JP2023064878A - 慣性計測装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた検出精度を有する慣性計測装置を提供する。【解決手段】慣性計測装置1は、第1慣性センサー100を有し、外形が第1樹脂9により成型された慣性センサーモジュール4と、構成部品6と、慣性センサーモジュール4及び構成部品6をモールドする第2樹脂8と、慣性センサーモジュール4の第1樹脂9と第2樹脂8との間に設けられた金属5と、を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、慣性計測装置に関する。
近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて製造された慣性センサーが開発されている。このような慣性センサーを用いたセンサーユニットとして、例えば特許文献1には、封止樹脂により樹脂封止された慣性センサーと慣性センサーに接続され封止樹脂の外面に配置されている電極とを備えたセンサーデバイスと、センサーデバイスが接合された基板と、センサーデバイスを収容するケース部材と、センサーデバイスとケース部材とを接続するように設けられた接着部材と、を備えるセンサーユニットが開示されている。
しかしながら、特許文献1に記載された慣性センサーは、封止樹脂により樹脂封止され、この外側に接着部材が配置されているので、接着部材の水分が、センサーデバイスの計測に影響を及ぼす虞があった。
慣性計測装置は、第1慣性センサーを有し、外形が第1樹脂により成型された慣性センサーモジュールと、構成部品と、前記慣性センサーモジュール及び前記構成部品をモールドする第2樹脂と、前記慣性センサーモジュールの前記第1樹脂と前記第2樹脂との間に設けられた金属と、を有する。
1.第1実施形態
先ず、第1実施形態に係る慣性計測装置1について、図1及び図2を参照して説明する。
先ず、第1実施形態に係る慣性計測装置1について、図1及び図2を参照して説明する。
尚、説明の便宜上、図1及び図2では、ベース基板2に形成されている半導体素子50とリード端子3とを電気的に接続する配線及び半導体素子50と慣性センサーモジュール4や各構成部品6とを電気的に接続する配線の図示を省略している。
また、以降の平面図、側面図、及び断面図には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、及びZ軸を図示している。本明細書では、第1軸がX軸であり、第2軸がY軸であり、第3軸がZ軸である。また、X軸に沿う方向を「X方向」、Y軸に沿う方向を「Y方向」、Z軸に沿う方向を「Z方向」と言う。また、各軸方向の矢印先端側を「プラス側」、基端側を「マイナス側」、Z方向プラス側を「上」、Z方向マイナス側を「下」とも言う。また、Z方向は、鉛直方向に沿い、XY平面は、水平面に沿っている。また、本明細書では、プラス方向とマイナス方向とを合わせてX方向、Y方向、Z方向と呼ぶ。
本実施形態に係る慣性計測装置1は、図1及び図2に示すように、複数のリード端子3を備えたベース基板2、外形が第1樹脂9により成型され慣性センサーモジュール4、慣性センサーモジュール4の上面4aに配置された金属5、第2慣性センサー200や発振器7や半導体素子50等の構成部品6、及びベース基板2や慣性センサーモジュール4や金属5や構成部品6等をモールドする第2樹脂8を有する。つまり、慣性計測装置1は、外形が第2樹脂8により成型されており、第2樹脂8による樹脂パッケージで構成されている。尚、リード端子3は、ベース基板2とは反対側の端部が第2樹脂8から露出している。
ベース基板2は、平板であり、上面2aに慣性センサーモジュール4と第2慣性センサー200と発振器7とが配置され、下面2bに半導体素子50とベース基板2の外縁からベース基板2の外側に延在する複数のリード端子3とが配置されている。
慣性センサーモジュール4について、図3~図5を参照して詳細に説明する。
尚、説明の便宜上、図3~図5では、各センサー素子101,102,103,301,302,303と、ベース基板41の下面41aに形成された実装端子42と、を電気的に接続する配線の図示を省略している。また、図3~図5では、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、第3ジャイロセンサー素子103、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303を簡略化して図示している。
尚、説明の便宜上、図3~図5では、各センサー素子101,102,103,301,302,303と、ベース基板41の下面41aに形成された実装端子42と、を電気的に接続する配線の図示を省略している。また、図3~図5では、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、第3ジャイロセンサー素子103、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303を簡略化して図示している。
