JP2023032215A - 加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの分割後の不具合を抑制することができる加工方法を提供すること。【解決手段】加工方法は、表面と表面の背面の裏面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側を保持ユニットで保持して表面を露出させる保持ステップ1001と、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに表面側から分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することを集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップ1002と、を備え、改質層形成ステップ1002では、裏面から表面に向かう方向に順に改質層を形成し、表面側の第2の領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない第1の所定距離に至る前に表面から裏面に向かう方向に順に改質層を形成する。【選択図】図5
Description
本発明は、第1面と該第1面の背面の第2面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法に関する。
半導体デバイスの製造工程では、ウェーハ上に複数の半導体デバイスを形成し、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することで複数の半導体デバイスを製造している。
近年ではウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームをウェーハに照射して、ウェーハ内部に改質された領域である改質層を形成した後、ウェーハに外力を付与して改質層を起点に分割する方法が広く採用されている。
ウェーハの厚さや材質によっては、分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数層の改質層を形成する(例えば、特許文献1参照)。通常、レーザビームの集光点の位置をウェーハのレーザビームが照射される被照射面、即ちレーザビームの入射面から遠い面から入射面に渡って順に形成する(例えば、特許文献2照)。先に入射面側に改質層が形成された状態で、入射面よりも遠い位置にレーザビームを集光させようとしても、既に形成されている改質層にレーザビームの集光が妨げられてしまうからである。
一方で、入射面から遠い位置から入射面に向かって順に改質層を形成する際、改質層が形成されていない改質層未形成領域の厚さが十分でない場合、改質層未形成領域に形成した改質層が蛇行したり、十分に改質されない等、形成される改質層に乱れが生じる。
改質層に乱れが生じると、形成される半導体デバイス等のチップサイズが許容範囲に入らない、分割時に分割屑が多く発生する等の問題が生じる。そして、分割屑がデバイスに付着すると特性を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたす。
本発明の目的は、ウェーハの分割後の不具合を抑制することができる加工方法を提供することである。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、第1面と該第1面の背面の第2面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの該第1面側を保持ユニットで保持して該第2面を露出させる保持ステップと、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに該第2面側から該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射することを該集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の該分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、を備え、該改質層形成ステップでは、該第1面から該第2面に向かう方向に順に改質層を形成し、該第2面側の改質層未形成領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない厚さに至る前に該第2面から該第1面に向かう方向に順に改質層を形成することを特徴とする。
前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第1面側の第1集光点と該第1集光点よりも該第2面側の第2集光点とにそれぞれ位置づけた状態で該分割予定ラインに沿って照射し、該第1面から該第2面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第1集光点が該第2集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられ、該第2面から該第1面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第2集光点が第1集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられても良い。
前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第1集光点に位置づけた状態で形成される第1改質層と、該第1改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、該レーザビームを該第2集光点に位置づけた状態で形成される第2改質層と、該第2改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、が形成され、該第1改質層と該第2改質層とが該クラックで連結される位置に該第1集光点と該第2集光点とが位置づけられても良い。
前記加工方法において、該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該ウェーハに対して相対的に加工進行方向に移動させながら該レーザビームの集光点を該ウェーハの厚さ方向に異なる位置に位置づけて照射するとともに、該レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第1面側の集光点を該第2面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第1面側の半分の改質層を形成し、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第1面側の半分の改質層を形成した後に、レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第2面側の集光点を該第1面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第2面側の残り半分の改質層を形成しても良い。
