JP2023051294A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】紫外光の取出し効率を低下させることなく信頼性を向上させることを可能とする発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、基板と、基板の上面に配置される一対の基板電極と、基板の上面に、一対の基板電極の全周を囲むように配置される基板配線と、一対の素子電極と一対の素子電極の全周を囲む素子配線とが下面に配置され、素子電極を介して一対の基板電極から電流が供給されることにより紫外光を出射する発光素子と、を有し、一対の素子電極は、基板配線と素子配線とが接合されることにより気密封止される。【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置に関する。

紫外光を出射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光素子を用いた発光装置が知られている。このような発光装置においては、発光素子の電極が空気中の水分等により劣化するという問題点がある。そこで、このような発光装置において、発光素子を封止することにより、装置の信頼性を向上することがなされている。

特許文献１には、紫外光を出射する発光素子を収容する筐体とガラス等で構成されるカバーとを接着することにより、発光素子を封止する発光装置が記載されている。紫外光は樹脂を劣化させる性質を有するため、特許文献１に記載された発光装置においては、筐体とカバーとを接着する樹脂材料に遮光粒子を分散させることにより、紫外光による樹脂材料の劣化を防止している。

特開２０１７－１４７４０６号公報

特許文献１に記載されたような発光装置においては、カバーを用いて発光素子を封止するため、発光素子から出射された紫外光がカバーにより吸収され、紫外光の取出し効率が低下するおそれがあった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、紫外光の取出し効率を低下させることなく信頼性を向上させることを可能とする発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る発光装置は、基板と、基板の上面に配置される一対の基板電極と、基板の上面に、一対の基板電極の全周を囲むように配置される基板配線と、一対の素子電極と一対の素子電極の全周を囲む素子配線とが下面に配置され、素子電極を介して一対の基板電極から電流が供給されることにより紫外光を出射する発光素子と、を有し、一対の素子電極は、基板配線と素子配線とが接合されることにより気密封止される、ことを特徴とする。

また、本発明に係る発光装置において、基板には、上下を貫通する貫通孔が形成され、発光装置は、基板の下面に配置され、貫通孔を介して一対の基板電極と電気的に接続される一対の下面電極をさらに有する、ことが好ましい。

また、本発明に係る発光装置において、基板配線の外周は、素子配線の外周よりも外側に位置する、ことが好ましい。

また、本発明に係る発光装置において、基板配線には、素子配線との接合部を囲むように溝部が形成される、ことが好ましい。

また、本発明に係る発光装置において、基板配線の、溝部の内側部分は金を含む金属により形成され、溝部の外側部分は銀又はアルミニウムを含む金属により形成される、ことが好ましい。

本発明に係る発光装置は、紫外光の取出し効率を低下させることなく信頼性を向上させることを可能とする。

発光装置１の斜視図である。 発光素子を取り除いた状態の発光装置１の斜視図である。 発光素子１５の底面斜視図である。 発光装置１の断面図である。 発光装置１の一部拡大断面図である。 発光装置１の製造方法の流れを示すフロー図である。 発光装置２の斜視図である。 発光装置２の断面図である。 発光素子を取り除いた状態の発光装置３の斜視図である。 発光素子を取り除いた状態の発光装置３の一部拡大平面図である。 発光素子３５の底面斜視図である。 発光装置３の断面図である。 発光装置３の断面図である。 比較例及び実施形態の、基板電極と接合層との接続部の拡大写真である。 発光素子を取り除いた状態の発光装置４の斜視図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の様々な実施形態について説明する。本発明の技術的範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明及びその均等物に及ぶ点に留意されたい。

図１は、実施形態に係る発光装置１の斜視図であり、図２は、図１に示す状態から発光素子を取り除いた状態の発光装置１の斜視図であり、図３は、発光装置１が備える発光素子の底面斜視図であり、図４は、図１のIV－IV断面における発光装置１の断面図である。なお、各図において、見やすさのために、各構成の大きさは適宜伸縮されていることがあり、以降も同様とする。発光装置１は、基板１１、一対の基板電極１２、基板配線１３、一対の下面電極１４及び発光素子１５を有する。

