JP2023136387A5 - - Google Patents
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Description
本発明のウエハ載置台は、
上述したセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミックス基体の内部に配置された電極と、
を備えたものであるか、
上述したセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミック基体の下面に設けられ、前記セラミック基体よりも熱伝導率の高い高熱伝導基体と、
前記セラミックス基体の内部、前記高熱伝導基体の内部又は前記セラミック基体と前記高熱伝導基体との間に配置された電極と、
前記高熱伝導基体の内部であって前記電極よりも下方に配置された抵抗発熱体と、
を備えたものである。
上述したセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミックス基体の内部に配置された電極と、
を備えたものであるか、
上述したセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミック基体の下面に設けられ、前記セラミック基体よりも熱伝導率の高い高熱伝導基体と、
前記セラミックス基体の内部、前記高熱伝導基体の内部又は前記セラミック基体と前記高熱伝導基体との間に配置された電極と、
前記高熱伝導基体の内部であって前記電極よりも下方に配置された抵抗発熱体と、
を備えたものである。
本実施形態のセラミックス材料は、500℃における体積抵抗率が1×109Ωcm以上であることが好ましい。500℃における体積抵抗率が1×109Ωcm以上であれば、このセラミックス材料をウエハ載置面を有する電極内蔵のセラミック基体として利用した場合に、高温でウエハを処理する際にウエハと電極との間にリーク電流が流れるのを十分抑制することができる。また、このセラミックス材料を静電チャックに用いた場合に、高温においてジョンソン-ラーベック力によりウエハを確実に静電吸着することができる。また、500℃における体積抵抗率が5×1011Ωcm以下であることが好ましい。こうすれば、このセラミックス材料を静電チャックに用いた場合に、ウエハの吸脱着応答性を良好にすることができる。
高熱伝導基体23は、セラミックス基体22よりも熱伝導率が高く、セラミックス基体22と線熱膨張係数が同じか近いものを用いる。AlN-YAGは、チタンを含有していてもよく、その含有率は、例えば酸化物換算で0.1~1質量%としてもよい。チタンを添加すると、AlN-YAGの色が黒くなるため、AlN-YAGの色むらを目立たなくすることができる。
[評価]
(1)結晶相評価
実験例1~7で得られたセラミックス基体を乳鉢で粉砕し、X線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はCuKα,40kV,40mA,2θ=5~70°とし、封入管式X線回折装置(ブルカー・エイエックスエス製 D8 ADVANCE)を使用した。その結果、実験例1~7のいずれにおいても、主相はマグネシウム-アルミニウム酸窒化物(2θ=47~49°にピークあり)であった。この主相は、特許文献1で同定されたマグネシウム-アルミニウム酸窒化物のピークと一致していた。図5及び図6に代表例(実験例3,5)のXRDチャートを示す。
(1)結晶相評価
実験例1~7で得られたセラミックス基体を乳鉢で粉砕し、X線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はCuKα,40kV,40mA,2θ=5~70°とし、封入管式X線回折装置(ブルカー・エイエックスエス製 D8 ADVANCE)を使用した。その結果、実験例1~7のいずれにおいても、主相はマグネシウム-アルミニウム酸窒化物(2θ=47~49°にピークあり)であった。この主相は、特許文献1で同定されたマグネシウム-アルミニウム酸窒化物のピークと一致していた。図5及び図6に代表例(実験例3,5)のXRDチャートを示す。
(5)平均線熱膨張係数(40~1000℃)
1000℃での平均線熱膨張係数は、ディラトメーター(ブルカー・エイエックスエス製)を用いて、窒素雰囲気中、40~1000℃で測定した。実験例2,3,5,6で得られたセラミックス基体の1000℃での平均線熱膨張係数を表2に示す。
1000℃での平均線熱膨張係数は、ディラトメーター(ブルカー・エイエックスエス製)を用いて、窒素雰囲気中、40~1000℃で測定した。実験例2,3,5,6で得られたセラミックス基体の1000℃での平均線熱膨張係数を表2に示す。
[実験例20]
実験例20は、AlN-YAG製の高熱伝導基体の一例である。まず、AlN原料、Y2O3原料、Al2O3原料及びTiO2原料を、それぞれ74.5,15,10,0.5質量%となるように秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、直径5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110℃で乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。この調合粉末を用いて、実験例1と同様にして成形及び焼成を行うことにより、円板状の高熱伝導基体を得た。この高熱伝導基体のXRDスペクトルを解析したところ、主相はAlN-YAGであった。また、高熱伝導基体の色は黒色であった。得られた高熱伝導基体の500℃での体積抵抗率は5×109Ωcm、室温での熱伝導率は81W/m・K、40~1000℃での熱膨張係数は6.1×10-6/Kであった。すなわち、熱伝導率は実験例2,3,5,6の約10倍、熱膨張係数は実験例2,3,5,6と同等であった。実験例20は、上述したウエハ載置台10~40のシャフト28やウエハ載置台20~40の高熱伝導基体23として用いることができる。
実験例20は、AlN-YAG製の高熱伝導基体の一例である。まず、AlN原料、Y2O3原料、Al2O3原料及びTiO2原料を、それぞれ74.5,15,10,0.5質量%となるように秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、直径5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110℃で乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。この調合粉末を用いて、実験例1と同様にして成形及び焼成を行うことにより、円板状の高熱伝導基体を得た。この高熱伝導基体のXRDスペクトルを解析したところ、主相はAlN-YAGであった。また、高熱伝導基体の色は黒色であった。得られた高熱伝導基体の500℃での体積抵抗率は5×109Ωcm、室温での熱伝導率は81W/m・K、40~1000℃での熱膨張係数は6.1×10-6/Kであった。すなわち、熱伝導率は実験例2,3,5,6の約10倍、熱膨張係数は実験例2,3,5,6と同等であった。実験例20は、上述したウエハ載置台10~40のシャフト28やウエハ載置台20~40の高熱伝導基体23として用いることができる。
Claims (8)
- マグネシウム-アルミニウム酸窒化物を含有するセラミックス材料であって、
