JP2023100705A - 化学気相蒸着用原料、原子層堆積用原料、およびスズを含有する薄膜の製造方法 - Google Patents
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 50
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 71
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 and Chemical compound 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 1-ethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound CCC1=CC=CC1 IQSUNBLELDRPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWJJQXMKCVYCDM-UHFFFAOYSA-N C(C)C1(C=CC=C1)[Sn]C1(C=CC=C1)CC Chemical compound C(C)C1(C=CC=C1)[Sn]C1(C=CC=C1)CC BWJJQXMKCVYCDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-SVYQBANQSA-N oxolane-d8 Chemical compound [2H]C1([2H])OC([2H])([2H])C([2H])([2H])C1([2H])[2H] WYURNTSHIVDZCO-SVYQBANQSA-N 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 2
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- RXKSLZOQGTWCSL-UHFFFAOYSA-N 1-(dimethylamino)-2-methylpropan-2-olate tin(2+) Chemical compound CN(CC(C)(O[Sn]OC(CN(C)C)(C)C)C)C RXKSLZOQGTWCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-methylpropan-1-ol Chemical compound CN(C)C(C)(C)CO XRIBIDPMFSLGFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFALZPCAXSTQOJ-UHFFFAOYSA-N N-[[di(propan-2-yl)amino]-dimethylstannyl]-N-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)[Sn](C)(C)N(C(C)C)C(C)C AFALZPCAXSTQOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001577 simple distillation Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】低温でも高い蒸気圧を持つビス(アルキルシクロペンタジエニル)スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズ、および、これらの有機スズ化合物を主成分とする化学蒸着用原料、および該化学蒸着用原料を用いた原子層堆積法によるスズを含有する薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】下記式（１）で表されるビス(アルキルシクロペンタジエニル)スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有する化学蒸着用原料。TIFF2023100705000008.tif57168【選択図】なし
Description
本発明は、スズ薄膜またはスズ酸化物薄膜の前駆体を主成分として含有する化学気相蒸着用原料、およびスズを含有する薄膜の製造方法に関する。
透明導電膜は、高い導電性や可視光領域での高い光透過性を有することから、太陽電池、フラットパネルディスプレイおよびタッチスクリーンなど、受光素子を含む種々の光電変換素子の電極として利用されている。また、近赤外域において優れた反射吸収特性を有することから、熱線反射膜、透明ヒーター、透明電磁波シールドおよび帯電防止膜などとしても利用されている。