慣性センサーモジュール4は、図3~図5に示すように、第1慣性センサー100、第3慣性センサー300、第1慣性センサー100と第3慣性センサー300とを配置するベース基板41、及び第1慣性センサー100と第3慣性センサー300とをモールドする第1樹脂9を有する。つまり、慣性センサーモジュール4は、外形が第1樹脂9により成型されており、第1樹脂9による樹脂パッケージで構成されている。また、ベース基板41の下面41aには、複数の実装端子42が形成されている。
第1慣性センサー100は、3軸の物理量センサーである。物理量とは、例えば角速度であるが、加速度であってもよく、他の物理量であってもよい。例えば、物理量が角速度である場合、第1慣性センサー100は、3軸の角速度センサーであり、例えば、物理量が加速度である場合、第1慣性センサー100は、3軸の加速度センサーである。
本実施形態の第1慣性センサー100は、第1ジャイロセンサー素子101と、第2ジャイロセンサー素子102と、第3ジャイロセンサー素子103と、を備え、第1軸となるX軸まわり、第2軸となるY軸まわり、及び第3軸となるZ軸まわりのそれぞれの検出軸の角速度を測定することのできる3軸ジャイロセンサーである。尚、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、及び第3ジャイロセンサー素子103は、MEMS技術を用いてシリコン基板を加工し製造されたジャイロセンサー素子であり、可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて、角速度を検出している。
本実施形態の第1慣性センサー100は、第1ジャイロセンサー素子101と、第2ジャイロセンサー素子102と、第3ジャイロセンサー素子103と、を備え、第1軸となるX軸まわり、第2軸となるY軸まわり、及び第3軸となるZ軸まわりのそれぞれの検出軸の角速度を測定することのできる3軸ジャイロセンサーである。尚、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、及び第3ジャイロセンサー素子103は、MEMS技術を用いてシリコン基板を加工し製造されたジャイロセンサー素子であり、可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて、角速度を検出している。
第1慣性センサー100は、図3及び図4に示すように、基板10と、蓋体10aと、第1ジャイロセンサー素子101と、第2ジャイロセンサー素子102と、第3ジャイロセンサー素子103と、を有する。尚、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、及び第3ジャイロセンサー素子103は、基板10と蓋体10aとで構成される内部空間S1に収容されている。また、内部空間S1は、気密空間であり、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態となっている。
第1慣性センサー100において、第1ジャイロセンサー素子101は、X軸まわりの角速度を検出し、第2ジャイロセンサー素子102は、Y軸まわりの角速度を検出し、第3ジャイロセンサー素子103は、Z軸まわりの角速度を検出する。
基板10は、下方に窪む3つの凹部11,12,13が形成されており、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、及び第3ジャイロセンサー素子103が、それぞれ、凹部11、凹部12、及び凹部13に対応するように基板10上に配置されている。凹部11,12,13は、それぞれ、ジャイロセンサー素子101,102,103と基板10との接触を防止するための逃げ部として機能する。
尚、基板10は、アルカリ金属イオンを含むガラス材料、例えば、パイレックス(登録商標)ガラスを主材料として形成されている。これにより、シリコン基板から形成されているジャイロセンサー素子101,102,103と基板10とを陽極接合によって強固に接合することができる。
蓋体10aは、上方に窪む凹部11aが形成されており、基板10に接合することで、内部空間S1が形成され、第1ジャイロセンサー素子101、第2ジャイロセンサー素子102、及び第3ジャイロセンサー素子103を収容することができる。
尚、蓋体10aは、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体10aと基板10とを陽極接合によって強固に接合することができる。
