JP2023032215A - 加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハの分割後の不具合を抑制することができる加工方法を提供すること。【解決手段】加工方法は、表面と表面の背面の裏面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側を保持ユニットで保持して表面を露出させる保持ステップ１００１と、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに表面側から分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することを集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップ１００２と、を備え、改質層形成ステップ１００２では、裏面から表面に向かう方向に順に改質層を形成し、表面側の第２の領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない第１の所定距離に至る前に表面から裏面に向かう方向に順に改質層を形成する。【選択図】図５

Description

本発明は、第１面と該第１面の背面の第２面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法に関する。

半導体デバイスの製造工程では、ウェーハ上に複数の半導体デバイスを形成し、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することで複数の半導体デバイスを製造している。

近年ではウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームをウェーハに照射して、ウェーハ内部に改質された領域である改質層を形成した後、ウェーハに外力を付与して改質層を起点に分割する方法が広く採用されている。

ウェーハの厚さや材質によっては、分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数層の改質層を形成する（例えば、特許文献１参照）。通常、レーザビームの集光点の位置をウェーハのレーザビームが照射される被照射面、即ちレーザビームの入射面から遠い面から入射面に渡って順に形成する（例えば、特許文献２照）。先に入射面側に改質層が形成された状態で、入射面よりも遠い位置にレーザビームを集光させようとしても、既に形成されている改質層にレーザビームの集光が妨げられてしまうからである。

特開２０１４－１９２３３９号公報 特開２０２０－１３６４５７号公報

一方で、入射面から遠い位置から入射面に向かって順に改質層を形成する際、改質層が形成されていない改質層未形成領域の厚さが十分でない場合、改質層未形成領域に形成した改質層が蛇行したり、十分に改質されない等、形成される改質層に乱れが生じる。

改質層に乱れが生じると、形成される半導体デバイス等のチップサイズが許容範囲に入らない、分割時に分割屑が多く発生する等の問題が生じる。そして、分割屑がデバイスに付着すると特性を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたす。

本発明の目的は、ウェーハの分割後の不具合を抑制することができる加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、第１面と該第１面の背面の第２面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの該第１面側を保持ユニットで保持して該第２面を露出させる保持ステップと、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに該第２面側から該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射することを該集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の該分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、を備え、該改質層形成ステップでは、該第１面から該第２面に向かう方向に順に改質層を形成し、該第２面側の改質層未形成領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない厚さに至る前に該第２面から該第１面に向かう方向に順に改質層を形成することを特徴とする。

前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第１面側の第１集光点と該第１集光点よりも該第２面側の第２集光点とにそれぞれ位置づけた状態で該分割予定ラインに沿って照射し、該第１面から該第２面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第１集光点が該第２集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられ、該第２面から該第１面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第２集光点が第１集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられても良い。

前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第１集光点に位置づけた状態で形成される第１改質層と、該第１改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、該レーザビームを該第２集光点に位置づけた状態で形成される第２改質層と、該第２改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、が形成され、該第１改質層と該第２改質層とが該クラックで連結される位置に該第１集光点と該第２集光点とが位置づけられても良い。

前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該ウェーハに対して相対的に加工進行方向に移動させながら該レーザビームの集光点を該ウェーハの厚さ方向に異なる位置に位置づけて照射するとともに、該レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第１面側の集光点を該第２面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第１面側の半分の改質層を形成し、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第１面側の半分の改質層を形成した後に、レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第２面側の集光点を該第１面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第２面側の残り半分の改質層を形成しても良い。

本発明は、ウェーハの分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。 図２は、実施形態１に係る加工方法を実施するレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。 図３は、図２に示されたレーザ加工装置のレーザビーム照射ユニットの構成を模式的に示す図である。 図４は、実施形態１に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。 図５は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。 図６は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの最も裏面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図７は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの裏面側の３層目までの改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図８は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの最も表面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。 図９は、実施形態２に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。 図１０は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。 図１１は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの中央の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。 図１２は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。 図１３は、実施形態３に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の３層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。 図１４は、実施形態３に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の３層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、実施形態１に係る加工方法を実施するレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。図３は、図２に示されたレーザ加工装置のレーザビーム照射ユニットの構成を模式的に示す図である。図４は、実施形態１に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図５は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。

