JP2023109871A - Ｌｅｄ表示デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】ＬＥＤの位置決め及び転写に関する制約の緩和を可能とする構造を備えた、表示デバイス。【解決手段】表示デバイス（１００）は、支持体と、第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）であって、第１の給電導体エレメントが支持体の上に配置される第１および第２の給電導体エレメントと、それぞれが、少なくとも１つのＬＥＤおよび２つの給電パッドを含む複数のＬＥＤモジュール（１０４）と、を備えている。各ＬＥＤモジュールの給電パッドは、それぞれ、第１および第２の給電導体エレメントに接続される。第１の給電導体エレメントと接続するためのＬＥＤモジュールの給電パッドの接続面積は、ＬＥＤモジュールの給電パッドの接続面積と平行な平面内の第１の給電導体エレメントの面積に対応する第１の給電導体エレメントの受け側の面積より実質的に小さい。【選択図】図１

Description

本発明の分野は、表示デバイスまたは画像投影デバイスに関する。特に、ＧａＮで作られたＬＥＤまたはマイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）を含むスクリーンの製造に関する。
現在のスクリーンの大多数は、バックライトが結合された液晶を用いて製造され、ＬＣＤ（液晶表示）スクリーンと呼ばれる。その種のスクリーンの液晶マトリクスは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）によって駆動される。
別の、より効率的なスクリーンのための技術として、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）テクノロジが挙げられる。その画素命令原理は、ＬＣＤスクリーンの場合に使用されるもの（ＴＦＴテクノロジを使用して製造される命令回路）に類似している。
また、たとえばＧａＮ／ＩｎＧａＮに基づく構造を含むマイクロＬＥＤ（またはμＬＥＤ）を使用することも可能である。これらのμＬＥＤは、ＬＣＤおよびＯＬＥＤスクリーンと比較して消費の減少を有することを可能にする（ＧａＮ／ＩｎＧａＮ μＬＥＤの効率は６０％を超える）。これらのμＬＥＤは、高電流密度に適応し、そのことが、通常１０６ｃｄ／ｍ２となる高輝度を有することを可能にする。
特許文献１は、μＬＥＤおよびその命令エレクトロニクスからなるマイクロチップのアッセンブリによるスクリーンの製造のための方法を開示している。この方法を用いれば、ＴＦＴテクノロジではなく、バルク・テクノロジを使用して命令エレクトロニクスを製造できる。しかしながらこの方法は、それぞれが、１つの相互接続網上に４つの接続を含むマイクロチップの、非常に精密な転写を実行しなければならないという欠点を有し、必要な精度を前提とすると、それを実行することは困難である。この転写の実行に必要な持続時間もまた、転写を要するμＬＥＤの数のために非常に重要になる。
仏国特許発明第３ ０４４ ４６７号明細書
本発明の目的は、ＬＥＤが接続される相互接続に関するＬＥＤの位置決めおよび転写に関係のある制約の緩和を可能する構造を備えた表示デバイスを提案することにある。
そのような表示デバイスを実現するために、少なくとも：
－ 支持体と；
－ 第１および第２の給電導体エレメントであって、少なくとも１つの第１の導体エレメントが支持体の面上に配される第１および第２の給電導体エレメントと；
－ それぞれが少なくとも１つのＬＥＤを包含するいくつかのＬＥＤモジュールであって、各ＬＥＤは、ｐ－ｎ接合を形成する少なくとも２つの層を包含し、各ＬＥＤモジュールは、それぞれがＬＥＤモジュールの２つの対向する面上に配される２つの給電パッドを含み、そのうちの１つが、ＬＥＤモジュールのＬＥＤの発光面に対応するいくつかのＬＥＤモジュールと；を含み、
ここで、各ＬＥＤモジュールの給電パッドが、ＬＥＤモジュールに給電するために、それぞれ、第１および第２の給電導体エレメントに接続され、かつ、
第１の導体給電エレメントとのＬＥＤモジュールの給電パッドの接続表面が、ＬＥＤモジュールの給電パッドの接続表面と平行な平面内の第１の導体エレメントの表面に対応する第１の導体エレメントのホスト表面より有意に小さく、かつＬＥＤモジュールの給電パッドとの電気的な接触をもたらすことが可能であることを特徴とする表示デバイスを提案する。
また、少なくとも：
－ 支持体と；
－ 第１および第２の給電導体エレメントであって、少なくとも１つの第１の導体エレメントが支持体の面上に配される第１および第２の給電導体エレメントと；
－ それぞれが少なくとも１つのＬＥＤを包含するいくつかのＬＥＤモジュールであって、各ＬＥＤは、ｐ－ｎ接合を形成する少なくとも２つの層を包含し、各ＬＥＤモジュールは、それぞれがＬＥＤモジュールの２つの対向する面上に配される２つの給電パッドを含み、そのうちの１つが、ＬＥＤモジュールのＬＥＤの発光面に対応するいくつかのＬＥＤモジュールと；を含み、
ここで、各ＬＥＤモジュールの給電パッドが、ＬＥＤモジュールに給電するために、それぞれ、第１および第２の給電導体エレメントに接続され、かつ
表示デバイスの明点の表示を生み出すことが意図された１つまたは複数のＬＥＤモジュールが属する表示画素ゾーンの第１の導体エレメントによって形成されるホスト表面と、ＬＥＤモジュールのうちの１つの給電パッドの、第１の導体エレメントとの接続表面の間の寸法の比が、２に等しいかそれより大きいことを特徴とする表示デバイスも提案する。
この種のデバイスにおいては、ホスト表面の、給電パッドの寸法と比較して大きな影響を有する寸法を前提とすれば、第１の導体エレメントのホスト表面上におけるＬＥＤモジュールの精密な位置決めを達成する必要がない。このホスト表面上にＬＥＤモジュールを転写する異なる方法が、したがって、たとえば、ホスト表面上におけるＬＥＤモジュールのランダム配置を生み出すように企図できる。ＬＥＤモジュールが電気的に接続される導体エレメントに関する画素モジュールの整列を達成する必要はない。
ＬＥＤモジュールは、非決定性の態様で第１の導体エレメントのホスト表面上に位置決め、または転写してもよい。非決定性の位置決めまたは転写は、ここでは、実質的にランダムを意味する。非決定性の転写は、それによって支持体上におけるＬＥＤモジュールの、多様な、したがって一様でない密度を導く可能性がある。それに加えて、所定の場所のＬＥＤモジュールの密度が、前もってあらかじめ決定済みとなることはしばしば不可能でなく、たとえば、ポアソン法則タイプの統計的確率法則によって規定されることになる。
ＬＥＤモジュールは、非拘束または非強制的な態様で第１の導体エレメントのホスト表面上に位置決め、または転写してもよい。非拘束または非強制的な位置決めまたは転写は、ＬＥＤモジュールの導体給電パッドが、そのＬＥＤモジュールが転写される支持体の導体ホスト表面の寸法より小さい寸法の接触表面を有し、たとえばその比が、少なくとも２に等しいか、または少なくとも５に等しく、その結果、この位置決め方法によるＬＥＤモジュールの位置決めの精度が緩和されるか、または非常に緩和された精度さえ有することが許され、ＬＥＤモジュールが、ホスト表面の様々な場所に位置決めされることが可能となり、その導体ホスト表面上におけるＬＥＤモジュールのパッドの中心決めを確保することが必要でなくなることを意味する。この場合においては、ＬＥＤモジュールの密度が異なる導体ホスト表面について実質的に一様となることが可能であるが、ホスト表面上におけるＬＥＤの位置決めは、変動することが可能であり、したがって、導体ホスト表面上における擬似ランダム位置決めという用語を使用できる。
さらにまた、支持体上へのＬＥＤモジュールの転写の動作の前、またはその間においてそれらの予備的な方向付けの技術が用いられるか否かに応じて、転写の間のモジュールの向きがランダムになったり、ランダムにならなかったりし得る。
ＬＥＤという用語は、ＬＥＤまたはμＬＥＤを意味するものとして使用される。
第１の導体エレメントのホスト表面の寸法と、ＬＥＤモジュールの給電パッドの接続表面の寸法との間の比は、ホスト表面と接続表面の境界面に形成される平面内において、２に等しいかまたはそれより大きいものとし得る、または５に等しいかまたはそれより大きいものとし得る。
第１の導体エレメントのホスト表面は、ＬＥＤモジュールの給電パッドとの電気接触をもたらすべく機能することが可能な第１の導体エレメントの導体材料の全表面に対応する。ＬＥＤモジュールとの電気的な接続を形成するべく機能することが可能でない導体材料は、このホスト表面の一部を形成しない。
ＬＥＤモジュールは、第１の導体エレメントのホスト表面上にランダムまたは擬似ランダム態様で分配してもよく、デバイスを、以下で説明する方法の実装からの結果としてもたらすことが可能である。
ＬＥＤモジュールは、ホスト表面上のＬＥＤモジュールの密度が一様でないようにランダム態様で分配し得る。
第１の導体エレメントのホスト表面と、ＬＥＤモジュールのうちの１つの給電パッドの接続表面の間の寸法の比は、２に等しいかまたはそれより大きい、あるいは、５に等しいかまたはそれより大きい。
各ＬＥＤモジュールは、さらに、ＬＥＤモジュールのＬＥＤの命令回路を包含し、命令回路は、ＬＥＤのｐ－ｎ接合の層のうちの１つに、ＬＥＤによって発せられることが意図された光信号を表す信号を出力することが可能である。
命令回路は、給電導体エレメント上において送信されることが意図された光信号のＰＷＭ（パルス幅変調）復調、または給電導体エレメント上において送信されることが意図された光信号を表すバイナリ信号の復調を実行することが可能である。
復調は、ＰＷＭまたはＢＣＭ（バイナリ・コード変調）タイプのものとし得る。
第１および第２の給電導体エレメントのそれぞれは、互いに実質的に平行に延びるいくつかの導体トラックを包含し、第１の給電導体エレメントの導体トラックは、第２の給電導体エレメントの導体トラックに対して実質的に直交して延び得る。この場合においては、第１の導体エレメントの導体トラックのうちの１つの、第２の導体エレメントの導体トラックのうちの１つとの重なりに対応する領域が、表示画素ゾーンを形成することが可能であり、それにおいて、この表示画素ゾーンに属するＬＥＤモジュール（１つまたは複数）は、デバイスの明点の表示を生み出すことが意図され、かつたとえば、表示デバイスの画素を形成する。
第１および第２の給電導体エレメントのそれぞれは、単一の導電性の平面または単一の導電性の層を包含し得る。
各ＬＥＤモジュールは、互いに隣り合ってヘッド・トゥー・テール（頭尾構造）で配される２つのＬＥＤを包含し得る。
表示デバイスは、さらに、
－ それぞれの表示画素ゾーンが、ＬＥＤモジュールのうちの少なくとも１つおよび前記表示画素ゾーンの前記少なくとも１つのＬＥＤモジュールのコントロール・デバイスを、コントロール・デバイスによって受信されることが意図された表示画素ゾーンの命令信号の関数として含むいくつかの表示画素ゾーンを含む表示平面と、
－ 表示平面上に表示されることが意図された画像信号を受信することが可能であり、かつ表示画素ゾーンの命令信号を出力することが意図された少なくとも１つの命令ユニットを含む、表示デバイスの入力／出力インターフェースと、
を包含し、ここで、
－ 命令ユニットは、表示画素ゾーンの命令信号を、ＲＦ波によって送信することが可能な少なくとも１つの第１のアンテナに接続され、
－ 各コントロール・デバイスは、ＲＦ信号処理回路に結合された少なくとも１つの第２のアンテナを含み、関連付けられた表示画素ゾーンの命令信号を受信すること、および受信した命令信号の関数として表示画素ゾーンのＬＥＤモジュールのうちの前記少なくとも１つに、前記表示画素ゾーンと関連付けられた画像信号の一部に対応する光信号を発する命令を与えることが可能である。
