ６２でＹＥＳ）、追加の第１の加工溝形成工程Ｓ７２へ進む。
これに対して、中心線４３ｃの位置と、中心線４５ｃの位置と、がＸ‐Ｙ平面内で一致していない場合、修正工程Ｓ７０へ進む。修正工程Ｓ７０後の切削時には、制御部９４が、中心線４３ｃ及び中心線４５ｃのずれ量及びずれ方向を打ち消す様に、第１の切削ブレード８４ａの位置（即ち、第１の切削ユニット７８ａの加工位置）を修正する。
これにより、以降の切削では、表面１１ａにおける分割予定ライン４５ａの中心線４５ｃを裏面１１ｂに投影した位置に、裏面１１ｂ側における開口４３ａの中心線４３ｃを合せることができる。
その他、上述の実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。上述の実施形態及び変形例を、適宜組み合わせてもよい。
２：切削装置、４：基台、４ａ，４ｂ：開口、４ｃ：支持構造、４ｄ：開口
６：カセット、１０：チャックテーブル（保持テーブル）
１１：被加工物、１１ａ：表面、１１ｂ：裏面
１１ｃ：厚さ、１１ｄ：厚さ方向
１２：保持部材、１２ａ：一面、１２ｂ：他面
１２ｃ１：第１吸引路、１２ｃ２：第２吸引路、１２ｃ３：中心点、１２ｄ：開口部
１２ｅ：外周吸引路、１２ｆ：吸引路
１３：分割予定ライン（所定ライン）
１３ａ：第１の加工溝、１３ａ１：幅、１３ａ２：第１の中心線
１３ｂ：第２の加工溝、１３ｂ１：幅、１３ｂ２：第２の中心線
１３ａ３：開口、１３ｂ３：開口（所定ライン）、１３ｃ：中心線
１４：吸引源、１６：枠体、１６ａ：開口部、１６ｂ：プーリー部
１５：デバイス、１７：テープ、１９：フレーム、２１：被加工物ユニット
１８：Ｘ軸方向移動テーブル
１８ａ：底板、１８ｂ：側板、１８ｃ：天板、１８ｄ：空間
２０：Ｘ軸ガイドレール、２０ａ：Ｘ軸リニアスケール、２２：ねじ軸
２３ａ、２３ｂ：深さ
２４：モーター、２６：Ｘ軸方向移動機構
２７：テープ、２９ａ：第１の保護膜、２９ｂ：第２の保護膜、３１：被加工物ユニット
２８：ベルト、３０：回転駆動源、３０ａ：プーリー
３２：Ｙ軸方向移動機構、３４：Ｙ軸ガイドレール、３６：Ｙ軸方向移動テーブル
３３：デバイスチップ
３８：ねじ軸、４０：モーター
４２：Ｚ軸方向移動機構、４２ａ：支持構造、４４：Ｚ軸ガイドレール
４３：第１の加工溝、４３ａ：開口、４３ｂ：幅、４３ｃ：中心線
４５：アライメントマーク、４５ａ：分割予定ライン、４５ｂ：幅、４５ｃ：中心線
４６：Ｚ軸移動プレート、４８：ねじ軸、５０：モーター
５２：支持アーム、５４：下側撮像ユニット
５６：低倍率カメラ、５６ａ：照明装置
５８：高倍率カメラ、５８ａ：照明装置
６０：加工ユニット移動機構、６２：Ｙ軸ガイドレール、６４：Ｙ軸移動プレート
６６：ねじ軸、６８：モーター
７０ａ，７０ｂ：Ｚ軸移動プレート
７２：Ｚ軸ガイドレール、７４：ねじ軸、７６：モーター
７８ａ：第１の切削ユニット（第１の加工ユニット、第２の加工ユニット）
７８ｂ：第３の切削ユニット（第３の加工ユニット）
８０ａ，８０ｂ：スピンドルハウジング、８２ａ，８２ｂ：スピンドル
８４ａ：第１の切削ブレード、８４ａ１：刃厚、８４ａ２：中心
８４ｂ：第３の切削ブレード、８４ｂ１：刃厚、８４ｂ２：中心
８６ａ：上側撮像ユニット、８６ｂ：上側撮像ユニット
８８ａ，８８ｂ：画像
９０：洗浄ユニット、９２：タッチパネル、９２ａ，９２ｂ：基準線
９４：制御部、９６：記憶装置
９８ａ：切削ブレード、９８ａ１：刃厚、９８ａ２：中心
１０２：レーザー加工装置、１０４：静止基台
１０６：Ｙ軸移動テーブル、１０８：Ｙ軸ガイドレール、１０８ａ：Ｙ軸リニアスケール
１１０：ねじ軸、１１２：モーター、１１４：Ｙ軸方向移動機構
１１６：コラム、１１８：ケーシング
１２０：レーザー照射ユニット（第１の加工ユニット、第２の加工ユニット）
１２０ａ：レーザー発振器、１２２：ヘッド部、１２２ａ：集光レンズ
１３０：拡張装置、１３２：ドラム、１３４：コロ、１３６：フレーム支持台
１３８：クランプ、１４０：脚部
Ａ：領域、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１、Ｄ２：ベクトル
Ｌ：レーザービーム
Ｓ１０：保持工程、Ｓ２０、Ｓ２２：第１の加工溝形成工程、Ｓ３０：反転工程
Ｓ４０：第２の加工溝形成工程
Ｓ５０：撮像工程、Ｓ６０：検出工程、Ｓ７０：修正工程
Ｓ７２：追加の第１の加工溝形成工程、Ｓ８０：追加の第２の加工溝形成工程
Ｓ９０：分割工程

