JP2023104091A - センサーモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】優れた検出精度を有するセンサーモジュールを提供する。【解決手段】センサーモジュール１は、回路基板１３と、センサーパッケージ１５と、センサーパッケージ１５実装用の第１基板ランドパターン３１及び第２基板ランドパターン３２と、実装面１６の第１辺１８に配置され第１基板ランドパターン３１と接合される第１パッケージ電極４１及び第１辺１８に対向する第２辺１９に配置され第２基板ランドパターン３２と接合される第２パッケージ電極４２と、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とを接合する第１接合部材６１と、第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２とを接合する第２接合部材６２と、を備え、第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅をＷＨ１とし、第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅をＷＨ２としたとき、ＷＨ１＞ＷＨ２である。【選択図】図５

Description

本発明は、センサーモジュールに関する。

近年、直交する２軸又は３軸の加速度や直交する２軸又は３軸まわりの角速度を検出するために、２つ又は３つの加速度センサーやジャイロセンサーを、検出軸を相互に直交させて回路基板に配置したセンサーモジュールが開発されている。このようなセンサーモジュールに用いられる加速度センサーやジャイロセンサーは、例えば特許文献１に示すような大判のセラミック製配線基板を、ブレーク溝に沿って折り取ることで個片化する製造方法によって製造されたセンサーパッケージにセンサー素子が収容されている。

特開２００１－１７９７３１号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたセンサーパッケージは、ブレーク溝が形成された側面が平坦でない。そのため、実装平面に対して垂直な検出軸を持つセンサー素子を収容したセンサーパッケージを、検出軸が回路基板に平行となるように回路基板に縦実装する場合に、平坦でない側面を実装面とすると、センサーパッケージを回路基板に垂直に配置することが困難で、半田リフローの際に実装面の傾きに倣ってセンサーパッケージが傾いて実装されてしまい、検出軸がずれることによって検出精度が悪化する、という課題があった。

センサーモジュールは、回路基板と、検出軸を有するセンサー素子を収容し、前記回路基板に実装されているセンサーパッケージと、前記回路基板上に配置されている前記センサーパッケージ実装用の第１基板ランドパターン及び第２基板ランドパターンと、前記センサーパッケージの前記回路基板に対向している実装面に配置されており、前記実装面の第１辺に配置され前記第１基板ランドパターンと接合される第１パッケージ電極及び前記第１辺に対向する第２辺に配置され前記第２基板ランドパターンと接合される第２パッケージ電極と、前記第１基板ランドパターンと前記第１パッケージ電極とを接合する第１接合部材と、前記第２基板ランドパターンと前記第２パッケージ電極とを接合する第２接合部材と、を備え、前記第１接合部材の前記第１辺に沿う方向の幅をＷＨ１とし、前記第２接合部材の前記第２辺に沿う方向の幅をＷＨ２としたとき、ＷＨ１＞ＷＨ２である。

第１実施形態に係るセンサーモジュールの概略構造を示す斜視図。 センサーモジュールの内部構造を示す斜視図。 センサーモジュールの内部構造を示す側面図。 回路基板の基板ランドパターンとセンサーパッケージのパッケージ電極との位置関係を示す平面図。 回路基板の基板ランドパターンと接合部材との位置関係を示す平面図。 センサーパッケージの重心と凸部の先端部との位置関係を示す平面図。 センサーパッケージの重心と凸部の先端部との位置関係を示す側面図。 センサーモジュールに用いられた慣性センサーの概略構造を示す平面図。 図８中のＡ－Ａ線における断面図。 第２実施形態に係るセンサーモジュールの回路基板の基板ランドパターンとセンサーパッケージのパッケージ電極との位置関係を示す平面図。 センサーパッケージの実装面に設けられたパッケージ電極を示す平面図。 第３実施形態に係るセンサーモジュールの回路基板の基板ランドパターンとセンサーパッケージのパッケージ電極との位置関係を示す平面図。 回路基板の平面に設けられた基板ランドパターンを示す平面図。 第４実施形態に係るセンサーモジュールの回路基板の基板ランドパターンとセンサーパッケージのパッケージ電極との位置関係を示す平面図。 センサーパッケージの実装面に設けられたパッケージ電極を示す平面図。