このような透明導電膜の材料としては、一般に、アンチモンおよびフッ素などをドーパントとして含む酸化スズ（IV）（ＳｎＯ2）、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびスズなどをドーパントとして含む酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ならびに、スズ、タングステンおよびチタンなどをドーパントとして含む酸化インジウム（III）（Ｉｎ2Ｏ3）などが用いられている。特に、スズをドーパントとして含む酸化インジウム（ＩＴＯ）膜は、低抵抗の透明導電膜が容易に得られることから、工業的に幅広く使用されている。
このような酸化物透明導電膜の製造には、スパッタリング法、化学蒸着法およびイオンプレーティング法などが用いられる。これらのうち、例えば、酸化スズや酸化亜鉛のような蒸気圧の比較的高い前駆体を持つ金属酸化物の薄膜は、原子層堆積法（ＡＬＤ法）などの化学蒸着法（ＣＶＤ法）により容易に形成される。
一般にスズ前駆体として広く用いられているのは、４価のスズ化合物であるテトラアルキルスズである。テトラアルキルスズの他には、例えば、スズおよびスズ酸化物薄膜のための前駆体として、２価のスズ錯体、スズアミノアルコキシド錯体が特許文献１に開示されている。前記スズアミノアルコキシド錯体では、新しいリガンドとしてスズにジアルキルアミノ基を配位させることにより、炭素またはハロゲンの汚染を起こさず、熱安定性および揮発性が改善されるだけでなく、より低い温度でも容易にスズおよびスズ酸化物の薄膜を形成することができる。
また、特許文献２には、スズおよびスズ酸化物薄膜のための前駆体として、ビス（ジイソプロピルアミノ）ジメチルスズ（Ｓｎ［Ｎ（iＰｒ）2］2Ｍｅ2）が開示されている。さらに、非特許文献１では、２価のスズ錯体、Ｎ，Ｎ’－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１－ジメチルエチレンアミンスズが用いられている。
また、特許文献２には、スズおよびスズ酸化物薄膜のための前駆体として、ビス（ジイソプロピルアミノ）ジメチルスズ（Ｓｎ［Ｎ（iＰｒ）2］2Ｍｅ2）が開示されている。さらに、非特許文献１では、２価のスズ錯体、Ｎ，Ｎ’－ｔｅｒｔ－ブチル－１，１－ジメチルエチレンアミンスズが用いられている。
Jung-Hoon Lee, Mi Yoo, DongHee Kang, Hyun-Mo Lee, Wan-ho Choi, Jung Woo Park, Yeonjin Yi, Hyun You Kim, and Jin-Seong Park, ACS Applied Materials & Interfaces 10 (39), 33335-33342(2018)
しかしながら、特許文献１のスズアミノアルコキシド錯体では、スズ原子とリガンドとのＳｎ－ＯまたはＳｎ－Ｎ間の結合が比較的強固である。また、前記スズアミノアルコキシド錯体の蒸気圧は１００～１２０℃において１０-2ｔｏｒｒであるため、化学蒸着法を用いて、大面積のスズおよびスズ酸化物薄膜を形成するためには、蒸気圧をより高くして、反応性を上げることがプロセスの効率化の点で望まれる。
また、特許文献２のスズ錯体は、８０℃において０．６Ｔｏｒｒの比較的高い蒸気圧を持つが、スズが４価であるため、酸化スズ（II）の成膜は困難である。広く用いられているテトラアルキルスズも４価あるため、同様に、酸化スズ（II）の成膜は困難である。さらに、非特許文献１のスズ錯体の蒸気圧は、７５℃で０．２ｔｏｒｒであるが、この錯体も特許文献１と同様にスズ原子とリガンドのＳｎ－Ｎ間の結合が比較的強固である。
また、特許文献２のスズ錯体は、８０℃において０．６Ｔｏｒｒの比較的高い蒸気圧を持つが、スズが４価であるため、酸化スズ（II）の成膜は困難である。広く用いられているテトラアルキルスズも４価あるため、同様に、酸化スズ（II）の成膜は困難である。さらに、非特許文献１のスズ錯体の蒸気圧は、７５℃で０．２ｔｏｒｒであるが、この錯体も特許文献１と同様にスズ原子とリガンドのＳｎ－Ｎ間の結合が比較的強固である。
本発明は、低温でも高い蒸気圧を持つ、スズ薄膜またはスズ酸化物薄膜の前駆体として、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズ、および、これらの前駆体を主成分とする化学気相蒸着用原料、および該化学気相蒸着用原料を用いたＡＬＤ法によるスズを含有する薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の事項からなる。
本発明の化学気相蒸着用原料は、下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有することを特徴とする。