尚、蓋体10aは、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体10aと基板10とを陽極接合によって強固に接合することができる。
第3慣性センサー300は、第1加速度センサー素子301と、第2加速度センサー素子302と、第3加速度センサー素子303と、を備え、第1軸となるX方向、第2軸となるY方向、及び第3軸となるZ方向のそれぞれの検出軸の加速度を測定することのできる3軸加速度センサーである。尚、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303は、MEMS技術を用いて製造された加速度センサー素子であり、可動電極と固定電極との間の容量変化に基づいて、加速度を検出している。
第3慣性センサー300は、図3及び図5に示すように、基板30と、蓋体30aと、第1加速度センサー素子301と、第2加速度センサー素子302と、第3加速度センサー素子303と、を有する。尚、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303は、基板30と蓋体30aとで構成される内部空間S3に収容されている。また、内部空間S3は、気密空間であり、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入され、使用温度が-40℃~125℃程度で、ほぼ大気圧となっていることが好ましい。ただし、内部空間S3の雰囲気は、特に限定されず、例えば、減圧状態であってもよいし、加圧状態であってもよい。
第3慣性センサー300において、第1加速度センサー素子301は、X方向の加速度を検出し、第2加速度センサー素子302は、Y方向の加速度を検出し、第3加速度センサー素子303は、Z方向の加速度を検出する。
基板30は、下方に窪む3つの凹部31,32,33が形成されており、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303が、それぞれ、凹部31、凹部32、及び凹部33に対応するように基板30上に配置されている。凹部31,32,33は、それぞれ、加速度センサー素子301,302,303と基板30との接触を防止するための逃げ部として機能する。
尚、基板30は、アルカリ金属イオンを含むガラス材料、例えば、パイレックス(登録商標)ガラスを主材料として形成されている。これにより、シリコン基板から形成されている加速度センサー素子301,302,303と基板30とを陽極接合によって強固に接合することができる。
蓋体30aは、上方に窪む凹部31aが形成されており、基板30に接合することで、内部空間S3が形成され、第1加速度センサー素子301、第2加速度センサー素子302、及び第3加速度センサー素子303を収容することができる。
尚、蓋体30aは、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体30aと基板30とを陽極接合によって強固に接合することができる。
尚、蓋体30aは、本実施形態では、シリコン基板で形成されている。これにより、蓋体30aと基板30とを陽極接合によって強固に接合することができる。
従って、慣性センサーモジュール4は、3軸ジャイロセンサーと3軸加速度センサーとを備える6軸コンボセンサーである。
尚、本実施形態では、慣性センサーモジュール4として、3軸ジャイロセンサーの第1慣性センサー100と3軸加速度センサーの第3慣性センサー300の2つを搭載しているが、これに限定する必要はなく、第1慣性センサー100又は第3慣性センサー300のどちらか1つでも構わない。
金属5は、図1及び図2に示すように、平板であり、慣性センサーモジュール4の上面4aに配置され、平面視で、上面4aと重なり、上面4aを覆うように配置されている。また、金属5は、慣性センサーモジュール4の第1樹脂9と第2樹脂8との間に設けられている。そのため、ベース基板2に実装された慣性センサーモジュール4を第2樹脂8で樹脂封止する際に、第2樹脂8に含まれる水分が慣性センサーモジュール4の第1樹脂9に浸透するのを防止することができ、慣性センサーモジュール4の計測に影響を及ぼすのを低減することができる。
第2慣性センサー200について、図6及び図7を参照して詳細に説明する。
尚、説明の便宜上、図6は、リッド207の図示を省略している。また、図6及び図7では、振動ジャイロセンサー素子201とベース202に形成された実装端子205とを電気的に接続する配線及び振動ジャイロセンサー素子201に形成された駆動電極や検出電極の図示を省略している。
尚、説明の便宜上、図6は、リッド207の図示を省略している。また、図6及び図7では、振動ジャイロセンサー素子201とベース202に形成された実装端子205とを電気的に接続する配線及び振動ジャイロセンサー素子201に形成された駆動電極や検出電極の図示を省略している。