その種の、たとえば、μＬＥＤスクリーンを形成する表示デバイスにおいては、ＬＥＤモジュールに命令を与えるコントロール・デバイスが、もはや有線態様で表示デバイスによって受信される画像信号を処理する命令ユニット（１つまたは複数）にリンクされることがなくなる。その種の構成は、ＬＥＤモジュールの命令信号に関する給電信号の運搬の相関を解くことを可能にし、そのことが、過度に高い減衰を生じさせる大きな影響を与えるような寸法を有する可能性のある導体エレメント上における命令信号の運搬を回避する。
それに加えて、上記の構成は、表示エレメント（ＬＥＤモジュールおよびコントロール・デバイス）と表示器の上流にある信号処理エレメント（命令ユニット（１つまたは複数））の間における関係に、より大きな柔軟性を提供する。したがって、これらの種々の要素の互いに対する関係を容易に修正することが可能である。
コントロール・デバイスは、ＬＥＤモジュールが命令回路を含まないときであってさえも、第２のアンテナ上で受信した信号からＬＥＤモジュールを駆動することができる。
ＬＥＤモジュールのそれぞれが、コントロール・デバイスを包含し得る。あるいは、各表示画素ゾーンが、いくつかのＬＥＤモジュールおよび前記表示画素ゾーンのＬＥＤモジュールと電気的に接続された共通のコントロール・デバイスを包含し得る。
第２のアンテナは、２つの給電導体エレメントのうちの１つと同じ平面内に配置され得る。
各コントロール・デバイスは、２つの給電導体エレメントの間に配置され、給電導体エレメントによって給電し得る。
したがって、表示デバイス上に画像を表示するための方法を実装することが可能であり、当該方法は、少なくとも、
－ 表示デバイスの表示平面上に表示されることが意図された画像信号を受信することと、
－ 表示デバイスの少なくとも１つの命令ユニットによって画像信号を処理し、各表示画素ゾーンが、少なくとも１つのＬＥＤを含む少なくとも１つのＬＥＤモジュールを含むように、表示デバイスのいくつかの表示画素ゾーンの命令信号を決定することと、
－ 命令信号を、ＲＦ波によって表示画素ゾーンに送信することと、
－ 各表示画素ゾーンのコントロール・デバイスによって各命令信号を受信することと、
－ 前記コントロール・デバイスによって、各表示画素ゾーンのＬＥＤモジュールに、受信された命令信号の関数として前記表示画素ゾーンと関連付けされた画像信号の一部に対応する光信号を発する命令を与えることと、を含む。
また、表示デバイスを製造するための方法も提案され、当該方法は、少なくとも、
－ いくつかのＬＥＤモジュールを製造することであって、それぞれが少なくとも１つのＬＥＤおよびＬＥＤモジュールの少なくとも２つの対向する面に配置される２つの給電パッドを包含し、対向する面のうちの１つが、前記ＬＥＤモジュールのＬＥＤの発光面に対応する、いくつかのＬＥＤモジュールを製造することと、
－ 支持体を製造することであって、支持体の面上に少なくとも１つの第１の給電導体エレメントが配置される、支持体を製造することと、
－ 支持体上にＬＥＤモジュールを、第１の給電導体エレメントが、ＬＥＤモジュールのうちの少なくとも一部のために、少なくとも１つのホスト表面を形成し、かつそれに対して前記ＬＥＤモジュールのそれぞれの給電パッドのうちの１つが、給電パッドの接続表面が前記ホスト表面より有意に小さい電気的接触を生み出すべく配置されるように転写することと、
－ ＬＥＤモジュール上において少なくとも１つの第２の給電導体エレメントを製造することであって、ＬＥＤモジュールが、第１および第２の給電導体エレメントの間に配置され、かつ２つの給電パッドが、それぞれ第１および第２の給電導体エレメントに接続されるように製造することと、を含む。
また、表示デバイスを製造するための方法も提案され、当該方法は、少なくとも、
－ いくつかのＬＥＤモジュールを製造することであって、それぞれが少なくとも１つのＬＥＤおよびＬＥＤモジュールの少なくとも２つの対向する面に配置される２つの給電パッドを包含し、対向する面のうちの１つが、前記ＬＥＤモジュールのＬＥＤの発光面に対応する、いくつかのＬＥＤモジュールを製造することと、
－ 支持体を製造することであって、支持体の面上に少なくとも１つの第１の給電導体エレメントが配置される、支持体を製造することと、
－ 第１の給電導体エレメントが、ＬＥＤモジュールのうちの少なくとも一部のために、表示デバイスの明点の表示を生み出すことが意図された１つまたは複数のＬＥＤモジュールが属する表示画素ゾーンの少なくとも１つのホスト表面を形成し、かつそれに対して前記ＬＥＤモジュールのそれぞれの給電パッドのうちの１つが、前記ホスト表面と第１の導体エレメントとのＬＥＤモジュールのうちの１つの給電パッドの接続表面の間の寸法の比が２に等しいかそれより大きい電気接触を生み出すべく配置されるように、支持体上にＬＥＤモジュールを転写することと、
－ ＬＥＤモジュール上において少なくとも１つの第２の給電導体エレメントを製造することであって、ＬＥＤモジュールが、第１および第２の給電導体エレメントの間に配され、かつ２つの給電パッドが、それぞれ第１および第２の給電導体エレメントに接続されるように製造することと、を含む。
ＬＥＤモジュールの転写のステップの間に、ＬＥＤモジュールの位置決めを、第１の導体エレメントの前記少なくとも１つのホスト表面上においてランダムまたは擬似ランダム態様で実行し得る。
ホスト支持体上におけるＬＥＤモジュールの分散は、ランダムであってもよく、ＬＥＤモジュールのスプレーによる投射、または溶液内におけるＬＥＤモジュールの懸濁およびその後のホスト支持体上におけるＬＥＤモジュールの沈殿およびＬＥＤモジュールが分散された溶液の媒体からの除去を包含し得る。
代替として、ＬＥＤモジュールの転写は、ホスト支持体の一部の上にいくつかのＬＥＤモジュールを同時に転写することが可能な転写マシンを使用して擬似ランダム態様で実装し得る。
第１および第２の給電導体エレメントのそれぞれの製造は、互いに実質的に平行に延びるいくつかの導体トラックのプリントによる堆積を包含してもよく、それにおいて、２つの給電導体エレメントのうちの第１のそれの導体トラックは、２つの給電導体エレメントのうちの第２のそれの導体トラックに対して実質的に直交して延びる。
さらにこの方法は、ＬＥＤモジュールの転写と第２の給電導体エレメントの製造の間に、次の、
－ ＬＥＤモジュール、およびＬＥＤモジュールの側に位置し、ＬＥＤモジュールによって覆われないホスト支持体の部分を覆う感光性樹脂を堆積するステップと、
－ 感光性樹脂を露光するステップであって、この露光のために使用される波長に関して透明なホスト支持体を通じて感光性樹脂を露光するステップと、
－ 感光性樹脂の残りの露光された部分がＬＥＤモジュールの間に維持され、ＬＥＤモジュールの間に不動態化エレメントを形成するように、露光された樹脂を現像するステップと、の実装を包含し得る。
ＬＥＤモジュールは、それらが、それぞれ、少なくとも１つのマイクロマグネットを包含するように、および／またはＬＥＤモジュールの側面が、ホスト支持体上におけるＬＥＤモジュールの分散の間に、ＬＥＤモジュールの発光面が光学的に透明なホスト支持体の側に配置されるようなＬＥＤモジュールの配置が選ばれるようにエッチングされるように、製造できる。
本発明は、純粋に裏付けを与える目的のために以下のとおりの添付図面を参照して与えられ、かついかなる形においても限定することがない例示的な実施態様の説明を読むことによってより良好に理解されることになろう。
第１の実施態様に従って本発明の本旨である表示デバイスの一部を略図的に示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスのＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスを製造するための方法のステップを示した説明図である。 本発明に従った表示デバイスのμＬＥＤの一例を示した説明図である。 ヘッド・トゥー・テールでマウントされる２つのＬＥＤを包含するＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 ＬＥＤモジュールを製造するための方法を示した説明図である。 ＬＥＤモジュールの電子命令回路を略図的に示した説明図である。 予備的な方向付けを伴うＬＥＤモジュールを製造するための方法のステップを示した説明図である。 予備的な方向付けを伴うＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 予備的な方向付けを伴うＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 代替のＬＥＤモジュールの転写を示した説明図である。 ＬＥＤモジュールのランダム分散のシミュレーション曲線を示したグラフである。 ＬＥＤモジュールのランダム分散のシミュレーション曲線を示したグラフである。 ＬＥＤモジュールの電子命令回路の例示的な実施態様を示したブロック図である。 ＬＥＤモジュールによる表示の間に獲得される信号を示したチャートである。 ＬＥＤモジュールの電子命令回路の例示的な実施態様を示したブロック図である。 表示する色によって差別化されたゾーンを含む表示デバイスを略図的に示した説明図である。 ＬＥＤモジュールがＲＦ信号によって通信される表示デバイスの一部を略図的に示した説明図である。 ＲＦ信号によって通信されるＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 ＲＦ信号によって通信されるＬＥＤモジュールを略図的に示した説明図である。 表示デバイス内においてＲＦ波により信号の送信を実行するエレメントを略図的に示した説明図である。 別の実施態様に従った表示デバイスの一部を略図的に示した説明図である。 表示デバイス内において使用されるＲＦアンテナを示した説明図である。 表示デバイス内において使用されるＲＦアンテナを示した説明図である。 別の実施態様に従った表示デバイスの一部を略図的に示した説明図である。 特定の実施態様に従って画像を表示するための方法を示したフローチャートである。
以下に説明する種々の図の中にある完全同一の、類似の、または均等な部品は、１つの図から次へ移ることをより容易にするために同じ参照番号を有する。
図中の種々の部品は、図をより読み取りやすくするために必ずしも一様な縮尺に従って示されていない。
異なる可能性（代替および実施態様）は、相互に排他的でないと理解されるべきであり、互いに結合されることもあり得る。
ここでは、非決定性の、ランダムまたは擬似ランダム態様での転写支持体（たとえば、ＴＦＴ構成要素を含むプレートまたは機能化されない支持プレート）上へのＬＥＤの転写によって製造される表示デバイスを提案する。転写支持体は、たとえば、将来的にマトリクスとなる将来の行または列に対応する少なくとも１つの導体トラックを含む。
最初に、第１の実施態様に従った表示デバイス１００を略図的に示した図１を参照する。
デバイス１００は、ｎ×ｍの表示画素ゾーン１０２のマトリクスを形成する。表示画素ゾーン１０２は、デバイス１００の表示平面の、その表示平面のほかの画像ポイントに関して個別に命令されるポイント画像を表示するために意図された領域に対応する。各表示画素ゾーン１０２は、その表示画素ゾーン１０２の発光を保証する１つまたは複数のＬＥＤモジュール１０４を包含する（しかしながら、この後に説明するとおり、瑕疵のある表示画素ゾーンがＬＥＤモジュールを包含しないこともある）。同じ表示画素ゾーン内に存在するすべてのＬＥＤモジュール１０４は、同時に動作して対応する画像ポイントを表示する。ここで説明している第１の実施態様においては、各表示画素ゾーン１０２が、表示平面の画素に対応する。図１においては、この画素のマトリクスの一部だけが示されており、６行６列の画素に分配された３６画素のセットに対応する。