（ウェーハ）
実施形態１に係る加工方法は、図１に示されたウェーハ１の加工方法である。実施形態１に係る加工方法の加工対象のウェーハ１は、シリコン、サファイヤ、ガリウムヒ素、又はＳｉＣ（炭化ケイ素）等などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。実施形態１において、ウェーハ１は、第２面である表面３と、表面３の背面側の第１面である裏面４とを有し、表面３と裏面４とが平行な円板状に形成されている、ウェーハ１は、表面３に交差する複数の分割予定ライン５が設定され、分割予定ライン５で格子状に区画された領域にそれぞれデバイス６が形成されている。

デバイス６は、実施形態１では、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）であるが、本発明では、ＭＥＭＳに限定されることなく、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、又は各種メモリ（半導体記憶装置）等でも良い。

ウェーハ１は、図２及び図３に示すレーザ加工装置１００により分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１が照射されるなどして、個々のデバイス６に分割される。なお、実施形態１では、ウェーハ１は、レーザ加工装置１００によりレーザビーム１２１が照射される際には、裏面４にウェーハ１よりも大径な円板状の保護テープ１０（図３に示す）が貼着され、保護テープ１０の外縁部に内径がウェーハ１の外径よりも大径な環状の図示しない環状フレームが貼着されて、環状フレームの内側の開口内に支持される。

なお、実施形態１では、加工対象のウェーハ１は、前述したように、円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等であるが、本発明では、これらに限定されることなく、種々の板状の被加工物でも良い。また、本発明では、加工対象のウェーハ１は、表面３にデバイス６が形成されていないものでも良い。

（レーザ加工装置）
図２に示されたレーザ加工装置１００は、ウェーハ１をレーザ加工（加工に相当する）する加工装置である。図２に示されたレーザ加工装置１００は、ウェーハ１の表面３からウェーハ１を構成する基板２及び保護テープ１０に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム１２１（図３に示す）を分割予定ライン５に沿って照射する加工装置である。

レーザ加工装置１００は、図２に示すように、ウェーハ１を保持する保持ユニット１１０と、レーザビーム照射ユニット１２０と、移動ユニット１３０と、撮像ユニット１４０と、制御手段である制御ユニット１９０とを有する。

保持ユニット１１０は、ウェーハ１を水平方向と平行な保持面１１１で保持する。保持面１１１は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、吸引経路等を介して吸引源と接続されている。保持面１１１は、保護テープ１０を介してウェーハ１の裏面４が載置される。保持ユニット１１０は、保持面１１１が吸引源により吸引されることで、保持面１１１上に載置されたウェーハ１を吸引保持する。保持ユニット１１０の周囲には、ウェーハ１を開口内に支持する環状フレームを挟持するクランプ部１１２が複数配置されている。

また、保持ユニット１１０は、移動ユニット１３０の回転移動ユニット１３４により保持面１１１に対して直交しかつ鉛直方向と平行なＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。保持ユニット１１０は、回転移動ユニット１３４とともに、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１により水平方向と平行なＸ軸方向（加工進行方向に相当）に移動されかつＹ軸移動ユニット１３２により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動される。保持ユニット１１０は、移動ユニット１３０によりレーザビーム照射ユニット１２０の下方の加工領域と、レーザビーム照射ユニット１２０の下方から離れてウェーハ１が搬入、搬出される搬入出領域とに亘って移動される。

レーザビーム照射ユニット１２０は、保持ユニット１１０に保持されたウェーハ１に対してパルス状のレーザビーム１２１（図３に示す）を集光して照射する集光レンズ１２２を備えたレーザ照射手段である。実施形態１では、レーザビーム照射ユニット１２０の一部は、図２に示すように、装置本体１０１から立設した立設壁１０２に設けられた移動ユニット１３０のＺ軸移動ユニット１３３によりＺ軸方向に移動自在に支持されている。

レーザビーム照射ユニット１２０は、図３に示すように、ウェーハ１の基板２及び保護テープ１０に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム１２１を出射する発振器１２３と、保持ユニット１１０の保持面１１１に保持されたウェーハ１に発振器１２３から出射されたレーザビーム１２１を集光する集光レンズ１２２と、発振器１２３から出射されたレーザビーム１２１を集光レンズ１２２に向かって反射する反射ミラー１２４とを備える。

集光レンズ１２２は、保持ユニット１１０の保持面１１１とＺ軸方向に対向する位置に配置されている。集光レンズ１２２は、保持ユニット１１０に保持されたウェーハ１に対してパルス状のレーザビーム１２１を集光して照射する集光光学素子である。集光レンズ１２２は、発振器１２３から出射されたレーザビーム１２１を透過して、レーザビーム１２１を集光点１２６に集光する。

