JP2023020269A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと適切に加圧できる基板処理方法および基板処理装置を提供する【解決手段】本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。基板処理方法は、第１減圧工程と第１加圧工程と第１常圧工程を備える。第１減圧工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあり、第１ガスＧ１がチャンバ３内の基板Ｗに供給される。第１ガスＧ１は、有機溶剤を含む。第１加圧工程は、第１減圧工程の後に実行される。第１加圧工程では、混合ガスＫがチャンバ３内の基板Ｗに供給され、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。混合ガスＫは有機溶剤と不活性ガスを含む。第１常圧工程は、第１加圧工程の後に実行される。第１常圧工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれ、排液処理および基板処理の少なくともいずれかが行われる。【選択図】図３

Description

本発明は、板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、チャンバ内に収容される基板を処理する基板処理方法を開示する。基板処理方法は、第１工程と第２工程と乾燥工程を備える。第１工程では、チャンバの内部が減圧された状態（decompressed state）において、疎水化剤の蒸気が基板に供給される。第２工程では、チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の蒸気が基板に供給される。乾燥工程では、チャンバの内部が減圧された状態において、不活性ガスが基板に供給される。

ここで、第１工程および第２工程では、基板は乾燥されない。乾燥工程では、基板は乾燥される。

基板処理方法では、チャンバの内部を減圧された状態にするため、排気ポンプが使用される。排気ポンプは、チャンバ内の気体を、チャンバ外へ排出する。排気ポンプは、第１工程と第２工程と乾燥工程において作動する。

乾燥工程の後、チャンバ３内は減圧された状態から常圧状態（atmospheric pressure state）へと加圧される。チャンバ３内を減圧された状態から常圧状態へと加圧するために、以下の動作Ａ、Ｂが実行される。動作Ａ：排気ポンプの作動を停止すること。動作Ｂ：不活性ガスをチャンバ内に供給すること。

特開２０１８－５６１５５公報

特許文献１は、第１工程の後で乾燥工程の前に、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧することを、開示していない。特許文献１は、基板に対する処理が始まった後で基板が乾燥される前に、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧することを、開示していない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと適切に加圧できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明者等は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。例えば、第１工程の後で第２工程の前において排液処理を行うために、第１工程の後で第２工程の前においてチャンバの内部が常圧状態であることが好ましいことがある。例えば、第２工程における基板処理の品質を向上させるために、第２工程ではチャンバの内部が常圧状態であることが好ましいことがある。そこで、本発明者等は、第１工程の後で第２工程の前において、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧することを検討した。例えば、本発明者等は、第１工程の後で第２工程の前に、追加工程を実行することを検討した。追加工程は、上述の動作Ａ、Ｂを含む。

しかしながら、追加工程が新たな問題を有することを、本発明者等は知見した。新たな問題は、追加工程において、基板が、不活性ガスに晒されて、乾燥されることである。追加工程は、第１工程の後で、第２工程の前に、実行される。第１工程の後で第２工程の前に基板が乾燥された場合、第２工程では基板は適切に処理されないおそれがある。第２工程における基板処理の品質を維持することが困難になるおそれがある。第２工程における基板処理の品質が低下するおそれがある。

本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、１つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理する基板処理方法であって、前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１減圧工程と、前記第１減圧工程の後、有機溶剤と不活性ガスを含む混合ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給し、かつ、前記チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧する第１加圧工程と、前記第１加圧工程の後、前記チャンバの内部を常圧状態に保ち、かつ、排液処理および基板処理の少なくともいずれかを行う第１常圧工程と、を備える、基板処理方法である。

基板処理方法は、１つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理することである。基板処理方法は、第１減圧工程と第１加圧工程と第１常圧工程を備える。第１減圧工程と第１加圧工程と第１常圧工程は、この順で実行される。

第１減圧工程では、チャンバの内部が減圧された状態にある。第１減圧工程では、第１ガスがチャンバ内の基板に供給される。第１ガスは、有機溶剤を含む。第１ガスの有機溶剤は、基板に付着し、基板を濡らす。このため、第１減圧工程では、基板は乾燥されない。

第１加圧工程では、チャンバの内部は減圧された状態から常圧状態へと加圧される。第１加圧工程では、混合ガスがチャンバ内の基板に供給される。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスを含む。混合ガスの不活性ガスは、チャンバの内部を、減圧された状態から常圧状態へと速やかに加圧する。混合ガスの有機溶剤は、基板に付着して、基板を濡らす。このため、第１加圧工程では、基板を乾燥させずに、チャンバの内部は速やかに常圧状態になる。よって、第１減圧工程の後で第１常圧工程の前に、基板は乾燥されない。

第１常圧工程では、チャンバの内部は常圧状態に保たれる。第１常圧工程では、排液処理および基板処理の少なくともいずれかが行われる。第１常圧工程で排液処理が行われる場合、第１常圧工程の排液処理を行うことは容易である。チャンバの内部が常圧状態に保たれるからである。より詳しくは、チャンバの内部が常圧状態にあるとき、チャンバ内における気体の圧力はチャンバ外の気体の圧力に近いからである。第１常圧工程で基板処理が行われる場合、第１常圧工程の基板処理は適切な品質で行われる。第１減圧工程の後で第１常圧工程の前に基板が乾燥されないからである。

以上の通り、基板処理方法は、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと適切に加圧できる。具体的には、基板処理方法は、基板を乾燥させずに、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと速やかに加圧できる。したがって、チャンバの内部が常圧状態になった後、第１常圧工程は好適に実行される。