ＬＥＤモジュール１０４は、それぞれＬＥＤ１０５および電子命令回路１１８を含む。ＬＥＤ１０５は、たとえば、少なくとも１つの無機半導体、好都合にはＧａＮ、および／またはＩｎＧａＮ、および／またはＡｌＧａＮで作製される。図２に示すように、各ＬＥＤモジュール１０４は、一方の側にＬＥＤ１０５を、他方の側に電子命令回路１１８を包含する。各ＬＥＤモジュール１０４の、電子命令回路１１８とＬＥＤ１０５の間の境界面に平行な平面内における寸法は、特に、電子命令回路１１８の複雑性、すなわちこの回路１１８によって実装される機能の数およびタイプに依存することになるそれの嵩の関数として、マイクロＬＥＤモジュールの場合であれば、たとえば、約１μｍ～１００μｍの間、または約５μｍ～１００μｍの間に含まれる。各ＬＥＤモジュール１０４の厚さは、たとえば、約２μｍ～１０μｍの間である。
ＬＥＤ１０５は、多色光を発するか、またはそれに代えて単色光を発し得る。単色ＬＥＤ１０５が使用される場合、赤、緑、および青（および、オプションの白）色の光を発する異なるＬＥＤ１０５が、各画素内にこれらの色のそれぞれの少なくとも１つのＬＥＤ１０５を有するために好ましく転写される（瑕疵のある表示画素ゾーン１０２を除く）。
ＬＥＤモジュール１０４は、この場合にデバイス１００の表示画素ゾーン１０２内においてランダム態様で分配される。ＬＥＤモジュール１０４が分配される密度は、限られた数のゾーン１０２を除き、統計的に各表示画素ゾーン１０２が少なくとも１つのＬＥＤモジュール１０４を包含するようなものとなる。しかしながら、各ゾーン１０２は、いくつかのＬＥＤモジュール１０４を包含することが許される。
各ＬＥＤモジュール１０４は、デバイス１００の給電導体エレメント１０６、１０８に接続された２つの給電パッド１１０、１１２を包含する。図２に示すように、各ＬＥＤモジュール１０４のＬＥＤ１０５、および各ＬＥＤモジュール１０４の電子命令回路１１８は、いずれも、パッド１１０を介して導体エレメント１０８（第１の給電導体エレメントの一例）のうちの１つに接続され、パッド１１２を介して導体エレメント１０６（第２の給電導体エレメントの一例）のうちの１つに接続される。導体エレメント１０８は、ＬＥＤ１０５の発光を可能にするために、光学的に透明であるかまたは半透明である。
図１においては、導体エレメント１０６が、第１の方向（図１において水平方向）に沿って延びる導電性の行の形式で製造され、導体エレメント１０８は、第１の方向に対して実質的に垂直な第２の方向（図１において垂直方向）に沿って延びる導電性の列を形成する。
給電電位、すなわちＶｓｕｐｐは、たとえば、導体エレメント１０６上に印加されることが意図され、基準電位（たとえば、グラウンド）、すなわちＶｇｒｏｕｎｄは、導体エレメント１０８上に印加されることが意図される。各ゾーン１０２内において、ＬＥＤモジュール１０４のそれぞれは、このようにしてこの給電電位および基準電位に接続される。
このように、ここでは、たとえば、非決定性の態様で転写支持体上に転写されるＬＥＤの転写によって製造されるスクリーンが提案される。転写支持体は、上で説明した第１の実施態様にある場合と同様に、行または列の形式で導体エレメント１０６、１０８のうちの１つが形成されるプレートに対応させることが可能である。転写支持体は、また、電子命令エレメントを含むＴＦＴプレートにも対応させてよい。
この特定のＬＥＤモジュール１０４の転写は、ＬＥＤモジュール１０４のホスト表面または接触表面の影響の大きな寸法、言い換えると、ＬＥＤモジュールの寸法、より特定的には各ＬＥＤモジュール上に存在する導体パッドの寸法と比較したときの、ＬＥＤモジュールの供給を可能にするべく意図された導電性のエレメント１０８の寸法に助けられて可能になる。実際、これらの導電性のエレメントの寸法が、実際にＬＥＤモジュール１０４の寸法、したがって導電性のエレメント１０８の接触表面に相対する給電パッド１１０、１１２の寸法よりもはるかに大きいことを前提とすると、これらのホスト表面上においてＬＥＤモジュール１０４の精密な位置決めを達成する必要がなくなる。これらは、接触表面と平行な平面内において、支持体上の接触表面のうちの１つの寸法と、ＬＥＤモジュールのうちの１つの２つの対向する面のうちの１つの寸法の間の比が２に等しいか、またはそれより大きくなるような、または５に等しいか、またはそれより大きくなるような、または１０に等しいか、またはそれより大きくさえなるような寸法である。支持体上の接触表面は、ＬＥＤモジュール１０４のうちの１つとの電気的接触を生み出すために利用可能な表面に対応し、この表面は、オプションとして部分的に開口部が設けられるとすること、または電気的に接続される同電位の異なる表面からなるとすることが可能である。
デバイス１００を製造するための方法のステップを、図３Ａ～７Ｂを参照して説明する。
第１の電極レベルが、最初に製造される（図３Ａおよび３Ｂ）。ここで説明している例においては、それらが、ＬＥＤ１０５の発光面側となることが意図された導体エレメント１０８である。透明の、たとえばガラスで作られた支持体１３０が使用される。次に、ＩＴＯの条片が、好ましくは連続平面または連続層からＩＴＯの条片間ゾーンのレーザ・エッチングを行うことによって、表示画素ゾーン１０２の所望のピッチに対応するピッチでエッチングされる。ＩＴＯのこれらの条片は、導体エレメント１０８を形成する。
ＬＥＤモジュール１０４は、理想的には水－ＩＰＡ混合物内に懸濁され、超音波攪拌によって懸濁状態で維持される。装置は、好適には、スペーサのランダム分散のために、液晶スクリーンに使用されるタイプのものとし得る。
次に、ＬＥＤモジュール１０４が、たとえばスプレーによって、導体エレメント１０８上の瑕疵のあるゾーン１０２の数を最小化するようにランダムに分散される（図４Ａおよび４Ｂ）。１．１０６画素またはゾーン１０２のスクリーンのために、１．１０７個台のＬＥＤモジュール１０４を含有する所定分量の溶液が計量分配されるが、それが瑕疵レベルを十数程度に保証しなければならない。ＬＥＤモジュール１０４と導体エレメント１０８の接続を確保するために直接金属－金属ボンディングを実行できる。
ネガティブ・タイプの絶縁樹脂１３２が、好ましくはスプレーによって製造された構造全体に分配され、好ましくはその厚さがＬＥＤモジュール１０４の厚さより厚い（図５）。この樹脂は、周囲光のノンゼロ放射を伴う発光の間におけるＬＥＤ１０５との良好なコントラストを獲得することをはじめ、ＬＥＤ１０５が発光していないときに黒色の表示平面を有するために好ましくは黒色である。
透明の支持体１３０および導体エレメント１０８を通る露光は、ＬＥＤモジュール１０４上に存在する樹脂ではなく、ＬＥＤモジュール１０４の間の樹脂１３２を露光することを可能にする。樹脂１３２の現像は、次に、ＬＥＤモジュール１０４上に存在する露光されなかった樹脂の除去を可能にする（図６）。樹脂の残りの部分は、ＬＥＤモジュール１０４の間における不動態化を保証する。
最後に、他方の導体エレメント１０６が、たとえば、金属電極のプリントによって（先行する電極と垂直に）製造される。先行するステップにおいて堆積された樹脂１３２は、その後、プリントによる導体エレメント１０６の堆積に有利に働くスムージングの役割を保証する。
このＬＥＤモジュール１０４のランダム分散のプロセスにおいては、分布がポアソン法則に従う。１．１０６の表示画素ゾーン１０２の数を仮定し、ポアソン法則を使用すると、計量分配に必要なＬＥＤモジュール１０４の数をデバイス１００のために受け入れ可能な瑕疵の数の関数として評価することが可能である。瑕疵は、ＬＥＤモジュール１０４がまったくないか、または機能し得るＬＥＤモジュール１０４がまったくない表示画素ゾーン１０２を意味すると解釈される。図１５に示されているグラフにおいて、１００万個の表示画素ゾーン１０２を考えると、瑕疵のある表示画素ゾーン１０２を１つだけ有するためには、ホスト支持体上における１４００万個台のＬＥＤモジュール１０４の計量分配が必要になる（画素ゾーン当たりの平均のＬＥＤモジュール１０４の数は、したがって１４になる）。１０００万個のＬＥＤモジュールを分散することによって、約４５の瑕疵のある表示画素ゾーン１０２が獲得される。また、表示画素ゾーン１０２内に位置することが可能なＬＥＤモジュール１０４の最大数を、受け入れ可能な瑕疵の数の関数として推定することも可能である。したがって、図１６において、瑕疵のある表示画素ゾーン１０２を１つだけ受け入れるとき、表示画素ゾーン１０２が３５個のＬＥＤモジュール１０４を含むことがわかる。
以下で説明する方法においては、ＬＥＤモジュール１０４が、支持体１３０および導体エレメント１０８上におけるスプレーによる分散の助けで分配される。代替として、液体内にＬＥＤモジュール１０４を入れて、ＬＥＤモジュール１０４のコロイド懸濁液を得ることが可能である。この懸濁液が、支持体１３０および導体エレメント１０８の上に分配され、その後、沈殿に続くＬＥＤモジュール１０４があった媒体の吸い上げによって導体エレメント１０８上にＬＥＤモジュール１０４が配置される。
ＬＥＤモジュール１０４のＬＥＤ１０５は、たとえば、図８に示すようになる。このＬＥＤ１０５は、ｐドープされた半導体の層１３６に当接して配置されるｎドープされた半導体の層１３４を包含し、このｐ－ｎ接合を形成するスタックが、たとえばＩＴＯを含む２つの導体層１３８（透明であり、ＬＥＤ１０５の発光を可能にする）の間に配置される。層１３４、１３６の半導体は、たとえば、ＧａＮである。層１３８は、導体エレメント１０６、１０８との接触を促進する。
支持体上にランダム態様でＬＥＤモジュール１０４を分配することによって、これらのＬＥＤモジュール１０４のうちの一部が正しい意味で配置されず、言い換えると、それらの発光面が表示平面の正しい側にない。しかしながら、大量のＬＥＤモジュール１０４の分散を考えると、統計的に充分な数の正しく方向付けされたＬＥＤモジュール１０４が獲得される。反転したＬＥＤモジュール１０４は、給電時に、これらのＬＥＤモジュール１０４が、ほかの正しく方向付けされたＬＥＤモジュール１０４の動作を擾乱しない逆バイアスされたダイオードを形成することから、電気的な問題を呈することがない。各ＬＥＤモジュール１０４が、ＣＭＯＳタイプの命令回路１１８を包含するときは、こ
の回路１１８のＣＭＯＳアーキテクチャが、逆バイアスが短絡回路を作り出さないようになっている。
上記で説明した実施態様においては、分散されたＬＥＤモジュール１０４が、ＬＥＤ１０５および命令回路１１８を包含する。代替においては、ＬＥＤモジュール１０４が命令回路１１８を含まず、一意に１つまたは複数のＬＥＤ１０５を含むことが可能である。
好適には、各ＬＥＤモジュール１０４は、互いに隣り合ってヘッド・トゥー・テールで配される２つのＬＥＤ１０５を包含することが可能である。その種の構成を図９に示すが、第１の面においては、第１のＬＥＤ１０５ａがｎドープされた層１３４ａを包含し、かつ第２のＬＥＤ１０５ｂがｐドープされた層１３６ｂを包含し、第１の面とは反対側の第２の面においては、第１のＬＥＤ１０５ａがｐドープされた層１３６ａを包含し、かつ第２のＬＥＤ１０５ｂがｎドープされた層１３４ｂを包含する。したがって、いずれの面（第１または第２）が導体エレメント１０８のうちの１つと接触していようと、ＬＥＤ１０５のうちの１つが機能することになる。
図１０との関係からＬＥＤモジュール１０４を製造するための方法の一例を説明する。
図１０のステップ（ａ）においては、半導体基板１４２、たとえばシリコン内にＣＭＯＳテクノロジを使用して電子命令回路１１８のマトリクスが製造される。
電子命令回路１１８のマトリクスの製造と並行して、ＬＥＤ１０５のマトリクスが、別の半導体基板１４４から、たとえばエピタキシによって製造される（ステップ（ｂ））。