また、実施形態１では、レーザビーム照射ユニット１２０は、発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を分岐することが可能な分岐ユニット１２５を備える。実施形態１では、分岐ユニット１２５は、発振器１２３から出射されたレーザビーム１２１の光学的特性を調整する所謂ＬＣＯＳ－ＳＬＭ（Liquid Crystal On Silicon-Spatial Light Modulator）である。

実施形態１において、分岐ユニット１２５は、レーザビーム１２１の光学的特性を調整するパターンを表示する表示面を有し、パターンを表示した表示面に発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を反射させることで、レーザビーム１２１の光学的特性を調整する。実施形態１において、分岐ユニット１２５は、表示面にレーザビーム１２１を分岐するパターンを表示することで、レーザビーム１２１を分岐することが可能である。実施形態１において、分岐ユニット１２５は、反射ミラー１２４と、集光レンズ１２２との間に配置されている。

移動ユニット１３０は、保持ユニット１１０とレーザビーム照射ユニット１２０が照射するレーザビーム１２１の集光点１２６とをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＺ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、互いに直交し、かつ保持面１１１（即ち水平方向）と平行な方向である。移動ユニット１３０は、保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させる加工送りユニットであるＸ軸移動ユニット１３１と、保持ユニット１１０をＹ軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるＹ軸移動ユニット１３２と、レーザビーム照射ユニット１２０に含まれる集光レンズ１２２をＺ軸方向に移動させるＺ軸移動ユニット１３３と、保持ユニット１１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット１３４とを備える。

Ｙ軸移動ユニット１３２は、保持ユニット１１０と、レーザビーム照射ユニット１２０のレーザビーム１２１の集光点１２６とを相対的に割り出し送りするユニットである。実施形態１では、Ｙ軸移動ユニット１３２は、レーザ加工装置１００の装置本体１０１上に設置されている。Ｙ軸移動ユニット１３２は、Ｘ軸移動ユニット１３１を支持した移動プレート１０３をＹ軸方向に移動自在に支持している。

Ｘ軸移動ユニット１３１は、保持ユニット１１０と、レーザビーム照射ユニット１２０のレーザビーム１２１の集光点１２６とを相対的に加工送りする送り手段である。Ｘ軸移動ユニット１３１は、移動プレート１０３上に設置されている。Ｘ軸移動ユニット１３１は、保持ユニット１１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット１３４を支持した第２移動プレート１０４をＸ軸方向に移動自在に支持している。第２移動プレート１０４は、回転移動ユニット１３４、保持ユニット１１０を支持している。Ｚ軸移動ユニット１３３は、立設壁１０２に設置され、レーザビーム照射ユニット１２０をＺ軸方向に移動自在に支持している。回転移動ユニット１３４は、保持ユニット１１０を支持している。

Ｘ軸移動ユニット１３１、Ｙ軸移動ユニット１３２及びＺ軸移動ユニット１３３は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ、移動プレート１０３，１０４をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持するとともに、レーザビーム照射ユニット１２０をＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。回転移動ユニット１３４は、保持ユニット１１０を軸心回りに回転するモータ等を備える。

また、レーザ加工装置１００は、保持ユニット１１０のＸ軸方向の位置を検出するための図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、保持ユニット１１０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、レーザビーム照射ユニット１２０に含まれる集光レンズ１２２のＺ軸方向の位置を検出するＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット１９０に出力する。

撮像ユニット１４０は、保持ユニット１１０に保持されたウェーハ１を撮像するものである。撮像ユニット１４０は、対物レンズがＺ軸方向に対向するものを撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子等の撮像素子を備えている。

撮像ユニット１４０は、撮像素子が撮像した画像を取得し、取得した画像を制御ユニット１９０に出力する。また、撮像ユニット１４０は、保持ユニット１１０の保持面１１１に保持されたウェーハ１を撮像して、ウェーハ１とレーザビーム照射ユニット１２０との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を取得する。

制御ユニット１９０は、レーザ加工装置１００の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ１に対するレーザ加工動作をレーザ加工装置１００に実施させるものである。なお、制御ユニット１９０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット１９０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザ加工装置１００を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザ加工装置１００の上述した構成要素に出力して、制御ユニット１９０の機能を実現する。

また、レーザ加工装置１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示手段である表示ユニットと、オペレータが加工条件などを入力する際に用いる入力手段である入力ユニット等を備えている。表示ユニット及び入力ユニットは、制御ユニット１９０に接続している。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置との少なくとも一方により構成される。

（加工方法）
実施形態１に係る加工方法は、レーザ加工装置１００がウェーハ１に表面３側から分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射して、ウェーハ１の基板２の内部に分割予定ライン５に沿って改質層７（図４に示す）を形成する方法である。実施形態１では、加工方法は、図４に示すように、ウェーハ１の各分割予定ライン５の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層（実施形態１では、５層）の改質層７を形成する。