上述の基板処理方法において、前記混合ガスは、前記有機溶剤の気体および前記有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含むことが好ましい。混合ガスが有機溶剤の気体を含む場合、混合ガスにおける有機溶剤の気体は、基板の表面において結露し、基板の表面において有機溶剤の液体に変わる。混合ガスが有機溶剤の液体を含む場合、混合ガスにおける有機溶剤の液体は、基板の表面に付着する。混合ガスが有機溶剤の気体を含む場合であっても、混合ガスが有機溶剤の液体を含む場合であっても、混合ガス由来の有機溶剤は基板を好適に濡らす。よって、基板が乾燥されることを混合ガスは好適に防止する。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程では、前記混合ガスが生成され、かつ、生成された前記混合ガスが第１吐出部によって前記チャンバ内に供給されることが好ましい。第１加圧工程では、チャンバ内に供給される不活性ガスは、有機溶剤を伴う。第１加圧工程では、チャンバ内に供給される不活性ガスは、有機溶剤から分離されていない。このため、第１加圧工程では、基板の乾燥は、一層確実に防止される。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程では、さらに、前記チャンバ内において前記基板が上下動または揺動されることが好ましい。第１加圧工程では、混合ガス由来の有機溶剤は、基板の全体に、一層均一に付着する。

上述の基板処理方法において、前記第１減圧工程の前に、前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第１液に前記基板を浸漬する第１浸漬工程と、をさらに備え、前記第１常圧工程は、前記第１液を前記チャンバ外に排出する第１排液工程と、をさらに含むことが好ましい。第１常圧工程は、第１排液工程を含む。第１常圧工程では、チャンバの内部は常圧状態に保たれる。このため、第１排液工程でも、チャンバの内部は常圧状態に保たれる。したがって、第１排液工程では、チャンバ内の第１液をチャンバの外部に排出することは容易である。

なお、第１排液処理は、第１常圧工程の排液処理に相当する。よって、第１常圧工程の排液処理を行うことは容易である。

上述の基板処理方法において、前記第１排液工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管が前記チャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第１液が前記チャンバ外に排出されることが好ましい。第１排液工程では、排液管はチャンバ外の大気に開放される。上述の通り、第１排液工程では、チャンバの内部は常圧状態にある。よって、第１排液工程では、排液管を通じて、チャンバ内の第１液をチャンバ外に排出することは容易である。

ここで、チャンバ内の第１液は、例えば、処理槽に貯留される第１液を含む。排液管が処理槽に連通接続される場合、処理槽に貯留される第１液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。チャンバ内の第１液は、例えば、処理槽から放出され、チャンバに溜まった第１液を含む。排液管がチャンバに連通接続される場合、チャンバに溜まった第１液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。

上述の基板処理方法において、前記第１減圧工程では、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記基板が前記第１液から前記処理槽の上方に引き上げられることが好ましい。第１減圧工程において基板が処理槽内の第１液から引き上げられるときまで、処理槽は第１液を貯留する。ここで、第１減圧工程において基板が処理槽内の第１液から引き上げられるとき、チャンバの内部は既に減圧された状態にある。チャンバの内部が減圧された状態になるまで、処理槽は第１液を貯留する。チャンバの内部が減圧された状態にある限り、チャンバの内部からチャンバの外部に第１液を排出することは困難である。しかしながら、第１加圧工程が、第１減圧工程の後で第１排液工程の前に実行される。このため、第１排液工程を実行することは容易である。このように、チャンバの内部が減圧された状態になるまで処理槽が第１液を貯留する場合、第１加圧工程は著しく有用である。

上述の基板処理方法において、前記第１減圧工程の前に、前記第１液に前記基板を浸漬した状態で、前記チャンバ内に前記第１ガスの雰囲気を形成する第１雰囲気形成工程と、をさらに備えることが好ましい。第１減圧工程では、基板が処理槽内の第１液から引き上げられたときから、基板は第１ガスの雰囲気に晒される。よって、第１減圧工程における基板処理の品質は好適に向上される。

上述の基板処理方法において、前記第１常圧工程は、前記第１排液工程の後、前記処理槽に前記第２液を供給する供給工程と、をさらに含むことが好ましい。第１排液工程の後に供給工程は実行される。このため、チャンバ内の第１液がチャンバ外に排出された後に、第２液が処理槽に供給される。よって、供給工程において第２液を処理槽に供給することは、容易である。供給工程は第１常圧工程に含まれる。このため、供給工程ではチャンバの内部は常圧状態にある。よって、供給工程において第２液を処理槽に供給することは、一層容易である。その結果、供給工程において第２液を処理槽に貯留させることは、容易である。第１排液工程と供給工程の組み合わせによって、処理槽において第１液から第２液に置換することは、容易である。

上述の基板処理方法において、前記第１常圧工程は、前記処理槽に貯留される前記第２液に前記基板を浸漬する第２浸漬工程と、をさらに含むことが好ましい。上述の通り、第１減圧工程の後で第１常圧工程の前に、基板は乾燥されない。第１常圧工程は第２浸漬工程を含む。よって、第２浸漬工程では、基板は適切な品質で処理される。

なお、第２浸漬工程の処理は第１常圧工程の基板処理に相当する。よって、第１常圧工程の基板処理は適切な品質で行われる。その結果、第１常圧工程において、排液処理および基板処理は好適に行われる。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬させるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含むことが好ましい。第１加圧工程から基板が第２液に浸漬させるまで、チャンバ内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板を濡らす。よって、第１減圧工程の後で第２浸漬工程の前に、基板は乾燥されない。したがって、第２浸漬工程では、基板は適切な品質で処理される。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬されるまで、前記混合ガスは、さらに、前記チャンバ内の前記基板に供給されることが好ましい。このため、第１加圧工程から基板が処理槽内の第２液に浸漬させるまで、チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を好適に含む。