１．第１実施形態
先ず、第１実施形態に係るセンサーモジュール１について、図１～図５を参照して説明する。

尚、センサーモジュール１が備える慣性センサー２１，２２，２３は、検出軸Ｈまわりの角速度を検出するジャイロセンサーを一例として挙げ説明する。また、説明の便宜上、図２では、金属キャップ１２を取り外した状態を図示している。また、図３は、Ｙ方向プラス側から見た側面図である。また、図２、図３、図４、及び図５では、回路基板１３上に設けられた抵抗やコンデンサー等の回路部品及び配線の図示を省略している。

また、以降の斜視図、側面図、及び平面図には、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を図示している。Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」と言い、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」と言う。

本実施形態に係るセンサーモジュール１は、図１及び図２に示すように、複数のリードフレーム１１を備え、モールド樹脂で構成されたベース部１０、ベース部１０内に配置された回路基板１３、回路基板１３を覆いベース部１０に接合された金属キャップ１２、及び回路基板１３上に実装された３つの慣性センサー２１，２２，２３を有する。第１慣性センサー２１は、検出軸ＨをＸ軸とするＸ軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサーであり、第２慣性センサー２２は、検出軸ＨをＹ軸とするＹ軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサーであり、第３慣性センサー２３は、検出軸ＨをＺ軸とするＺ軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサーである。

回路基板１３は、平板であり、平面１４上にセンサー素子５０を収容したセンサーパッケージ１５実装用の複数の第１基板ランドパターン３１と第２基板ランドパターン３２が配置されており、第１基板ランドパターン３１と第２基板ランドパターン３２上に半田等の接合部材６１，６２を介してセンサーパッケージ１５が実装されている。尚、第３慣性センサー２３は、回路基板１３の平面１４方向と直交する検出軸Ｈを有するセンサー素子５０を備えている。そのため、第３慣性センサー２３は、上下面が回路基板１３の平面１４と平行になるように実装されている。

しかし、第１慣性センサー２１と第２慣性センサー２２とは、回路基板１３の平面１４方向に沿う検出軸Ｈを有するセンサー素子５０を備えている。つまり、第１慣性センサー２１は、センサーパッケージ１５に回路基板１３の平面１４方向に沿うＸ軸を検出軸Ｈとする第１センサー素子５０Ｘを収容している。また、第２慣性センサー２２は、センサーパッケージ１５に回路基板１３の平面１４方向に沿うＹ軸を検出軸Ｈとする第２センサー素子５０Ｙを収容している。つまり、第１センサー素子５０Ｘの検出軸Ｈの方向と第２センサー素子５０Ｙの検出軸Ｈの方向とは、互いに異なっている。そのため、図３に示すように、第１慣性センサー２１及び第２慣性センサー２２は、互いに直交するように配置され、凸部１７を有する側面を実装面１６として、実装面１６が回路基板１３の平面１４と平行になるように縦実装されている。つまり、第１慣性センサー２１と第２慣性センサー２２とは、同じ実装方法で回路基板１３に実装されている。そのため、以下では、第２慣性センサー２２の実装方法を一例として挙げ説明する。

第２慣性センサー２２は、図３及び図４に示すように、センサーパッケージ１５の回路基板１３に対向している実装面１６に半田等の接合部材６１，６２によって基板ランドパターン３１，３２に接合される複数のパッケージ電極４１，４２が配置されている。尚、実装面１６の第１辺１８に第１基板ランドパターン３１と接合される第１パッケージ電極４１が配置され、第１辺１８に対向する第２辺１９に第２基板ランドパターン３２と接合される第２パッケージ電極４２が配置されている。
また、回路基板１３に設けられた第１基板ランドパターン３１及び第２基板ランドパターン３２とセンサーパッケージ１５に設けられた第１パッケージ電極４１及び第２パッケージ電極４２とは、平面視で重なるように配置されている。
また、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とは、第１接合部材６１で接合され、第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２とは、第２接合部材６２で接合されている。