本発明は、ウェーハの分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図2は、実施形態1に係る加工方法を実施するレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。図3は、図2に示されたレーザ加工装置のレーザビーム照射ユニットの構成を模式的に示す図である。図4は、実施形態1に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図5は、実施形態1に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。
本発明の実施形態1に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図2は、実施形態1に係る加工方法を実施するレーザ加工装置の構成例を示す斜視図である。図3は、図2に示されたレーザ加工装置のレーザビーム照射ユニットの構成を模式的に示す図である。図4は、実施形態1に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図5は、実施形態1に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。
(ウェーハ)
実施形態1に係る加工方法は、図1に示されたウェーハ1の加工方法である。実施形態1に係る加工方法の加工対象のウェーハ1は、シリコン、サファイヤ、ガリウムヒ素、又はSiC(炭化ケイ素)等などを基板2とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。実施形態1において、ウェーハ1は、第2面である表面3と、表面3の背面側の第1面である裏面4とを有し、表面3と裏面4とが平行な円板状に形成されている、ウェーハ1は、表面3に交差する複数の分割予定ライン5が設定され、分割予定ライン5で格子状に区画された領域にそれぞれデバイス6が形成されている。
実施形態1に係る加工方法は、図1に示されたウェーハ1の加工方法である。実施形態1に係る加工方法の加工対象のウェーハ1は、シリコン、サファイヤ、ガリウムヒ素、又はSiC(炭化ケイ素)等などを基板2とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。実施形態1において、ウェーハ1は、第2面である表面3と、表面3の背面側の第1面である裏面4とを有し、表面3と裏面4とが平行な円板状に形成されている、ウェーハ1は、表面3に交差する複数の分割予定ライン5が設定され、分割予定ライン5で格子状に区画された領域にそれぞれデバイス6が形成されている。
デバイス6は、実施形態1では、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)であるが、本発明では、MEMSに限定されることなく、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサ、又は各種メモリ(半導体記憶装置)等でも良い。
ウェーハ1は、図2及び図3に示すレーザ加工装置100により分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121が照射されるなどして、個々のデバイス6に分割される。なお、実施形態1では、ウェーハ1は、レーザ加工装置100によりレーザビーム121が照射される際には、裏面4にウェーハ1よりも大径な円板状の保護テープ10(図3に示す)が貼着され、保護テープ10の外縁部に内径がウェーハ1の外径よりも大径な環状の図示しない環状フレームが貼着されて、環状フレームの内側の開口内に支持される。
なお、実施形態1では、加工対象のウェーハ1は、前述したように、円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等であるが、本発明では、これらに限定されることなく、種々の板状の被加工物でも良い。また、本発明では、加工対象のウェーハ1は、表面3にデバイス6が形成されていないものでも良い。
(レーザ加工装置)
図2に示されたレーザ加工装置100は、ウェーハ1をレーザ加工(加工に相当する)する加工装置である。図2に示されたレーザ加工装置100は、ウェーハ1の表面3からウェーハ1を構成する基板2及び保護テープ10に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム121(図3に示す)を分割予定ライン5に沿って照射する加工装置である。
図2に示されたレーザ加工装置100は、ウェーハ1をレーザ加工(加工に相当する)する加工装置である。図2に示されたレーザ加工装置100は、ウェーハ1の表面3からウェーハ1を構成する基板2及び保護テープ10に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム121(図3に示す)を分割予定ライン5に沿って照射する加工装置である。
レーザ加工装置100は、図2に示すように、ウェーハ1を保持する保持ユニット110と、レーザビーム照射ユニット120と、移動ユニット130と、撮像ユニット140と、制御手段である制御ユニット190とを有する。
保持ユニット110は、ウェーハ1を水平方向と平行な保持面111で保持する。保持面111は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、吸引経路等を介して吸引源と接続されている。保持面111は、保護テープ10を介してウェーハ1の裏面4が載置される。保持ユニット110は、保持面111が吸引源により吸引されることで、保持面111上に載置されたウェーハ1を吸引保持する。保持ユニット110の周囲には、ウェーハ1を開口内に支持する環状フレームを挟持するクランプ部112が複数配置されている。
また、保持ユニット110は、移動ユニット130の回転移動ユニット134により保持面111に対して直交しかつ鉛直方向と平行なZ軸方向と平行な軸心回りに回転される。保持ユニット110は、回転移動ユニット134とともに、移動ユニット130のX軸移動ユニット131により水平方向と平行なX軸方向(加工進行方向に相当)に移動されかつY軸移動ユニット132により水平方向と平行でかつX軸方向と直交するY軸方向に移動される。保持ユニット110は、移動ユニット130によりレーザビーム照射ユニット120の下方の加工領域と、レーザビーム照射ユニット120の下方から離れてウェーハ1が搬入、搬出される搬入出領域とに亘って移動される。
レーザビーム照射ユニット120は、保持ユニット110に保持されたウェーハ1に対してパルス状のレーザビーム121(図3に示す)を集光して照射する集光レンズ122を備えたレーザ照射手段である。実施形態1では、レーザビーム照射ユニット120の一部は、図2に示すように、装置本体101から立設した立設壁102に設けられた移動ユニット130のZ軸移動ユニット133によりZ軸方向に移動自在に支持されている。
レーザビーム照射ユニット120は、図3に示すように、ウェーハ1の基板2及び保護テープ10に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザビーム121を出射する発振器123と、保持ユニット110の保持面111に保持されたウェーハ1に発振器123から出射されたレーザビーム121を集光する集光レンズ122と、発振器123から出射されたレーザビーム121を集光レンズ122に向かって反射する反射ミラー124とを備える。
集光レンズ122は、保持ユニット110の保持面111とZ軸方向に対向する位置に配置されている。集光レンズ122は、保持ユニット110に保持されたウェーハ1に対してパルス状のレーザビーム121を集光して照射する集光光学素子である。集光レンズ122は、発振器123から出射されたレーザビーム121を透過して、レーザビーム121を集光点126に集光する。