次に、電子命令回路１１８のマトリクスがＬＥＤ１０５のマトリクス上に転写される。この組み立ての間に、電子命令回路１１８とＬＥＤ１０５の間の接触ピックアップが製造される。次に、基板１４２の半導体が薄化されて、次に命令回路１１８の側にパッド１１２が製造される。次に、成長基板１４４が取り除かれる（ステップ（ｃ））。
次に、エッチングおよびＬＥＤモジュール１０４の単体化が実装される（ステップ（ｄ））。これらのＬＥＤモジュール１０４は、次に溶液内に配置することができる。
電子命令回路１１８の例示的な実施態様を図１１に示す。この回路は、導体エレメント１０６に接続されることが意図された、たとえばＩＴＯの接点１４６と、ＬＥＤ１０５の間に接続されるＭＯＳトランジスタＴを包含する。接点１４６には、トランジスタＴのゲートが接続される。また、回路１１８は、ここでは詳細を述べないが、ＬＥＤモジュール１０４によって受信されることが意図されたデータ信号の処理、およびＬＥＤ１０５に給電するトランジスタＴの駆動が意図された部品、ＣＭＯＳ１４８も包含する。部品１４８は、ＬＥＤ１０５の給電以外に回路１１８によって充足される機能がないとき、単純なＣＭＯＳトランジスタに対応し得る。この部品１４８は、導体エレメント１０８への接続が意図された、ＬＥＤ１０５の発光面の側に位置する、たとえばＩＴＯの第２の接点１５０に接続される。接点１５０は、ＬＥＤ１０５の相対する半導体層１３４および１３６から電気的に絶縁された導体バイア（ビア）１５２を通じて部品１４８に接続される。
ＬＥＤモジュール１０４の分散の間に、適切な方向におけるＬＥＤモジュール１０４の位置決めを助力すること、言い換えると、最大数のＬＥＤ１０５の発光面がデバイス１００の表示面に向かって回転されるようにＬＥＤモジュール１０４を方向付けさせると好都合である。今後は、ＬＥＤモジュールの支持体上への転写の前／間にそれらの予備的な方向付けの技術を用いることが必要になるであろう。
この正しい方向付け（向き付け）を助力するための第１の解決策は、ＬＥＤモジュール１０４内にマイクロマグネットを組み込むことであり得る。これらのマイクロマグネットは、その後、ＬＥＤモジュール１０４のランダム配置の間に正しい側のＬＥＤモジュール１０４の組み立てを補助するべく働き得る。たとえば、図１０との関係から上記で説明した方法をステップ（ｃ）の終了時に反復することによって、ＳｉＯ２等の誘電体１５２が、パッド１１２を包含する面上に堆積される。ＬＥＤ１０５と一体で一時的なハンドル１５１が作られるが、この一時的なハンドル１５１のボンディングは、基板１４２の薄化の前に実行することが可能である。次に、この誘電体１５２の平坦化が実装され、その後、この平坦化された誘電体上にマイクロマグネット１５４が配され、少なくとも１つのマイクロマグネット１５４が各ＬＥＤモジュール１０４と関連付けられるように分配される（図１２のステップ（ａ）参照）。マイクロマグネット１５４は、たとえば誘電体１５２と同じ性質の誘電体層１５６によって覆われ、その後、この誘電体層１５６および誘電体１５２を通して、たとえばダマシン処理法によって形成された導体バイア１５８を通じてパッド１１２の接点ピックアップが製造される（図１２のステップ（ｂ））。次に、製造されたスタックのエッチングによってＬＥＤモジュール１０４の単体化が実装され、一時的なハンドル１５１が除去される（図１２のステップ（ｃ））。したがって、ダマシン処理法は、直接ボンディングに適応する表面を準備することを可能にする。このようにＬＥＤモジュール１０４内にマイクロマグネット１５４を統合することによって、マイクロマグネット１５４が導体エレメント１０６の側に引き付けられ、それがＬＥＤ１０５の発光面の正しい位置決めに有利に働くことから、これらのＬＥＤモジュール１０４の位置決めが影響を受ける。
このほかのＬＥＤモジュール１０４の構成が、これらのモジュールの正しい方向付けに有利に働くことは可能である。たとえば、側面のうちの１つが導体エレメント１０８の側に配置されるようなＬＥＤモジュール１０４の位置決めを回避するために、図１３Ａおよび１３Ｂに示されている形状等、言い換えるとエッチングされた部分を側面に包含する形状に従ってＬＥＤモジュール１０４をエッチングすることが可能である。ＬＥＤモジュール１０４の上面は、接点１１０を包含し、それの周囲に、この接点をいくぶん浮き彫りにする絶縁体のエッチングが実行されている。この方法においては、手前で説明したスプレー方法による分散の後に、ＬＥＤモジュール１０４のボトムの面だけが、洗浄に耐える充分な接着を（バンデルワールス力によって）有することになる（可能性としては、わずかなＨＰによって補助される）。導体エレメント１０８に接着されなかったＬＥＤモジュール１０４は、リサイクルされる。この構成においては、ポアソン法則によって予測されるＬＥＤモジュール１０４の数の少なくとも６倍より多くの数のＬＥＤモジュール１０４を分散させることが賢明である。ＬＥＤモジュール１０４の単一の分散は、ＬＥＤモジュール１０４のクラスタの形成が過密なゾーンにおいて、ＬＥＤモジュール１０４の形状に起因して付着することが可能でないクラスタが洗い去られるために、非決定性の部分が持ち上がることから非常に興味深い。
導体エレメントによって形成されたホスト表面上におけるＬＥＤモジュール１０４の分散または配置の別の態様を図１４に示す。
ＬＥＤモジュール１０４は、一時的なハンドル１６０上に、それらの発光面がこのハンドル１６０に面して配されて転写される（図１４のステップ（ａ））。次に、このアセンブリがひっくり返され（図１４のステップ（ｂ））、ＬＥＤモジュール１０４の一部が導体エレメント１０８上で取り外される（図１４のステップ（ｃ））。位置決めの制約は、導体エレメント１０８の寸法がＬＥＤモジュール１０４の寸法よりも大きいために緩和される。また、一時的なハンドルを、ひっくり返す前に引き伸ばすことが可能な可撓性基板の形式とすることも可能である。この場合においては、導体エレメント１０８のホスト表面上におけるＬＥＤモジュールの位置決めが表示デバイスごとに異なるものとなり、したがって、ホスト表面上におけるＬＥＤモジュールの位置決めが擬似ランダムと見做される。
上記で説明した例においては、ＬＥＤモジュール１０４の分散が位置決めに関して非決定性の態様で実行され、可能性としては、ＬＥＤモジュールの予備方向付けのテクニックが実装されるときは、それらの方向付けが非ランダム態様で行われる。しかしながら、転写されるＬＥＤモジュールよりはるかに大きい寸法のホスト表面を有するという事実が、強いられる整列の制約をこれらの寸法に起因して緩和し、たとえば、ＬＥＤモジュール１０４をホスト表面上に転写するマシンを介して決定性の転写ソリューションの実装も可能にする。このように、ＬＥＤモジュールが、そのＬＥＤモジュールのパッドに類似するサイズの電気接点上に転写されなければならない場合より大きな転写表面を伴って加工することが可能である。たとえば、転写エレメント（『スタンプ』と呼ばれる）の寸法が５ｃｍ×５ｃｍの転写マシンを用いて作業し、２５０μｍのピッチでＬＥＤモジュール１０４を転写すること、すなわち５０，０００個のＬＥＤモジュール１０４を同時に転写することが可能である。ホスト表面に関する転写エレメントの位置決めは、厳密である必要がなく（＋／－１０μｍで充分とし得る）、そのことが転写速度を稼ぎ、したがってこの方法のコストをより低くすることを可能にする。
転写効率は１００％ではない。少なくとも１つのＬＥＤモジュール１０４（または、単色ＬＥＤモジュール１０４を用いて画素ゾーン当たり３色が望ましい場合には、３つのモジュール）を有することを確保するためには、表示画素ゾーン当たりの冗長性を作り出すことが必要になるであろう。転写効率が９９％であると仮定すると、転写を二重にすれば、少なくとも１つのＬＥＤモジュール１０４を有する画素が９９．９９％に達することが可能になる。この９９．９９％という数字は、転写効率が転写ごとに独立している場合に対応する。転写エレメントが、局所的に瑕疵を有する場合には、１つの転写から他への依存関係が存在し、この場合においては、二重の転写ステップが瑕疵を再複写するだけとなる可能性がある（同じ全体的な効率が、転写エレメントの２番目の通過後に獲得される）。この、転写エレメントの参照ポイントに局所的にリンクされた潜在的瑕疵をオフセットするために、転写エレメントのその固定された瑕疵がホスト支持体上において空間的に分配されるように、Ｎｘ、Ｎｙの表示画素ゾーンのシフトを伴って転写冗長ステップをなし得る（Ｎｘは、行内の画素ゾーンの数、Ｎｙは、列の画素ゾーンの数）。
さらに冗長性を増加してより良好な全体的な効率を達成することが必要な場合には、同じホスト・ゾーン上における転写エレメントの各通過をシフト可能である。１０個の瑕疵／１０６個の表示画素ゾーンの効率を目標とするのであれば、転写効率が９９％の場合には、ホスト表面上における３回の転写エレメントの通過で充分である。転写効率が９６％の場合には、４回の通過で充分となり得る。通常、異なる通過ごとに、いくつかの画素によりシフト可能である。
上記で説明したデバイス１００においては、ＬＥＤモジュール１０４が、給電導体エレメント１０６、１０８に接続される給電パッド１１０、１１２を独自に包含し、それらの上にＬＥＤモジュール１０４に給電する給電電圧が印加される。ＬＥＤモジュール１０４の接触パッドは給電パッド１１０、１１２だけであり、ＬＥＤモジュール１０４の駆動および命令を可能にするデータ信号は、専用のワイヤ接続によらずにＬＥＤモジュールにもたらされなければならない。したがって、この例においては、これらの給電パッド１１０、１１２、およびこれらの導体エレメント１０６、１０８を通じて、変調信号の形式で命令信号がＬＥＤモジュール１０４に送信され、それらをＬＥＤモジュール１０４が解釈しなければならない。
ＬＥＤの命令信号をもたらすこの他の方法、たとえばＲＦ手段によること（または、赤外線手段さえ）が企図され得る。
図１７は、給電導体１０６、１０８上に存在する給電電圧の振幅変調によって送信されるデータおよび同期信号からモジュールのＬＥＤ１０５のＰＷＭ（パルス幅変調）またはＢＣＭ（バイナリ・コード化変調）によって命令を具現化するために各ＬＥＤモジュール１０４の電子命令回路１１８内に実装される機能のブロック図を示している。
このブロック図は、バイナリ・データのアドレッシングおよび書き込み機能を実行することを可能にする３チャンネル（ＲＧＢ）を伴うＬＥＤモジュール１０４に適したアーキテクチャを記述する。ＬＥＤモジュールは、したがって、図１１に示されている例に類似の、それぞれ独自の命令スイッチを伴う３つのＬＥＤを含む。
電源投入時に、ブロックＰｏＲ（パワー・オン・リセット）１７０が、３つのチャンネルのうちの１つ、たとえばチャンネルＲ（赤）の所定の瞬間をポイントする第１のデコーダ１７２、すなわちｄｅｃｏｄｅｒ＿１を初期化し、かつ３ラッチ・タイプの記憶エレメント、Ｌａｔｃｈ＿Ｒ、Ｌａｔｃｈ＿Ｇ、およびＬａｔｃｈ＿Ｂ内のＲＧＢデータも、たとえば『０』に初期化する。
復調器１７４、１７６が、それぞれ導体エレメント１０６、１０８から、それぞれ『ＰＯＷＥＲ』および『ＧＲＯＵＮＤ』給電電圧の振幅変調によってデータおよび同期信号を含む給電信号を受信する。データ信号は『ＰＯＷＥＲ＋ＤＡＴＡ＿ＰＵＬＳＥ』と名付けられ、同期信号は『ＧＲＯＵＮＤ＋ＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥ』と名付けられる。これらの復調器１７４、１７６は、バイナリ信号（すなわち、ＤＡＴＡ＿ＰＵＬＳＥおよびＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥ）を再構成するために、電力およびグラウンド電圧における変動を抽出することを可能にする。