なお、改質層７とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層７は、ウェーハ１の基板２の他の部分よりも機械的な強度等が低い。なお、ウェーハ１は、基板２の内部に改質層７が形成されると、改質層７からウェーハ１の厚さ方向（以下、単に厚さ方向と記す）に伸長するクラック８が形成される。

実施形態１において、ウェーハ１の第２面である表面３側から第１の所定距離１１内の領域１２は、この領域１２よりも第１面である裏面４側に改質層７が形成されている場合、この領域１２内に集光点１２６を設定して表面３側からレーザビーム１２１を照射しても、レーザビーム１２１の照射の衝撃により改質層７が形成されるよりも前にクラックが発生して改質層７が形成できない領域である。即ち、第１の所定距離１１は、前述した領域１２よりも裏面４側に改質層７が形成されていると、クラック８が発生して改質層７が形成できない厚さである。

実施形態１に係る加工方法は、図５に示すように、保持ステップ１００１と、改質層形成ステップ１００２とを備える。

（保持ステップ）
保持ステップ１００１は、ウェーハ１の裏面４側を保持ユニット１１０で保持して、表面３を露出させるステップである。保持ステップ１００１では、前述した構成のレーザ加工装置１００の制御ユニット１９０がオペレータにより入力された加工条件を受け付けて登録し、ウェーハ１が保護テープ１０を介して裏面４側が搬入出領域に位置付けられた保持ユニット１１０の保持面１１１に載置される。なお、加工条件は、レーザビーム１２１の出力、繰り返し周波数、レーザビーム１２１をウェーハ１に照射する際の保持ユニット１１０のＸ軸方向の移動速度（以下、加工送り速度という）、各分割予定ライン５に形成する各層の改質層７を形成する際の集光点１２６のウェーハ１の厚さ方向の位置、各分割予定ライン５に形成する複数層の改質層７を形成する順番等を含む。

実施形態１において、保持ステップ１００１では、レーザ加工装置１００は、オペレータからの加工動作の開始指示を制御ユニット１９０が受け付けると、加工動作即ち実施形態１に係る加工方法を開始して、制御ユニット１９０が保持ユニット１１０の保持面１１１にウェーハ１を吸引保持するとともに、クランプ部１１２に環状フレームを挟持させる。

（改質層形成ステップ）
図６は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの最も裏面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図７は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの裏面側の３層目までの改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図８は、図５に示された加工方法の改質層形成ステップの最も表面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。

改質層形成ステップ１００２は、保持ステップ１００１を実施した後、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザビーム１２１の集光点１２６をウェーハ１の内部に位置づけるとともに、表面３側から分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射することを集光点１２６の高さ位置を変えて繰り返し、同一の分割予定ライン５に沿ってウェーハ１の厚さ方向に複数層の改質層７を形成するステップである。

改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が移動ユニット１３０を制御して保持ユニット１１０を加工領域に移動し、撮像ユニット１４０で保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１を撮像して画像を取得し、アライメントを遂行する。改質層形成ステップ１００２では、図６に示すように、レーザビーム照射ユニット１２０の集光点１２６を基板２の内部に位置付け、レーザ加工装置１００が、保持ユニット１１０とレーザビーム照射ユニット１２０とを分割予定ライン５に沿って相対的に移動させながらウェーハ１の表面３側からウェーハ１に分割予定ライン５に沿ってパルス状のレーザビーム１２１を照射する。なお、実施形態１では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が分岐ユニット１２５を制御して、分岐ユニット１２５にレーザビーム１２１を分岐させることなく、レーザビーム１２１を照射する。

実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層７のうち最も裏面４寄りの改質層７を形成し、その後、裏面４から表面３に向かう方向に順に改質層７を形成する。具体的には、実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、最も裏面４寄りの改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向（分割予定ライン５と平行な方向）に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。こうして、実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、図６に示すように、複数層の改質層７のうち最も裏面４側の改質層７を形成する。

実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、裏面４から２層めの改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、裏面４から３層めの改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。こうして、実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、図６に示すように、裏面４側から複数層（実施形態１では、３層）の改質層７を形成する。

実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、前述した領域１２よりも裏面４側でかつ表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４（改質層未形成領域に相当）内に改質層７を形成する前に、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、最も表面３寄りの改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。こうして、実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、前述した領域１２よりも裏面４側でかつ表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４内に改質層７を形成する前に、図８に示すように、最も表面３寄りの改質層７を前述した領域１２内に形成する。なお、前述した第２の所定距離１３は、第１の所定距離１１よりも長い距離である。