図５に示すように、第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅をＷＨ１とし、第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅をＷＨ２としたとき、ＷＨ１＞ＷＨ２である。これは、図４に示すように、第１辺１８に沿う方向において、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とが重畳している幅をＷＴ１、第２辺１９に沿う方向において、第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２とが重畳している幅をＷＴ２としたとき、ＷＴ１＞ＷＴ２であるためである。つまり、接合部材６１，６２は、基板ランドパターン３１，３２とパッケージ電極４１，４２とが重畳した部分にのみ形成されるので、重畳する幅の大きい幅ＷＴ１に形成された第１接合部材６１の幅ＷＨ１が第２接合部材６２の幅ＷＨ２より大きくなる。尚、本実施形態では、第１パッケージ電極４１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＰ１と第２パッケージ電極４２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＰ２とは、同じ寸法であるが、第１基板ランドパターン３１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＫ１を第２基板ランドパターン３２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＫ２より大きくしているため、第１接合部材６１の幅ＷＨ１が第２接合部材６２の幅ＷＨ２より大きくなる。

ここで、第１接合部材６１の幅ＷＨ１が第２接合部材６２の幅ＷＨ２より大きくする理由について、図６及び図７を参照して説明する。
大型基板シートに形成したブレーク溝を利用して個片化し製造されたセンサーパッケージ１５は、実装面１６に凸部１７を有している。また、図６に示すように、実装面１６の平面視で、センサーパッケージ１５の重心Ｇは、凸部１７の最も突出している先端部１７ａを含み第２辺１９と平行な仮想線Ｌ１と、第２辺１９と、の間に位置している。そのため、実装面１６を回路基板１３に対向しセンサーパッケージ１５を実装しようとすると、図７に示すように、凸部１７の先端部１７ａを含む第２辺１９とＺ方向に平行な仮想線Ｌ２がセンサーパッケージ１５の重心Ｇより第１辺１８側にあるため、センサーパッケージ１５は、自重による回転モーメントの影響により第２辺１９側に傾いて実装されてしまい、第１辺１８が延在する方向と交差する方向に沿っている検出軸Ｈがずれ、検出精度が悪化してしまう。

従って、本実施形態では、第１辺１８側に形成される第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とを接合する第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＨ１を第２辺１９側に形成される第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２とを接合する第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＨ２より大きくしている。こうすることにより、第１接合部材６１の面積を第２接合部材６２の面積より大きくし、第１接合部材６１の表面張力を大きくすることで、センサーパッケージ１５のＸ軸の反時計回りのモーメントを大きくでき、センサーパッケージ１５の姿勢角度を回路基板１３に対して垂直となる方向に補正して実装することができる。

尚、本実施形態では、回路基板１３上に設けられた基板ランドパターン３１，３２の平面視形状を矩形としているが、これに限定することはなく、台形、半円、三角形状等であっても構わない。

次に、センサーモジュール１の備える慣性センサー２１，２２，２３について、図８及び図９を参照して説明する。
尚、３つの慣性センサー２１，２２，２３は、全て同じ構造なので、第３慣性センサー２３を一例として挙げ説明する。また、説明の便宜上、図８は、リッド４７の図示を省略している。また、図８及び図９では、センサー素子５０とセンサーパッケージ１５に形成されたパッケージ電極４１，４２とを電気的に接続する配線及びセンサー素子５０に形成された駆動電極や検出電極の図示を省略している。

第３慣性センサー２３は、検出軸ＨをＺ軸とし、Ｚ軸まわりの角速度を測定することのできる１軸ジャイロセンサーである。尚、センサー素子５０は、フォトリソグラフィー技術を用いて水晶基板を加工し製造された水晶ジャイロセンサー素子であり、検出用振動腕の振動を電気信号に変換し、角速度を検出している。また、水晶を基材としているので温度特性に優れている。そのため、ＭＥＭＳ技術を用いて製造したジャイロセンサー素子に比べ、外部からのノイズや温度の影響を受け難く、検出精度が高い。