信号ＤＡＴＡ＿ＰＵＬＳＥは、第２のデコーダ１７８の入力に渡され、それが、最終的にＬＥＤ１０５の命令をイネーブルするデータ信号ＤＡＴＡを出力する。信号ＤＡＴＡは、３つのＲＧＢチャンネルのために使用される３つのメモリ・エレメント１８０．１、１８０．２、１８０．３のうちの１つに、デコーダ１７２から到来する信号ＶＡＬＩＤ＿Ｒ、ＶＡＬＩＤ＿Ｇ、ＶＡＬＩＤ＿Ｂの関数として記憶される。アセンブリは、メモリ・エレメント１８０．１、１８０．２、および１８０．３に対する信号ＶＡＬＩＤ＿Ｒ、ＶＡＬＩＤ＿Ｇ、ＶＡＬＩＤ＿Ｂの送信を介してクロック信号ＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥの各パルスにおいて選択されるチャンネルを変更するデコーダ１７２によって同期される。
図１８は、この回路内において獲得される信号の時間経過図の一例を示している。ＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥを２パルス送信することが、一方においてＲＧＢチャンネルの選択をインクリメントすることを可能にし、その後、時間窓を定義して、その間にＤＡＴＡ＿ＰＵＬＳＥのパルスを受信するか否かを判断するべく待機することを可能にする。パルスの受信がイエスであれば、選択されたチャンネル（Ｒ、Ｇ、またはＢ）に対応する記憶エレメント内に、たとえば１が書き込まれ、パルスの受信がＮＯであれば０が書き込まれる。
この例においては、ラッチ・タイプ（単一のバイナリ値を記憶する）の各メモリ・ポイントに記憶される値が使用されて、『オール・オア・ナッシング』モード（ＬＥＤが、それぞれ給電電圧に接続されるか、または接続されないために、導通または非導通になる）でＬＥＤ１０５の命令スイッチが直接コントロールされる。
ＬＥＤ１０５の光の強度のコントロールを可能にするために、導通および非導通時間を制御することが必要になる。したがって、各メモリ・ポイント内に存在する値が、各画像フレームの過程で修正されなければならない。
ＰＷＭ（パルス幅変調）またはＢＣＭアドレッシングは、１および０（１＝オン、０＝オフ）のみを書き込むことによってＬＥＤ１０５のオン時間を変調することにより、ＬＥＤ１０５によって発光される平均輝度を変調することを可能にする。ＬＥＤ１０５が、作像時間全体を通じてオンであれば、これは最大コード、たとえば３ビットであれば１１１に対応する。これに対し、作像時間全体を通じてＬＥＤ１０５がオフであれば、それが最小コード０００に対応する。
３アドレッシング・ビットを伴うこの例においては、最上位ビット（３番目）に関連付けられているオンまたはオフの持続時間が、最下位ビット（１番目）に関連付けられているオンまたはオフの持続時間の４倍に対応し、第２ビットに関連付けられているオンまたはオフの持続時間は、最下位ビットに関連付けられているオンまたはオフの持続時間の２倍に対応する。オンまたはオフの持続時間は、０と７の間に含まれる値を選択することによってエンコードしてもよい。
ここでは、各画像の表示の間にＬＥＤによって発せられる光度のコントロールが、ＬＥＤがオンとなる持続時間と、スクリーン上における画像の表示の合計持続時間の間の比を命令することによって実行される。その種のＬＥＤの命令は、各画素の光度がバイナリ信号の形式でエンコードされるＢＣＭタイプのバイナリ・ワードまたは情報（言い換えると、画像の表示のコントロールを可能にする特定の数のビットのバイナリ・コード）を使用して獲得してもよい。その種のバイナリ・ワードの各ビットは、そのビットの重要度に比例する持続時間にわたるＬＥＤのスイッチ・オンまたはスイッチ・オフを駆動する。たとえば、最上位ビット（ＭＳＢ）は、画像の表示の持続時間の半分の間（たとえば、５０画像／秒の周波数において動作する表示デバイスの場合は１０ミリ秒）にわたってＬＥＤを駆動する。次のビット（すなわち、ＭＳＢ－１）は、この持続時間の４分の１を表し、ＬＳＢ（最下位ビット）に至るまでこの関係が続く。
図１との関係から説明したようなマトリクス・タイプの表示デバイスの場合においては、それによって画素の各行が、フレームの過程で時間間隔の減少を伴って３回アドレスされると規定することが可能である。したがって、１番目の時間間隔は、３番目の間隔の４倍の長さにわたって持続し、２番目の時間間隔は、３番目の時間間隔の２倍の長さにわたって持続する。１番目、２番目、および３番目の時間間隔の過程において『ラッチ』メモリ・ポイント内に記憶される値は、それぞれ、１番目のビット（最上位）、２番目のビット、および３番目のビット（最下位）に対応する。
モジュールが３つのＬＥＤを含む場合においては、行の各アドレッシングの間に、３つのチャンネルのために３つの情報（それぞれのメモリ・ポイントｌａｔｃｈ＿Ｒ、ｌａｔｃｈ＿Ｇ、およびｌａｔｃｈ＿Ｂ内に記憶される値）の送信が実行される必要がある。それによって、ＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥ上で６パルスを送信し、適用するコードに従ってＤＡＴＡ＿ＰＵＬＳＥの３パルスを適用するか否かによって画素モジュールの３チャンネルを連続的にアドレッシングすることが企図可能である。
その種のプロトコルは、これが寸法の小さいＬＥＤモジュール１０４の製造を可能にすることから極めて有利な非常にコンパクトな構造を有するという利点を提供する。
このプロトコルにおいては、復調誤りがチャンネルの選択誤りまたは書き込みデータ誤りを導く可能性がある。データが誤りであれば、逆を言えばＣＬＫ＿ＰＵＬＳＥの検出における一度限りの誤りが、時間窓に関する誤りおよびアドレスされたチャンネルに関する誤りを生じさせることから、結果が制限される。この場合には、パワー・オン・リセットによって再初期化する必要がある。
回路１１８の堅牢性を向上させるためには、チェイサ（サイクル・シーケンサ）の使用に代えて、個別にＲ、Ｇ、またはＢチャンネルのアドレッシングを期するべく復調器１７４、１７６の出力にバイナリ・デコーダを配置することが可能である。しかしながらこれは、より多くの表面を必要とし、より多くのデータ（いずれのチャンネルがアドレスされているかを知ることを可能にする複雑なデータのタグ）の送信を必要とする。
図１７のブロック図の機能を実装する回路１１８の例示的な実施態様を図１９に示す。
ＬＥＤモジュール内に存在する電子コントロール回路のこのほかの実施態様も企図することが可能である。たとえば、レジスタ・タイプの数ビットの記憶エレメントによって各単一式の記憶エレメント（ラッチ）を置換し、各レジスタ内に、所望の光の強度に対応する、たとえば上記同様に３ビットの数値を記憶できる可能性がある。この場合においては、フレームの過程で３行のアドレッシングを提供する必要がなく、単一行のアドレッシングが、３ビットの値を伝達することを可能にする。その後、各レジスタと対応するＬＥＤの命令スイッチの間に、バイナリ値をＬＥＤの時間的な命令信号に変換する命令回路を追加する必要がある。この種の代替実施態様は、光の強度の修正が望ましいときにのみレジスタの値を更新し、それによってエネルギ消費の低減が可能になることの企図を可能にするという利点がある。それに加えて、この後に説明するようなＬＥＤモジュールを識別するためのデバイスに関連して、マトリクス・アーキテクチャ以外のアーキテクチャを企図することが可能である。
ＬＥＤモジュール１０４がホスト支持体上にランダムに分配されており、表示画素ゾーン１０２当たりのＬＥＤモジュール１０４の数が未知である場合には、デバイス１００の製造後、かつそれの使用前に、最初の較正段階において、表示画素ゾーン１０２のＬＥＤ１０５がオンのときの消費の読み取りを通じてそれらの数を決定することが可能になる。数がわかると、初期の望ましい光度に達するべく、表示コードが反比例態様で適合される。
このほか、たとえば、ｎ個のＬＥＤモジュール１０４を含む表示画素ゾーン１０２の電流の調整または電圧の調整といった表示デバイス１００の較正のためのアプローチが可能である。また、位置、色、および表示画素ゾーン１０２当たりのＬＥＤモジュール１０４の数を決定する視覚的な検出を企図することも可能である。
この較正があることから、各表示画素ゾーン１０２は、ゾーン１０２のそれぞれの中のＬＥＤモジュール１０４の数によらず、同じ態様で動作する。
代替においては、この較正を、ＬＥＤモジュール１０４の識別を介して実行できる。ＬＥＤモジュールの識別を使用する通信のプロセスは、異なる方法で、有線または無線手段（たとえば、ＲＦ通信）によって行い得る。
モジュールの識別を用いた通信の方法の使用に先行して、各ＬＥＤモジュールは、識別子を受け取らなければならない。各ＬＥＤモジュールのこの『パーソナル化』は、ハードウエア構成要素上におけるアクションによって達成され得る：ＲＯＭのフラッシングによって、各ＬＥＤモジュール１０４に対してコードを割り当てるヒューズの焼き切りによって、またはＬＥＤモジュール１０４のプログラミングによって実行可能である。
識別を用いる通信プロシージャの間に、それらに一意的な識別コードを持たせることなく、ＬＥＤモジュール１０４を識別する統計的な特性を利用することも可能である。これは、記憶させる識別ビットの数を低減し、かつＬＥＤモジュール１０４の複雑性を大きく下げることを可能にする。
それを行うため、異なる識別コードを有する『ｎ』個のＬＥＤモジュール１０４が製造され、ランダムに分配されてデバイス１００が製造される。各表示画素ゾーン１０２は、『ｎ』のうちのあるアドレスを有するＬＥＤモジュール１０４を１つまたは複数個有する。表示画素ゾーン１０２のＬＥＤモジュール１０４との通信の間に、ｎ個のアドレス・コードをスキャンすることによって、それらの数を明らかにし、応答のあったＬＥＤモジュールが存在するアドレスを識別するために、ＬＥＤモジュール１０４の目録作成が実行される。したがって、冗長なＬＥＤモジュール１０４をスイッチ・オフし、表示画素ゾーン当たり１つのアクティブなＬＥＤモジュール１０４だけを維持することが可能になる。この手段によって、表示画素ゾーン１０２当たり単一のＬＥＤモジュール１０４だけが存在することから、表示全体に均質な表示を有するために調整（電圧／電流／バイナリ・コード）を行う必要がなくなる。
識別は、ソフトウエアを使用して実行可能である。したがって、コンピュータがインターネット網上で要求を送信し、ネットワーク上で一意的なアドレスを獲得する態様で表示画素ゾーン１０２と通信することが可能である。これは、通信プロトコル、デジタル電子エレメント、およびメモリを必要とする。
ＬＥＤモジュール１０４の個別アドレッシングの利点は、表示デバイス１００内における書き込みの方法の変更が可能なことである。実際、画像を表示するために、すべての行を順番にスキャンし、その一方で列バス上に存在するデータをリフレッシュしなければならないとすることに代えて、画素が特定のアドレスを有していれば、１つの画像から次の画像へと変更された画素のみをアドレスすることが可能になり、非常に低消費のデバイス１００を得ることが可能になる。
アドレス（個別または非個別）による識別は、特定のＬＥＤモジュール１０４の非アクティブ化の可能性を提供し、そのことが冗長性の利用を可能にする。ＬＥＤモジュール１０４の分散が失敗であるか、または影響が過大である場合、それを非アクティブ化して同じ表示画素ゾーン１０２内に位置する別のもの（別のものがある場合）を選択することが可能である。
上記で説明した例示的な実施態様においては、ＬＥＤ１０５の命令エレクトロニクスが、ＬＥＤモジュール１０４内に統合されている。代替において、または相補として、ＬＥＤモジュール１０４が接続されるデバイス１００のホスト支持体の下に、たとえばＣＭＯＳテクノロジを使用して作られる電子命令回路を置くことが可能である。この場合には、裸のＬＥＤが転写される。