式（１）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素または炭素数６以下のアルキル基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に炭素数６以下のアルキル基を表す。
本発明の化学気相蒸着用原料は、下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有することを特徴とする。
本発明の原子層堆積用原料は、原子層堆積法を用いてスズを含有する薄膜を製造するための原料であり、下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有することを特徴とする。
式（１）中、Ｒ
1
およびＲ
2
はそれぞれ独立に水素または炭素数６以下のアルキル基を表し、Ｒ
3
およびＲ
4
はそれぞれ独立に炭素数６以下のアルキル基を表す。
本発明のスズを含有する薄膜の製造方法は、化学蒸着法において、下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを含有する化学気相蒸着用原料を化学蒸着装置の原料容器中で気化し、気化したビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを反応室中の基板まで供給することを特徴とする。
式（１）中、Ｒ
1
およびＲ
2
はそれぞれ独立に炭素数６以下のアルキル基を表し、Ｒ
3
およびＲ
4
はそれぞれ独立に炭素数６以下のアルキル基を表す。
前記製造方法において、前記化学蒸着法は原子層堆積法であることが好ましい。このとき、スズを含有する薄膜は具体的には酸化スズ（II）薄膜である。また、前記製造方法では、酸化剤として水を用いることが好ましい。
前記製造方法において、前記化学蒸着法は原子層堆積法であることが好ましい。このとき、スズを含有する薄膜は具体的には酸化スズ（II）薄膜である。また、前記製造方法では、酸化剤として水を用いることが好ましい。
本発明によれば、高い蒸気圧を持つ前駆体として、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを使用し、酸化剤を適切に選択することで、化学蒸着、具体的にはＡＬＤにより効率良くｎ型またはｐ型のスズ酸化物薄膜を形成することができる。本発明は、特にｐ型透明導電膜である酸化スズ（II）薄膜を形成する場合に好適であると言える。
本発明の化学気相蒸着用原料は、下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたは下記式（１）で表されるビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有する。なお、本明細書等において化学蒸着（法）とは化学気相蒸着（法）をいう。以下同じ。
スズは、通常２価または４価の酸化数をとりうる。２価のスズ化合物はイオン結合性が強く還元性を有しており、４価のスズ化合物は共有結合性が強い。前記式（１）で表される、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズは２価のスズ化合物である。
式（１）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素または炭素数６以下のアルキル基を表し、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ独立に炭素数６以下のアルキル基を表す。炭素数が大きすぎると、前駆体がかさ高くなり、ＡＬＤの際の吸着量が少なくなるので、本発明のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は炭素数６以下であり、好ましくは炭素数４以下である。
炭素数４以下のアルキル基には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、およびｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数４以下のアルキル基には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、およびｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
Ｒ1およびＲ2は、いずれも水素、またはいずれも同じ炭素数であることが好ましく、いずれも炭素数２または３であることがより好ましく、いずれも炭素数２のエチル基であることが特に好ましい。
Ｒ3およびＲ4は、いずれも同じ炭素数であることが好ましく、いずれも炭素数１～３であることであることがより好ましく、いずれも炭素数１のメチル基であることが特に好ましい。
さらに、ＡＬＤにおける吸着量の観点からは、ビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズよりもビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズが好ましい。