上述の基板処理方法において、第２浸漬工程では、さらに、前記第２液が前記チャンバ外に排出されることが好ましい。第２浸漬工程は、第１常圧工程に含まれる。このため、第２浸漬工程では、チャンバの内部は常圧状態にある。よって、第２浸漬工程では、チャンバ内の第２液をチャンバ外に排出することは容易である。

なお、第２浸漬工程において第２液をチャンバ外に排出することは、第１常圧工程の排液処理に相当する。よって、第１常圧工程の排液処理を行うことは容易である。

上述の基板処理方法において、前記第２浸漬工程では、前記第２液が前記処理槽からオーバーフローし、かつ、前記処理槽からオーバーフローした前記第２液が前記チャンバ外に排出されることが好ましい。第２浸漬工程において、処理槽の第２液を清浄に保つことは容易である。よって、第２浸漬工程における基板処理の品質は好適に向上する。

上述の基板処理方法において、前記第２浸漬工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管が前記チャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第２液が前記チャンバ外に排出されることが好ましい。第２浸漬工程では、排液管はチャンバ外の大気に開放される。上述の通り、第２浸漬工程では、チャンバの内部は常圧状態にある。よって、第２浸漬工程では、排液管を通じて、チャンバ内の第２液をチャンバ外に排出することは容易である。

ここで、チャンバ内の第２液は、例えば、処理槽に貯留される第２液を含む。排液管が処理槽に連通接続される場合、処理槽に貯留される第２液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。チャンバ内の第２液は、例えば、処理槽から放出され、チャンバに溜まった第２液を含む。排液管がチャンバに連通接続される場合、チャンバに溜まった第２液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。

上述の基板処理方法において、前記第１常圧工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第２液に前記基板を浸漬する第２減圧工程と、をさらに備えることが好ましい。上述の通り、第１加圧工程では基板は乾燥されない。さらに、第１常圧工程ではチャンバの内部が常圧状態に保たれる。このため、第１常圧工程では基板は乾燥され難い。第１常圧工程の後に、第２減圧工程は実行される。よって、第１減圧工程の後で第２減圧工程の前に、基板は乾燥され難い。したがって、第２減圧工程では、基板を適切な品質で処理することは容易である。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬されるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含むことが好ましい。第１加圧工程から基板が第２液に浸漬させるまで、チャンバ内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板を濡らす。よって、第１減圧工程の後で第２減圧工程の前に、基板は乾燥されない。したがって、第２減圧工程では、基板は適切な品質で処理される。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬させるまで、前記混合ガスは、さらに、前記チャンバ内の前記基板に供給されることが好ましい。このため、第１加圧工程から基板が処理槽内の第２液に浸漬させるまで、チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を好適に含む。

本発明は、基板処理装置において、複数の基板を収容するチャンバと、前記チャンバの内部を減圧する減圧ユニットと、有機溶剤を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１供給ユニットと、有機溶剤と不活性ガスを含む混合ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第２供給ユニットと、前記減圧ユニットと前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットを制御して、第１減圧処理と第１加圧処理を実行させる制御部と、を備え、前記第１減圧処理では、前記減圧ユニットが前記チャンバの内部を減圧し、かつ、前記第１供給ユニットが前記第１ガスを前記基板に供給し、前記第１加圧処理では、前記減圧ユニットが前記チャンバの内部を減圧せずに、かつ、前記第２供給ユニットが前記混合ガスを前記基板に供給する、基板処理装置である。

制御部は、第１減圧処理と第１加圧処理を実行させるように、構成される。第１減圧処理では、減圧ユニットはチャンバの内部を減圧する。このため、第１減圧処理では、チャンバの内部は減圧された状態になる。第１減圧処理では、第１供給ユニットは第１ガスをチャンバ内の基板に供給する。第１ガスは、有機溶剤を含む。第１ガスの有機溶剤は、基板に付着し、基板を濡らす。このため、第１減圧工程では、基板は乾燥されない。第１加圧処理では、減圧ユニットはチャンバの内部を減圧しない。第１加圧処理では、第２供給ユニットは混合ガスを基板に供給する。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスを含む。混合ガスの不活性ガスは、チャンバ内における気体の圧力を速やかに上昇させる。混合ガスの有機溶剤は、基板に付着して、基板を濡らす。このため、第１加圧処理では、基板を乾燥させずに、チャンバの内部は減圧された状態から常圧状態へと速やかに加圧される。

以上の通り、基板処理装置は、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと適切に加圧できる。具体的には、基板処理装置は、基板を乾燥させずに、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと速やかに加圧できる。したがって、第１加圧処理の後に基板に追加処理が行われる場合であっても、追加処理を適切な品質で行うことは容易である。

本発明の基板処理方法および基板処理装置によれば、チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと適切に加圧できる。

第１実施形態の基板処理装置の内部を示す正面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 第２実施形態の基板処理装置の内部を示す正面図である。 第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図７（ａ）－７（ｄ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 第３実施形態の基板処理装置の内部を示す正面図である。 第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図１１（ａ）－１１（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図１２（ａ）－１２（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図１３（ａ）－１３（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図１４（ａ）－１４（ｂ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理方法および基板処理装置を説明する。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置１の内部を示す正面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１が行う処理は、乾燥処理を含む。基板処理装置１が行う処理は、さらに、洗浄処理を含んでもよい。基板処理装置１は、バッチ式に分類される。基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを一度に処理する。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、正面視で略円形状を有する。

