JP2023091328A - ガスセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】素子の熱変形に伴う測定誤差を低減できるガスセンサを提供すること。【解決手段】空洞部を有する基板と、空洞部の上方において基板から延在する梁部によって支持された検知部と、を有するガスセンサである。検知部は、ヒータと、感応膜と、感応膜と接する一対の対向電極と、を含む積層構造を有している。一対の対向電極は、それぞれ、積層方向と直交する方向に沿って延在し、感応膜の面内方向において所定の間隔で互いに対向している。そして、検知部が、対向電極の対向方向における検知部の幅が部分的に狭まっている第１幅狭部を有する。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、エアブリッジ構造を有するガスセンサに関する。

メンブレン状の検知部を基板の空洞部上方に保持させた、エアブリッジ構造を有するガスセンサが知られている。当該ガスセンサでは、ヒータ抵抗により検知部を動作動温度まで加熱して、雰囲気中に存在する対象ガスの濃度を測定する。当該測定に際して、加熱によりメンブレン状の検知部が変形すると、素子変形に伴い、電極間距離（一対の対向電極の間隔）が変動し、測定誤差が生じてしまう。そのため、熱応力による電極間距離の変動を抑制する必要がある。

たとえば、特許文献１は、検知部の内部応力を制御することで、検知部の反りを抑制することを開示している。具体的に、特許文献１では、圧縮応力を有する酸化シリコン膜と、引っ張り応力を有する窒化シリコン膜とを検知部に積層することで、検知部の内部応力を相殺している。ただし、特許文献１の技術では、製造誤差により内部応力のバランスが崩れやすく、十分な変形抑制効果が得られない場合がある。また、膜厚などの寸法、積層膜の材質、電極パターンなどの検知部の設計を変更すると、内部応力のバランスも変化するため、設計変更が困難という問題もある。

また、特許文献２は、検知部の表裏面を貫通する孔やスリットを形成することで、検知部の変形を抑制することを開示している。ただし、特許文献２の技術では、孔やスリットを避けてヒータ抵抗や電極パターンを積層する必要があり、素子設計の自由度が低いという問題がある。

特開平８－２６４８４４号公報 特許第３３７４４９８号

本発明は、上記の実情を鑑みてなされ、その目的は、素子の熱変形に伴う測定誤差を低減できるガスセンサを提供することである。

上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点に係るガスセンサは、
空洞部を有する基板と、前記空洞部の上方において前記基板から延在する梁部によって支持された検知部と、を有し、
前記検知部が、ヒータと、感応膜と、前記感応膜と接する一対の対向電極と、を含む積層構造を有しており、
一対の前記対向電極は、それぞれ、積層方向と直交する方向に沿って延在し、前記感応膜の面内方向において所定の間隔で互いに対向しており、
前記検知部が、前記対向電極の対向方向における前記検知部の幅が部分的に狭まっている第１幅狭部を有する。

上記の特徴を有する第１の観点に係るガスセンサでは、ヒータの加熱により検知部が変形したとしても、第１幅狭部により応力を緩和することができる。その結果、電極間距離（一対の対向電極の間隔）の変動を抑制することができ、素子変形に伴う測定誤差を低減することができる。

好ましくは、前記検知部の四隅には、それぞれ、前記梁部が一体的に接続してあり、前記第１幅狭部が、前記対向電極の延在方向で隣接する２つの前記梁部の間の中央に位置する。応力が集中し易い梁部間の中央に第１幅狭部を配置することで、電極間距離の変動をより効果的に抑制することができる。

好ましくは、前記対向電極の延在方向における前記検知部の幅が部分的に狭まっている第２幅狭部を有する。対向電極の対向方向に沿う第１幅狭部と共に、対向電極の延在方向に沿う第２幅狭部も形成することで、電極間距離の変動をより効果的に抑制することができる。

検知部が、第１幅狭部と第２幅狭部とを有する場合、
前記対向方向における前記検知部の最大幅をＷｘ０とし、
前記延在方向における前記検知部の最大幅をＷｙ０とし、
前記対向方向における前記第１幅狭部の最小幅をＷｘ１とし、
前記延在方向における前記第２幅狭部の最小幅をＷｙ１とする。
そして、好ましくは、（Ｗｘ０－Ｗｘ１）／Ｗｘ０で表される前記第１幅狭部における幅の減少率ＲＤ１が、（Ｗｙ０－Ｗｙ１）／Ｗｙ０で表される前記第２幅狭部における幅の減少率ＲＤ２よりも、大きい。
対向電極の対向方向に沿う第１幅狭部の幅減少率ＲＤ１を大きくすることで、電極間距離の変動をさらに効果的に抑制することができる。

本発明の第２の観点に係るガスセンサは、
空洞部を有する基板と、前記空洞部の上方において前記基板から延在する梁部によって支持された検知部と、を有し、
前記検知部は、ヒータと、感応膜と、前記感応膜と接する一対の対向電極と、を含む積層構造を有し、
一対の前記対向電極は、それぞれ、積層方向と直交する方向に沿って延在し、前記感応膜の面内方向において所定の間隔で互いに対向しており、
前記検知部が、前記対向電極の延在方向に沿う第１縁辺の一部において、第１切り欠き部を有する。

上記の特徴を有する第２の観点に係るガスセンサでは、ヒータの加熱により検知部が変形したとしても、第１切り欠き部により応力を緩和することができる。その結果、電極間距離（一対の対向電極の間隔）の変動を抑制することができ、素子変形に伴う測定誤差を低減することができる。

好ましくは、前記検知部の四隅には、それぞれ、前記梁部が一体的に接続してあり、前記第１切り欠き部が、前記第１縁辺を介して隣接する２つの前記梁部の間の中央に位置する。応力が集中し易い梁部間の中央に第１切り欠き部を配置することで、電極間距離の変動をより効果的に抑制することができる。

好ましくは、前記検知部が、前記対向電極の対向方向に沿う第２縁辺の一部において、第２切り欠き部を有する。対向電極の延在方向に沿う第１縁辺だけでなく、対向電極の対向方向に沿う第２縁辺にも切り欠き部を形成することで、電極間距離の変動をより効果的に抑制することができる。