基板１１は、絶縁性の樹脂又はセラミックにより形成される平板状の部材である。樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はポリエステル樹脂等が用いられる。セラミックとしては、窒化アルミ、酸化アルミ（アルミナ）又はＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等が用いられる。基板１１には、上下を貫通する二つの貫通孔１１１が形成される。

一対の基板電極１２は、いずれも導電性の第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２を有する。第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２は、相互に離間して、かつ、二つの貫通孔１１１の上部をそれぞれ被覆するように、基板１１の上面に配置される。

基板配線１３は、基板１１の上面に、一対の基板電極１２と離間して、かつ、一対の基板電極１２の全周を切れ目なく囲むように配置される導電性の金属である。

図２に示すように、第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２は、いずれも矩形状に形成され、第１基板電極１２１の短辺と第２基板電極１２２の短辺とが同一線上に位置するように配置される。また、基板配線１３には矩形状の開口部１３１が形成され、基板配線１３は開口部１３１の内側に一対の基板電極１２が位置するように配置される。

一対の下面電極１４は、いずれも導電性の第１下面電極１４１及び第２下面電極１４２を有する。第１下面電極１４１及び第２下面電極１４２は、相互に離間して、かつ、二つの貫通孔１１１の下部をそれぞれ被覆するように、基板１１の下面に配置される。第１下面電極１４１は、貫通孔１１１を介して第１基板電極１２１と電気的に接続される。第２下面電極１４２は、貫通孔を介して第２基板電極１２２と電気的に接続される。

発光素子１５は、ＬＥＤである。発光素子１５の下面には、一対の素子電極であるアノード電極１５１及びカソード電極１５２、並びに、アノード電極１５１及びカソード電極１５２の全周を切れ目なく囲む導電性の金属である素子配線１５３が配置される。発光素子１５は、アノード電極１５１、カソード電極１５２及び素子配線１５３が第１基板電極１２１、第２基板電極１２２及び基板配線１３とそれぞれ接合されるように配置される。発光素子１５は、アノード電極１５１及びカソード電極１５２を介して一対の基板電極１２から電流を供給されることにより、２００ｎｍ－３８０ｎｍの波長帯の紫外光を出射する。

図３に示すように、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、それぞれ第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２と同一の大きさの矩形状に形成され、アノード電極１５１の短辺とカソード電極１５２の短辺とが同一線上に位置するように配置される。また、素子配線１５３には、基板配線１３の開口部と同一の大きさの矩形状の開口部が形成されている。これにより、平面視したときに、アノード電極１５１及びカソード電極１５２の外周部が第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２の外周部とそれぞれ一致し、かつ、素子配線１５３の開口部が基板配線１３の開口部と一致する。

アノード電極１５１、カソード電極１５２及び素子配線１５３は、接合層１６を介して第１基板電極１２１、第２基板電極１２２及び基板配線１３と接合される。接合層１６は、導電性の金属である接着材により形成される。導電性の接着材としては、例えば、金錫又はＳｎＡｇＣｕ系半田若しくはＣｕＳｎ系半田等の半田が用いられる。接合層１６は、アノード電極１５１及びカソード電極１５２と第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２とをそれぞれ電気的に接続する。

基板配線１３と素子配線１５３とは、接合層１６を介して全周にわたって切れ目なく接合される。これにより、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、上方が発光素子１５の下面に、下方が基板１１の上面に、側方が基板配線１３及び素子配線１５３に覆われ、外気に触れない状態となる。すなわち、アノード電極１５１及びカソード電極１５２が気密封止され、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は大気中の水分などによる劣化から保護される。また、基板配線１３、素子配線１５３及び接合層１６はいずれも金属であるから、発光素子１５から出射された紫外光により劣化することはない。したがって、発光装置１の信頼性が向上する。

また、発光装置１においては、アノード電極１５１及びカソード電極１５２が基板配線１３及び素子配線１５３に気密封止されるため、発光素子１５の上方にガラス又は透光性の樹脂等の光学部材を配置して発光素子１５全体を封止する必要がない。すなわち、発光装置１において、発光素子１５の上面は露出している。これにより、光学部材に起因する光の取出し効率の低下が防止されるとともに、装置の製造コストが低減される。