ホスト支持体は、単一色の赤、緑、または青の発光に適したＬＥＤモジュール１０４を受け入れることがそれぞれ意図された区別されたゾーンに従って構造化し得る。このことは、これらの色のそれぞれに関連付けられたＬＥＤモジュール１０４の堆積のためにステンシルに頼ることが可能であることから、ＬＥＤモジュール１０４の堆積の制約が緩和され、ホスト支持体の裏面に、ＴＦＴ、ポリ・シリコン・タイプの表面の大きなＭＯＳタイプの命令エレクトロニクスをボンディングすることによって、従来的な表示器アーキテクチャを維持することが可能になる。図２０は、その種の構成を略図的に示しており、それにおいては、ＬＥＤモジュール１０４の配置のために、異なる色用に区別されたホスト・ゾーン１８２が製造される。裏面にある命令エレクトロニクスが、符号１８４で示されている。
命令エレクトロニクス１８４を製造するためのＴＦＴテクノロジに代えて、ガラス・プレートを使用し、このプレートに対してＭＯＳコントロール・モジュールをボンディングして表示画素ゾーン１０２をアドレスすることが可能である。
モジュールのうちの１つが所望の色のうちの１つだけを表示することを強制するために、ＲＧＢモジュールの堆積の後に所望のモジュールと通信すること、または構成を（たとえば、ヒューズを焼き切るレーザによって）課することが可能である。これが給電導体エレメントの構造化と組み合わされて、大きな表面の、かつ可能性として大型ＴＦＴタイプ・テクニックの表面上における再構成が可能な表示デバイス１００を有することを、単一タイプのＲＧＢモジュールの製造／堆積だけで可能にする。
コントローラは、それぞれがＲＧＢ発光を生み出すいくつかの表示画素ゾーンの信号、電流、または電圧の供給を管理することが可能である。このコントローラは、有線またはＲＦリンクによってデータを受信し、表示画素ゾーン当たりの情報を分配することが可能である。このソリューションは、コントロールされる表示画素ゾーンによって占められる表面と比較して、非常に小さいＣＭＯＳコントローラを有するという利点を提供する。
次に、ＬＥＤモジュール１０４がＲＦ信号によって通信する表示デバイス１００の異なる実施態様を説明する。
最初に、その種の表示デバイス１００の一部を略図的に示した図２１を参照する。
このデバイス１００は、１つまたは複数の画像が表示されることが意図されている表示平面を包含する。この表示平面は、互いに独立にコントロールされるいくつかの表示画素ゾーン１０２に分割されている。
各表示画素ゾーン１０２は、１つまたは複数のＬＥＤモジュール１０４を包含する。各ＬＥＤモジュール１０４は、少なくとも１つのＬＥＤ１０５を包含し、ここではそれがμＬＥＤである。ＬＥＤ１０５は、それぞれ、ＧａＮ、および／またはＩｎＧａＮ、および／またはＡｌＧａＮの層によって形成されるｐ－ｎ接合を含む。
ＬＥＤモジュール１０４は、２つの給電導体エレメント１０６、１０８（図２１においては、１０６．１－１０６．６および１０８．１－１０８．８によって参照される）の間に介挿され、各ＬＥＤモジュール１０４は、そのＬＥＤモジュール１０４の対向する２つの面１１４、１１６（それらのうちの一方が、そのＬＥＤモジュール１０４のＬＥＤ１０５の発光面に対応する）に配置された２つの給電パッド１１０、１１２を包含し、それが、それぞれ、給電電位（この例の場合はエレメント１０６）および基準電位（この例の場合はエレメント１０８）が印加される２つの給電導体エレメント１０６、１０８の一方および他方に接続される。ＬＥＤモジュール１０４のうちの１つのこの構成は、図２２から明らかである。この例においては、ＬＥＤ１０５の発光面が、導体エレメント１０８の側に位置する面１１４に対応する。
一例として、ＬＥＤ１０５の発光面に当接して配される導体エレメント１０８は、ＩＴＯ等の透明の導体材料を包含し得る。
図２１においては、給電導体エレメント１０６、１０８は、互いに直交して配置される導体トラックの形式で製造される。ここで説明している実施態様においては、行でレイアウトされた導体エレメント１０６のうちの１つと列でレイアウトされた導体エレメント１０８のうちの１つの各交点が、表示画素ゾーンを画定する。それによってこのレイアウトは、表示画素ゾーン１０２のマトリクスを形成する。それに加えて、各ゾーン１０２のＬＥＤモジュール１０４（１つまたは複数）等のＬＥＤモジュール１０４を同じ信号から、すなわち、それらが同じ画像ポイントを形成する光信号を表示するように命令することによって、各画素ゾーン１０２がデバイス１００の表示平面の画素に対応する。
ここでは、各ＬＥＤモジュール１０４が、命令回路１１８も包含する。この命令回路１１８は、ＬＥＤ１０５に対して発光する光信号を表す信号を出力し、モジュール１０４のＬＥＤ１０５によって生み出される発光を命令することを可能にする電子エレメントを包含する。
その種の命令回路１１８の例示的な実施態様を略図的に図２３に示す。この回路１１６は、ＬＥＤ１０５のスイッチ・オンまたはスイッチ・オフを命令する働きの第１のトランジスタＴ１、ＬＥＤ１０５に所望の電流を注入することを可能にするトランジスタＴ２、およびトランジスタＴ２のゲート上において所望の電圧を維持することを可能にするストレージ・キャパシタＣを包含する。導体エレメント１０６から到来する電圧Ｖｄｄが、導体エレメント１０６と接触しているＬＥＤモジュール１０４の給電パッド１１２からトランジスタＴ２のドレインに印加される。トランジスタＴ２によって出力される電流が、ＬＥＤ１０５のｐ－ｎ接合の層のうちの１つに印加される。ＬＥＤ１０５のｐ－ｎ接合の層のうちの他方は、給電パッド１１０を介して導体エレメント１０８によって渡される電位を受け取る。
命令信号は、コントロール・デバイス１２０から命令回路１１８に送信される。この実施態様においては、各ＬＥＤモジュール１０４は、このＬＥＤモジュール１０４によって発せられる光信号を制御するためのコントロール・デバイス１２０を包含する。コントロール・デバイス１２０は、メモリ、受信メッセージのデコーダ、命令回路１１８によって適用される命令をシーケンシングのためのユニット等の電子回路を含み得る。コントロール・デバイス１２０は、導体エレメント１０６および１０８に接続された接続を介して好適に給電される。
次に、デバイス１００は、入力／出力インターフェースを包含し、入力において、デバイス１００によって表示される画像信号Ｓｉｍａｇｅを受信可能である。この入力／出力インターフェースは、図２４に示されている命令ユニット１２２を１つまたは複数含み、それが、画像信号Ｓｉｍａｇｅから、またはこの信号Ｓｉｍａｇｅの一部から、複数のＬＥＤ１０５が一緒に画像信号Ｓｉｍａｇｅに対応する光信号を発するように、異なる表示画素ゾーン１０２に送信する命令信号を決定する。
これらの命令信号が、スクリーン上に表示する画像信号を受信するスクリーンのエレメントから有線接続を通じて各画素の命令回路まで送信される従来的なスクリーンとは異なり、デバイス１００の当該または各命令ユニット１２２は、表示画素ゾーン１０２の命令信号を、ＲＦ波によって無線で、少なくとも１つの第１のアンテナ１２４を介してコントロール・デバイス１２０に送信する。これらの命令信号は、それぞれがコントロール・デバイス１２０のうちの１つに結合された第２のアンテナ１２６によって受信される。したがって、ここで説明している実施態様においては、各ＬＥＤモジュール１０４にそれ独自のコントロール・デバイス１２０が備えられるという事実に起因して、各ＬＥＤモジュール１０４が、命令信号を受信することを可能にするアンテナ１２６を包含し、それにより、コントロール・デバイス１２０内に含まれているＲＦ信号処理回路による処理の実行後に、このＬＥＤモジュール１０４のＬＥＤ１０５のための所望の発光を獲得することが可能になる（図２４の略図参照）。
概して言えば、ＲＦ手段によって伝播される命令信号は、異なるタイプの情報、たとえば受け側のコントロール・デバイス１２０の識別子、または受け側の表示画素ゾーン１０２のための所望のレベルの光度等を含み得る。命令信号は、所望のレベルの光度の時間的なシーケンスも含み得る。ＲＦ手段によって移行する情報は、オプションとしてエンコードすることが可能である。受け側のコントロール・デバイス１２０は、必要であれば、その情報をデコードし、その後、所望のレベルの光度または所望のシーケンスが獲得されるように、命令回路を駆動することが可能である。所望の光度のレベル（１つまたは複数）についての情報は、コントロール・デバイス１２０のメモリ内に記憶することができ、この情報は、たとえば、その所望の光度値を変更する必要が生じた場合に一意的に更新することが可能である。
図２４には、単一のアンテナ１２４が示されているが、それぞれがアンテナ１２４に接続され、デバイス１００の一部の表示画素ゾーンだけの命令信号をＲＦによって送信するべく意図されたいくつかの命令ユニット１２２を有することは可能である。たとえば、それぞれが別個のアンテナ１２４に接続されたいくつかの命令ユニット１２２を有することが可能であり、これらの命令ユニットおよびこれらのアンテナ１２４は、約３００μｍに等しい距離で離隔され、これらの命令ユニット１２２およびこれらのアンテナ１２４のそれぞれは、３００μｍ×３００μｍの寸法の方形を形成する領域内においてデバイス１００内におけるＲＦ送信を処理する。
上記で説明した実施態様においては、各表示画素ゾーン１０２が、たとえば単色タイプのＬＥＤ１０５を包含しているＬＥＤモジュール１０４を包含する。代替においては、ＬＥＤモジュール１０４が、たとえばＲＧＢ、すなわち赤／緑／青のための３つのＬＥＤを含むことが可能である。
代替においては、各表示画素ゾーン１０２が、同じ光信号を表示することが意図されたいくつかのＬＥＤモジュール１０４を包含し得る。
代替として、各表示画素ゾーンが、いくつかの単色ＬＥＤモジュール１０４、たとえば、それぞれ赤、緑、および青の色を発することが可能な少なくとも３つのＬＥＤモジュール１０４を包含し得る。この場合においては、異なる色の単色ダイオードのそれぞれによって発せられる光信号は、同じ命令信号（すべてのＬＥＤに同じレベルの電流を要求すること、またはそれらのＬＥＤに異なるレベルの電流を要求することが可能である）から、または表示画素ゾーンのＬＥＤの色のそれぞれのために意図された異なる命令信号から定義できる。
上記で説明した実施態様においては、ＬＥＤモジュール１０４のそれぞれがアンテナ１２６に結合されるコントロール・デバイス１２０を包含している。
別の実施態様によれば、各コントロール・デバイス１２０をはじめ、各アンテナ１２６が、いくつかのＬＥＤモジュール１０４と関連付けられることが可能である。図２５に、デバイス１００の表示画素ゾーン１０２を示す。このゾーンは、いくつかのＬＥＤモジュール１０４を含み、これらの異なるＬＥＤモジュール１０４は、共通のコントロール・デバイス１２０と有線態様（符号１２８で示されているワイヤ）で結合される。したがって、このゾーン１０２に関連付けられた命令ユニット１２２は、コントロール・デバイス１２０に対するＲＦ送信によって、これらのＬＥＤモジュール１０４のための異なる命令信号を送信し、続いてコントロール・デバイス１２０が、有線接続によってＬＥＤモジュール１０４に当該命令信号を送信する。
図２５に示されている例においては、コントロール・デバイスが、ＬＥＤモジュール１０４と同様に導体エレメント１０６、１０８の間に配されている。
この実施態様は、たとえば、ＬＥＤモジュール１０４の密度から各ＬＥＤモジュール１０４が独自のアンテナ１２６を有することが、特に、送信される信号の特性によって課せられるアンテナ１２６の寸法のために可能でないときに使用される。
それに加えて、コントロール・デバイス１２０は、第２のアンテナ上で受信した信号からＬＥＤモジュール１０４を駆動することが、そのＬＥＤモジュールが命令回路を含まないときでさえ可能である。