検知部が、第１切り欠き部と第２切り欠き部とを有する場合、
前記対向方向を第１軸とし、前記延在方向を第２軸として、
好ましくは、前記第１切り欠き部における前記第１軸の方向の最大幅Ｂ１ｘが、前記第２切り欠き部における前記第２軸の方向の最大幅Ｂ２ｙよりも、大きい。
第１縁辺に形成してある第１切り欠き部の寸法を、第２切り欠き部よりも大きくすることで、電極間距離の変動をさらに効果的に抑制することができる。

本発明の第１および第２の観点に係るガスセンサは、いずれも、熱伝導式、接触燃焼式、半導体式、もしくは、固体電解質式のガスセンサとして利用することができる。ガスセンサの駆動方式として、熱伝導式もしくは接触燃焼式を採用する場合には、前記感応膜は、サーミスタ膜であることが好ましい。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係るガスセンサ１ａを示す分解斜視図である。 図１Ｂは、図１Ａに示すガスセンサ１ａの平面図である。 図１Ｃは、図１ＢのIC－IC線に沿う断面図である。 図１Ｄは、図１ＢのID－ID線に沿う断面図である。 図２は、従来のガスセンサ１ｂを示す平面図である。 図３は、本発明の他の実施形態に係るガスセンサ１ｃを示す平面図である。 図４Ａは、本発明のガスセンサの変形例を示す平面図である。 図４Ｂは、図４ＡのIVB－IVB線に沿う断面図である。 図５は、本発明のガスセンサの変形例を示す平面図である。 図６は、本発明のガスセンサの変形例を示す平面図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき詳細に説明する。

第１実施形態
第１実施形態では、本発明に係るガスセンサの一例として、図１Ａ～図１Ｄに示す熱伝導式のガスセンサ１ａについて説明する。

図１Ａに示すように、ガスセンサ１ａは、基板５０と、基板５０の上に形成してある膜積層部１０とを有する。ガスセンサ１ａの基板５０は、基板５０の表裏面を貫通する空洞部５５を有しており、中空四角柱状の全体形状を有する。なお、基板５０は、後述するエアブリッジ構造を形成し得る構造を有していればよく、基板５０の形状および寸法は、図１Ａに示す様態に限定されない。

一方、膜積層部１０は、第１絶縁膜２１、ヒータ３、第２絶縁膜２３、一対の検知電極４、感応膜６、および、第３絶縁膜２５を有している。膜積層部１０では、上記の複数の構成膜が、Ｚ軸に沿って記載の順に積層してある。そして、膜積層部１０の上面には、４つのパッド電極８が形成してあり、パッド電極８を介して、図示しない外部回路と、ヒータ３または検知電極４とを電気的に接続できるようになっている。なお、本実施形態において、一対の検知電極４については、第１検知電極４ａおよび第２検知電極４ｂに区別して記載する場合がある。単に「検知電極４」と記載する場合は、第１検知電極４ａおよび第２検知電極４ｂに共通する特徴について記述していることを意味する。

図１Ｂの平面図に示すように、ガスセンサ１ａの膜積層部１０は、空洞部５５の上方の一部を覆う検知部１２と、基板５０の表面と直に接している周縁部１４と、検知部１２と周縁部１４とを一体的に接続する４本の梁部１６と、を有する。すなわち、ガスセンサ１ａは、検知部１２が、空洞部５５の上方で、基板表面の周縁部１４から延在する４本の梁部１６により支持されたエアブリッジ構造を有している。なお、４本の梁部１６については、第１梁部１６ａ～第４梁部１６ｄに区別して記載する場合がある。単に「梁部１６」と記載する場合は、第１梁部１６ａ～第４梁部１６ｄに共通する特徴について記述していることを意味する。

本実施形態において、検知部１２は、Ｙ軸方向に沿う２つの第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）と、Ｘ軸方向に沿う２つの第２縁辺（１２ｃ，１２ｄ）と、を有する。そして、検知部１２は、部分的に括れた略正方形の平面視形状を有しており、検知部１２のＸ軸方向の最大幅Ｗｘ０と、検知部１２のＹ軸方向の最大幅をＷｙ０とが、実質的に等しい。なお、本実施形態では、第１梁部１６ａと第２梁部１６ｂとの間に位置する第１縁辺を、第１Ａ縁辺１２ａと称し、第３梁部１６ｃと第４梁部１６ｄとの間に位置する第１縁辺を第１Ｂ縁辺１２ｂと称する。また、第２梁部１６ｂと第３梁部１６ｃとの間に位置する第２縁辺を、第２Ｃ縁辺１２ｃと称し、第１梁部１６ａと第４梁部１６ｄとの間に位置する第２縁辺を、第２Ｄ縁辺１２ｄと称する。

４本の梁部１６は、いずれも、検知部１２の角部に接続してあり、検知部１２の対角線上に沿って延びている。第１梁部１６ａと第３梁部１６ｃとは、対になっており、同一の対角線上に配置してある。また、第２梁部１６ｂと第４梁部１６ｄとは、対になっており、同一の対角線上に配置してある。

なお、梁部１６の本数および形成位置は、図１Ｂに示す様態に限定されない。たとえば、梁部１６は、少なくとも２本形成してあればよく、梁部１６の数が多いほど、検知部１２の機械的強度が向上する傾向となる。ただし、梁部１６の数が多いと、検知部１２の熱が梁部１６を介して周縁部１４に伝達され易くなる。そのため、梁部１６の数は、２～４本であることが好ましく、４本であることがより好ましい。

また、梁部１６は、検知部１２における縁辺（１２ａ～１２ｄ）の中央に接続してあってもよく、後述する検知電極４の対向部４１の延在方向に沿って延在していることがより好ましい。さらに、梁部１６は、検知部１２の機械的強度を考慮して、バランスよく配置することが好ましい。たとえば、複数の梁部１６は、検知部１２におけるＸ－Ｙ平面上の中心点に対して点対称となるように配置することが好ましい。もしくは、複数の梁部１６は、Ｘ軸またはＹ軸に沿う検知部１２の中心線に対して線対称となる位置に配置することが好ましい。