また、基板配線１３、素子配線１５３及び接合層１６はいずれも導電体であるから、アノード電極１５１及びカソード電極１５２のガードリングとして機能する。すなわち、発光装置１の外部でサージ電圧が生じたとしても、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、基板配線１３、素子配線１５３及び接合層１６によってサージ電圧から保護されるため、発光装置１の信頼性がさらに向上する。

図４に示すように、基板配線１３の内周は、平面視したときに素子配線１５３の内周と略一致し、基板配線１３の外周は、素子配線１５３の外周よりも外側に位置する。すなわち、基板配線１３は、素子配線１５３よりも外側に延伸し、基板１１の上面の大部分を被覆する。これにより、発光素子１５から下方に出射された紫外光が基板配線１３の上面で上方に反射されるため、発光装置１の光の取出し効率が向上する。窒化アルミは紫外光を吸収する性質を有し、ＬＴＣＣは紫外光を透過させる性質を有するため、基板１１が窒化アルミ又はＬＴＣＣで形成される場合には、基板配線１３により基板１１の上面を被覆することにより光の取出し効率がより大きく向上する。また、基板配線１３は熱伝導性に優れた金属により形成されるため、基板配線１３の面積を大きくすることにより、発光装置１の放熱性が向上する。

図５は、図４のアノード電極１５１及び素子配線１５３の近傍を拡大した発光装置１の一部拡大断面図である。図５に示すように、第１基板電極１２１及び基板配線１３は、基板１１の上面に近い方から順に銅層Ｃｕ、ニッケル層Ｎｉ及び金層Ａｕが積層されて形成される。また、銅層Ｃｕは貫通孔１１１の内部まで延伸し、第１下面電極１４１に接続される。銅層Ｃｕを設けることにより、第１基板電極１２１と第１下面電極１４１との導電性が高められる。ニッケル層Ｎｉを設けることにより、銅層Ｃｕの劣化が防止される。また、金層Ａｕを設けることにより、接合層１６との接合性が高められる。

図示しないが、第２基板電極１２２も第１基板電極１２１と同様に、基板１１の上面に近い方から順に、銅層、ニッケル層及び金層が積層されて形成される。

アノード電極１５１は、発光素子１５の下面に近い方から順にチタン層Ｔｉ、ニッケル層Ｎｉ及び金層Ａｕが積層されて形成される。素子配線１５３は、金層Ａｕにより形成される。金層Ａｕを設けることにより、接合層１６との接合性が高められる。

図示しないが、カソード電極１５２もアノード電極１５１と同様に、発光素子１５の下面に近い方から順にチタン層、ニッケル層及び金層が積層されて形成される。

図６は、発光装置１の製造方法の流れを示すフロー図である。

まず、基板準備工程において、基板電極１２、基板配線１３及び下面電極１４が形成された基板１１が準備される（ステップＳ１１）。

次に、接合層配置工程において、基板電極１２及び基板配線１３の上面の全部を被覆するように接合層１６が配置される（ステップＳ１２）。接合層１６は、金錫又は半田を電解めっき又はペースト印刷により基板電極１２及び基板配線１３の上面に積層することにより形成される。

次に、発光素子配置工程において、接合層１６が溶融する温度まで基板１１が加熱された状態で発光素子１５を配置することにより、発光装置１が製造される（ステップＳ１３）。発光素子１５は、アノード電極１５１、カソード電極１５２及び素子配線１５３が第１基板電極１２１、第２基板電極１２２及び基板配線１３にそれぞれ対向するように位置合わせされた状態で配置される。これにより、アノード電極１５１、カソード電極１５２及び素子配線１５３は、第１基板電極１２１、第２基板電極１２２及び基板配線１３と接合層１６を介してそれぞれ接合される。

なお、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、真空封止されてもよい。この場合、発光素子配置工程において、基板１１を真空チャンバー内に配置してから発光素子１５を配置する。これにより、アノード電極１５１及びカソード電極１５２が空気中の水分の影響を受けることがなくなるため、発光装置１の信頼性がさらに向上する。また、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、不活性ガスにより封止されてもよい。この場合、発光素子配置工程において、基板１１を真空チャンバー内に配置し、窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスを封入してから発光素子１５を配置する。このようにしても、アノード電極１５１及びカソード電極１５２が空気中の水分の影響を受けることがなくなるため、発光装置１の信頼性がさらに向上する。