さらに、ＡＬＤにおける吸着量の観点からは、ビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズよりもビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズが好ましい。
本発明の化学気相蒸着用原料は、高い蒸気圧を有し、化学蒸着を行うに際して気化が容易に起こるものであれば、固体でも液体でもよいが、プロセスの効率化の観点からは、２３℃において液体であることが好ましい。それゆえ、化学気相蒸着用原料の主成分であるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズの融点は、室温よりも低い温度、好ましくは３５℃未満、より好ましくは２３℃未満である。
なお、Ｒ1およびＲ2が水素であるビスシクロペンタジエニルスズは２３℃で固体であり、８０℃での蒸気圧は０．１ｔｏｒｒであり、Ｒ1およびＲ2がエチル基である、ビス（エチルシクロペンタジエニル）スズは、２３℃で液体であり、８０℃での蒸気圧は１．２ｔｏｒｒであり、１００℃での蒸気圧は２．３ｔｏｒｒである。
化学蒸着を行うためには、前駆体として蒸気圧が高い化合物を用いる必要がある。本発明の化学気相蒸着用原料は、２３℃において液体であり、かつ、低温でも高い蒸気圧を有することが好ましい。本発明における式（１）で表される、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズの蒸気圧は、８０℃で０．０５～１０ｔｏｒｒであるので、ＣＶＤ、特にＡＬＤによる薄膜形成に好適である。
前記化学気相蒸着用原料中、式（１）で表される、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズの含有量は１００ｗｔ％に近いほうがよい。具体的には、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズの含有量は、化学気相蒸着用原料中、９５～１００ｗｔ％が好ましく、９９～１００ｗｔ％がより好ましい。ただし、化学蒸着を行う際に原料を気化させる温度において、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズと反応せず、気化しない物質が、本発明の目的に支障のない範囲で含まれていてもよい。
本発明の化学気相蒸着用原料は、種々の方法で製造することができる。例えば、Ｒ1およびＲ2がエチル基である、ビス（エチルシクロペンタジエニル）スズは、エチルシクロペンタジエンおよび金属カリウムをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させた溶液に、塩化スズ（II）のＴＨＦ溶液を－７８℃の温度下で添加して攪拌した後、減圧蒸留することにより黄色液体の生成物として高収率で得ることができる。
本発明の化学気相蒸着用原料を用いた薄膜形成は、ＣＶＤ法により行う。
ＣＶＤでは、式（１）で表される、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを充填した原料容器を加熱して気化させ、反応室に供給する。気化は、ＣＶＤにおける通常の有機金属化合物の気化方法で行うことができ、例えば、ＣＶＤ装置の原料容器中で加熱や減圧をする。次いで、気化したビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを反応室中の基板まで供給する。このとき、原料容器から反応室までの配管および反応室は、原料であるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズが熱分解せず、気体の状態を保つ温度、すなわち、原料容器の温度（原料を気化させる温度）よりも高く、原料の熱分解温度よりも低くする。本発明における化学蒸着法の場合、加熱温度は、２３～２００℃程度である。成膜温度（基板温度）設定の自由度を高くするには、加熱温度はできるだけ低い方がよい。それゆえ、化学気相蒸着用原料は低温で十分な蒸気圧を持つことが好ましいと言える。