上記で説明した実施態様においては、アンテナ１２６を、２つの導体エレメント１０６、１０８のうちの１つと同じ平面内（手前で説明した例示的な実施態様における導体エレメント１０６と同じ平面内）に配置してもよい。この場合においては、アンテナ１２６を、平面アンテナの形式、または『パッチ』、開口が設けられる（図２６Ａに示されている例）かまたは間隔が開けられたラインの形式（図２６Ｂに示されている例）で製造可能である。
図２７に示されている別の実施態様によれば、ＬＥＤモジュール１０４を伴う表示平面内に配置されず、この表示平面の背後に配置されるコントロール・デバイス１２０を有することもまた可能であり、この場合は、これらのコントロール・デバイス１２０とＬＥＤモジュール１０４の間に有線リンクを伴う。
代替実施態様によれば、ＬＥＤモジュール１０４が、導体エレメント１０６、１０８を通じて給電されず、たとえばＲＦＩＤまたはＮＦＣタイプの通信を使用してリモート給電されることが可能である。
上記で説明した例示的な実施態様においては、導体エレメント１０６、１０８が、それぞれ、異なる方向に沿って延びるいくつかの導体トラックに対応する。代替として、導体エレメント１０６、１０８が、それぞれ、デバイス１００のすべてのＬＥＤモジュール１０４に共通するか、またはＬＥＤモジュール１０４のサブアセンブリに共通する導体平面に対応することが可能である。
上記で説明したＲＦ通信は、各ＬＥＤモジュール１０４またはＬＥＤモジュール１０４のグループ、たとえば同じ表示画素ゾーン１０２のそれらに関連付けられた識別コードを頼ることが可能である。
デバイス１００によって実装される表示方法の組織チャートを図２８に示す。
ステップ２００においては、デバイス１００の表示平面上に表示されることが意図された画像信号が、デバイス１００によって、それの入力／出力インターフェースを介して受信される。
ステップ２０２においては、受信された画像信号が、命令ユニット１２２（１つまたは複数）によって処理され、それがデバイス１００の異なる表示画素ゾーン１０２に送信される命令信号を決定する。
ステップ２０４においては、命令ユニット１２２（１つまたは複数）によって計算された命令信号が、アンテナ１２４（１つまたは複数）を介してＲＦ波によって表示画素ゾーン１０２に送信される。
ステップ２０６においては、命令信号がアンテナ１２６（１つまたは複数）を介して、命令ユニット１２２（１つまたは複数）によってアドレスされた各表示画素ゾーン１０２内に存在するコントロール・デバイス１２０（１つまたは複数）によって受信される。
その後、ステップ２０８においては、ＬＥＤモジュール１０４が、それらに送信された命令信号に対応する光信号を表示するべくコントロール・デバイス１２０によって命令される。
当業者は、本発明のこのほかの実施態様を企図することが可能であろう。とりわけ、上記で説明した実施態様は、それぞれが２つの導体給電エレメントの間に配されたＬＥＤモジュールを含んでいるが、それらの２つの導体エレメントが同じ基板上、ＬＥＤモジュールと同じ側に位置決めされる表示デバイスを企図することは完全に可能である（その種の表示デバイスの例示的な実施態様が、仏国特許出願公開第３ ０４４ ４６７号明細書に説明されている）。
１００ 表示デバイス、デバイス
１０２ 表示画素ゾーン
１０４ ＬＥＤモジュール
１０５ ＬＥＤ
１０６ 導体エレメント
１０８ 導体エレメント
１１０ パッド、給電パッド、接点
１１２ パッド
１１４ ＬＥＤモジュールの面
１１６ ＬＥＤモジュールの面
１１８ 電子命令回路、命令回路、回路
１２０ コントロール・デバイス
１２２ 命令ユニット
１２４ 第１のアンテナ
１２６ 第２のアンテナ
１３０ 支持体
１３２ 絶縁樹脂
１３４ 層
１３６ 層
１３８ 導体層
１４２ 半導体基板
１４４ 半導体基板
１４６ 接点
１４８ 部品
１５０ 接点
１５１ ハンドル
１５２ 導体バイア、誘電体
１５４ マイクロマグネット
１５６ 誘電体層
１５８ 導体バイア
１６０ ハンドル
１７２ デコーダ
１７４ 復調器
１７６ 復調器
１７８ 第２のデコーダ
１８０．１ メモリ・エレメント
１８０．２ メモリ・エレメント
１８０．３ メモリ・エレメント
１８２ ホスト・ゾーン
１８４ 命令エレクトロニクス
Ｃ キャパシタ
Ｔ トランジスタ
Ｔ１ トランジスタ
Ｔ２ トランジスタ

Claims (17)

  1. 表示デバイス（１００）であって、少なくとも、
    － 支持体（１３０）と、
    － 第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）であって、前記少なくとも１つの第１の給電導体エレメント（１０８）が前記支持体（１３０）の面上に配置される、第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）と、
    － それぞれが少なくとも１つのＬＥＤ（１０５）を包含するいくつかのＬＥＤモジュール（１０４）であって、各ＬＥＤは、ｐ－ｎ接合を形成する少なくとも２つの層（１３４、１３６）を包含し、各ＬＥＤモジュールは、それぞれが前記ＬＥＤモジュールの２つの対向する面上に配置される２つの給電パッド（１１０、１１２）を含み、前記２つの給電パッドのうちの１つが、前記ＬＥＤモジュールの前記ＬＥＤの発光面に対応する、いくつかのＬＥＤモジュール（１０４）と、
    を備え、
    ここで、各ＬＥＤモジュールの前記２つの給電パッドが、前記ＬＥＤモジュールに給電するために、それぞれ、前記第１および第２の給電導体エレメントに接続され、
    前記表示デバイスの明点の表示を生み出すことが意図された１つまたは複数のＬＥＤモジュールが属する表示画素ゾーンの前記第１の給電導体エレメントによって形成されるホスト表面と、前記ＬＥＤモジュールのうちの１つのＬＥＤモジュールの給電パッド（１１０）の、前記第１の給電導体エレメントとの接続表面との間の寸法の比が、２に等しいかそれより大きい、表示デバイス（１００）。
  2. 前記ＬＥＤモジュール（１０４）は、前記ホスト表面上の前記ＬＥＤモジュールの密度が一様でないようにランダム態様で分配される、請求項１に記載の表示デバイス（１００）。
  3. 各ＬＥＤモジュール（１０４）は、さらに、前記ＬＥＤモジュール（１０４）の前記ＬＥＤ（１０５）の命令回路（１１８）を包含し、前記命令回路（１１８）は、前記ＬＥＤ（１０５）の前記ｐ－ｎ接合の前記層のうちの１つに、前記ＬＥＤ（１０５）によって発せられることが意図された光信号を表す信号を出力することが可能である、請求項１又は２に記載の表示デバイス（１００）。
  4. 前記命令回路（１１８）は、前記給電導体エレメント上において送信されることが意図された前記光信号を表すバイナリ信号の復調を実行することが可能である、請求項３に記載の表示デバイス（１００）。
  5. 前記復調は、ＰＷＭまたはＢＣＭタイプのものである、請求項４に記載の表示デバイス（１００）。
  6. 前記第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）のそれぞれは、互いに実質的に平行に延びるいくつかの導体トラックを包含し、前記第１の給電導体エレメントの前記導体トラックは、前記第２の給電導体エレメントの前記導体トラックに対して実質的に直交して延びる、請求項１から５のいずれか一項に記載の表示デバイス（１００）。
  7. 前記第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）のそれぞれは、単一の導電性の層を包含する、請求項１から５のいずれかに記載の表示デバイス（１００）。
  8. 各ＬＥＤモジュール（１０４）は、互いに隣り合ってヘッド・トゥー・テールで配置される２つのＬＥＤを包含する、請求項１から７のいずれか一項に記載の表示デバイス（１００）。
  9. － それぞれの表示画素ゾーン（１０２）が、前記ＬＥＤモジュール（１０４）のうちの少なくとも１つおよび前記表示画素ゾーン（１０２）の前記ＬＥＤモジュール（１０４）のうちの前記少なくとも１つのコントロール・デバイス（１２０）を、前記コントロール・デバイス（１２０）によって受信されることが意図された前記表示画素ゾーン（１０２）の命令信号の関数として含むいくつかの表示画素ゾーン（１０２）を含む表示平面と、
    前記表示平面上に表示されることが意図された画像信号を受信することが可能であり、かつ前記表示画素ゾーン（１０２）の前記命令信号を出力することが意図された少なくとも１つの命令ユニット（１２２）を含む、前記表示デバイス（１００）の入力／出力インターフェースと、をさらに備え、
    － 前記命令ユニット（１２２）は、前記表示画素ゾーン（１０２）の前記命令信号を、ＲＦ波によって送信することが可能な少なくとも１つの第１のアンテナ（１２４）に接続され、
    － 各コントロール・デバイス（１２０）は、ＲＦ信号処理回路に結合された少なくとも１つの第２のアンテナ（１２６）を含み、関連付けられた前記表示画素ゾーン（１０２）の前記命令信号を受信すること、および受信した前記命令信号の関数として前記表示画素ゾーン（１０２）の前記ＬＥＤモジュール（１０４）のうちの前記少なくとも１つに、前記表示画素ゾーン（１０２）と関連付けられた前記画像信号の一部に対応する光信号を発する命令を与えることが可能である、請求項１から８のいずれか一項に記載の表示デバイス（１００）。
  10. 表示デバイス（１００）を製造するための方法であって、少なくとも、
    － いくつかのＬＥＤモジュール（１０４）を製造するステップであって、それぞれが少なくとも１つのＬＥＤ（１０５）および前記ＬＥＤモジュールの少なくとも２つの対向する面に配置される２つの給電パッド（１１０、１１２）を包含し、前記対向する面のうちの１つが、前記ＬＥＤモジュールの前記ＬＥＤの発光面に対応する、ステップと、
    － 支持体（１３０）を製造するステップであって、前記支持体の面上に少なくとも１つの第１の給電導体エレメント（１０８）が配置される、ステップと、
    － 前記第１の給電導体エレメントが、前記ＬＥＤモジュールのうちの少なくとも一部のために、前記表示デバイスの明点の表示を生み出すことが意図された１つまたは複数のＬＥＤモジュールが属する表示画素ゾーンの少なくとも１つのホスト表面を形成し、かつそれに対して前記ＬＥＤモジュールのそれぞれの前記２つの給電パッドのうちの１つが、前記ホスト表面と、前記ＬＥＤモジュールのうちの１つのＬＥＤモジュールの給電パッド（１１０）の、前記第１の給電導体エレメント（１０８）との接続表面との間の寸法の比が２に等しいかそれより大きい電気接触を生み出すべく配置されるように、前記支持体上に前記ＬＥＤモジュールを転写するステップと、
    － 前記ＬＥＤモジュール上において少なくとも１つの第２の給電導体エレメントを製造するステップであって、前記ＬＥＤモジュールが、前記第１および第２の給電導体エレメントの間に配置され、かつ前記２つの給電パッドが、それぞれ前記第１および第２の給電導体エレメントに接続されるように、前記少なくとも１つの第２の給電導体エレメントを製造するステップと、を含む方法。
  11. 前記ＬＥＤモジュールを転写するステップの間に、前記ＬＥＤモジュールの位置決めが、前記第１の給電導体エレメントの前記少なくとも１つのホスト表面上においてランダムまたは擬似ランダム態様で実行される、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記支持体（１３０）上における前記ＬＥＤモジュール（１０４）の分散は、ランダムであり、前記ＬＥＤモジュールのスプレーによる投射、または溶液内における前記ＬＥＤモジュールの懸濁およびその後の前記支持体上における前記ＬＥＤモジュールの沈殿および前記ＬＥＤモジュールが分散された前記溶液の媒体からの除去を包含する、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記ＬＥＤモジュール（１０４）の前記転写は、前記支持体の一部の上にいくつかのＬＥＤモジュールを同時に転写することが可能な転写マシンを使用して擬似ランダム態様で実装される、請求項１１に記載の方法。