以上説明したように、発光装置１は、基板１１と、一対の基板電極１２の全周を囲むように配置される基板配線１３と、アノード電極１５１、カソード電極１５２及び素子配線１５３が下面に配置される発光素子１５とを有する。また、アノード電極１５１及びカソード電極１５２は、基板配線１３と素子配線１５３とが接合されることにより気密封止される。これにより、発光装置１は、紫外光の取出し効率を低下させることなく信頼性を向上させることを可能とする。

また、発光装置１は、基板１１の下面に配置され、貫通孔１１１を介して一対の基板電極１２と電気的に接続される一対の下面電極１４を有する。これにより、発光装置１の他の基板への表面実装が可能となる。

また、発光装置１において、基板配線１３の外周は、素子配線１５３の外周よりも外側に位置する。これにより、発光素子１５から下方に出射された紫外光が基板配線１３の上面で上方に反射されるため、発光装置１の紫外光の取出し効率が向上する。

図７は、他の実施形態に係る発光装置２の斜視図であり、図８は、図７のVIII－VIII断面における発光装置２の断面図である。発光装置２は、基板配線１３に代えて基板配線２３を有する点で発光装置１と相違する。基板配線２３以外の発光装置２の構成は、発光装置１の対応する構成と同様であるため、同一の符号を付して説明を省略する。

基板配線２３は、基板１１の上面に、一対の基板電極１２と離間して、かつ、一対の基板電極１２の全周を切れ目なく囲むように配置される導電性の金属である。基板配線２３には、素子配線１５３との接合部を囲むように溝部２３１が形成される。これにより、接合層１６を形成する接着材を溶融したときに、接着材は溝部２３１に流れ込むようになり、接着材が基板配線２３の上面にぬれ広がることが防止される。

基板配線２３は、溝部２３１によって、相互に離間する内側部分２３２と外側部分２３３とに分割される。内側部分２３２は、金を含む金属により形成される。例えば、内側部分２３２は、基板配線１３と同様に、基板１１の上面に近い方から順に銅層、ニッケル層、金層が積層されて形成される。内側部分２３２が金を含む金属により形成されることで、内側部分２３２と接合層１６との接合性が高められ、発光素子１５が適切に気密封止される。外側部分２３３は、反射率及び熱伝導性に優れた銀又はアルミニウムを含む金属により形成される。これにより、発光装置１の紫外光の取出し効率及び放熱性が向上する。

図９は、他の実施形態に係る発光装置３の、発光素子を取り除いた状態の斜視図である。発光装置３は、一対の基板電極１２及び発光素子１５に代えて、一対の基板電極３２及び発光素子３５を有する点で発光装置１と相違する。一対の基板電極３２及び発光素子３５以外の発光装置３の構成は、発光装置１の対応する構成と同様であるため、同一の符号を付して説明を省略する。

図１０は、発光素子を取り除いた状態の発光装置３の、一対の基板電極３２の近傍を拡大した一部拡大平面図である。

基板電極３２は、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２を有する。第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２は、その形状において第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２とそれぞれ相違する。すなわち、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２は、第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２と同様に、いずれも導電性である。また、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２は、第１基板電極１２１及び第２基板電極１２２と同様に、不図示の貫通孔１１１を介して第１下面電極１４１及び第２下面電極１４２と電気的に接続される。

第１基板電極３２１は、櫛状に形成され、相互に同一の方向に延伸する五つの歯部３２１ａと、五つの歯部３２１ａをそれぞれの一端で結合する結合部３２１ｂとを有する。五つの歯部３２１ａには、図１０において破線で図示されるアノード接合領域Ａ１がそれぞれ設けられる。

第２基板電極３２２は、櫛状に形成され、相互に同一の方向に延伸する六つの歯部３２２ａと、六つの歯部３２２ａをそれぞれの一端で結合する結合部３２２ｂとを有する。結合部３２２ｂには、図１０において破線で図示されるカソード接合領域Ｃ１が設けられる。

第２基板電極３２２のカソード接合領域Ｃ１の面積は、第１基板電極３２１の五つのアノード接合領域Ａ１の面積の合計値よりも小さい。また、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２は、第１基板電極３２１の五つの歯部３２１ａが、第２基板電極３２２において隣接する二つの歯部３２２ａの間隙にそれぞれ挿入されるように配置される。