炭素含有率が0.005~0.275質量%である、
高抵抗・高耐食セラミックス材料。 - 500℃における体積抵抗率が1×109Ωcm以上である、
請求項1に記載のセラミックス材料。 - チタンを含有する、
請求項1又は2に記載のセラミックス材料。 - CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~50°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を主相とする、
請求項1~3のいずれか1項に記載のセラミックス材料。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載のセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミックス基体の内部に配置された電極と、
を備えたウエハ載置台。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載のセラミックス材料で形成され、上面にウエハを載置可能なセラミックス基体と、
前記セラミック基体の下面に設けられ、前記セラミック基体よりも熱伝導率の高い高熱伝導基体と、
前記セラミックス基体の内部、前記高熱伝導基体の内部又は前記セラミック基体と前記高熱伝導基体との間に配置された電極と、
前記高熱伝導基体の内部であって前記電極よりも下方に配置された抵抗発熱体と、
を備えたウエハ載置台。 - 前記高熱伝導基体は、AlNとYAGとを含む、
請求項6に記載のウエハ載置台。 - 前記高熱伝導基体は、チタンを含む、
請求項7に記載のウエハ載置台。
Priority Applications (5)
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---|---|---|---|
JP2022042036A JP2023136387A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 高抵抗・高耐食セラミックス材料及びウエハ載置台 |
CN202211703929.1A CN116768631A (zh) | 2022-03-17 | 2022-12-29 | 高电阻高耐腐蚀陶瓷材料及晶片载放台 |
US18/169,380 US20230298921A1 (en) | 2022-03-17 | 2023-02-15 | Ceramic material having high resistivity and high corrosion resistance, and wafer placement table |
TW112105271A TW202340120A (zh) | 2022-03-17 | 2023-02-15 | 高電阻、高耐蝕陶瓷材料及晶圓載置台 |
KR1020230023378A KR102697597B1 (ko) | 2022-03-17 | 2023-02-22 | 고저항·고내식 세라믹스 재료 및 웨이퍼 적재대 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022042036A JP2023136387A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 高抵抗・高耐食セラミックス材料及びウエハ載置台 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023136387A JP2023136387A (ja) | 2023-09-29 |
JP2023136387A5 true JP2023136387A5 (ja) | 2023-11-06 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022042036A Pending JP2023136387A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | 高抵抗・高耐食セラミックス材料及びウエハ載置台 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5680645U (ja) | 1979-11-28 | 1981-06-30 | ||
JP2003234386A (ja) * | 1999-10-26 | 2003-08-22 | Ibiden Co Ltd | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 |
EP1293492A1 (en) * | 1999-12-16 | 2003-03-19 | Tokuyama Corporation | Joint body of glass-ceramic and aluminum nitride sintered compact and method for producing the same |
JP5154871B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2013-02-27 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
WO2012056807A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 日本碍子株式会社 | セラミックス材料、積層体、半導体製造装置用部材及びスパッタリングターゲット部材 |
JP6018071B2 (ja) | 2011-10-11 | 2016-11-02 | 日本碍子株式会社 | セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法 |
KR101757793B1 (ko) * | 2014-03-10 | 2017-07-14 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 유전체 재료 및 정전 척 장치 |
KR20170138052A (ko) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 최적의 박막 증착 또는 에칭 프로세스들을 위한 특성들을 갖는 정전 척 |
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2022
- 2022-03-17 JP JP2022042036A patent/JP2023136387A/ja active Pending
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2023
- 2023-02-15 TW TW112105271A patent/TW202340120A/zh unknown
- 2023-02-15 US US18/169,380 patent/US20230298921A1/en active Pending
- 2023-02-22 KR KR1020230023378A patent/KR102697597B1/ko active IP Right Grant
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