基板Ｗは、表面を有する。基板Ｗの表面は、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜および金属膜の少なくともいずれかを含む。

図示を省略するが、基板Ｗはパターンを有する。パターンは、基板Ｗの表面に形成される。パターンは、凹凸形状を有する。パターンが形成される基板Ｗの表面を、パターン形成面と呼ぶ。

基板処理装置１は、チャンバ３を備える。チャンバ３は、複数の基板Ｗを収容する。チャンバ３は、複数の基板Ｗを一度に収容する。基板Ｗはチャンバ３の内部に配置される。具体的には、チャンバ３は、空間５を区画する容器である。空間５は、チャンバ３の内部に相当する。基板Ｗは、空間５に配置される。

チャンバ３は、開閉可能に構成される。チャンバ３が開くとき、空間５は開放される。チャンバ３が開くとき、空間５とチャンバ３の外部の間で基板Ｗが移動することを、チャンバ３は許容する。チャンバ３が閉じるとき、空間５は密閉される。すなわち、チャンバ３は密閉可能に構成される。

基板処理装置１は、処理槽１１を備える。処理槽１１は、チャンバ３内に設置される。処理槽１１は、処理液を貯留する。処理槽１１は、上方に開放される。

具体的には、処理槽１１は、開口１２ａと排出口１２ｂを有する。開口１２ａは処理槽１１の上部に配置される。排出口１２ｂは処理槽１１の底部に配置される。

基板処理装置１は、保持部１３を備える。保持部１３は、チャンバ３内に設置される。保持部１３は、複数の基板Ｗを一度に保持する。保持部１３は、各基板Ｗを略垂直姿勢で保持する。保持部１３が基板Ｗを保持するとき、基板Ｗのパターン形成面は略鉛直である。保持部１３が複数の基板Ｗを保持するとき、複数の基板Ｗは方向Ｘに１列に並ぶ。方向Ｘは、水平である。方向Ｘは、基板Ｗのパターン形成面に対して略垂直である。

図１は、方向Ｘに加えて、方向Ｙと方向Ｚを示す。方向Ｙは、水平である。方向Ｙは、方向Ｘに垂直である。方向Ｚは、鉛直である。方向Ｚは、方向Ｘに垂直である。方向Ｚは、方向Ｙに垂直である。方向Ｚを適宜に鉛直方向Ｚと呼ぶ。

基板処理装置１は、昇降機構１５を備える。昇降機構１５は、保持部１３を昇降させる。昇降機構１５は、例えば鉛直方向Ｚに、保持部１３を移動させる。昇降機構１５が保持部１３を昇降させるとき、保持部１３に保持される基板Ｗは保持部１３と一体に昇降する。

昇降機構１５は、基板Ｗを、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗが第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の間を移動するとき、基板Ｗは開口１２ａを通過する。図１は、第１位置Ｐ１にある基板Ｗを実線で示す。図１は、第２位置Ｐ２にある基板Ｗを破線で示す。第１位置Ｐ１は、チャンバ３内に位置する。第１位置Ｐ１は、処理槽１１の上方に位置する。基板Ｗが第１位置Ｐ１に位置するとき、基板Ｗの全体は、処理槽１１内の処理液と接しない。第２位置Ｐ２は、チャンバ３内に位置する。第２位置Ｐ２は、第１位置Ｐ１の下方に位置する。第２位置Ｐ２は、処理槽１１内に位置する。基板Ｗが第２位置Ｐ２に位置するとき、基板Ｗの全体は、処理槽１１内の処理液中に浸漬される。

基板処理装置１は、供給ユニット２１、３１、４１、６１を備える。供給ユニット２１は、不活性ガスをチャンバ３に供給する。供給ユニット３１は、処理ガスをチャンバ３に供給する。供給ユニット４１は、混合ガスをチャンバ３に供給する。供給ユニット６１は、第１液および第２液を処理槽１１に供給する。

基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット２１は不活性ガスを基板Ｗに供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット３１は処理ガスを基板Ｗに供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット４１は混合ガスを基板Ｗに供給する。

供給ユニット３１は、本発明における第１供給ユニットの例である。供給ユニット４１は、本発明における第２供給ユニットの例である。

供給ユニット２１が供給する不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

供給ユニット３１が供給する処理ガスについて説明する。処理ガスは、有機溶剤を含む。処理ガスは、有機溶剤の気体を含む。例えば、有機溶剤の気体は、有機溶剤の蒸気である。例えば、処理ガスにおける有機溶剤の濃度は、高い。例えば、処理ガスは、実質的に、有機溶剤の気体のみからなる。例えば、処理ガスは、実質的に、水（水蒸気）を含まない。処理ガスの有機溶剤は、親水性を有することが好ましい。例えば、処理ガスの有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

供給ユニット４１が供給する混合ガスについて説明する。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスとを含む。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスの混合物である。混合ガスの有機溶剤は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。混合ガスの不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

第１実施形態では、混合ガスは、有機溶剤の液体を含む。すなわち、混合ガスの有機溶剤は、液相である。混合ガスにおける有機溶剤は、例えば、有機溶剤の液滴または有機溶剤のミストの少なくともいずれかである。

供給ユニット６１が供給する第１液について説明する。例えば、第１液は、リンス液である。例えば、第１液は、純水（ＤＩＷ）である。

供給ユニット６１が供給する第２液について説明する。第２液は、希釈された有機溶剤である。第２液は、例えば、純水によって希釈された有機溶剤である。第２液は、例えば、純水と有機溶剤の混合液である。第２液の有機溶剤は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