また、実施形態1では、レーザビーム照射ユニット120は、発振器123が出射したレーザビーム121を分岐することが可能な分岐ユニット125を備える。実施形態1では、分岐ユニット125は、発振器123から出射されたレーザビーム121の光学的特性を調整する所謂LCOS-SLM(Liquid Crystal On Silicon-Spatial Light Modulator)である。
実施形態1において、分岐ユニット125は、レーザビーム121の光学的特性を調整するパターンを表示する表示面を有し、パターンを表示した表示面に発振器123が出射したレーザビーム121を反射させることで、レーザビーム121の光学的特性を調整する。実施形態1において、分岐ユニット125は、表示面にレーザビーム121を分岐するパターンを表示することで、レーザビーム121を分岐することが可能である。実施形態1において、分岐ユニット125は、反射ミラー124と、集光レンズ122との間に配置されている。
移動ユニット130は、保持ユニット110とレーザビーム照射ユニット120が照射するレーザビーム121の集光点126とをX軸方向、Y軸方向、Z軸方向及びZ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。X軸方向及びY軸方向は、互いに直交し、かつ保持面111(即ち水平方向)と平行な方向である。移動ユニット130は、保持ユニット110をX軸方向に移動させる加工送りユニットであるX軸移動ユニット131と、保持ユニット110をY軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるY軸移動ユニット132と、レーザビーム照射ユニット120に含まれる集光レンズ122をZ軸方向に移動させるZ軸移動ユニット133と、保持ユニット110をZ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット134とを備える。
Y軸移動ユニット132は、保持ユニット110と、レーザビーム照射ユニット120のレーザビーム121の集光点126とを相対的に割り出し送りするユニットである。実施形態1では、Y軸移動ユニット132は、レーザ加工装置100の装置本体101上に設置されている。Y軸移動ユニット132は、X軸移動ユニット131を支持した移動プレート103をY軸方向に移動自在に支持している。
X軸移動ユニット131は、保持ユニット110と、レーザビーム照射ユニット120のレーザビーム121の集光点126とを相対的に加工送りする送り手段である。X軸移動ユニット131は、移動プレート103上に設置されている。X軸移動ユニット131は、保持ユニット110をZ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット134を支持した第2移動プレート104をX軸方向に移動自在に支持している。第2移動プレート104は、回転移動ユニット134、保持ユニット110を支持している。Z軸移動ユニット133は、立設壁102に設置され、レーザビーム照射ユニット120をZ軸方向に移動自在に支持している。回転移動ユニット134は、保持ユニット110を支持している。
X軸移動ユニット131、Y軸移動ユニット132及びZ軸移動ユニット133は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ、移動プレート103,104をX軸方向又はY軸方向に移動自在に支持するとともに、レーザビーム照射ユニット120をZ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。回転移動ユニット134は、保持ユニット110を軸心回りに回転するモータ等を備える。
また、レーザ加工装置100は、保持ユニット110のX軸方向の位置を検出するための図示しないX軸方向位置検出ユニットと、保持ユニット110のY軸方向の位置を検出するための図示しないY軸方向位置検出ユニットと、レーザビーム照射ユニット120に含まれる集光レンズ122のZ軸方向の位置を検出するZ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット190に出力する。
撮像ユニット140は、保持ユニット110に保持されたウェーハ1を撮像するものである。撮像ユニット140は、対物レンズがZ軸方向に対向するものを撮像するCCD(Charge Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)撮像素子等の撮像素子を備えている。
撮像ユニット140は、撮像素子が撮像した画像を取得し、取得した画像を制御ユニット190に出力する。また、撮像ユニット140は、保持ユニット110の保持面111に保持されたウェーハ1を撮像して、ウェーハ1とレーザビーム照射ユニット120との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を取得する。
制御ユニット190は、レーザ加工装置100の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウェーハ1に対するレーザ加工動作をレーザ加工装置100に実施させるものである。なお、制御ユニット190は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット190の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザ加工装置100を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザ加工装置100の上述した構成要素に出力して、制御ユニット190の機能を実現する。
また、レーザ加工装置100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示手段である表示ユニットと、オペレータが加工条件などを入力する際に用いる入力手段である入力ユニット等を備えている。表示ユニット及び入力ユニットは、制御ユニット190に接続している。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置との少なくとも一方により構成される。
(加工方法)
実施形態1に係る加工方法は、レーザ加工装置100がウェーハ1に表面3側から分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射して、ウェーハ1の基板2の内部に分割予定ライン5に沿って改質層7(図4に示す)を形成する方法である。実施形態1では、加工方法は、図4に示すように、ウェーハ1の各分割予定ライン5の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層(実施形態1では、5層)の改質層7を形成する。
実施形態1に係る加工方法は、レーザ加工装置100がウェーハ1に表面3側から分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射して、ウェーハ1の基板2の内部に分割予定ライン5に沿って改質層7(図4に示す)を形成する方法である。実施形態1では、加工方法は、図4に示すように、ウェーハ1の各分割予定ライン5の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層(実施形態1では、5層)の改質層7を形成する。