  14. 前記第１および第２の給電導体エレメント（１０６、１０８）のそれぞれを製造することは、互いに実質的に平行に延びるいくつかの導体トラックのプリントによる堆積を包含し、前記第１および第２の給電導体エレメントのうちの第１の給電導体エレメントの前記導体トラックは、前記第１および第２の給電導体エレメントのうちの第２の給電導体エレメントの前記導体トラックに対して実質的に直交して延びている、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
  15. さらに、前記ＬＥＤモジュール（１０４）を転写するステップと前記第２の給電導体エレメント（１０６）を製造するステップとの間に、
    － 前記ＬＥＤモジュール、および前記ＬＥＤモジュールの側に位置し、前記ＬＥＤモジュールによって覆われない前記支持体の部分を覆う感光性樹脂（１３２）を堆積するステップと、
    － 前記感光性樹脂を露光するステップであって、この露光のために使用される波長に関して透明な前記支持体を通じて当該露光を行うステップと、
    － 前記感光性樹脂の残りの露光された部分が前記ＬＥＤモジュールの間に維持され、前記ＬＥＤモジュールの間に不動態化エレメントを形成するように、前記露光された樹脂を現像するステップと、を実装することを包含する、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 前記ＬＥＤモジュールは、当該ＬＥＤモジュールが、それぞれ、少なくとも１つのマイクロマグネットを包含するように、および／または前記ＬＥＤモジュールの側面が、前記支持体上における前記ＬＥＤモジュールの分散の間に、前記ＬＥＤモジュールの前記発光面が光学的に透明な前記支持体の１つの側に配置されるような前記ＬＥＤモジュールの配置が選ばれるようにエッチングされるように製造される、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記ＬＥＤモジュール（１０４）は、前記第１の給電導体エレメント（１０８）の前記ホスト表面上にランダムまたは擬似ランダム態様で分配され、前記表示デバイスは、請求項１１に記載の方法の実装の結果としてもたらされる、請求項１に記載の表示デバイス（１００）。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3069379B1 (fr) * 2017-07-21 2019-08-23 Aledia Dispositif optoelectronique
FR3086723B1 (fr) * 2018-09-28 2022-08-12 Valeo Vision Source lumineuse matricielle a gradation de l’intensite lumineuse
CN111357095B (zh) * 2019-02-02 2024-04-02 厦门三安光电有限公司 一种led倒装显示屏及其制造方法
WO2021060751A1 (ko) * 2019-09-25 2021-04-01 주식회사 사피엔반도체 픽셀 및 이를 포함하는 표시장치
KR102249441B1 (ko) * 2019-09-25 2021-05-10 주식회사 사피엔반도체 픽셀 및 이를 포함하는 표시장치
US20220310883A1 (en) * 2019-10-31 2022-09-29 Uldtec Co., Ltd. Semiconductor chip integrated device manufacturing method, semiconductor chip integrated device, semiconductor chip integrated device assembly, semiconductor chip ink, and semiconductor chip ink ejection device
KR20220013739A (ko) 2020-07-27 2022-02-04 삼성전자주식회사 마이크로 발광 소자 전사 방법
FR3113768B1 (fr) * 2020-08-28 2022-09-09 Aledia Procédé de traitement d'un dispositif optoélectronique
KR20220031364A (ko) 2020-09-04 2022-03-11 삼성전자주식회사 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US11855050B2 (en) 2020-10-08 2023-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-LED displays, micro-led transferring substrates, and methods of transferring micro-LEDs using the micro-LED transferring substrates
KR102238445B1 (ko) * 2020-12-04 2021-04-09 주식회사 사피엔반도체 접점 수가 감소한 픽셀구동회로
TWI820389B (zh) * 2021-02-08 2023-11-01 隆達電子股份有限公司 發光元件封裝體、顯示裝置及製造顯示裝置的方法
FR3121569B1 (fr) * 2021-03-31 2023-03-17 Aledia Pixel d'affichage à diode électroluminescente
KR20220149884A (ko) * 2021-04-30 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
FR3123493B1 (fr) 2021-05-26 2023-05-26 Commissariat Energie Atomique Dispositif d’affichage a adressage par groupes de pixels
FR3124021B1 (fr) 2021-06-14 2023-11-24 Aledia Système électronique comprenant une structure préexistante d’accès et procédé de fabrication d’un tel système
FR3126262B1 (fr) 2021-08-18 2024-08-30 Commissariat Energie Atomique Dispositif d’affichage a compression et decompression locales des donnees numeriques affichees
FR3129747B1 (fr) 2021-11-29 2024-09-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif d’affichage a dechiffrement local des donnees numeriques
FR3143842A1 (fr) * 2022-12-20 2024-06-21 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procédé de réalisation d’un dispositif électronique

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19603444C2 (de) * 1996-01-31 2003-04-24 Siemens Ag LED-Vorrichtung mit mindestens zwei LEDs
JP4700900B2 (ja) 2002-06-28 2011-06-15 キヤノン株式会社 画像表示装置
DE10333756A1 (de) 2003-07-24 2005-02-17 Basf Ag Verfahren zur Auftrennung eines Roh-C4-Schnittes
US7045965B2 (en) * 2004-01-30 2006-05-16 1 Energy Solutions, Inc. LED light module and series connected light modules
AU2005232074A1 (en) * 2004-03-29 2005-10-20 LumaChip, Inc. Roll-to-roll fabricated light sheet and encapsulated semiconductor circuit devices
US8852467B2 (en) * 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
KR101209449B1 (ko) * 2011-04-29 2012-12-07 피에스아이 주식회사 풀－칼라 ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
JP2014109703A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 表示装置および駆動方法
US9443833B2 (en) * 2013-01-31 2016-09-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent overlapping LED die layers
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US20160035924A1 (en) * 2014-01-23 2016-02-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Configurable backplane interconnecting led tiles
US20160093600A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-31 X-Celeprint Limited Compound micro-assembly strategies and devices
FR3044467B1 (fr) 2015-11-26 2018-08-10 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse
US9997501B2 (en) * 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
CN107799507B (zh) * 2016-08-29 2020-02-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光系统及其制造方法
DE102016122237A1 (de) * 2016-11-18 2018-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Multipixel-LED-Bauteil und Verfahren zum Betreiben eines Multipixel-LED-Bauteils

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