なお、ガスセンサ１ａにおける空洞部５５は、検知部１２よりも大きい正方形の平面視形状を有する。ただし、空洞部５５の形状は、エアブリッジ構造を形成できる形状であればよく、図１Ａおよび図１Ｂに示す形状に限定されない。空洞部５５については、長方形、多角形、円形、楕円形などの平面視形状を有していてもよい。

図１Ｂの平面図は、内部透視図となっており、検知部１２に積層してあるヒータ３および一対の検知電極４が破線で示してある。具体的に、ヒータ３が細い破線で示してあり、一対の検知電極４が太い破線で示してある。

ヒータ３は、図１Ｂに示すように、配線が複数回折り返されて所定の間隔で平行に配置されるミアンダパターンを有することが好ましい。このヒータ３のミアンダパターンは、検知部１２に積層してあり、対象ガスを検知する際に、検知部１２の温度を作動温度まで加熱する役割を有する。検知部１２に積層してあるヒータ３の配線パターンを、ミアンダパターンとすることで、効率よく均質に検知部１２を加熱することができる。なお、ヒータ３における端部配線３２は、それぞれ、ミアンダパターンの末尾から、第２梁部１６ｂまたは第４梁部１６ｄを通って、周縁部１４まで引き出されている。

一対の検知電極４は、同一平面上に積層してあり、それぞれ、対向部４１（対向電極）と、引出部４２と、を有する。第１検知電極４ａの対向部４１、および、第２検知電極４ｂの対向部４１は、いずれも、Ｙ軸と平行な方向に延在している。そして、第１検知電極４ａの対向部４１と第２検知電極４ｂの対向部４１とは、Ｘ軸方向において、所定の電極間距離Ｄ₀で互いに対向している。電極間距離Ｄ₀は、特に限定されず、所望の特性に応じて適宜設定すればよい。たとえば、検知部１２のＸ軸方向の最大幅Ｗｘ０に対する電極間距離Ｄ₀の比（Ｄ₀／Ｗｘ０）は、０．０２～０．８とすることができ、０．０２～０．３であることが好ましい。

なお、第１実施形態の図１Ａ～図１Ｄでは、上記のとおり、Ｘ軸が一対の対向部４１の対向方向であり、Ｙ軸が対向部４１の延在方向であり、Ｚ軸が膜積層部１０における各膜の積層方向である。そして、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は、相互に略垂直である。検知部１２では、第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）が、対向部４１の延在方向に沿う縁辺であって、対向部４１の対向方向と交差している。一方、第２縁辺（１２ｃ，１２ｄ）が、対向部４１の対向方向に沿う縁辺であって、対向部４１の延在方向と交差している。

第１検知電極４ａの引出部４２は、対向部４１の一端から第１梁部１６ａを通って周縁部１４まで引き出されている。第１検知電極４ａと同様に、第２検知電極４ｂの引出部４２は、対向部４１の一端から第３梁部１６ｃを通って周縁部１４まで引き出されている。

図１Ｃに示す断面では、検知部１２は、周縁部１４に接続されておらず、周縁部１４および基板５０から離隔して存在している。このように、検知部１２が空洞部５５の上方で離隔して存在することで、検知部１２の熱容量を、基板５０と接している周縁部１４の熱容量よりも小さくすることができる。また、検知部１２と周縁部１４との断熱性を向上することができる。したがって、エアブリッジ構造を有するガスセンサ１ａでは、ヒータ３により検知部１２を加熱する際に、少ない消費電力で効率よく検知部１２を加熱することができる。

また、図１Ｃに示すように、ヒータ３は、検知部１２において、第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２３との間に積層してある。すなわち、ヒータ３は、外部雰囲気に露出しないように、第２絶縁膜２３により覆われている。また、ヒータ３と一対の検知電極４との間に第２絶縁膜２３が積層してあることで、ヒータ３と検知電極４との短絡が抑制されている。

また、図１Ｃに示すように、一対の検知電極４は、いずれも、第２絶縁膜２３の上に積層してある。一対の検知電極４の上には、感応膜６が積層してあり、対向部４１が感応膜６により覆われている。すなわち、第１検知電極４ａの対向部４１と第２検知電極４ｂの対向部４１とは、いずれも、同一平面上において、感応膜６と直に接している。そして、検知部１２の最上層には、第３絶縁膜２５が積層してある。つまり、一対の検知電極４および感応膜６が外部雰囲気に露出しないように、感応膜６が、第３絶縁膜２５により覆われている。

図１Ｄの断面に示すように、周縁部１４には、第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２３、および第３絶縁膜２５が積層してある。また、周縁部１４における第３絶縁膜２５の表面には、パッド電極８が形成してある。第１梁部１６ａと隣接するパッド電極８の下方には、第３絶縁膜２５を貫通するビアホール電極９ａが形成してある。そして、第１検知電極４ａにおける引出部４２の端部が、ビアホール電極９ａを介して、パッド電極８と電気的に接続している。一方、第２梁部１６ｂと隣接するパッド電極８の下方には、第２絶縁膜２３および第３絶縁膜２５を貫通するビアホール電極９ｂが形成してある。そして、ヒータ３における端部配線３２の端部が、ビアホール電極９ｂを介して、パッド電極８と電気的に接続している。

第１梁部１６ａでは、図１Ｄに示すように、第１絶縁膜２１～第３絶縁膜２５、第１検知電極４ａの引出部４２、および、感応膜６が積層してある。一方、第２梁部１６ｃでは、第１絶縁膜２１～第３絶縁膜２５、ヒータ３の端部配線３２、および、感応膜６が積層してある。上記のとおり、感応膜６は、検知部１２から各梁部１６に跨って存在しているが、感応膜６は、少なくとも検知部１２に積層してあればよく、梁部１６には、感応膜６が含まれていなくともよい。なお、第３梁部１６ｃおよび第４梁部１６ｄを通る断面は、図示していないが、図１Ｄに示す断面と同様であり、説明を省略する。