供給ユニット２１の構造を例示する。供給ユニット２１は、吐出部２２を有する。吐出部２２は、チャンバ３内に設置される。吐出部２２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部２２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部２２は、不活性ガスをチャンバ３内に吐出する。吐出部２２は、管状部材を含む。管状部材は、方向Ｘに延びる。管状部材は、複数の吐出口（不図示）を有する。複数の吐出口は、方向Ｘに並ぶ。吐出部２２は、複数の吐出口から不活性ガスを吹き出す。

供給ユニット２１は、配管２３と弁２４を備える。配管２３は、吐出部２２に接続される。配管２３は、さらに、供給源２５に接続される。供給源２５は、不活性ガスを貯留する。弁２４は配管２３に設けられる。弁２４が開くとき、不活性ガスは配管２３を通じて供給源２５から吐出部２２に流れる。弁２４が開くとき、吐出部２２は不活性ガスを吐出する。弁２４が閉じるとき、不活性ガスは配管２３を通じて供給源２５から吐出部２２に流れない。弁２４が閉じるとき、吐出部２２は不活性ガスを吐出しない。

供給ユニット３１の構造を例示する。供給ユニット３１は、吐出部３２を有する。吐出部３２は、チャンバ３内に設置される。吐出部３２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部３２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部３２は、処理ガスをチャンバ３内に吐出する。吐出部３２は、例えば、吐出部２２の構造と類似する構造を有する。

供給ユニット３１は、配管３３と弁３４を備える。配管３３は、吐出部３２に接続される。配管３３は、さらに、供給源３５に接続される。供給源３５は処理ガスを貯留する。弁３４は配管３３に設けられる。弁３４は、吐出部３２による処理ガスの吐出を制御する。

供給源３５は、さらに、処理ガスを生成してもよい。図示を省略するが、供給源３５は、例えば、タンクとヒータを備える。タンクは、配管３３に連通接続される。タンクは、有機溶剤の液体を貯留する。ヒータは、タンク内の有機溶剤の液体を暖める。タンク内において、有機溶剤の液体は、気化して、有機溶剤の蒸気になる。すなわち、タンク内において、処理ガスが生成される。

供給ユニット４１の構造を例示する。供給ユニット４１は、吐出部４２を有する。吐出部４２は、チャンバ３内に設置される。吐出部４２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部４２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部４２は、混合ガスをチャンバ３内に吐出する。吐出部４２は、複数（例えば２０個）の二流体ノズルを含む。複数の二流体ノズルは、方向Ｘに２列に並ぶ。各二流体ノズルは、有機溶剤の液体と不活性ガスを混合して混合ガスを生成する。例えば、各二流体ノズルは、有機溶剤の液滴および有機溶剤のミストの少なくともいずれかを生成する。各二流体ノズルは、１つの吐出口（不図示）を有する。各二流体ノズルは、吐出口から混合ガスを吐出する。各二流体ノズルは、吐出口から有機溶剤と不活性ガスの両方を吹き出す。各二流体ノズルは、有機溶剤の液滴および有機溶剤のミストの少なくともいずれかを、不活性ガスとともに、噴射する。

吐出部４２は、本発明における第１吐出部の例である。

供給ユニット４１は、配管４３、４７と弁４４、４８を備える。配管４３、４７はそれぞれ、吐出部４２に接続される。配管４３は、さらに、供給源４５に接続される。供給源４５は有機溶剤の液体を貯留する。弁４４は配管４３に設けられる。弁４４は、吐出部４２に対する有機溶剤の供給を制御する。配管４７は、さらに、供給源４９に接続される。供給源４９は不活性ガスを貯留する。弁４８は配管４７に設けられる。弁４８は、吐出部４２に対する不活性ガスの供給を制御する。弁４４、４８が同時に開くとき、吐出部４２は混合ガスを吐出する。

供給ユニット６１の構造を例示する。供給ユニット６１は、吐出部６２を有する。吐出部６２は、チャンバ３内に設置される。吐出部６２は、処理槽１１内に設置される。吐出部６２は、第１液および第２液を処理槽１１に吐出する。

供給ユニット６１は、配管６３と弁６４を備える。配管６３は、吐出部６２に接続される。配管６３は、さらに、供給源６５に接続される。供給源６５は第１液を貯留する。弁６４は配管６３に設けられる。弁６４は、吐出部６２による第１液の吐出を制御する。同様に、供給ユニット６１は、配管６７と弁６８を備える。配管６７は、吐出部６２に接続される。配管６７は、さらに、供給源６９に接続される。供給源６９は第２液を貯留する。弁６８は配管６７に設けられる。弁６８は、吐出部６２による第２液の吐出を制御する。

基板処理装置１は、減圧ユニット８１を備える。減圧ユニット８１は、チャンバ３の内部を減圧する。具体的には、減圧ユニット８１は、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出する。ここで、減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧するとき、チャンバ３内における気体の圧力は、減少し続けてもよいし、減少し続けなくてもよい。減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧するとき、チャンバ３内における気体の圧力は、例えば、所定の負圧の範囲内に維持されてもよい。

減圧ユニット８１の構造を例示する。減圧ユニット８１は、配管８２と排気ポンプ８３を含む。配管８２および排気ポンプ８３はチャンバ３の外部に設けられる。配管８２はチャンバ３に連通接続される。排気ポンプ８３は配管８２に設けられる。排気ポンプ８３は、例えば、真空ポンプである。減圧ユニット８１が作動するとき、排気ポンプ８３は、配管８２を介して、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出する。減圧ユニット８１が作動を停止するとき、排気ポンプ８３は、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出しない。