ＣＶＤでは、式（１）で表される、ビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを充填した原料容器を加熱して気化させ、反応室に供給する。気化は、ＣＶＤにおける通常の有機金属化合物の気化方法で行うことができ、例えば、ＣＶＤ装置の原料容器中で加熱や減圧をする。次いで、気化したビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを反応室中の基板まで供給する。このとき、原料容器から反応室までの配管および反応室は、原料であるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズが熱分解せず、気体の状態を保つ温度、すなわち、原料容器の温度（原料を気化させる温度）よりも高く、原料の熱分解温度よりも低くする。本発明における化学蒸着法の場合、加熱温度は、２３～２００℃程度である。成膜温度（基板温度）設定の自由度を高くするには、加熱温度はできるだけ低い方がよい。それゆえ、化学気相蒸着用原料は低温で十分な蒸気圧を持つことが好ましいと言える。
化学蒸着法には、基板上で連続的に熱分解させて堆積する熱ＣＶＤ法や、一原子層ずつ堆積させるＡＬＤ法などがあり、本発明の化学気相蒸着用原料は熱ＣＶＤ法にも適するが、特にＡＬＤ法が好ましい。
ＡＬＤでは、化学気相蒸着用原料と酸化剤とを交互に供給することで、基板上でのビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズと酸化剤との反応により、酸化スズ（II）または酸化スズ（IV）の薄膜を原子層の単位で制御して成膜する。酸化剤には、例えば、水、オゾンまたはプラズマ活性化酸素などが用いられる。酸化剤に水を用いた場合、ｐ型透明導電膜である酸化スズ（II）の薄膜が形成され、オゾンまたはプラズマ活性化酸素を用いた場合、ｎ型透明導電膜である酸化スズ（IV）の薄膜が形成される。
ＡＬＤでは、化学気相蒸着用原料と酸化剤とを交互に供給することで、基板上でのビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズと酸化剤との反応により、酸化スズ（II）または酸化スズ（IV）の薄膜を原子層の単位で制御して成膜する。酸化剤には、例えば、水、オゾンまたはプラズマ活性化酸素などが用いられる。酸化剤に水を用いた場合、ｐ型透明導電膜である酸化スズ（II）の薄膜が形成され、オゾンまたはプラズマ活性化酸素を用いた場合、ｎ型透明導電膜である酸化スズ（IV）の薄膜が形成される。
ＡＬＤでは、（ｉ）ヒータ上に基板を配置したチャンバー内に気相の化学気相蒸着用原料を導入して、気相の該原料を基板上に吸着させる工程と、（ii）チャンバー内の余剰の化学気相蒸着用原料を不活性ガスによりパージする工程と、（iii）気相の酸化剤を投入し、基板上のビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズと反応させて、スズ酸化物を形成する工程と、（iv）チャンバー内の余剰の酸化剤を不活性ガスによりパージする工程とからなる成膜サイクルを繰り返すことにより成膜する。成膜サイクルの回数は、基板の面積や、スズを含有する薄膜の厚みによって異なるが、通常１００～１００００回である。
成膜温度は、基板温度を反応温度と同一にし、その基板温度は、吸着したビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズが熱分解する温度よりも低く、酸化剤と十分に反応する程度に高くする。
なお、化学気相蒸着用原料や酸化剤は、基板が設置された反応室に外部から気相で供給されるが、基板上で凝縮しないように、基板温度よりも低い温度で昇華または蒸発させる必要がある。このとき、化学気相蒸着用原料が室温で固体であると、流量制御装置による気相の供給速度の制御が難しいが、化学気相蒸着用原料が室温で液体であると、流量制御装置によって気相の供給速度を精密かつ容易に制御することができ、ＡＬＤに適していると言える。
なお、化学気相蒸着用原料や酸化剤は、基板が設置された反応室に外部から気相で供給されるが、基板上で凝縮しないように、基板温度よりも低い温度で昇華または蒸発させる必要がある。このとき、化学気相蒸着用原料が室温で固体であると、流量制御装置による気相の供給速度の制御が難しいが、化学気相蒸着用原料が室温で液体であると、流量制御装置によって気相の供給速度を精密かつ容易に制御することができ、ＡＬＤに適していると言える。
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［実施例１］ビス（エチルシクロペンタジエニル）スズ（Ｓｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2）
１Ｌの四ツ口フラスコにＴＨＦ ４００ｍｌ、金属カリウム２１．７ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびエチルシクロペンタジエン（Ｃ5Ｈ5（Ｃ2Ｈ5）） ７０．８ｇ（０．７５ｍｏｌ）を入れ、２６時間反応させた後、４０℃で減圧留去し、Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）Ｋを得た。