梁部１６の幅や長さＬなどの寸法は、特に限定されず、エアブリッジ構造を形成でき、かつ、検知部１２の機械的強度を確保できるように、梁部１６の寸法を決定すればよい。

本実施形態のガスセンサ１ａでは、検知部１２が、対向部４１の延在方向に沿う第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）の一部において、第１切り欠き部７１を有する。この第１切り欠き部７１は、検知部１２の一部が切り取られるようにして欠落している領域である。図１Ｂに示す平面図では、第１切り欠き部７１が、楔形のような略三角形の平面視形状を有している。第１切り欠き部７１の平面視形状は、図１Ｂに示す様態に限定されず、切り欠けた部分の縁辺が円弧状となるような、半円形や半楕円形の平面視形状を有していてもよい。ただし、第１切り欠き部７１は、筋状のスリットではなく、所定の大きさを有していることが好ましい。筋状のスリットの場合、スリット部分に応力が集中する恐れがあるためである。

具体的に、第１切り欠き部７１は、以下に示すような寸法を有することが好ましい。まず、第１切り欠き部７１のＸ軸方向の最大幅（最大深さ）Ｂ１ｘは、検知電極４の対向部４１に達しない程度の幅であればよく、たとえば、検知部１２の最大幅Ｗｘ０に対するＢ１ｘの比（Ｂ１ｘ／Ｗｘ０）は、０．０５～０．１５であることが好ましく、０．０５～０．１であることがより好ましい。また、第１切り欠き部７１のＹ軸方向の最大幅をＢ１ｙとすると、検知部１２の最大幅Ｗｙ０に対するＢ１ｙの比（Ｂ１ｙ／Ｗｙ０）は、０．０５～０．５であることが好ましく、０．１５～０．２であることがより好ましい。

第１切り欠き部７１は、第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）の中央からずれた位置に形成してあってもよいが、図１Ｂに示すように第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）の中央に位置することが好ましい。換言すると、第１Ａ縁辺１２ａの第１切り欠き部７１は、第１梁部１６ａと第２梁部１６ｂとの間の中央に位置することが好ましく、第１Ｂ縁辺１２ｂの第１切り欠き部７１は、第３梁部１６ｃと第４梁部１６ｄとの間の中央に位置することが好ましい。

なお、第１切り欠き部７１は、２つの第１縁辺のうちのいずれか一方にのみ形成してあってもよい。ただし、図１Ｂに示すように、第１Ａ縁辺１２ａと第１Ｂ縁辺１２ｂとの両方に第１切り欠き部７１を形成することが好ましく、第１Ａ縁辺１２ａ側の第１切り欠き部７１と第１Ｂ縁辺１２ｂ側の第１切り欠き部７１とが、対になるように、Ｘ軸方向で同一直線上に配置してあることが好ましい。また、第１Ａ縁辺１２ａの第１切り欠き部７１と第１Ｂ縁辺１２ｂの第１切り欠き部７１とは、互いに異なる形状や寸法を有していてもよいが、同様の形状および寸法を有していることが好ましい。

検知部１２には、第１切り欠き部７１により、第１幅狭部７０ａが形成されている。第１幅狭部７０ａは、検知部１２においてＸ軸方向の幅が部分的に狭まっている領域であり、図１Ｂにおいてグレーの網掛けで示してある。換言すると、第１幅狭部７０ａは、検知部１２がＸ軸方向の内側に向かって部分的に括れている領域である。この第１幅狭部７０ａは、対向部４１の延在方向（Ｙ軸方向）における検知部１２の中央、すなわち、対向部４１の延在方向で隣接する２つの梁部１６の間の中央に位置することが好ましい。

第１幅狭部７０ａにおけるＸ軸方向の最小幅Ｗｘ１は、電極間距離Ｄ₀の設定値に応じて決定すればよい。たとえば、検知部１２の最大幅Ｗｘ０に対するＷｘ１の比（Ｗｘ１／Ｗｘ０）は、０．８５～０．９５であることが好ましく、０．９０～０．９５であることがより好ましい。一方、第１幅狭部７０ａのＹ軸方向の幅は、第１切り欠き部７１のＹ軸方向の最大幅Ｂ１ｙに相当し、当該Ｂ１ｙと同様に、Ｗｙ０に対して０．０５倍～０．５倍であることが好ましく、０．１５倍～０．２倍であることがより好ましい。

次に、基板５０や膜積層部１０に含まれる各膜の材質等について詳述する。

基板５０は、膜積層部１０を支持できる程度の機械的強度を有し、かつ、エッチング等の微細加工に適した材料で構成すればよく、基板５０の材質は、特に限定されない。たとえば、基板５０として、シリコン単結晶基板、サファイア単結晶基板、セラミック基板、石英基板、ガラス基板等シリコン単結晶基板、サファイア単結晶基板、セラミック基板、石英基板、もしくは、ガラス基板等を用いることができる。

第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２３、および第３絶縁膜２５は、いずれも、絶縁性を有していればよく、その材質は特に限定されない。たとえば、これら第１絶縁膜２１～第３絶縁膜２５の材質は、酸化シリコンもしくは窒化シリコンなどとすることができ、酸化シリコンであることが好ましい。なお、第１絶縁膜２１～第３絶縁膜２５は、それぞれ異なる材料で構成してもよいが、同じ材料で構成することが好ましい。第１絶縁膜２１～第３絶縁膜２５を同じ材料で構成することで、層間の密着性が向上し、検知部１２の機械的強度を確保することができる。

第１絶縁膜２１は、基板５０とヒータ３との間の絶縁性を十分に確保でき、かつ、空洞部５５を形成する際のエッチング停止層として機能する程度の厚みであればよく、第１絶縁膜２１の厚みは、特に限定されない。たとえば、第１絶縁膜２１の厚みは、０．１～１．０μｍ程度とすることが好ましい。

第２絶縁膜２３は、ヒータ３を確実に覆うことができ、かつ、層間の絶縁性を十分に確保できる程度の厚みであればよく、第２絶縁膜２３の厚みは、特に限定されない。たとえば、第２絶縁膜２３は、０．０６～１．２μｍ程度の厚みとすることが好ましい。また、第３絶縁膜２５は、感応膜６を確実に覆うことができ、かつ、層間の絶縁性を十分に確保できる程度の厚みであればよく、第３絶縁膜２５の厚みは、特に限定されない。たとえば、第３絶縁膜２５は、０．０６～１．２μｍ程度の厚みとすることが好ましい。