なお、改質層7とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層7は、ウェーハ1の基板2の他の部分よりも機械的な強度等が低い。なお、ウェーハ1は、基板2の内部に改質層7が形成されると、改質層7からウェーハ1の厚さ方向(以下、単に厚さ方向と記す)に伸長するクラック8が形成される。
実施形態1において、ウェーハ1の第2面である表面3側から第1の所定距離11内の領域12は、この領域12よりも第1面である裏面4側に改質層7が形成されている場合、この領域12内に集光点126を設定して表面3側からレーザビーム121を照射しても、レーザビーム121の照射の衝撃により改質層7が形成されるよりも前にクラックが発生して改質層7が形成できない領域である。即ち、第1の所定距離11は、前述した領域12よりも裏面4側に改質層7が形成されていると、クラック8が発生して改質層7が形成できない厚さである。
実施形態1に係る加工方法は、図5に示すように、保持ステップ1001と、改質層形成ステップ1002とを備える。
(保持ステップ)
保持ステップ1001は、ウェーハ1の裏面4側を保持ユニット110で保持して、表面3を露出させるステップである。保持ステップ1001では、前述した構成のレーザ加工装置100の制御ユニット190がオペレータにより入力された加工条件を受け付けて登録し、ウェーハ1が保護テープ10を介して裏面4側が搬入出領域に位置付けられた保持ユニット110の保持面111に載置される。なお、加工条件は、レーザビーム121の出力、繰り返し周波数、レーザビーム121をウェーハ1に照射する際の保持ユニット110のX軸方向の移動速度(以下、加工送り速度という)、各分割予定ライン5に形成する各層の改質層7を形成する際の集光点126のウェーハ1の厚さ方向の位置、各分割予定ライン5に形成する複数層の改質層7を形成する順番等を含む。
保持ステップ1001は、ウェーハ1の裏面4側を保持ユニット110で保持して、表面3を露出させるステップである。保持ステップ1001では、前述した構成のレーザ加工装置100の制御ユニット190がオペレータにより入力された加工条件を受け付けて登録し、ウェーハ1が保護テープ10を介して裏面4側が搬入出領域に位置付けられた保持ユニット110の保持面111に載置される。なお、加工条件は、レーザビーム121の出力、繰り返し周波数、レーザビーム121をウェーハ1に照射する際の保持ユニット110のX軸方向の移動速度(以下、加工送り速度という)、各分割予定ライン5に形成する各層の改質層7を形成する際の集光点126のウェーハ1の厚さ方向の位置、各分割予定ライン5に形成する複数層の改質層7を形成する順番等を含む。
実施形態1において、保持ステップ1001では、レーザ加工装置100は、オペレータからの加工動作の開始指示を制御ユニット190が受け付けると、加工動作即ち実施形態1に係る加工方法を開始して、制御ユニット190が保持ユニット110の保持面111にウェーハ1を吸引保持するとともに、クランプ部112に環状フレームを挟持させる。
(改質層形成ステップ)
図6は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの最も裏面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図7は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの裏面側の3層目までの改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図8は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの最も表面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
図6は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの最も裏面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図7は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの裏面側の3層目までの改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。図8は、図5に示された加工方法の改質層形成ステップの最も表面側の改質層を形成した後のウェーハの要部を模式的に示す断面図である。
改質層形成ステップ1002は、保持ステップ1001を実施した後、ウェーハ1に対して透過性を有する波長のレーザビーム121の集光点126をウェーハ1の内部に位置づけるとともに、表面3側から分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射することを集光点126の高さ位置を変えて繰り返し、同一の分割予定ライン5に沿ってウェーハ1の厚さ方向に複数層の改質層7を形成するステップである。
改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が移動ユニット130を制御して保持ユニット110を加工領域に移動し、撮像ユニット140で保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1を撮像して画像を取得し、アライメントを遂行する。改質層形成ステップ1002では、図6に示すように、レーザビーム照射ユニット120の集光点126を基板2の内部に位置付け、レーザ加工装置100が、保持ユニット110とレーザビーム照射ユニット120とを分割予定ライン5に沿って相対的に移動させながらウェーハ1の表面3側からウェーハ1に分割予定ライン5に沿ってパルス状のレーザビーム121を照射する。なお、実施形態1では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が分岐ユニット125を制御して、分岐ユニット125にレーザビーム121を分岐させることなく、レーザビーム121を照射する。
実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層7のうち最も裏面4寄りの改質層7を形成し、その後、裏面4から表面3に向かう方向に順に改質層7を形成する。具体的には、実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、最も裏面4寄りの改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向(分割予定ライン5と平行な方向)に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。こうして、実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、図6に示すように、複数層の改質層7のうち最も裏面4側の改質層7を形成する。