実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、表面３から２層めの改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。こうして、実施形態１において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、表面３側の第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない表面３から第１の所定距離１１に至る前に、第２の領域１４内に表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成して、図４に示すように、各分割予定ライン５に加工条件で定められた全ての層の改質層７を形成する。

改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、全ての分割予定ライン５に沿って、ウェーハ１の内部に加工条件で定められた全ての層の改質層７を形成すると、レーザビーム照射ユニット１２０からのレーザビーム１２１の照射を停止し、保持ユニット１１０を搬入出領域に移動して、保持ユニット１１０の吸引保持を停止し、クランプ部１１２の環状フレームの挟持を解除して、加工動作即ち実施形態１に係る加工方法を終了する。その後、ウェーハ１は、保護テープ１０がエキスパンドされて、改質層７を起点に個々のデバイス６に分割される。

以上説明した実施形態１に係る加工方法は、改質層形成ステップ１００２において、裏面４側から表面３側に向かう方向に順に改質層７を形成し、表面３側の改質層未形成領域である第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない第１の所定距離１１に至る前に表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する。このために、実施形態１に係る加工方法は、最も表面３寄りの改質層７が蛇行することを抑制でき、十分に最も表面３寄りの改質層７を形成でき、最も表面３寄りの改質層７に乱れが生じることを抑制することができる。

したがって、実施形態１に係る加工方法は、個々に分割されたデバイス６のサイズが許容範囲に入らなくなることを抑制でき、分割時に生じる分割屑を抑制でき、分割後のデバイス６に分割屑が付着して特性を低下することを抑制できて、後のボンディングやパッケージングに支障をきたすことを抑制することができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、ウェーハ１の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態２に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図１０は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図１１は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの中央の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図１２は、実施形態２に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の２層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図９、図１０、図１１及び図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る加工方法は、図９に示すように、ウェーハ１の各分割予定ライン５の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層（実施形態２では、６層）の改質層７を形成する。また、実施形態２に係る加工方法は、改質層形成ステップ１００２では、図１０に示すように、レーザ加工装置１００の制御ユニット１９０が分岐ユニット１２５を制御して、発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を２本に分岐し、レーザビーム１２１をウェーハ１に対して相対的にＸ軸方向に移動させながらレーザビーム１２１の集光点１２６を裏面４側の集光点１２６（以下、第１集光点１２６－１と記し、図１０等に示す）と、第１集光点１２６－１よりも表面３側の集光点１２６（以下、第２集光点１２６－２と記し、図１０等に示す）とにそれぞれ位置づけた状態で分割予定ライン５に沿って照射して、一度の保持ユニット１１０のＸ軸方向の移動により２層の改質層７を形成する。

また、実施形態２に加工方法は、レーザビーム１２１を第１集光点１２６－１に位置づけた状態で形成される改質層７（以下、第１改質層７－１と記す）と、第１改質層７－１からウェーハ１の厚さ方向に伸長するクラック８と、レーザビーム１２１を第２集光点１２６－２に位置づけた状態で形成される改質層７（以下、第２改質層７－２と記す）と、第２改質層７－２からウェーハ１の厚さ方向に伸長するクラック８と、が形成され、第１改質層７－１と第２改質層７－２とがクラック８で連結される位置に第１集光点１２６－１と第２集光点１２６－２とが位置づけられる。

実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層７のうち最も裏面４寄りの改質層７－１，７－２を形成し、裏面４から表面３に向かう方向に順に改質層７－１，７－２を形成する。具体的には、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、複数の改質層７のうちの最も裏面４寄りの２層の改質層７－１，７－２を形成する際の高さ位置に第１集光点１２６－１及び第２集光点１２６－２を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿って２本のレーザビーム１２１を照射する。

このとき、レーザ加工装置１００は、例えば、図１０に示すように、２本のレーザビーム１２１を保持ユニット１１０に対して相対的にＸ軸方向と平行なＸ１方向（加工進行方向に相当し、分割予定ライン５と平行な方向のうち一方の方向）に移動してウェーハ１に照射するとともに、裏面４寄りに第１改質層７－１を形成するレーザビーム１２１の第１集光点１２６－１が第２集光点１２６－２よりもＸ１方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、複数層の改質層７のうち最も裏面４側の２層の改質層７－１，７－２を形成する。