ヒータ３は、導電性を有し、かつ、比較的高融点の材料で構成してあることが好ましい。このような材料として、たとえば、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、パラジウム(Ｐｄ)、イリジウム（Ｉｒ）、または、上記の元素のうち１種以上を含む合金が例示される。上記の材料のなかでも、白金は、イオンミリング等の高精度なドライエッチングが可能であり、耐腐食性も高いため、ヒータ３は、白金で構成することが好ましい。ヒータ３を白金材料で構成する場合、第１絶縁膜２１に対するヒータ３の密着性を向上させるために、第１絶縁膜２１と白金材料との間にチタン(Ｔｉ)等の密着層を形成することが好ましい。

一対の検知電極４は、いずれも、導電性を有し、かつ、比較的高融点の材料で構成してあることが好ましい。一対の検知電極４についても、ヒータ３と同様に、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、パラジウム(Ｐｄ)、イリジウム（Ｉｒ）、または、上記の元素のうち１種以上を含む合金で構成することができ、白金で構成することが好ましい。

感応膜６は、温度によって抵抗値が変化する材質で構成すればよい。たとえば、感応膜６は、サーミスタ膜、または白金膜等とすることができ、サーミスタ膜であることが好ましい。また、サーミスタ膜の構成材料としては、複合金属酸化物、アモルファスシリコン、ポリシリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。感応膜６の材質および厚みは、いずれも、検知部１２の初期抵抗値に影響する要素である。そのため、感応膜６の材質および厚みは、検知対象ガスの種類やガスセンサ１ａの用途を鑑みて、所望の初期抵抗値となるように、適宜設定すればよい。

次に、ガスセンサ１ａの製造方法の一例について説明する。

まず、基板５０を準備し、基板５０の一方の主面に、第１絶縁膜２１を成膜する。第１絶縁膜２１の成膜方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ法などを用いればよい。そして、第１絶縁膜２１の上に、ヒータ３に含まれる導電性材料の薄膜（導電性薄膜）を形成する。ヒータ３を複数の導電性材料による積層構造（たとえばＴｉ／Ｐｔの積層構造）とする場合、複数の導電性薄膜を積層すればよい。導電性薄膜は、公知の成膜法を用いて形成すればよい。公知の成膜法とは、たとえば、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などが挙げられる。導電性薄膜の形成後、エッチングにより当該導電性薄膜のパターニング加工を行い、ミアンダパターンを有するヒータ３を形成する。

次に、ヒータ３を覆うように、第２絶縁膜２３を成膜する。第２絶縁膜２３の成膜方法としては、第１絶縁膜２１と同様の方法を採用すればよい。そして、第２絶縁膜２３の上に、検知電極４を構成する導電性材料の薄膜を形成する。当該導電性薄膜に対して、エッチングによるパターニング加工を施し、図１Ｂに示すようなパターンを有する一対の検知電極４を形成する。

次に、一対の検知電極４を覆うように、感応膜６を成膜する。感応膜６は、感応膜６の材質に応じて、公知の成膜法で形成すればよい。たとえば、感応膜６を複合酸化物のサーミスタ膜とする場合、当該複合酸化物の組成となるように、スパッタリング法により感応膜６を成膜すればよい。感応膜６については、成膜後に、所定の温度および保持時間で熱処理を行い、所定の形状となるようにエッチングする。その後、感応膜６を覆うように、第３絶縁層２５を、第１～第２絶縁膜と同様の方法で成膜する。

なお、第１～第３絶縁膜についても、エッチングによるパターニング加工を施し、図１Ａおよび図１Ｂに示すような梁部１６や第１切り欠き部７１を有する形状に加工する。以上の工程により膜積層部１０を形成した後、リフトオフ法などの公知の方法により、パッド電極８およびビアホール電極９を形成する。その後、周縁部１４のＺ軸下方にのみ基板５０が残存するように、基板５０の一部をエッチングにより除去し、空洞部５５を形成する。基板５０のエッチングは、Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ法などのドライエッチングや、異方性ウェットエッチングなどが適用できる。以上の方法により、図１Ａ～図１Ｄに示すガスセンサ１ａが得られる。

本実施形態のガスセンサ１ａは、熱伝導式のガスセンサとして利用することができる。熱伝導式のガスセンサ１ａでは、空気とは異なる熱伝導率を有するＣＯ₂，Ｈ₂，Ｈｅ，ＣＯなどのガスを検知対象とする。所定の雰囲気中に存在する検知対象ガスの濃度を測定する際には、検知部１２をヒータ３により作動温度まで加熱する。検知部１２に検知対象ガスが触れると、雰囲気中の検知対象ガスの濃度に応じて、検知部１２の放熱特性が変化する。放熱特性の変化により検知部１２の温度が変わると、サーミスタ膜等で構成される感応膜６の抵抗値が変化する。この抵抗値変化を一対の検知電極４により電気信号として取り出すことで、検知対象ガスの濃度を求めることができる。

（第１実施形態のまとめ）
本実施形態のガスセンサ１ａは、検知部１２が、空洞部５５の上方で、基板５０の表面から延在する４本の梁部１６によって支持された、エアブリッジ構造を有する。検知部１２には、ヒータ３と、感応膜６と、感応膜と接する一対の対向電極（対向部４１）が含まれる。対向部４１は、それぞれ、Ｙ軸方向に沿って延在し、Ｘ軸方向において電極間距離Ｄ₀で互いに対向している。このようなエアブリッジ構造を有するガスセンサ１ａにおいて、検知部１２が、対向部４１の延在方向に沿う第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）の一部において、第１切り欠き部７１を有する。また、検知部１２が、対向部４１の対向方向における検知部１２の幅が部分的に狭まっている第１幅狭部７０ａを有する。