実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、裏面4から2層めの改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、裏面4から3層めの改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。こうして、実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、図6に示すように、裏面4側から複数層(実施形態1では、3層)の改質層7を形成する。
実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、前述した領域12よりも裏面4側でかつ表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14(改質層未形成領域に相当)内に改質層7を形成する前に、制御ユニット190が加工条件に基づいて、最も表面3寄りの改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。こうして、実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、前述した領域12よりも裏面4側でかつ表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14内に改質層7を形成する前に、図8に示すように、最も表面3寄りの改質層7を前述した領域12内に形成する。なお、前述した第2の所定距離13は、第1の所定距離11よりも長い距離である。
実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、表面3から2層めの改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。こうして、実施形態1において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、表面3側の第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない表面3から第1の所定距離11に至る前に、第2の領域14内に表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成して、図4に示すように、各分割予定ライン5に加工条件で定められた全ての層の改質層7を形成する。
改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、全ての分割予定ライン5に沿って、ウェーハ1の内部に加工条件で定められた全ての層の改質層7を形成すると、レーザビーム照射ユニット120からのレーザビーム121の照射を停止し、保持ユニット110を搬入出領域に移動して、保持ユニット110の吸引保持を停止し、クランプ部112の環状フレームの挟持を解除して、加工動作即ち実施形態1に係る加工方法を終了する。その後、ウェーハ1は、保護テープ10がエキスパンドされて、改質層7を起点に個々のデバイス6に分割される。
以上説明した実施形態1に係る加工方法は、改質層形成ステップ1002において、裏面4側から表面3側に向かう方向に順に改質層7を形成し、表面3側の改質層未形成領域である第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない第1の所定距離11に至る前に表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する。このために、実施形態1に係る加工方法は、最も表面3寄りの改質層7が蛇行することを抑制でき、十分に最も表面3寄りの改質層7を形成でき、最も表面3寄りの改質層7に乱れが生じることを抑制することができる。
したがって、実施形態1に係る加工方法は、個々に分割されたデバイス6のサイズが許容範囲に入らなくなることを抑制でき、分割時に生じる分割屑を抑制でき、分割後のデバイス6に分割屑が付着して特性を低下することを抑制できて、後のボンディングやパッケージングに支障をきたすことを抑制することができる。その結果、実施形態1に係る加工方法は、ウェーハ1の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。
〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態2に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図10は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図11は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの中央の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図12は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図9、図10、図11及び図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態2に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図9は、実施形態2に係る加工方法により改質層が形成されたウェーハの一例の要部を模式的に示す断面図である。図10は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図11は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの中央の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図12は、実施形態2に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の2層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図9、図10、図11及び図12は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態2に係る加工方法は、図9に示すように、ウェーハ1の各分割予定ライン5の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層(実施形態2では、6層)の改質層7を形成する。また、実施形態2に係る加工方法は、改質層形成ステップ1002では、図10に示すように、レーザ加工装置100の制御ユニット190が分岐ユニット125を制御して、発振器123が出射したレーザビーム121を2本に分岐し、レーザビーム121をウェーハ1に対して相対的にX軸方向に移動させながらレーザビーム121の集光点126を裏面4側の集光点126(以下、第1集光点126-1と記し、図10等に示す)と、第1集光点126-1よりも表面3側の集光点126(以下、第2集光点126-2と記し、図10等に示す)とにそれぞれ位置づけた状態で分割予定ライン5に沿って照射して、一度の保持ユニット110のX軸方向の移動により2層の改質層7を形成する。
また、実施形態2に加工方法は、レーザビーム121を第1集光点126-1に位置づけた状態で形成される改質層7(以下、第1改質層7-1と記す)と、第1改質層7-1からウェーハ1の厚さ方向に伸長するクラック8と、レーザビーム121を第2集光点126-2に位置づけた状態で形成される改質層7(以下、第2改質層7-2と記す)と、第2改質層7-2からウェーハ1の厚さ方向に伸長するクラック8と、が形成され、第1改質層7-1と第2改質層7-2とがクラック8で連結される位置に第1集光点126-1と第2集光点126-2とが位置づけられる。