第３慣性センサー２３は、図８及び図９に示すように、センサー素子５０と、センサー素子５０を収容するセラミック等からなるセンサーパッケージ１５と、ガラス、セラミック、又は金属等からなるリッド４７と、を有する。

センサーパッケージ１５は、板状の第１基板４４、枠状の第２基板４５、及び枠状の第３基板４６を積層して形成されている。また、センサーパッケージ１５は、上方に開放する内部空間Ｓを有している。尚、センサー素子５０を収容する内部空間Ｓは、リッド４７を低融点ガラス等の接合部材４８により接合することで、減圧状態、好ましくはより真空に近い状態に気密封止されている。

センサーパッケージ１５の内底面４４ａには、上方へ突出する凸部４３が形成されており、凸部４３の上面４３ａに金属バンプ４９等を介してセンサー素子５０が電気的及び機械的に固定されている。そのため、センサー素子５０と第１基板４４との接触を防止することができる。

センサー素子５０は、中心部分に位置する基部５１と、基部５１からＸ方向に延出された一対の検出用振動腕５２と、検出用振動腕５２と直交するように、基部５１からＹ方向に延出された一対の連結腕５３と、検出用振動腕５２と平行になるように、各連結腕５３の先端側からＸ方向に延出された各一対の駆動用振動腕５４，５５と、を有する。センサー素子５０は、基部５１において、金属バンプ４９等を介してセンサーパッケージ１５に設けられた凸部４３の上面４３ａに電気的及び機械的に固定されている。

センサー素子５０は、駆動用振動腕５４，５５が互いに逆相でＹ方向に屈曲振動をしている状態において、Ｚ軸まわりの角速度ωｚが加わると、駆動用振動腕５４，５５及び連結腕５３に、Ｘ方向のコリオリ力が働き、Ｘ方向に振動する。この振動により検出用振動腕５２がＹ方向に屈曲振動する。そのため、検出用振動腕５２に形成された検出電極が、振動により発生した水晶の歪を電気信号として検出することで角速度ωｚが求められる。

尚、本実施形態では、慣性センサー２１，２２，２３として水晶ジャイロセンサーを一例として挙げ説明したが、これに限定することはなく、ＭＥＭＳ技術を用いて製造したシリコンジャイロセンサーでも構わない。また、慣性センサー２１，２２，２３は、ジャイロセンサー以外に、加速度センサーでも構わない。

以上述べたように、本実施形態のセンサーモジュール１は、センサーパッケージ１５の実装面１６に生じた凸部１７の先端部１７ａがセンサーパッケージ１５の重心Ｇより第１辺１８に近い場合、第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＨ１を第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＨ２より大きくすることで、第１接合部材６１の表面張力を大きくすることができ、センサーパッケージ１５の姿勢角度を回路基板１３に対して垂直となる方向に補正して実装することができる。そのため、検出軸Ｈのずれによる検出精度の悪化を低減し、優れた検出精度を有するセンサーモジュール１を得ることができる。

２．第２実施形態
次に、第２実施形態に係るセンサーモジュール１ａについて、図１０及び図１１を参照して説明する。尚、説明の便宜上、図１０及び図１１では、回路基板１３上に設けられた抵抗やコンデンサー等の回路部品及び配線の図示を省略している。

本実施形態のセンサーモジュール１ａは、第１実施形態のセンサーモジュール１に比べ、センサーパッケージ１５ａの実装面１６に設けられた第２パッケージ電極４２ａの形状が異なること以外は、第１実施形態のセンサーモジュール１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