Claims (8)

  1. 被加工物の加工方法であって、
    該被加工物の表面側を保持して該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を露出させた状態で、該表面側には到達しない深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、
    該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物を保持した状態で第１の撮像ユニットで該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルに対して該第１の撮像ユニットとは反対側に設けられた第２の撮像ユニットで、該表面に設けられ且つ該被加工物の厚さ方向で該第１の加工溝に対応する位置にある所定ラインを撮像する撮像工程と、
    該撮像工程の後、該第１の撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該第２の撮像ユニットで撮像した該所定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、
    該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、
    を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
  2. 該撮像工程の前に、該保持テーブルで該裏面側を保持して該表面側を露出させた状態で、該被加工物の厚さ方向で該第１の加工溝の反対側に位置し、且つ、該第１の加工溝に到達しない深さを有する第２の加工溝を、第２の加工ユニットを用いて形成する第２の加工溝形成工程を更に備え、
    該所定ラインは、該表面に位置する該第２の加工溝の開口であり、
    該検出工程では、該第１の撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の該第１の中心線の位置と、該第２の撮像ユニットで撮像した該第２の加工溝の該第２の中心線の位置とが、所定の平面内で一致しているか否かを検出し、
    該修正工程では、該第２の加工ユニットの加工位置を修正することを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
  3. 該第１の加工ユニット及び該第２の加工ユニットの少なくとも一方は、断面視での外周端部がＶ字形状を有する切削ブレードを有し、
    該第１の加工溝及び該第２の加工溝の少なくとも一方は、該切削ブレードの外周端部の形状に応じて、断面視でＶ字形状を有することを特徴とする請求項２に記載の被加工物の加工方法。
  4. 該第１の加工ユニット及び該第２の加工ユニットの少なくとも一方は、該被加工物に吸収される波長を有するパルス状のレーザービームを照射可能なレーザー照射ユニットであることを特徴とする請求項２に記載の被加工物の加工方法。
  5. 該被加工物の厚さ方向で対応する位置にある該第１の加工溝及び該第２の加工溝が接続する様に、第３の加工ユニットで該被加工物を分割する分割工程を更に備えることを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の被加工物の加工方法。
  6. 該所定ラインは、該表面に設定された分割予定ラインであり、
    該撮像工程では、該分割予定ラインを該第２の撮像ユニットで撮像し、
    該修正工程では、該第１の加工ユニットの加工位置を修正することを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
  7. 被加工物の加工方法であって、
    該被加工物の表面側を保持して該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を露出させた状態で、該表面に到達する深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、
    該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物の該表面側を吸引保持した状態で該保持テーブルの上方に位置する上側撮像ユニットで該裏面に露出する該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルの下方に位置する下側撮像ユニットで、該表面側に設けられているアライメントマークを撮像する撮像工程と、
    該撮像工程の後、該上側撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該下側撮像ユニットで撮像した該アライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、
    該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、
    を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
  8. 被加工物の加工方法であって、
    該被加工物の裏面側を保持して該裏面とは反対側に位置する該被加工物の表面側を露出させた状態で、該裏面に到達する深さを有する第１の加工溝を第１の加工ユニットを用いて形成する第１の加工溝形成工程と、
    該第１の加工溝形成工程の後、透明な材料で形成された領域を有する保持テーブルで該被加工物の該裏面側を吸引保持した状態で該保持テーブルの下方に位置する下側撮像ユニットで該裏面に露出する該第１の加工溝を撮像すると共に、該保持テーブルの上方に位置する上側撮像ユニットで、該表面側に設けられているアライメントマークを撮像する撮像工程と、
    該撮像工程の後、該下側撮像ユニットで撮像した該第１の加工溝の第１の中心線の位置と、該上側撮像ユニットで撮像した該アライメントマークを基にして特定される分割予定ラインの第２の中心線の位置と、が所定の平面内で一致しているか否かを検出する検出工程と、
    該検出工程において、該第１の中心線の位置と、該第２の中心線の位置と、が一致していない場合には、一致する様に加工位置を修正する修正工程と、
    を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
JP2022046557A 2022-03-23 2022-03-23 被加工物の加工方法 Pending JP2023140628A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022046557A JP2023140628A (ja) 2022-03-23 2022-03-23 被加工物の加工方法
KR1020230032218A KR20230138408A (ko) 2022-03-23 2023-03-13 피가공물의 가공 방법
CN202310251451.1A CN116805610A (zh) 2022-03-23 2023-03-15 被加工物的加工方法
EP23162295.2A EP4254471A1 (en) 2022-03-23 2023-03-16 Processing method for workpiece
TW112110232A TW202338946A (zh) 2022-03-23 2023-03-20 被加工物的加工方法
US18/186,339 US20230302580A1 (en) 2022-03-23 2023-03-20 Processing method for workpiece