実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層7のうち最も裏面4寄りの改質層7-1,7-2を形成し、裏面4から表面3に向かう方向に順に改質層7-1,7-2を形成する。具体的には、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、複数の改質層7のうちの最も裏面4寄りの2層の改質層7-1,7-2を形成する際の高さ位置に第1集光点126-1及び第2集光点126-2を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿って2本のレーザビーム121を照射する。
このとき、レーザ加工装置100は、例えば、図10に示すように、2本のレーザビーム121を保持ユニット110に対して相対的にX軸方向と平行なX1方向(加工進行方向に相当し、分割予定ライン5と平行な方向のうち一方の方向)に移動してウェーハ1に照射するとともに、裏面4寄りに第1改質層7-1を形成するレーザビーム121の第1集光点126-1が第2集光点126-2よりもX1方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、複数層の改質層7のうち最も裏面4側の2層の改質層7-1,7-2を形成する。
実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、複数層の改質層7のうち厚さ方向の中央(すでに形成された最も裏面4寄りの2層の改質層7-1,7-2よりも表面3側)の2層の改質層7-1,7-2を形成する際の高さ位置に第1集光点126-1及び第2集光点126-2を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。
このとき、レーザ加工装置100は、例えば、図11に示すように、2本のレーザビーム121を保持ユニット110に対して相対的にX軸方向と平行なX2方向(X1方向と逆向きでかつ加工進行方向に相当し、分割予定ライン5と平行な方向のうち他方の方向)に移動してウェーハ1に照射するとともに、第1集光点126-1が第2集光点126-2よりもX2方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、複数層の改質層7のうち中央の2層の改質層7-1,7-2を形成する。
このように、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、第1集光点126-1が第2集光点126-2よりもX1方向及びX2方向の前側に位置付けられて、裏面4側の第1改質層7-1を表面3側の第2改質層7-2よりも先に形成することで、裏面4側から表面3側に向かう方向に順に改質層7-1,7-2を形成する。
実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14内に改質層7を形成する前に、制御ユニット190が加工条件に基づいて、複数の改質層7のうちの最も表面3寄り(すでに形成された改質層7のうち最も表面3寄りの改質層7よりも表面3側)の2層の改質層7-1,7-2を形成する際の高さ位置に第1集光点126-1及び第2集光点126-2を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿ってレーザビーム121を照射する。
このとき、レーザ加工装置100は、例えば、図12に示すように、2本のレーザビーム121を保持ユニット110に対して相対的にX軸方向と平行なX1方向に移動してウェーハ1に照射するとともに、第2集光点126-2が第1集光点126-1よりもX1方向の前側に位置付けられる。こうして、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、図9に示すように、各分割予定ライン5に加工条件で定められた全ての層の改質層7を形成する。
このように、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14内に改質層7を形成する際には、第2集光点126-2が第1集光点126-1よりもX1方向の前側に位置付けられて、表面3側の第2改質層7-2を裏面4側の第1改質層7-1よりも先に形成して、表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する。このように、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する際には、第2集光点126-2が第1集光点126-1よりもX1方向の前側に位置付けられる。
実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、全ての分割予定ライン5に沿って、ウェーハ1の内部に加工条件で定められた全ての層の改質層7を形成すると、実施形態1と同様に加工方法を終了する。その後、ウェーハ1は、改質層7を起点に個々のデバイス6に分割される。
実施形態2に係る加工方法は、改質層形成ステップ1002において、裏面4側から表面3側に向かう方向に順に改質層7を形成し、表面3側の改質層未形成領域である第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない第1の所定距離11に至る前に表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する。その結果、実施形態2に係る加工方法は、実施形態1と同様に、ウェーハ1の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。
また、実施形態2に係る加工方法は、発振器123が出射したレーザビーム121を2本に分岐して、レーザビーム121の集光点126を裏面4側の第1集光点126-1と、表面3側の第2集光点126-2とにそれぞれ位置づけた状態で分割予定ライン5に沿って照射して、一度の保持ユニット110のX軸方向の移動により2層の改質層7-1,7-2を形成するので、生産性を向上することができる。
また、実施形態2に係る加工方法は、裏面4側から表面3側に向かう方向に順に改質層7を形成する際には、第1集光点126-1が第2集光点126-2よりもX1方向及びX2方向の前側に位置づけられるので、第1改質層7-1の形成が第2改質層7-2に影響を受けることを抑制することができる。
また、実施形態2に係る加工方法は、表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14内に改質層7を形成する前に、第2集光点126-2が第1集光点126-1よりもX1方向の前側に位置づけられて、表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する。その結果、実施形態2に係る加工方法は、最も表面3側の第2改質層7-2を形成する際には、この第2改質層7-2の裏面4側に第1改質層7-1が形成されていないので、最も表面3寄りの第2改質層7-2が蛇行することを抑制でき、十分に最も表面3寄りの第2改質層7-2を形成でき、最も表面3寄りの第2改質層7-2に乱れが生じることを抑制することができる。