センサーモジュール１ａは、図１０及び図１１に示すように、センサーパッケージ１５ａの実装面１６に設けられた第２パッケージ電極４２ａの形状が第１パッケージ電極４１の形状と異なり、第２パッケージ電極４２ａの第２辺１９に沿う方向の幅ＷＰ２が第１パッケージ電極４１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＰ１より小さく、ＷＰ１＞ＷＰ２である。尚、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とが重畳している第１辺１８に沿う方向の幅ＷＴ１が第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２ａとが重畳している第２辺１９に沿う方向の幅ＷＴ２より大きい。そのため、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１とを接合する第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＨ１が第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２ａとを接合する第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＨ２より大きくなる。従って、第１接合部材６１の表面張力を大きくすることができ、センサーパッケージ１５ａの姿勢角度を回路基板１３に対して垂直となる方向に補正して実装することができる。

このような構成とすることで、第１実施形態のセンサーモジュール１と同等の効果が得られる。

３．第３実施形態
次に、第３実施形態に係るセンサーモジュール１ｂについて、図１２及び図１３を参照して説明する。尚、説明の便宜上、図１２及び図１３では、回路基板１３ｂ上に設けられた抵抗やコンデンサー等の回路部品及び配線の図示を省略している。

本実施形態のセンサーモジュール１ｂは、第１実施形態のセンサーモジュール１に比べ、回路基板１３ｂに設けられた第１基板ランドパターン３１ｂと第２基板ランドパターン３２ｂとの形状が異なること以外は、第１実施形態のセンサーモジュール１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

センサーモジュール１ｂは、図１２及び図１３に示すように、回路基板１３ｂの平面１４に設けられた第１基板ランドパターン３１ｂと第２基板ランドパターン３２ｂとが一体化している。尚、第１基板ランドパターン３１ｂと第１パッケージ電極４１とが重畳している第１辺１８に沿う方向の幅ＷＴ１が第２基板ランドパターン３２ｂと第２パッケージ電極４２とが重畳している第２辺１９に沿う方向の幅ＷＴ２より大きい。そのため、第１基板ランドパターン３１ｂと第１パッケージ電極４１とを接合する第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＨ１が第２基板ランドパターン３２ｂと第２パッケージ電極４２とを接合する第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＨ２より大きくなる。従って、第１接合部材６１の表面張力を大きくすることができ、センサーパッケージ１５の姿勢角度を回路基板１３ｂに対して垂直となる方向に補正して実装することができる。

このような構成とすることで、第１実施形態のセンサーモジュール１と同等の効果が得られる。

４．第４実施形態
次に、第４実施形態に係るセンサーモジュール１ｃについて、図１４及び図１５を参照して説明する。尚、説明の便宜上、図１４では、回路基板１３上に設けられた抵抗やコンデンサー等の回路部品及び配線の図示を省略している。

本実施形態のセンサーモジュール１ｃは、第１実施形態のセンサーモジュール１に比べ、センサーパッケージ１５ｃの実装面１６に設けられた第１パッケージ電極４１ｃと第２パッケージ電極４２ｃとの形状が異なること以外は、第１実施形態のセンサーモジュール１と同様である。尚、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。

センサーモジュール１ｃは、図１４及び図１５に示すように、センサーパッケージ１５ｃの実装面１６に設けられた第１パッケージ電極４１ｃと第２パッケージ電極４２ｃとが一体化している。また、第１パッケージ電極４１ｃの第１辺１８に沿う方向の幅ＷＰ１と第２パッケージ電極４２ｃの第２辺１９に沿う方向の幅ＷＰ２とは、等しい。しかし、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１ｃとが重畳している第１辺１８に沿う方向の幅ＷＴ１が第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２ｃとが重畳している第２辺１９に沿う方向の幅ＷＴ２より大きい。そのため、第１基板ランドパターン３１と第１パッケージ電極４１ｃとを接合する第１接合部材６１の第１辺１８に沿う方向の幅ＷＨ１が第２基板ランドパターン３２と第２パッケージ電極４２ｃとを接合する第２接合部材６２の第２辺１９に沿う方向の幅ＷＨ２より大きくなる。従って、第１接合部材６１の表面張力を大きくすることができ、センサーパッケージ１５ｃの姿勢角度を回路基板１３に対して垂直となる方向に補正して実装することができる。