実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、複数層の改質層７のうち厚さ方向の中央（すでに形成された最も裏面４寄りの２層の改質層７－１，７－２よりも表面３側）の２層の改質層７－１，７－２を形成する際の高さ位置に第１集光点１２６－１及び第２集光点１２６－２を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。

このとき、レーザ加工装置１００は、例えば、図１１に示すように、２本のレーザビーム１２１を保持ユニット１１０に対して相対的にＸ軸方向と平行なＸ２方向（Ｘ１方向と逆向きでかつ加工進行方向に相当し、分割予定ライン５と平行な方向のうち他方の方向）に移動してウェーハ１に照射するとともに、第１集光点１２６－１が第２集光点１２６－２よりもＸ２方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、複数層の改質層７のうち中央の２層の改質層７－１，７－２を形成する。

このように、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、第１集光点１２６－１が第２集光点１２６－２よりもＸ１方向及びＸ２方向の前側に位置付けられて、裏面４側の第１改質層７－１を表面３側の第２改質層７－２よりも先に形成することで、裏面４側から表面３側に向かう方向に順に改質層７－１，７－２を形成する。

実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４内に改質層７を形成する前に、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、複数の改質層７のうちの最も表面３寄り（すでに形成された改質層７のうち最も表面３寄りの改質層７よりも表面３側）の２層の改質層７－１，７－２を形成する際の高さ位置に第１集光点１２６－１及び第２集光点１２６－２を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿ってレーザビーム１２１を照射する。

このとき、レーザ加工装置１００は、例えば、図１２に示すように、２本のレーザビーム１２１を保持ユニット１１０に対して相対的にＸ軸方向と平行なＸ１方向に移動してウェーハ１に照射するとともに、第２集光点１２６－２が第１集光点１２６－１よりもＸ１方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、図９に示すように、各分割予定ライン５に加工条件で定められた全ての層の改質層７を形成する。

このように、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４内に改質層７を形成する際には、第２集光点１２６－２が第１集光点１２６－１よりもＸ１方向の前側に位置付けられて、表面３側の第２改質層７－２を裏面４側の第１改質層７－１よりも先に形成して、表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する。このように、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する際には、第２集光点１２６－２が第１集光点１２６－１よりもＸ１方向の前側に位置付けられる。

実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、全ての分割予定ライン５に沿って、ウェーハ１の内部に加工条件で定められた全ての層の改質層７を形成すると、実施形態１と同様に加工方法を終了する。その後、ウェーハ１は、改質層７を起点に個々のデバイス６に分割される。

実施形態２に係る加工方法は、改質層形成ステップ１００２において、裏面４側から表面３側に向かう方向に順に改質層７を形成し、表面３側の改質層未形成領域である第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない第１の所定距離１１に至る前に表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する。その結果、実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、ウェーハ１の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。

また、実施形態２に係る加工方法は、発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を２本に分岐して、レーザビーム１２１の集光点１２６を裏面４側の第１集光点１２６－１と、表面３側の第２集光点１２６－２とにそれぞれ位置づけた状態で分割予定ライン５に沿って照射して、一度の保持ユニット１１０のＸ軸方向の移動により２層の改質層７－１，７－２を形成するので、生産性を向上することができる。

また、実施形態２に係る加工方法は、裏面４側から表面３側に向かう方向に順に改質層７を形成する際には、第１集光点１２６－１が第２集光点１２６－２よりもＸ１方向及びＸ２方向の前側に位置づけられるので、第１改質層７－１の形成が第２改質層７－２に影響を受けることを抑制することができる。

また、実施形態２に係る加工方法は、表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４内に改質層７を形成する前に、第２集光点１２６－２が第１集光点１２６－１よりもＸ１方向の前側に位置づけられて、表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する。その結果、実施形態２に係る加工方法は、最も表面３側の第２改質層７－２を形成する際には、この第２改質層７－２の裏面４側に第１改質層７－１が形成されていないので、最も表面３寄りの第２改質層７－２が蛇行することを抑制でき、十分に最も表面３寄りの第２改質層７－２を形成でき、最も表面３寄りの第２改質層７－２に乱れが生じることを抑制することができる。