また、実施形態2に係る加工方法は、第1改質層7-1と第2改質層7-2とがこれらの改質層7-1,7-2から伸長するクラック8で連結される位置に第1集光点126-1と第2集光点126-2とが位置づけられるので、分割屑の発生防止を図ることができる。特に、デバイス6がMEMSであるウェーハ1は、洗浄できないので、分割屑の発生防止は重要である、分割屑によってデバイス6の機能が発揮出来ない等問題を抑制することができる。
〔実施形態3〕
本発明の実施形態3に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、実施形態3に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の3層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図14は、実施形態3に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の3層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図13及び図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
本発明の実施形態3に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図13は、実施形態3に係る加工方法の改質層形成ステップの裏面側の3層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。図14は、実施形態3に係る加工方法の改質層形成ステップの表面側の3層の改質層を形成する状態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図13及び図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
実施形態3に係る加工方法は、ウェーハ1の各分割予定ライン5の厚さ方向の互いに異なる位置に複数層(実施形態3では、実施形態2と同様に6層)の改質層7を形成する。また、実施形態3に係る加工方法は、改質層形成ステップ1002では、図13に示すように、レーザ加工装置100の制御ユニット190が分岐ユニット125を制御して、発振器123が出射したレーザビーム121を3本(複数)に分岐し、レーザビーム121をウェーハ1に対して相対的にX軸方向に移動させながらレーザビーム121の複数(実施形態3では、3つ)の集光点126をウェーハ1の厚さ方向の互いに異なる位置に位置づけた状態で分割予定ライン5に沿って照射して、一度の保持ユニット110のX軸方向の移動により複数層(実施形態3では、3層)の改質層7を形成する。
実施形態3において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100が、加工条件に基づいて、まず、複数層の改質層7を裏面4から表面3に向かう方向に順に改質層7を形成する。具体的には、実施形態2において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、制御ユニット190が加工条件に基づいて、複数の改質層7のうちの裏面4寄りの3層の改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿って3層のレーザビーム121を照射する。
このとき、レーザ加工装置100は、例えば、図13に示すように、3本のレーザビーム121を保持ユニット110に対して相対的にX軸方向と平行なX1方向に移動してウェーハ1に照射するとともに、裏面4側の集光点126を表面3側の集光点126よりもX1方向の前側に位置付けて、レーザビーム121をウェーハ1に照射する。こうして、実施形態3において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、ウェーハ1に形成する複数層の改質層7のうち裏面4側の半分の改質層7を形成する。
実施形態3において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、ウェーハ1に形成する複数層の改質層7のうちのウェーハ1の裏面4側の半分の改質層7を形成した後に、表面3から第2の所定距離13内の第2の領域14内に改質層7を形成する前に、制御ユニット190が加工条件に基づいて、複数の改質層7のうちの表面3寄りの3層の改質層7を形成する際の高さ位置に集光点126を設定して、移動ユニット130のX軸移動ユニット131に保持ユニット110をX軸方向に移動させながら保持ユニット110に吸引保持されたウェーハ1の各分割予定ライン5の幅方向の中央に分割予定ライン5に沿って3本のレーザビーム121を照射する。
このとき、レーザ加工装置100は、例えば、図14に示すように、3本のレーザビーム121を保持ユニット110に対して相対的にX軸方向と平行なX2方向に移動してウェーハ1に照射するとともに、表面3側の集光点126を裏面4側の集光点126よりもX2方向の前側に位置付けて、レーザビーム121をウェーハ1に照射する。こうして、実施形態3において、改質層形成ステップ1002では、レーザ加工装置100は、ウェーハ1に形成する複数層の改質層7のうち表面3側の残り半分の改質層7を形成する。
このように、実施形態3では、レーザ加工装置100は、複数の改質層7のうちの裏面4寄りの3層(半分)の改質層7を形成する際に、裏面4側の集光点126を表面3側の集光点126よりもX1方向の前側に位置付けて、レーザビーム121をウェーハ1に照射することにより、裏面4側の改質層7を表面3側の改質層7よりも先に形成して、裏面4側から表面3に向かう方向に順に改質層7を形成する。また、実施形態3では、レーザ加工装置100は、複数の改質層7のうちの表面3寄りの3層(残りの半分)の改質層7を形成する際に、表面3側の集光点126を裏面4側の集光点126よりもX2方向の前側に位置付けて、レーザビーム121をウェーハ1に照射することにより、表面3側の改質層7を裏面4側の改質層7よりも先に形成して、表面3側から裏面4に向かう方向に順に改質層7を形成する。なお、実施形態3に係る加工方法は、実施形態2と同様に、各厚さ方向に間隔をあけて形成される改質層7がクラック8で連結される位置に集光点126が位置づけられる。
実施形態3に係る加工方法は、改質層形成ステップ1002において、裏面4側から表面3側に向かう方向に順に改質層7を形成し、表面3側の改質層未形成領域である第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない第1の所定距離11に至る前に表面3側から裏面4側に向かう方向に順に改質層7を形成する。その結果、実施形態3に係る加工方法は、実施形態1と同様に、ウェーハ1の分割後の不具合を抑制することができるという効果を奏する。
また、実施形態3に係る加工方法は、発振器123が出射したレーザビーム121を3本に分岐して、レーザビーム121の集光点126をウェーハ1の厚さ方向の互いに異なる位置に位置づけた状態で分割予定ライン5に沿って照射して、一度の保持ユニット110のX軸方向の移動により3層の改質層7を形成するので、生産性を向上することができる。