図２に示すような従来のガスセンサ１ｂでは、ヒータ３´により検知部１２´を加熱すると、検知部１２´の熱膨張が梁部１６´により遮られる。熱膨張が抑制されると、梁部１６´の間で検知部１２´が圧縮されるように応力が加わり、検知部１２´が変形する。この検知部１２の変形に伴って電極間距離Ｄ₀が広がる。特に、ガスセンサ１ｂでは、電極間距離Ｄ₀が、対向部４１´の中央側よりも端部側で広がる傾向となり、電極間距離Ｄ₀のバラツキが大きくなる。検知部１２´の変形により電極間距離Ｄ₀が変動することで、電極間（一対の対向部間）の抵抗値が変化し、ガス濃度の測定結果に誤差が生じてしまう。

一方で、本実施形態のガスセンサ１ａでは、検知部１２に第１切り欠き部７１または／および第１幅狭部７０ａを形成することで、検知部１２の熱膨張によって生じる応力を緩和することができる。その結果、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキによる抵抗値変化を小さくすることができ、ガス濃度の測定結果に誤差が生じることを抑制できる。

なお、検知部１２に加わる熱応力は、梁部と梁部の間の中央部分（すなわち縁辺の中央部分）に集中し易い。そのため、第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）の中央に第１切り欠き部７１を形成することで、Ｘ軸方向における検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。同様に、Ｙ軸方向の中央に第１幅狭部７０ａを形成することで、Ｘ軸方向における検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。

第２実施形態
以下、図３に基づいて、第２実施形態に係るガスセンサ１ｃについて説明する。なお、第２実施形態における第１実施形態と共通の構成に関しては、説明を省略し、同様の符号を使用する。

図３に示すように、ガスセンサ１ｃの検知部１２は、第１実施形態のガスセンサ１ａと同様に、第１切り欠き部７１および第１幅狭部７０ａを有する。そのため、ガスセンサ１ｃにおいても、第１実施形態のガスセンサ１ａと同様の作用効果が得られる。

ガスセンサ１ｃの検知部１２は、対向部４１の対向方向に沿う第２縁辺（１２ｃ，１２ｄ）の一部において、第２切り欠き部７２を有する。この第２切り欠き部７２も、第１切り欠き部７１と同様に、検知部１２の一部が切り取られるようにして欠落している領域であって、略三角形や半円形、半楕円形などの平面視形状を有することができる。第１縁辺（１２ａ，１２ｂ）に切り欠き部（７１）を形成するだけでなく、第２縁辺（１２ｃ，１２ｄ）にも切り欠き部（７２）を形成することで、検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。つまり、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキをより低減することができる。

第２切り欠き部７２は、第２縁辺（１２ｃ，１２ｄ）の中央に位置することが好ましい。すなわち、第２Ｃ縁辺１２ｃの第２切り欠き部７２は、第２梁部１６ｂと第３梁部１６ｃとの間の中央に位置することが好ましく、第２Ｄ縁辺１２ｄの第２切り欠き部７２は、第１梁部１６ａと第４梁部１６ｄとの間の中央に位置することが好ましい。第２切り欠き部７２も、第２縁辺の中央に形成することで、検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。

第２切り欠き部７２のＹ軸方向の最大幅（最大深さ）をＢ２ｙとすると、検知部１２の最大幅Ｗｙ０に対するＢ２ｙの比（Ｂ２ｙ／Ｗｙ０）は、０．０３～０．１２であることが好ましく、０．０３～０．０６であることがより好ましい。一方、第２切り欠き部７２のＸ軸方向の最大幅をＢ２ｘとすると、検知部１２の最大幅Ｗｘ０に対するＢ２ｘの比（Ｂ２ｘ／Ｗｘ０）は、０．０５～０．５であることが好ましく、０．１５～０．２であることがより好ましい。

また、第２切り欠き部７２は、第１切り欠き部７１と同程度の寸法を有していてもよいが、第２切り欠き部７２よりも第１切り欠き部７１のほうが大きいことが好ましい。具体的に、Ｂ２ｙに対するＢ１ｘの比（Ｂ１ｘ／Ｂ２ｙ）は、１．０超過３．０以下であることが好ましく、２．０以上３．０以下であることがより好ましい。また、Ｂ２ｘに対するＢ１ｙの比（Ｂ１ｙ／Ｂ２ｘ）は、１．０超過１．５以下であることが好ましく、１．０超過１．２以下であることがより好ましい。

このように、第１切り欠き部７１の寸法を、第２切り欠き部７２よりも大きくすることで、検知部１２のＸ軸方向の変形が特に抑制される傾向となり、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキをさらに効果的に抑制することができる。

なお、第２切り欠き部７２は、２つの第２縁辺のうちのいずれか一方にのみ形成してあってもよい。ただし、図３に示すように、第２Ｃ縁辺１２ｃと第２Ｄ縁辺１２ｄとの両方に第２切り欠き部７２を形成することが好ましく、第２Ｃ縁辺１２ｃ側の第２切り欠き部７２と第２Ｄ縁辺１２ｄ側の第２切り欠き部７２とが、対になるように、Ｙ軸方向で同一直線上に配置してあることが好ましい。また、第２Ｃ縁辺１２ｃの第２切り欠き部７２と第２Ｄ縁辺１２ｄの第２切り欠き部７２とは、互いに異なる形状や寸法を有していてもよいが、同様の形状および寸法を有していることが好ましい。

ガスセンサ１ｃの検知部１２には、第２切り欠き部７２により、第２幅狭部７０ｂが形成されている。第２幅狭部７０ｂは、検知部１２においてＹ軸方向の幅が部分的に狭まっている領域であり、図３において、Ｙ軸方向に沿って延在するグレーの網掛け部分が第２幅狭部７０ｂである。換言すると、第２幅狭部７０ｂは、検知部１２がＹ軸方向の内側に向かって括れている領域である。第１幅狭部７０ａと共に第２幅狭部７０ｂを形成することで、検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。つまり、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキをより低減することができる。

この第２幅狭部７０ｂは、対向部４１の対向方向（Ｘ軸方向）における検知部１２の中央、すなわち、対向部４１の対向方向で隣接する２つの梁部１６の間の中央に位置することが好ましい。第２幅狭部７０ｂを、Ｘ軸方向における検知部１２の中央に配置することで、検知部１２の変形をより効果的に抑制することができる。