図１１は、発光装置３が有する発光素子３５の底面斜視図である。発光素子３５は、発光素子１５と同様に、紫外光を出射するＬＥＤである。発光素子３５の下面には、一対の素子電極であるアノード電極３５１及びカソード電極３５２、並びに、アノード電極３５１及びカソード電極３５２の全周を切れ目なく囲む素子配線３５３が配置される。アノード電極３５１及びカソード電極３５２は、その形状においてアノード電極１５１及びカソード電極１５２と相違する。

アノード電極３５１は、櫛状に形成され、相互に同一の方向に延伸する五つの歯部３５１ａと、五つの歯部３５１ａをそれぞれの一端で結合する結合部３５１ｂとを有する。歯部３５１ａの上面には、図１１において破線で図示されるアノード接合領域Ａ２がそれぞれ設けられる。アノード電極３５１は、上面が発光素子３５の下面に対して高さＨａに位置するように形成される。

カソード電極３５２は、櫛状に形成され、相互に同一の方向に延伸する六つの歯部３５２ａと、六つの歯部３５２ａをそれぞれの一端で結合する結合部３５２ｂとを有する。結合部３５２ｂの上面には、図１１において破線で図示されるカソード接合領域Ｃ２が設けられる。カソード電極３５２は、上面が発光素子３５の下面に対して、高さＨａよりも低い高さＨｃに位置するように形成される。すなわち、カソード接合領域Ｃ２の高さは、アノード接合領域Ａ２の高さよりも低い。

アノード電極３５１及びカソード電極３５２は、アノード電極３５１の五つの歯部３５１ａが、カソード電極３５２の隣接する二つの歯部３５２ａの間隙にそれぞれ挿入されるように配置される。

図１２、図１３は、それぞれ図１０のXII－XII断面、XIII－XIII断面における発光装置３の断面図である。図１２、図１３においては、図９及び図１０に図示されていなかった発光素子３５及び接合層１６が図示されている。また、図１２、図１３においては、発光素子３５の近傍のみが拡大して図示されている。

図１２に示すように、第１基板電極３２１の五つのアノード接合領域Ａ１は、接合層１６を介して発光素子３５のアノード電極３５１の五つのアノード接合領域Ａ２にそれぞれ接合される。また、図１３に示すように、第２基板電極３２２のカソード接合領域Ｃ１は、接合層１６を介して発光素子３５のカソード電極３５２のカソード接合領域Ｃ２に接合される。

図１２及び図１３に示すように、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２の側面の上部には、側面に対して突出する庇部Ｈが全周にわたって形成される。庇部Ｈは、第１基板電極３１１及び第２基板電極３２２を構成する金属層のうち銅層を除くニッケル層及び金層を積層して形成される。ニッケル層及び金層の間に、パラジム層がさらに積層されてもよい。

このように、発光装置３において、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２の側面の上部には、庇部Ｈがそれぞれ形成される。これにより、溶融された接着材は庇部Ｈの先端で表面張力により保持されるため、接着材が側面を介して基板１１に濡れ広がることが防止される。したがって、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２の上面に十分な量の接着材が残りやすくなり、第１基板電極３２１とアノード電極３５１との間、及び、第２基板電極３２２とカソード電極３５２との間の接続不良が発生するおそれが低減される。

図１４は、比較例及び実施形態の、基板電極と接合層との接続部の拡大写真である。図１４（Ａ）は、基板電極が平板状である比較例の写真であり、図１４（Ｂ）は、実施形態の写真である。

図１４（Ａ）に示すように、比較例では、白色で示される、接合層１６を形成する半田Ａが基板電極Ｂの上面で濡れ広がっている。その結果、基板電極Ｂと発光素子Ｃとの間に十分な半田が存在しないため、半田Ａに亀裂が生じて接続不良が発生している。これに対し、図１４（Ｂ）に示すように、実施形態に係る発光装置３では、半田Ａが庇部の先端で保持されている。