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022046557A JP2023140628A (ja) 2022-03-23 2022-03-23 被加工物の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023140628A true JP2023140628A (ja) 2023-10-05

Family

ID=85703537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022046557A Pending JP2023140628A (ja) 2022-03-23 2022-03-23 被加工物の加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230302580A1 (ja)
EP (1) EP4254471A1 (ja)
JP (1) JP2023140628A (ja)
KR (1) KR20230138408A (ja)
CN (1) CN116805610A (ja)
TW (1) TW202338946A (ja)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275583A (ja) 1993-03-24 1994-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 面取り半導体チップ及びその面取り加工方法
US8361828B1 (en) * 2011-08-31 2013-01-29 Alta Devices, Inc. Aligned frontside backside laser dicing of semiconductor films
JP7254416B2 (ja) 2019-01-11 2023-04-10 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP7475781B2 (ja) * 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
JP7475782B2 (ja) * 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202338946A (zh) 2023-10-01
US20230302580A1 (en) 2023-09-28
CN116805610A (zh) 2023-09-26
KR20230138408A (ko) 2023-10-05
EP4254471A1 (en) 2023-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201641204A (zh) 雷射加工裝置
JP5394204B2 (ja) 切削ブレードの消耗量管理方法
JP7475782B2 (ja) 加工装置
JP2009012127A (ja) 切削装置
JP7430449B2 (ja) 加工装置
JP2020113635A (ja) 被加工物の切削方法
TWI610350B (zh) 改質層形成方法
JP7475781B2 (ja) 加工装置
JP2023140628A (ja) 被加工物の加工方法
KR20210069574A (ko) 가공 장치
JP7285694B2 (ja) レーザー加工装置の光軸調整方法
JP2022124134A (ja) 被加工物の加工方法
JP2024000700A (ja) 位置合わせ方法及び基準位置の更新方法
JP7460272B2 (ja) 加工装置
JP2022186378A (ja) レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JP2023032215A (ja) 加工方法
CN117238798A (zh) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220422

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20220422