基板処理装置１は、圧力センサ８９を有する。圧力センサ８９は、チャンバ３内に設置される。圧力センサ８９は、チャンバ３内における気体の圧力を検出する。

基板処理装置１は、排液ユニット９５を備える。排液ユニット９５は、チャンバ３内の処理液を、チャンバ３の外部に排出する。第１実施形態では、排液ユニット９５は、処理槽１１内の処理液を、チャンバ３の外部に排出する。排液ユニット９５は、配管９６とドレイン弁９７を備える。配管９６は、処理槽１１に連通接続される。配管９６は、第１端と第２端を有する。配管９６の第１端は、チャンバ３内に位置する。配管９６の第１端は、処理槽１１に連通接続される。配管９６の第１端は、排出口１２ｂに接続される。配管９６は、処理槽１１から下方に延びる。配管９６は、チャンバ３を貫通し、チャンバ３の内部からチャンバ３の外部に延びる。配管９６の第２端は、チャンバ３外に位置する。配管９６の第２端は、チャンバ３外の大気に開放される。ドレイン弁９７は、配管９６に設けられている。ドレイン弁９７は、配管９６を開閉する。ドレイン弁９７が開くとき、配管９６はチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、処理槽１１の内部は、配管９６を通じてチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、処理槽１１内の処理液が配管９６を通じてチャンバ３の外部に流出することを、排液ユニット９５は許容する。ドレイン弁９７が閉じるとき、処理槽１１が処理液を貯留することを、排液ユニット９５は許容する。

配管９６は、本発明における排液管の例である。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０１を備える。制御部１０１は、基板処理装置１の各要素を制御する。具体的には、制御部１０１は、昇降機構１５を制御する。制御部１０１は、供給ユニット２１、３１、４１、６１を制御する。制御部１０１は、弁２４、３４、４４、４８、６４、６８を制御する。制御部１０１は、減圧ユニット８１を制御する。制御部１０１は、排気ポンプ８３を制御する。制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果を取得する。制御部１０１は、排液ユニット９５を制御する。制御部１０１は、ドレイン弁９７を制御する。

制御部１０１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０１は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０１が有する情報は、例えば、基板処理装置１を制御するための処理情報である。処理情報は、処理レシピとも呼ばれる。

処理情報は、基準値を含む。基準値は、チャンバ３内における気体の圧力に関する。基準値は、基板処理方法の実行前に、予め設定されている。

＜１－２．基板処理装置の動作例＞
基板処理装置１とは異なる装置（不図示）においてウェットエッチング処理を基板Ｗに行う。ウェットエッチング処理は、例えば、基板Ｗにエッチング液を供給する処理である。その後、基板Ｗは基板処理装置１に搬送される。チャンバ３は開く。複数の基板Ｗがチャンバ３内に入る。保持部１３は、複数の基板Ｗを受ける。チャンバ３が基板Ｗを収容した状態で、チャンバ３は閉じる。

チャンバ３が閉じた状態で、基板処理装置１は基板Ｗに基板処理方法を実行する。基板処理方法は、チャンバ３内に収容される複数の基板Ｗは一度に処理することである。具体的な基板処理方法を以下に例示する。

図３は、第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、第１浸漬工程と第１減圧工程と第１加圧工程と判定工程と第１排液工程と第２減圧工程と乾燥工程を備える。第１浸漬工程と第１減圧工程と第１加圧工程と判定工程と第１排液工程と第２減圧工程と乾燥工程は、この順番で実行される。

図４（ａ）は、第１浸漬工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｂ）は、第１減圧工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｃ）は、第１加圧工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｄ）は、第１排液工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｅ）は、第２減圧工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、基板処理装置１を簡素に示す。例えば、図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、保持部１３および昇降機構１５の図示を省略する。以下の説明において、基板処理装置１の各要素は、制御部１０１の制御に従って、動作するものとする。

ステップＳ１：第１浸漬工程
図４（ａ）を参照する。処理槽１１は、供給ユニット６１から供給された第１液Ｌ１を貯留する。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第１液Ｌ１に浸漬される。

ステップＳ２：第１減圧工程（第１減圧処理）
図４（ｂ）を参照する。供給ユニット４１は処理ガスをチャンバ３内に供給する。本明細書では、第１減圧工程においてチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第１ガスＧ１」と呼ぶ。減圧ユニット８１は作動する。すなわち、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧する。図４（ｂ）中の「ＶＡＣ」は、減圧ユニット８１が作動中であることを示す。チャンバ３の内部は、減圧された状態（decompressed state）Ｄになる。チャンバの内部が減圧された状態Ｄであるとき、チャンバ内の気体の圧力は負圧である。第１ガスＧ１の雰囲気がチャンバ３内に形成される。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。基板Ｗは、処理槽１１内の第１液Ｌ１から引き上げられる。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにおいて、供給ユニット４１は第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。

基板Ｗは、第１ガスＧ１に晒される。第１ガスＧ１に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において結露する。すなわち、第１ガスＧ１に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。第１ガスＧ１由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗ上に付着し、基板Ｗを濡らす。このため、基板Ｗは乾燥されない。第１ガスＧ１由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第１液Ｌ１を除去する。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、基板Ｗ上において第１液Ｌ１から第１ガスＧ１由来の有機溶剤に速やかに置換される。第１ガスＧ１由来の有機溶剤は、基板Ｗの表面を覆う。