また、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２は、庇部Ｈを有しなくてもよい。第１基板電極３２１は櫛状の平面形状を有するから、アノード接合領域Ａ１と第１基板電極３２１の上面の外周部とが近接している。同様に、第２基板電極３２２は櫛状の平面形状を有するから、カソード接合領域Ｃ１と第２基板電極３２２の上面の外周部とが近接している。これにより、接着剤は上面の外周部で表面張力により一定程度保持されるため、接続不良が発生するおそれが低減される。

図１４（Ｃ）は、庇部の側面に対する突出量を小さくした場合の写真である。図１４（Ｃ）に示すように、庇部の突出量が小さい場合も、半田Ａが庇部の先端で保持されている。また、庇部を有しない場合も、基板電極の上面と側面との間が屈曲していれば、半田が上面の外周部で表面張力により一定程度保持される。

上述した説明では、第１基板電極３２１及び第２基板電極３２２の側面には、全周にわたって庇部が形成されるものとしたが、このような例に限られない。庇部は、第１基板電極３２１のアノード接合領域Ａ１を囲む側面、又は、第２基板電極３２２のカソード接合領域Ｃ１を囲む側面のみに形成されてもよい。例えば、第１基板電極３２１においては、庇部は、歯部３２１ａの側面にのみ形成され、結合部３２１ｂの側面には形成されなくてもよい。また、第２基板電極３２２においては、庇部は、結合部３２２ｂの側面にのみ形成され、歯部３２２ａの側面には形成されなくてもよい。また、庇部は、第１基板電極３２１と第２基板電極３２２とのいずれか一方にのみ形成されてもよい。

図１５は、他の実施形態に係る発光装置４の、発光素子を取り除いた状態の斜視図である。発光装置４は、第１基板電極３２１に代えて第１基板電極４２１を有する点で発光装置３と相違する。第１基板電極４２１以外の発光装置４の構成は、発光装置３の対応する構成と同様であるため、同一の符号を付して説明を省略する。

第１基板電極４２１は、第１基板電極３２１と同様に、櫛状に形成され、相互に同一の方向に延伸する五つの歯部４２１ａと、五つの歯部４２１ａをそれぞれの一端で結合する結合部４２１ｂとを有する。五つの歯部４２１ａには、アノード接合領域がそれぞれ設けられる。また、結合部４２１ｂの、五つの歯部４２１ａとの接合部には、凹部４２１ｃがそれぞれ形成される。凹部４２１ｃの側面の上部には、側面に対して突出した庇部が形成される。

このように、第１基板電極４２１において、側面に庇部が形成された凹部４２１ｃが形成されることにより、接着材が歯部４２１ａの、結合部４２１ｂと接合された一端の方向に濡れ広がることが防止される。したがって、第１基板電極４２１と発光素子３５との接続不良のおそれがさらに低減される。

当業者は、本発明の精神および範囲から外れることなく、様々な変更、置換及び修正をこれに加えることが可能であることを理解されたい。例えば、上述した実施形態及び変形例は、本発明の範囲において、適宜に組み合わせて実施されてもよい。

１ 発光装置
１１ 基板
１２ 基板電極
１３ 基板配線
１４ 下面電極
１５ 発光素子
１５１ アノード電極
１５２ カソード電極
１５３ 素子配線
１６ 接合層

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の上面に配置される一対の基板電極と、
   前記基板の上面に、前記一対の基板電極の全周を囲むように配置される基板配線と、
   一対の素子電極と前記一対の素子電極の全周を囲む素子配線とが下面に配置され、前記素子電極を介して前記一対の基板電極から電流が供給されることにより紫外光を出射する発光素子と、を有し、
   前記一対の素子電極は、前記基板配線と前記素子配線とが接合されることにより気密封止される、
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記基板には、上下を貫通する貫通孔が形成され、
   前記基板の下面に配置され、前記貫通孔を介して前記一対の基板電極と電気的に接続される一対の下面電極をさらに有する、
   請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板配線の外周は、前記素子配線の外周よりも外側に位置する、
   請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記基板配線には、前記素子配線との接合部を囲むように溝部が形成される、
   請求項１－３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記基板配線の、前記溝部の内側部分は金を含む金属により形成され、前記溝部の外側部分は銀又はアルミニウムを含む金属により形成される、
   請求項４に記載の発光装置。

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