このような構成とすることで、第１実施形態のセンサーモジュール１と同等の効果が得られる。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ…センサーモジュール、１０…ベース部、１１…リードフレーム、１２…金属キャップ、１３…回路基板、１４…平面、１５…センサーパッケージ、１６…実装面、１７…凸部、１７ａ…先端部、１８…第１辺、１９…第２辺、２１…第１慣性センサー、２２…第２慣性センサー、２３…第３慣性センサー、３１…第１基板ランドパターン、３２…第２基板ランドパターン、４１…第１パッケージ電極、４２…第２パッケージ電極、４３ａ…上面、４４…第１基板、４４ａ…内底面、４５…第２基板、４６…第３基板、４７…リッド、４８…接合部材、４９…金属バンプ、５０…センサー素子、５０Ｘ…第１センサー素子、５０Ｙ…第２センサー素子、５１…基部、５２…検出用振動腕、５３…連結腕、５４，５５…駆動用振動腕、６１…第１接合部材、６２…第２接合部材、Ｈ…検出軸、Ｇ…重心、Ｌ１，Ｌ２…仮想線、Ｓ…内部空間、ＷＫ１，ＷＫ２，ＷＨ１，ＷＨ２，ＷＰ１，ＷＰ２，ＷＴ１，ＷＴ２…幅。

Claims (7)

1. 回路基板と、
   検出軸を有するセンサー素子を収容し、前記回路基板に実装されているセンサーパッケージと、
   前記回路基板上に配置されている前記センサーパッケージ実装用の第１基板ランドパターン及び第２基板ランドパターンと、
   前記センサーパッケージの前記回路基板に対向している実装面に配置されており、前記実装面の第１辺に配置され前記第１基板ランドパターンと接合される第１パッケージ電極及び前記第１辺に対向する第２辺に配置され前記第２基板ランドパターンと接合される第２パッケージ電極と、
   前記第１基板ランドパターンと前記第１パッケージ電極とを接合する第１接合部材と、
   前記第２基板ランドパターンと前記第２パッケージ電極とを接合する第２接合部材と、を備え、
   前記第１接合部材の前記第１辺に沿う方向の幅をＷＨ１とし、前記第２接合部材の前記第２辺に沿う方向の幅をＷＨ２としたとき、
   ＷＨ１＞ＷＨ２である、
   センサーモジュール。
2. 前記実装面は、凸部を有し、前記実装面の平面視で、前記センサーパッケージの重心は、前記凸部の最も突出している先端部を含み前記第２辺と平行な仮想線と、前記第２辺と、の間に位置している、
   請求項１に記載のセンサーモジュール。
3. 前記検出軸は、前記第１辺が延在する方向と交差する方向に沿っている、
   請求項１又は請求項２に記載のセンサーモジュール。
4. 前記第１辺に沿う方向において、前記第１基板ランドパターンと前記第１パッケージ電極とが重畳している幅をＷＴ１、
   前記第２辺に沿う方向において、前記第２基板ランドパターンと前記第２パッケージ電極とが重畳している幅をＷＴ２としたとき、
   ＷＴ１＞ＷＴ２である、
   請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載のセンサーモジュール。
5. 前記第１基板ランドパターンの前記第１辺に沿う方向の幅をＷＫ１、
   前記第２基板ランドパターンの前記第２辺に沿う方向の幅をＷＫ２としたとき、
   ＷＫ１＞ＷＫ２である、
   請求項４に記載のセンサーモジュール。
6. 前記第１パッケージ電極の前記第１辺に沿う方向の幅をＷＰ１、
   前記第２パッケージ電極の前記第２辺に沿う方向の幅をＷＰ２としたとき、
   ＷＰ１＞ＷＰ２である、
   請求項４に記載のセンサーモジュール。
7. 前記第１基板ランドパターンと前記第２基板ランドパターン又は前記第１パッケージ電極と前記第２パッケージ電極、の少なくとも一方は、一体形成されている、
   請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のセンサーモジュール。

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