得られたＣ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）Ｋに、－７８℃でＴＨＦ ６００ｍｌ、ＳｎＣｌ2 ５０．７ｇ（０．２７ｍｏｌ）を加え、室温で２３時間攪拌した。その後、５０℃で減圧留去し、固形分を得た。
得られた固形分を単蒸留装置に仕込み、１１０℃、０．１ｔｏｒｒで真空蒸留を２回行ったところ、黄色の液体が得られた。収量は６１．３ｇ（０．２０ｍｏｌ）、収率７６．２％（ＳｎＣｌ2基準）であった。
［実施例１］ビス（エチルシクロペンタジエニル）スズ（Ｓｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2）
１Ｌの四ツ口フラスコにＴＨＦ ４００ｍｌ、金属カリウム２１．７ｇ（０．５５ｍｏｌ）およびエチルシクロペンタジエン（Ｃ5Ｈ5（Ｃ2Ｈ5）） ７０．８ｇ（０．７５ｍｏｌ）を入れ、２６時間反応させた後、４０℃で減圧留去し、Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）Ｋを得た。
得られたＣ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）Ｋに、－７８℃でＴＨＦ ６００ｍｌ、ＳｎＣｌ2 ５０．７ｇ（０．２７ｍｏｌ）を加え、室温で２３時間攪拌した。その後、５０℃で減圧留去し、固形分を得た。
得られた固形分を単蒸留装置に仕込み、１１０℃、０．１ｔｏｒｒで真空蒸留を２回行ったところ、黄色の液体が得られた。収量は６１．３ｇ（０．２０ｍｏｌ）、収率７６．２％（ＳｎＣｌ2基準）であった。
得られた試料について、以下（１）－（３）の分析を行ったところ、Ｓｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2と確認された。
（１）組成分析
湿式分解して得られた液のＩＣＰ発光分光分析の結果、Ｓｎの含有量は３８．２％であった（理論値：３８．９％）。
（２）1Ｈ－ＮＭＲ
測定条件（装置：ＡＶＡＮＣＥ ＮＥＯ ５００（５００ＭＨｚ）、Ｂｒｕｋｅｒ ＢｉｏＳｐｉｎ、 溶媒：ＴＨＦ－ｄ８、 方法：１Ｄ）
ＣＨ2ＣＨ 3 、１．１５（６Ｈ，ｔｒｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ：ＣＨ 2 ＣＨ3、２．４８（４Ｈ，ｑｕａｒｔｅｔ）ｐｐｍ：Ｃ5 Ｈ 4 、 ５．７１（４Ｈ，ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ：Ｃ5 Ｈ 4 、５．７９（４Ｈ，ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ
（３）13Ｃ－ＮＭＲ
測定条件（装置：ＡＶＡＮＣＥ ＮＥＯ ５００（１２５ＭＨｚ）、Ｂｒｕｋｅｒ ＢｉｏＳｐｉｎ、 溶媒：ＴＨＦ－ｄ８、 方法：１Ｄ）
１３３．６１、１１０．３１、１０８．３７ｐｐｍ：Ｃ5、
２２．５３、１６．８８ｐｐｍ：Ｃ2Ｈ5
（１）組成分析
湿式分解して得られた液のＩＣＰ発光分光分析の結果、Ｓｎの含有量は３８．２％であった（理論値：３８．９％）。
（２）1Ｈ－ＮＭＲ
測定条件（装置：ＡＶＡＮＣＥ ＮＥＯ ５００（５００ＭＨｚ）、Ｂｒｕｋｅｒ ＢｉｏＳｐｉｎ、 溶媒：ＴＨＦ－ｄ８、 方法：１Ｄ）
ＣＨ2ＣＨ 3 、１．１５（６Ｈ，ｔｒｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ：ＣＨ 2 ＣＨ3、２．４８（４Ｈ，ｑｕａｒｔｅｔ）ｐｐｍ：Ｃ5 Ｈ 4 、 ５．７１（４Ｈ，ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ：Ｃ5 Ｈ 4 、５．７９（４Ｈ，ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）ｐｐｍ
（３）13Ｃ－ＮＭＲ
測定条件（装置：ＡＶＡＮＣＥ ＮＥＯ ５００（１２５ＭＨｚ）、Ｂｒｕｋｅｒ ＢｉｏＳｐｉｎ、 溶媒：ＴＨＦ－ｄ８、 方法：１Ｄ）
１３３．６１、１１０．３１、１０８．３７ｐｐｍ：Ｃ5、
２２．５３、１６．８８ｐｐｍ：Ｃ2Ｈ5
次に、圧力計（型式：１２１Ａ，メーカー名：ｍｋｓ）を用いて、７０－１３０℃における蒸気圧を直接測定し、次式を得た。
ｌｏｇ Ｐ（ｔｏｒｒ）＝－１９３０／Ｔ（Ｋ）＋５．５４
この式から、８０℃での蒸気圧を１．２ｔｏｒｒ、１００℃での蒸気圧を２．３ｔｏｒｒと求めた。
Ｓｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2は、蒸気圧が高く、化学蒸着に求められる揮発性を有していると言える。
また、合成したＳｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2は、室温で水と反応して白色固体を生じた。このことは、酸化剤として水を用いることが可能であることを示しており、ＡＬＤによって、ｐ型透明導電膜である酸化スズ（II）の薄膜を好適に形成できると言える。