また、実施形態２に係る加工方法は、第１改質層７－１と第２改質層７－２とがこれらの改質層７－１，７－２から伸長するクラック８で連結される位置に第１集光点１２６－１と第２集光点１２６－２とが位置づけられるので、分割屑の発生防止を図ることができる。特に、デバイス６がＭＥＭＳであるウェーハ１は、洗浄できないので、分割屑の発生防止は重要である、分割屑によってデバイス６の機能が発揮出来ない等問題を抑制することができる。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態３に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の３層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図１４は、実施形態３に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の３層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図１３及び図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係る加工方法は、ウェーハ１の各分割予定ライン５の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層（実施形態３では、実施形態２と同様に６層）の改質層７を形成する。また、実施形態３に係る加工方法は、改質層形成ステップ１００２では、図１３に示すように、レーザ加工装置１００の制御ユニット１９０が分岐ユニット１２５を制御して、発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を３本（複数）に分岐し、レーザビーム１２１をウェーハ１に対して相対的にＸ軸方向に移動させながらレーザビーム１２１の複数（実施形態３では、３つ）の集光点１２６をウェーハ１の厚さ方向の互いに異なる位置に位置づけた状態で分割予定ライン５に沿って照射して、一度の保持ユニット１１０のＸ軸方向の移動により複数層（実施形態３では、３層）の改質層７を形成する。

実施形態３において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層７を裏面４から表面３に向かう方向に順に改質層７を形成する。具体的には、実施形態２において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、複数の改質層７のうちの裏面４寄りの３層の改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿って３層のレーザビーム１２１を照射する。

このとき、レーザ加工装置１００は、例えば、図１３に示すように、３本のレーザビーム１２１を保持ユニット１１０に対して相対的にＸ軸方向と平行なＸ１方向に移動してウェーハ１に照射するとともに、裏面４側の集光点１２６を表面３側の集光点１２６よりもＸ１方向の前側に位置付けて、レーザビーム１２１をウェーハ１に照射する。こうして、実施形態３において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、ウェーハ１に形成する複数層の改質層７のうち裏面４側の半分の改質層７を形成する。

実施形態３において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、ウェーハ１に形成する複数層の改質層７のうちのウェーハ１の裏面４側の半分の改質層７を形成した後に、表面３から第２の所定距離１３内の第２の領域１４内に改質層７を形成する前に、制御ユニット１９０が加工条件に基づいて、複数の改質層７のうちの表面３寄りの３層の改質層７を形成する際の高さ位置に集光点１２６を設定して、移動ユニット１３０のＸ軸移動ユニット１３１に保持ユニット１１０をＸ軸方向に移動させながら保持ユニット１１０に吸引保持されたウェーハ１の各分割予定ライン５の幅方向の中央に分割予定ライン５に沿って３本のレーザビーム１２１を照射する。

このとき、レーザ加工装置１００は、例えば、図１４に示すように、３本のレーザビーム１２１を保持ユニット１１０に対して相対的にＸ軸方向と平行なＸ２方向に移動してウェーハ１に照射するとともに、表面３側の集光点１２６を裏面４側の集光点１２６よりもＸ２方向の前側に位置付けて、レーザビーム１２１をウェーハ１に照射する。こうして、実施形態３において、改質層形成ステップ１００２では、レーザ加工装置１００は、ウェーハ１に形成する複数層の改質層７のうち表面３側の残り半分の改質層７を形成する。

このように、実施形態３では、レーザ加工装置１００は、複数の改質層７のうちの裏面４寄りの３層（半分）の改質層７を形成する際に、裏面４側の集光点１２６を表面３側の集光点１２６よりもＸ１方向の前側に位置付けて、レーザビーム１２１をウェーハ１に照射することにより、裏面４側の改質層７を表面３側の改質層７よりも先に形成して、裏面４側から表面３に向かう方向に順に改質層７を形成する。また、実施形態３では、レーザ加工装置１００は、複数の改質層７のうちの表面３寄りの３層（残りの半分）の改質層７を形成する際に、表面３側の集光点１２６を裏面４側の集光点１２６よりもＸ２方向の前側に位置付けて、レーザビーム１２１をウェーハ１に照射することにより、表面３側の改質層７を裏面４側の改質層７よりも先に形成して、表面３側から裏面４に向かう方向に順に改質層７を形成する。なお、実施形態３に係る加工方法は、実施形態２と同様に、各厚さ方向に間隔をあけて形成される改質層７がクラック８で連結される位置に集光点１２６が位置づけられる。

実施形態３に係る加工方法は、改質層形成ステップ１００２において、裏面４側から表面３側に向かう方向に順に改質層７を形成し、表面３側の改質層未形成領域である第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない第１の所定距離１１に至る前に表面３側から裏面４側に向かう方向に順に改質層７を形成する。その結果、実施形態３に係る加工方法は、実施形態１と同様に、ウェーハ１の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。

また、実施形態３に係る加工方法は、発振器１２３が出射したレーザビーム１２１を３本に分岐して、レーザビーム１２１の集光点１２６をウェーハ１の厚さ方向の互いに異なる位置に位置づけた状態で分割予定ライン５に沿って照射して、一度の保持ユニット１１０のＸ軸方向の移動により３層の改質層７を形成するので、生産性を向上することができる。