ステップＳ３：第１加圧工程（第１加圧処理）
図４（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動を停止する。すなわち、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧しない。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。具体的には、供給ユニット４１は、混合ガスＫを生成し、かつ、生成された混合ガスＫを吐出部４２によってチャンバ３内に供給する。これにより、チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。具体的には、混合ガスＫの不活性ガスは、チャンバ３の内部を、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧する。言い換えれば、混合ガスＫの不活性ガスは、チャンバ３内における気体の圧力を速やかに上昇させる。不活性ガスは凝縮し難いからである。

チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。基板Ｗは混合ガスＫの有機溶剤を受ける。具体的には、混合ガスＫに含まれる有機溶剤の液体は、基板Ｗに付着して、基板Ｗを濡らす。混合ガスＫにおける有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。このため、基板Ｗは乾燥されない。基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部は常圧状態（atmospheric pressure state）Ｊになる。

常圧状態Ｊについて説明する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊであるとは、チャンバ３内における気体の圧力が常圧であることを意味する。常圧は、特定の１つの値ではなく、２つの異なる値で規定される範囲である。常圧は、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあるときのチャンバ３内における気体の圧力よりも高い。常圧は、チャンバ３の外部における気体の圧力に近い。例えば、常圧は、チャンバ３の外部における気体の圧力と実質的に等しい。例えば、常圧は、標準大気圧（１気圧、１０１３２５Ｐａ）を含む。

第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、混合ガスＫを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

ステップＳ４：判定工程
制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったか否かを判定する。例えば、制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づいて、チャンバ３内における気体の圧力の計測値を取得する。制御部１０１は、計測値と基準値と比較する。計測値が基準値未満であるとき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１は判定しない。計測値が基準値以上であるとき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１は判定する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定しない場合、ステップＳ３に戻り、第１加圧工程を継続する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定した場合、第１加圧工程を終了し、ステップＳ５に進む。

ステップＳ５：第１排液工程 ＜第１常圧工程＞
図４（ｄ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。排液ユニット９５は、チャンバ３内の第１液Ｌ１をチャンバ３外に排出する。具体的には、ドレイン弁９７は、配管９６をチャンバ３外の大気に開放する。処理槽１１に貯留される第１液Ｌ１は、配管９６を通じて、チャンバ３外に排出される。このように、第１液Ｌ１は、配管９６を通じて、チャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。

第１実施形態の第１排液工程は、本発明の第１常圧工程に含まれる。

ステップＳ６：第２減圧工程
図４（ｅ）を参照する。供給ユニット４１は混合ガスＫを供給する。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。ドレイン弁９７は閉じる。供給ユニット６１は第２液Ｌ２を処理槽１１に供給する。処理槽１１は第２液Ｌ２を貯留する。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。減圧ユニット８１は作動を開始する。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。

ステップＳ７：乾燥工程
乾燥工程の図示を省略する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット２１は、不活性ガスを基板Ｗに供給する。不活性ガスは、基板Ｗ上の第２液Ｌ２を除去する。第２液Ｌ２が基板Ｗから除去されることによって、基板Ｗは乾燥される。

乾燥工程の後、チャンバ３の内部は加圧される。例えば、供給ユニット２１は不活性ガスを供給し、かつ、減圧ユニット８１は作動を停止する。これにより、チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊになる。

チャンバ３が常圧状態Ｊになった後、チャンバ３は開放される。そして、チャンバ３内の基板Ｗはチャンバ３外に搬出される。

＜１－３．第１実施形態の効果＞
基板処理方法は、第１減圧工程と第１加圧工程を備える。第１減圧工程では、チャンバ３の内部は減圧された状態にあり、かつ、第１ガスＧ１がチャンバ３内の基板Ｗに供給される。第１ガスＧ１は、有機溶剤を含む。このため、第１減圧工程では基板Ｗは乾燥されない。第１加圧工程は、第１減圧工程の後に実行される。第１加圧工程では、混合ガスＫがチャンバ３内の基板Ｗに供給され、かつ、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。混合ガスＫは、有機溶剤と不活性ガスを含む。このため、第１加圧工程では、チャンバ３の内部を、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと適切に加圧できる。具体的には、第１加圧工程において、チャンバ３内の基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部を減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧できる。

基板処理方法は、第１排液工程を備える。第１排液工程は、第１加圧工程の後に実行される。第１排液工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれ、かつ、排液処理が行われる。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊにあるとき、チャンバ３内における気体の圧力はチャンバ３外の気体の圧力に近い。このため、第１排液工程における排液処理を行うことは容易である。よって、第１排液工程は好適に実行される。

混合ガスＫは、有機溶剤の液体を含む。混合ガスＫにおける有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面に付着して、基板Ｗを好適に濡らす。よって、基板Ｗが乾燥されることを混合ガスＫは好適に防止する。

第１加圧工程では、混合ガスＫが生成され、かつ、生成された混合ガスＫが吐出部４２によってチャンバ３内に供給される。言い換えれば、第１加圧工程では、チャンバ３内において混合ガスＫは生成されない。このため、第１加圧工程では、チャンバ３内に供給される不活性ガスは、有機溶剤を伴う。第１加圧工程では、チャンバ３内に供給される不活性ガスは、有機溶剤から分離されていない。このため、基板Ｗは不活性ガスのみを受けない。基板Ｗは不活性ガスとともに有機溶剤を受ける。よって、第１加圧工程では、基板Ｗの乾燥は、一層確実に防止される。例えば、第１加圧工程は、乾燥された部分を基板Ｗが有することを、好適に防止する。例えば、第１加圧工程では、基板Ｗの全体的な乾燥のみならず、基板Ｗの部分的な乾燥も、好適に防止される。例えば、第１加圧工程では、基板Ｗの全体的な乾燥のみならず、基板Ｗの局所的な乾燥も、好適に防止される。