第２幅狭部７０ｂにおけるＹ軸方向の最小幅をＷｙ１とすると、検知部１２の最大幅Ｗｙ０に対するＷｙ１の比（Ｗｙ１／Ｗｙ０）は、０．８８～０．９７であることが好ましく、０．９４～０．９７であることがより好ましい。一方、第２幅狭部７０ｂのＸ軸方向の幅は、第２切り欠き部７２のＸ軸方向の最大幅Ｂ２ｘに相当し、当該Ｂ２ｘと同様に、Ｗｘ０に対して０．０５倍～０．５倍であることが好ましく、０．１５倍～０．２倍であることがより好ましい。

ここで、（Ｗｘ０－Ｗｘ１）／Ｗｘ０で表される第１幅狭部７０ａにおける幅の減少率を、ＲＤ１とし、（Ｗｙ０－Ｗｙ１）／Ｗｙ０で表される第２幅狭部７０ｂにおける幅の減少率を、ＲＤ２とする。率第１第１幅狭部７０ａと第２幅狭部７０ｂとで、幅の減少率を比較した場合、第１幅狭部７０ａのＲＤ１が、第２幅狭部７０ｂのＲＤ２よりも、大きいことが好ましい。具体的に、ＲＤ２に対するＲＤ１の比（ＲＤ１／ＲＤ２）は、１．０超過８．１以下であることが好ましく、３．０以上６．０以下であることがより好ましい。

このように、第１幅狭部７０ａにおける幅の減少率を、第２幅狭部７０ｂよりも大きくすることで、検知部１２のＸ軸方向の変形が特に抑制される傾向となり、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキをさらに効果的に抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

（変形例）
たとえば、上記の実施形態では、熱伝導式のガスセンサについて説明したが、本発明に係るガスセンサは、接触燃焼式、半導体式、もしくは、固体電解質式のガスセンサであってもよい。

図４Ａおよび図４Ｂに示すガスセンサ１ｄが、接触燃焼式のガスセンサの一例である。ガスセンサ１ｄは、エアブリッジ構造の膜積層部１０を有しており、膜積層部１０に含まれる各膜（３，４，６，２１～２３）の構成は、第１実施形態のガスセンサ１ａと同様とすることができる。ガスセンサ１ｄでは、膜積層部１０の検知部１２の上に、触媒部８０が形成してある。

触媒部８０は、触媒材料を担持した多孔質状の担体材料により構成することができる。担体材料としては、たとえば、酸化アルミニウム（γアルミナ等）、酸化チタン、酸化シリコン、酸化セリウム等の酸化物材料を用いることができる。触媒材料としては、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等の貴金属、または、希土類元素酸化物、ビスマス酸化物等の金属酸化物を用いることができる。触媒部８０の大きさは、検知部１２に対する触媒部８０の体積比が、１０以上４０以下となるように制御することが好ましい。また、触媒部８０は、原料ペーストを、スクリーン印刷やディスペンサを用いた吐出等により、検知部１２の上に塗布し、所定の温度で熱処理することで、形成することができる。

接触燃焼式のガスセンサ１ｄでは、ＣＯなどの可燃性ガスの濃度を測定することができる。測定時には、ヒータ３により検知部１２を所定の温度に加熱する。この際、ガスセンサ１ｄが配置された空間に、検知対象である可燃性ガスが存在すると、その存在割合に応じて、触媒部８０の上で可燃性ガスと酸素等が結合し燃焼する。この際、触媒部８０は可燃性ガスと酸素の結合を促進する役割を有する。可燃性ガスの燃焼によって生じた燃焼熱（反応熱）が、サーミスタ膜などで構成される感応膜６に伝達されると、感応膜６の抵抗値が変化する。この抵抗値変化を一対の検知電極４により電気信号として取り出すことで、可燃性ガスの濃度を求めることができる。

このような接触燃焼式のガスセンサ１ｄにおいても、検知部１２が第１切り欠き部７１または／および第１幅狭部７０ａを有することで、電極間距離の変動を抑制でき、第１実施形態と同様の効果が得られる。図４Ａおよび図４Ｂには図示していないが、接触燃焼式のガスセンサ１ｄにおいても、第２切り欠き部７２および第２幅狭部７０ｂを形成してもよく、これらを形成することで、より効果的に電極間距離の変動を抑制でき、第２実施形態と同様の効果が得られる。

なお、本発明を半導体式のガスセンサに適用する場合には、感応膜６をＳｎＯ₂，ＺｎＯ，Ｉｎ₂Ｏ₃などの金属酸化物の半導体膜とすればよい。また、本発明を固体電解質式のガスセンサに適用する場合には、感応膜６を、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）やリチウムイオン導電性固体電解質などで構成される固体電解質膜とすればよい。固体電解質式のガスセンサの場合、一対の検知電極４の一方を作用電極とし、他方を参照電極とすればよい。作用電極には、白金、金、パラジウム、銀などの電子伝導材料と、アルカリ金属炭酸塩やアルカリ土類金属炭酸塩などの補助電極物質が含まれ、参照電極は、白金、金、パラジウム、銀などの電子伝導材料で構成すればよい。

また、上記の実施形態では、検知部１２が略正方形の平面視形状を有しているが、検知部の平面視形状は、特に限定されず、たとえば、図５に示すように略長方形であってもよい。図５に示すガスセンサ１ｅでは、第１切り欠き部７１が、検知部１２の長手方向に沿う縁辺（第１縁辺１２ａ，１２ｂ）に形成してある。また、ガスセンサ１ｅにおける検知部１２の一部は、短手方向の内側に向かって括れており、検知部１２の短手方向の幅が部分的に狭まるように第１幅狭部７０ａが存在する。検知部１２が長方形の平面視形状を有する場合においても、第１切り欠き部７１または／および第１幅狭部７０ａを形成することにより、検知部１２の変形を抑制することができ、第１実施形態と同様の効果が得られる。

なお、図５では図示していないが、ガスセンサ１ｅにおいても、検知部１２の短手方向に沿う縁辺（第２縁辺１２ｃ，１２ｄ）に第２切り欠き部７２を形成してもよく、検知部１２の長手方向の幅が部分的に狭まるように第２幅狭部７０ｂを形成してもよい。第２切り欠き部７２または／および第２幅狭部７０ｂを形成することで、検知部１２の変形をより効果的に抑制することができ、第２実施形態と同様の効果が得られる。