また、実施形態３に係る加工方法は、レーザビーム１２１をウェーハ１に対してＸ１方向に移動させて裏面４側の半分の改質層７を形成し、レーザビーム１２１をウェーハ１に対してＸ２方向に移動させて表面３側の残り半分の改質層７を形成するので、保持ユニット１１０のＸ軸方向の１度の往復移動により各分割予定ライン５に所定の数の改質層７を形成することができる。その結果、レーザ加工装置１００は、生産性を向上することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、実施形態１から実施形態３では、ウェーハ１の表面３を第２面とし、裏面４を第１面とし、改質層形成ステップ１００２では、裏面４から表面３に向かう方向に順に改質層７を形成し、表面３側の改質層未形成領域である第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない第１の所定距離１１に至る前に表面３から裏面４に向かう方向に順に改質層７を形成している。

しかしながら、本発明では、デバイス６がＭＥＭＳではない場合に特に、ウェーハ１の表面３を第１面とし、裏面４を第２面とし、表面３に保護テープ１０を貼着して、改質層形成ステップ１００２では、裏面４側からレーザビーム１２１を照射しても良い。この場合、本発明では、最も表面３寄りの改質層７を形成し、その後、表面３から裏面４に向かう方向に順に改質層７を形成し、裏面４側の改質層未形成領域である第２の領域１４が改質層７を形成しようとするとクラックが発生して改質層７が形成できない第１の所定距離１１に至る前に裏面４から表面３に向かう方向に順に改質層７を形成する。この場合、第１の所定距離１１は、ウェーハ１の第２面である裏面４側から第１の所定距離１１内の領域１２よりも表面３側に改質層７が形成されていると、クラック８が発生して改質層７が形成できない厚さである。第２の領域１４は、厚み方向に裏面４から第２の所定距離１３内の領域である。

また、本発明では、ウェーハ１の第２の面に保護テープ１０を貼着して、改質層形成ステップ１００２では、テープ越しにウェーハ１の第２面側からレーザビーム１２１を照射して、改質層７を形成しても良い。

１ ウェーハ
３ 表面（第２面、第１面）
４ 裏面（第１面、第２面）
５ 分割予定ライン
７ 改質層
７－１ 第１改質層
７－２ 第２改質層
８ クラック
１１ 第１の所定距離（改質層が形成できない厚さ）
１４ 第２の領域（改質層未形成領域）
１１０ 保持ユニット
１２１ レーザビーム
１２６ 集光点
１２６－１ 第１集光点
１２６－２ 第２集光点
１００１ 保持ステップ
１００２ 改質層形成ステップ
Ｘ，Ｘ１，Ｘ２ 加工進行方向

Claims (4)

1. 第１面と該第１面の背面の第２面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの該第１面側を保持ユニットで保持して該第２面を露出させる保持ステップと、
   ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに該第２面側から該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射することを該集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の該分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、を備え、
   該改質層形成ステップでは、該第１面から該第２面に向かう方向に順に改質層を形成し、該第２面側の改質層未形成領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない厚さに至る前に該第２面から該第１面に向かう方向に順に改質層を形成する、加工方法。
2. 該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第１面側の第１集光点と該第１集光点よりも該第２面側の第２集光点とにそれぞれ位置づけた状態で該分割予定ラインに沿って照射し、
   該第１面から該第２面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第１集光点が該第２集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられ、
   該第２面から該第１面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第２集光点が第１集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられる、請求項１に記載の加工方法。
3. 該改質層形成ステップでは、
   該レーザビームを該第１集光点に位置づけた状態で形成される第１改質層と、該第１改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、
   該レーザビームを該第２集光点に位置づけた状態で形成される第２改質層と、該第２改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、が形成され、
   該第１改質層と該第２改質層とが該クラックで連結される位置に該第１集光点と該第２集光点とが位置づけられる、請求項２に記載の加工方法。
4. 該改質層形成ステップでは、
   該レーザビームを該ウェーハに対して相対的に加工進行方向に移動させながら該レーザビームの集光点を該ウェーハの厚さ方向に異なる位置に位置づけて照射するとともに、
   該レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第１面側の集光点を該第２面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第１面側の半分の改質層を形成し、
   該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第１面側の半分の改質層を形成した後に、レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第２面側の集光点を該第１面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第２面側の残り半分の改質層を形成することを特徴とする請求項１に記載の加工方法。

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