ｌｏｇ Ｐ（ｔｏｒｒ）＝－１９３０／Ｔ（Ｋ）＋５．５４
この式から、８０℃での蒸気圧を１．２ｔｏｒｒ、１００℃での蒸気圧を２．３ｔｏｒｒと求めた。
Ｓｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2は、蒸気圧が高く、化学蒸着に求められる揮発性を有していると言える。
また、合成したＳｎ［Ｃ5Ｈ4（Ｃ2Ｈ5）］2は、室温で水と反応して白色固体を生じた。このことは、酸化剤として水を用いることが可能であることを示しており、ＡＬＤによって、ｐ型透明導電膜である酸化スズ（II）の薄膜を好適に形成できると言える。
［実施例２］ジシクロペンタジエニルスズ（Ｓｎ（Ｃ5Ｈ5）2）
ジシクロペンタジエニルスズは、Christoph Janiak, Z. Anorg. Allg. Chem. 2010, 636, 2387-2390にも示されているように、新規物質ではないが、化学気相蒸着用原料として使用された報告は見当たらない。前記の文献によると、Ｓｎ（Ｃ5Ｈ5）2は常温で固体であるが、８０℃、０．１ｔｏｒｒで昇華精製できており、化学蒸着に求められる性能を有している。
ジシクロペンタジエニルスズは、Christoph Janiak, Z. Anorg. Allg. Chem. 2010, 636, 2387-2390にも示されているように、新規物質ではないが、化学気相蒸着用原料として使用された報告は見当たらない。前記の文献によると、Ｓｎ（Ｃ5Ｈ5）2は常温で固体であるが、８０℃、０．１ｔｏｒｒで昇華精製できており、化学蒸着に求められる性能を有している。
［比較例１］ビス（ジメチルアミノ－２－メチル－２－プロポキシ）スズ（Ｓｎ（ｄｍａｍｐ）2）
特許文献１の実施例１に記載された合成方法では、１００℃、０．０１ｔｏｒｒで分別蒸留しており、１００℃においても、蒸気圧は約０．０１ｔｏｒｒしかなく、自圧のみで化学蒸着に用いるのは困難であり、バブラーを用いるなどの工夫が必要となる。
特許文献１の実施例１に記載された合成方法では、１００℃、０．０１ｔｏｒｒで分別蒸留しており、１００℃においても、蒸気圧は約０．０１ｔｏｒｒしかなく、自圧のみで化学蒸着に用いるのは困難であり、バブラーを用いるなどの工夫が必要となる。
Claims (6)
- 下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有する化学気相蒸着用原料。
- 下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを主成分として含有し、
原子層堆積法により、スズを含有する薄膜を製造するための原子層堆積用原料。
- 下記式（１）で表されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを含有する化学気相蒸着用原料を化学蒸着装置の原料容器中で気化し、気化したビス（アルキルシクロペンタジエニル）スズまたはビス（アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル）スズを反応室中の基板まで供給する、化学蒸着法による、スズを含有する薄膜の製造方法。
- 前記化学蒸着法が原子層堆積法である、請求項３に記載のスズを含有する薄膜の製造方法。
- 前記スズを含有する薄膜が酸化スズ（II）薄膜である、請求項４に記載のスズを含有する薄膜の製造方法。
- 酸化剤として水を用いる、請求項５に記載のスズを含有する薄膜の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102625156B1 (ko) | 2021-06-17 | 2024-01-15 | 주식회사 이지티엠 | 박막 증착을 위한 유기 주석 화합물 및 이를 이용한 주석 함유 박막의 형성 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182279A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Futaki Itsuo | 無機質被膜の形成方法とそのための溶液 |
| US20080119098A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Igor Palley | Atomic layer deposition on fibrous materials |
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-
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