また、検知部１２の平面視形状を略長方形とする場合には、図５のガスセンサ１ｅに示すように、対向部４１の延在方向と検知部１２の長手方向とを略平行とすることが好ましい。ガスセンサ１ｅでは、検知部１２の変形が、Ｙ軸方向で支配的となり、Ｘ軸方向では検知部１２が変形し難くなる。その結果、電極間距離Ｄ₀の変動やバラツキをより効果的に抑制でき、測定誤差をより低減することができる。

また、検知部の平面視形状は、図６に示すように円形であってもよい。図６のガスセンサ１ｆでは、検知部１３が、対向部４１の延在方向に沿う円弧状の第１Ａ縁辺１３ａおよび第１Ｂ縁辺１３ｂにおいて、第１切り欠き部７１を有している。また、ガスセンサ１ｆにおける検知部１３の一部は、Ｘ軸方向の内側に向かって括れており、検知部１３の径方向の幅が部分的に狭まるように第１幅狭部７０ａが存在する。なお、「径方向の幅」とは、円の中心点をとおる幅であり、第１幅狭部７０ａの径方向における最小幅Ｗｘ１が、検知部１３の直径や最大幅Ｗｘ０よりも小さくなっている。検知部が円形の場合においても、第１切り欠き部７１または／および第１幅狭部７０ａを形成することにより、検知部１３の変形を抑制することができ、第１実施形態と同様の効果が得られる。

なお、図６では図示していないが、ガスセンサ１ｆの検知部１３は、対向部４１の対向方向に沿う円弧状の第２Ｃ縁辺１３ｃおよび第２Ｄ縁辺１３ｄにおいて、第２切り欠き部７２を有していてもよい。また、検知部１３には、対向部４１の延在方向に沿って、検知部１３の径方向の幅が部分的に狭まるように、第２幅狭部７０ｂが形成してあってもよい。円形の検知部１３を有するガスセンサ１ｆにおいても、第２切り欠き部７２または／および第２幅狭部７０ｂを形成することで、検知部１３の変形をより効果的に抑制することができ、第２実施形態と同様の効果が得られる。

なお、検知部の平面視形状は、上述した正方形、長方形、円形の他に、楕円形やその他多角形であってもよい。

１ａ～１ｆ … ガスセンサ
１０ … 膜積層部
１２，１３ … 検知部
１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ … 第１縁辺
１２ｃ，１２ｄ，１３ｃ，１３ｄ … 第２縁辺
１４ … 周縁部
１６，１６ａ～１６ｄ … 梁部
７０ａ … 第１幅狭部
７０ｂ … 第２幅狭部
７１ … 第１切り欠き部
７２ … 第２切り欠き部
３ … ヒータ
３２ … 端部配線
４，４ａ，４ｂ … 検知電極
４１ … 対向部（対向電極）
４２ … 引出部
６ … 感応膜
８ … パッド電極
９ａ，９ｂ … ビアホール電極
２１，２３，２５ … 絶縁膜
８０ … 触媒部
５０ … 基板
５５ … 空洞部

Claims (9)

1. 空洞部を有する基板と、前記空洞部の上方において前記基板から延在する梁部によって支持された検知部と、を有し、
   前記検知部は、ヒータと、感応膜と、前記感応膜と接する一対の対向電極と、を含む積層構造を有し、
   一対の前記対向電極は、それぞれ、積層方向と直交する方向に沿って延在し、前記感応膜の面内方向において所定の間隔で互いに対向しており、
   前記検知部が、前記対向電極の対向方向における前記検知部の幅が部分的に狭まっている第１幅狭部を有するガスセンサ。
2. 前記検知部の四隅には、それぞれ、前記梁部が一体的に接続してあり、
   前記第１幅狭部が、前記対向電極の延在方向で隣接する２つの前記梁部の間の中央に位置する請求項１に記載のガスセンサ。
3. 前記検知部が、前記対向電極の延在方向における前記検知部の幅が部分的に狭まっている第２幅狭部を有する請求項１または２に記載のガスセンサ。
4. 前記対向方向における前記検知部の最大幅をＷｘ０とし、
   前記延在方向における前記検知部の最大幅をＷｙ０とし、
   前記対向方向における前記第１幅狭部の最小幅をＷｘ１とし、
   前記延在方向における前記第２幅狭部の最小幅をＷｙ１として、
   （Ｗｘ０－Ｗｘ１）／Ｗｘ０で表される前記第１幅狭部における幅の減少率ＲＤ１が、（Ｗｙ０－Ｗｙ１）／Ｗｙ０で表される前記第２幅狭部における幅の減少率ＲＤ２よりも、大きい請求項３に記載のガスセンサ。
5. 空洞部を有する基板と、前記空洞部の上方において前記基板から延在する梁部によって支持された検知部と、を有し、
   前記検知部は、ヒータと、感応膜と、前記感応膜と接する一対の対向電極と、を含む積層構造を有し、
   一対の前記対向電極は、それぞれ、積層方向と直交する方向に沿って延在し、前記感応膜の面内方向において所定の間隔で互いに対向しており、
   前記検知部が、前記対向電極の延在方向に沿う第１縁辺の一部において、第１切り欠き部を有するガスセンサ。
6. 前記検知部の四隅には、それぞれ、前記梁部が一体的に接続してあり、
   前記第１切り欠き部が、前記第１縁辺を介して隣接する２つの前記梁部の間の中央に位置する請求項５に記載のガスセンサ。
7. 前記検知部が、前記対向電極の対向方向に沿う第２縁辺の一部において、第２切り欠き部を有する請求項５または６に記載のガスセンサ。
8. 前記対向方向を第１軸とし、前記延在方向を第２軸として、
   前記第１切り欠き部における前記第１軸の方向の最大幅Ｂ１ｘが、前記第２切り欠き部における前記第２軸の方向の最大幅Ｂ２ｙよりも大きい請求項７に記載のガスセンサ。
9. 前記感応膜が、サーミスタ膜である請求項１～８のいずれかに記載のガスセンサ。

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