また、実施形態3に係る加工方法は、レーザビーム121をウェーハ1に対してX1方向に移動させて裏面4側の半分の改質層7を形成し、レーザビーム121をウェーハ1に対してX2方向に移動させて表面3側の残り半分の改質層7を形成するので、保持ユニット110のX軸方向の1度の往復移動により各分割予定ライン5に所定の数の改質層7を形成することができる。その結果、レーザ加工装置100は、生産性を向上することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、実施形態1から実施形態3では、ウェーハ1の表面3を第2面とし、裏面4を第1面とし、改質層形成ステップ1002では、裏面4から表面3に向かう方向に順に改質層7を形成し、表面3側の改質層未形成領域である第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない第1の所定距離11に至る前に表面3から裏面4に向かう方向に順に改質層7を形成している。
しかしながら、本発明では、デバイス6がMEMSではない場合に特に、ウェーハ1の表面3を第1面とし、裏面4を第2面とし、表面3に保護テープ10を貼着して、改質層形成ステップ1002では、裏面4側からレーザビーム121を照射しても良い。この場合、本発明では、最も表面3寄りの改質層7を形成し、その後、表面3から裏面4に向かう方向に順に改質層7を形成し、裏面4側の改質層未形成領域である第2の領域14が改質層7を形成しようとするとクラックが発生して改質層7が形成できない第1の所定距離11に至る前に裏面4から表面3に向かう方向に順に改質層7を形成する。この場合、第1の所定距離11は、ウェーハ1の第2面である裏面4側から第1の所定距離11内の領域12よりも表面3側に改質層7が形成されていると、クラック8が発生して改質層7が形成できない厚さである。第2の領域14は、厚み方向に裏面4から第2の所定距離13内の領域である。
また、本発明では、ウェーハ1の第2の面に保護テープ10を貼着して、改質層形成ステップ1002では、テープ越しにウェーハ1の第2面側からレーザビーム121を照射して、改質層7を形成しても良い。
1 ウェーハ
3 表面(第2面、第1面)
4 裏面(第1面、第2面)
5 分割予定ライン
7 改質層
7-1 第1改質層
7-2 第2改質層
8 クラック
11 第1の所定距離(改質層が形成できない厚さ)
14 第2の領域(改質層未形成領域)
110 保持ユニット
121 レーザビーム
126 集光点
126-1 第1集光点
126-2 第2集光点
1001 保持ステップ
1002 改質層形成ステップ
X,X1,X2 加工進行方向
3 表面(第2面、第1面)
4 裏面(第1面、第2面)
5 分割予定ライン
7 改質層
7-1 第1改質層
7-2 第2改質層
8 クラック
11 第1の所定距離(改質層が形成できない厚さ)
14 第2の領域(改質層未形成領域)
110 保持ユニット
121 レーザビーム
126 集光点
126-1 第1集光点
126-2 第2集光点
1001 保持ステップ
1002 改質層形成ステップ
X,X1,X2 加工進行方向
Claims (4)
- 第1面と該第1面の背面の第2面とを有し、分割予定ラインが設定されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの該第1面側を保持ユニットで保持して該第2面を露出させる保持ステップと、
ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウェーハ内部に位置づけるとともに該第2面側から該分割予定ラインに沿って該レーザビームを照射することを該集光点の高さ位置を変えて繰り返し、同一の該分割予定ラインに沿ってウェーハの厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成ステップと、を備え、
該改質層形成ステップでは、該第1面から該第2面に向かう方向に順に改質層を形成し、該第2面側の改質層未形成領域が改質層を形成しようとするとクラックが発生して改質層が形成できない厚さに至る前に該第2面から該第1面に向かう方向に順に改質層を形成する、加工方法。 - 該改質層形成ステップでは、該レーザビームを該第1面側の第1集光点と該第1集光点よりも該第2面側の第2集光点とにそれぞれ位置づけた状態で該分割予定ラインに沿って照射し、
該第1面から該第2面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第1集光点が該第2集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられ、
該第2面から該第1面に向かう方向に順に改質層を形成する際には、該第2集光点が第1集光点よりも加工進行方向前側に位置づけられる、請求項1に記載の加工方法。 - 該改質層形成ステップでは、
該レーザビームを該第1集光点に位置づけた状態で形成される第1改質層と、該第1改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、
該レーザビームを該第2集光点に位置づけた状態で形成される第2改質層と、該第2改質層から該ウェーハの厚さ方向に伸長するクラックと、が形成され、
該第1改質層と該第2改質層とが該クラックで連結される位置に該第1集光点と該第2集光点とが位置づけられる、請求項2に記載の加工方法。 - 該改質層形成ステップでは、
該レーザビームを該ウェーハに対して相対的に加工進行方向に移動させながら該レーザビームの集光点を該ウェーハの厚さ方向に異なる位置に位置づけて照射するとともに、
該レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第1面側の集光点を該第2面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第1面側の半分の改質層を形成し、
該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第1面側の半分の改質層を形成した後に、レーザビームを該ウェーハに対して該加工進行方向に移動させながら該第2面側の集光点を該第1面側の集光点よりも該加工進行方向の前側に位置付けて該レーザビームを該ウェーハに照射して、該ウェーハに形成する複数の改質層のうちの該ウェーハの該第2面側の残り半分の改質層を形成することを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021138208A JP2023032215A (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021138208A JP2023032215A (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023032215A true JP2023032215A (ja) | 2023-03-09 |
Family
ID=85415655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021138208A Pending JP2023032215A (ja) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023032215A (ja) |
-
2021
- 2021-08-26 JP JP2021138208A patent/JP2023032215A/ja active Pending
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