第2慣性センサー200は、構成部品6の1つであり、振動ジャイロセンサー素子201を備え、第3軸となるZ軸まわりの検出軸の角速度を測定することのできる1軸ジャイロセンサーである。尚、振動ジャイロセンサー素子201は、フォトリソグラフィー技術を用いて水晶基板を加工し製造されたジャイロセンサー素子であり、検出振動腕の振動を電気信号に変換し、角速度を検出している。また、水晶を基材としているので温度特性に優れている。そのため、MEMS技術を用いて製造したジャイロセンサー素子に比べ、外部からのノイズや温度の影響を受け難く、検出精度が高い。つまり、第2慣性センサー200の検出精度は、第1慣性センサー100の検出精度よりも高い。
第2慣性センサー200は、図6及び図7に示すように、振動ジャイロセンサー素子201と、振動ジャイロセンサー素子201を収容するセラミック等からなるベース202と、ガラス、セラミック、又は金属等からなるリッド207と、を有する。
ベース202は、板状の第1基板203と枠状の第2基板204とを積層して形成されている。また、ベース202は、上方に開放する内部空間S2を有している。尚、振動ジャイロセンサー素子201を収容する内部空間S2は、リッド207をシールリング等の接合部材206により接合することで、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態に気密封止されている。
ベース202の第1基板203の上面203aには、上方へ突出する凸部21が形成されており、凸部21の上面21aに金属バンプ90等を介して振動ジャイロセンサー素子201が電気的及び機械的に固定されている。そのため、振動ジャイロセンサー素子201と第1基板203との接触を防止することができる。
ベース202の第1基板203の下面203bには、複数の実装端子205が設けられている。実装端子205は、図示しない配線を介して、振動ジャイロセンサー素子201と電気的に接続されている。
振動ジャイロセンサー素子201は、中心部分に位置する基部22と、基部22からY方向に延出された一対の検出用振動腕23と、検出用振動腕23と直交するように、基部22からX方向に延出された一対の連結腕24と、検出用振動腕23と平行になるように、各連結腕24の先端側からY方向に延出された各一対の駆動用振動腕25,26と、を有する。振動ジャイロセンサー素子201は、基部22において、金属バンプ90等を介してベース202に設けられた凸部21の上面21aに電気的及び機械的に固定されている。
振動ジャイロセンサー素子201は、駆動用振動腕25,26が互いに逆相でX方向に屈曲振動をしている状態において、Z軸まわりの角速度ωzが加わると、駆動用振動腕25,26及び連結腕24に、Y方向のコリオリ力が働き、Y方向に振動する。この振動により検出用振動腕23がX方向に屈曲振動する。そのため、検出用振動腕23に形成された検出電極が、振動により発生した水晶の歪を電気信号として検出することで角速度ωzが求められる。
尚、本実施形態では、第2慣性センサー200として、第3軸となるZ軸まわりの角速度を測定することのできる1軸ジャイロセンサーであるが、これに限定する必要はなく、第1軸となるX軸まわりの角速度や第2軸となるY軸まわりの角速度を測定することのできる1軸ジャイロセンサーでも構わない。また、第2慣性センサー200は、第3慣性センサー300よりも検出精度が高く、第1軸となるX方向の加速度又は第2軸となるY方向の加速度又は第3軸となるZ方向の加速度を測定することのできる1軸加速度センサーでも構わない。また、第2慣性センサー200は、水晶を基材とするセンサー素子を用いているが、これに限定する必要はなく、第1慣性センサー100や第3慣性センサー300よりも検出精度が高ければ、どのようなセンサーでも構わない。
発振器7は、構成部品6の1つであり、図1に示すように、ベース基板2の上面2aに配置されている。発振器7は、半導体素子50に対して、クロック信号を出力し、半導体素子50は、そのクロック信号に基づいて各センサー100,200,300で検出する角速度や加速度の検出タイミングや検出時間を制御している。
半導体素子50は、構成部品6の1つであり、図2に示すように、ベース基板2の下面2bに配置されている。半導体素子50は、各センサー100,200,300を駆動する駆動回路や、各センサー100,200,300からの信号に基づいて3軸まわりの角速度や3軸方向の加速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等を含む。
第2樹脂8は、ベース基板2、慣性センサーモジュール4、金属5、構成部品6、及びリード端子3の一部をモールドする。つまり、慣性計測装置1は、外形が第2樹脂8により成型され、第2樹脂8による樹脂パッケージで構成されている。
以上述べたように、本実施形態の慣性計測装置1は、慣性センサーモジュール4のパッケージを構成する第1樹脂9と、慣性計測装置1のパッケージを構成する第2樹脂8と、の間に金属5が設けられているので、ベース基板2に実装された慣性センサーモジュール4を第2樹脂8でモールドする際に、第2樹脂8に含まれる水分が慣性センサーモジュール4の第1樹脂9に浸透するのを防止することができ、慣性センサーモジュール4の計測に影響を及ぼすのを低減することができる。従って、優れた検出精度を有する慣性計測装置1を得ることができる。
また、本実施形態の慣性計測装置1は、第1慣性センサー100の検出精度よりも高く、第3軸となるZ軸まわりを検出軸とする第2慣性センサー200を備えているので、より優れた検出精度を有する慣性計測装置1を得ることができる。
2.第2実施形態
次に、第2実施形態に係る慣性計測装置1aについて、図8及び図9を参照して説明する。尚、説明の便宜上、図8及び図9では、ベース基板2に形成されている半導体素子50とリード端子3とを電気的に接続する配線及び半導体素子50と慣性センサーモジュール4や各構成部品6とを電気的に接続する配線の図示を省略している。
次に、第2実施形態に係る慣性計測装置1aについて、図8及び図9を参照して説明する。尚、説明の便宜上、図8及び図9では、ベース基板2に形成されている半導体素子50とリード端子3とを電気的に接続する配線及び半導体素子50と慣性センサーモジュール4や各構成部品6とを電気的に接続する配線の図示を省略している。
本実施形態の慣性計測装置1aは、第1実施形態の慣性計測装置1に比べ、慣性センサーモジュール4の上面4aに配置された金属5aの形状が異なること以外は、第1実施形態の慣性計測装置1と同様である。尚、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
慣性計測装置1aは、図8及び図9に示すように、慣性センサーモジュール4の上面4aに配置された金属5aが慣性センサーモジュール4の上面4aと、慣性センサーモジュール4の4つの側面4bと、を覆っている。そのため、慣性センサーモジュール4の上面4aだけでなく、4つの側面4bからの第2樹脂8の水分の浸透も防止することができる。
このような構成とすることで、第1実施形態の慣性計測装置1と同等の効果を得ることができる。
1,1a…慣性計測装置、2…ベース基板、2a…上面、2b…下面、3…リード端子、4…慣性センサーモジュール、4a…上面、5…金属、6…構成部品、7…発振器、8…第2樹脂、9…第1樹脂、10…基板、10a…蓋体、11,11a,12,13…凹部、21…凸部、21a…上面、22…基部、23…検出用振動腕、24…連結腕、25…駆動用振動腕、26…駆動用振動腕、30…基板、30a…蓋体、31,31a,32,33…凹部、41…ベース基板、41a…下面、42…実装端子、50…半導体素子、90…金属バンプ、100…第1慣性センサー、101…第1ジャイロセンサー素子、102…第2ジャイロセンサー素子、103…第3ジャイロセンサー素子、200…第2慣性センサー、201…振動ジャイロセンサー素子、202…ベース、203…第1基板、204…第2基板、205…実装端子、206…接合部材、207…リッド、300…第3慣性センサー、301…第1加速度センサー素子、302…第2加速度センサー素子、303…第3加速度センサー素子、S1,S2,S3…内部空間。
Claims (5)
- 第1慣性センサーを有し、外形が第1樹脂により成型された慣性センサーモジュールと、
構成部品と、
前記慣性センサーモジュール及び前記構成部品をモールドする第2樹脂と、
前記慣性センサーモジュールの前記第1樹脂と前記第2樹脂との間に設けられた金属と、を有する、
慣性計測装置。 - 前記金属は、前記慣性センサーモジュールの上面及び側面を覆う、
請求項1に記載の慣性計測装置。 - 前記第1慣性センサーは、互いに直交する第1軸、第2軸、及び第3軸をそれぞれ検出軸とする、
請求項1又は請求項2に記載の慣性計測装置。 - 前記構成部品は、前記第1慣性センサーの検出精度よりも高く、前記第3軸を検出軸とする第2慣性センサーを含む、
請求項3に記載の慣性計測装置。 - 前記構成部品は、前記第1慣性センサーを制御する半導体素子を含む、
請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の慣性計測装置。
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Applications Claiming Priority (1)
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2022
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