基板処理方法は、さらに、第１浸漬工程を備える。第１浸漬工程は、第１減圧工程の前に実行される。第１浸漬工程では、基板Ｗは、処理槽１１に貯留される第１液Ｌ１に浸漬される。処理槽１１は、チャンバ３内に設置される。第１排液工程では、第１液Ｌ１がチャンバ３外に排出される。上述の通り、第１排液工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。よって、第１排液工程では、チャンバ３内の第１液Ｌ１をチャンバ３の外部に排出することは容易である。

第１排液工程では、配管９６がチャンバ３外の大気に開放される。配管９６は、処理槽１１に連通接続される。上述の通り、第１排液工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊにある。このため、第１排液工程では、第１液Ｌ１の自重によって、第１液Ｌ１は配管９６を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。第１排液工程では、第１液Ｌ１は配管９６を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に、自然に流れる。第１排液工程では、第１液Ｌ１をチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に強制的に送ることを要しない。よって、第１排液工程では、配管９６を通じて、チャンバ内３の第１液Ｌ１をチャンバ３外に排出することは容易である。

基板処理方法は、第２減圧工程を備える。第２減圧工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態にあり、かつ、基板Ｗは処理槽１１に貯留される第２液Ｌ２に浸漬される。上述の通り、第１加圧工程では基板Ｗは乾燥されない。さらに、第１排液工程ではチャンバ３の内部が常圧状態Ｊに保たれる。このため、第排液工程では基板Ｗは乾燥され難い。第２減圧工程は、第１排液工程の後に実行される。よって、第１減圧工程の後で第２減圧工程の前に、基板Ｗは乾燥され難い。したがって、第２減圧工程では、基板Ｗを適切な品質で処理することは容易である。

第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を含む。このため、第１加圧工程から基板Ｗが第２液Ｌ２に浸漬させるまで、チャンバ３内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板Ｗを濡らす。よって、第１減圧工程の後で第２減圧工程の前に、基板Ｗは乾燥されない。したがって、第２減圧工程では、基板Ｗは適切な品質で処理される。

第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬させるまで、混合ガスＫは、さらに、チャンバ３内の基板Ｗに供給される。このため、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬させるまで、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を好適に含む。

基板処理装置１、チャンバ３と、供給ユニット３１、４１と、減圧ユニット８１と、制御部１０１を備える。チャンバ３は、複数の基板Ｗを収容する。供給ユニット３１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。供給ユニット４１は、混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は、チャンバ３の内部を減圧する。制御部１０１は、供給ユニット３１、４１と、減圧ユニット８１を制御して、第１減圧処理と第１加圧処理を実行させる。第１減圧処理では、減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧し、かつ、供給ユニット３１が第１ガスＧ１を基板Ｗに供給する。第１加圧処理は、第１減圧処理の後に実行される。第１加圧処理では、減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧せずに、かつ、供給ユニット４１が混合ガスＫを基板Ｗに供給する。このため、第１加圧処理は、基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部を減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧する。よって、基板処理装置１は、チャンバ３の内部を減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと適切に加圧できる。したがって、第１加圧処理の後、第２減圧工程における基板処理は好適に実行される。

＜２．第２実施形態＞
図面を参照して、第２実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

＜２－１．基板処理装置の概要＞
図５は、第２実施形態の基板処理装置１の内部を示す正面図である。

上述の通り、混合ガスＫは、有機溶剤と不活性ガスとを含む。第２実施形態では、混合ガスＫは、有機溶剤の気体を含む。すなわち、混合ガスＫの有機溶剤は、気相である。例えば、混合ガスＫにおける有機溶剤の気体は、有機溶剤の蒸気である。例えば、混合ガスＫは、有機溶剤の蒸気と不活性ガスを含む。例えば、混合ガスＫの有機溶剤は、イソプロピルアルコールである。例えば、混合ガスＫの不活性ガスは、窒素ガスである。

供給ユニット４１の構造を例示する。供給ユニット４１は、吐出部５２を有する。吐出部５２は、チャンバ３内に設置される。吐出部５２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部５２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部５２は、混合ガスＫをチャンバ３内に吐出する。吐出部５２は、例えば、吐出部２２の構造と類似する構造を有する。

吐出部５２は、本発明における第１吐出部の例である。

供給ユニット４１は、配管５３と弁５４を備える。配管５３は、吐出部５２に接続される。配管５３は、さらに、供給源５５に接続される。供給源５５は混合ガスＫを貯留する。弁５４は配管５３に設けられる。弁５４は、吐出部５２による混合ガスＫの吐出を制御する。

供給源５５は、さらに、混合ガスＫを生成してもよい。図示を省略するが、供給源５５は、例えば、タンクとヒータを備える。タンクは、配管５３に連通接続される。タンクは、有機溶剤の液体を貯留する。タンクは、さらに不活性ガスを貯留する。ヒータは、タンク内の有機溶剤の液体を暖める。タンク内において、有機溶剤の液体は、気化して、有機溶剤の蒸気になる。タンク内において、有機溶剤の蒸気と不活性ガスは、混合されて、混合ガスＫになる。すなわち、タンク内において、混合ガスＫが生成される。

第２実施形態では、供給ユニット６１は、第１液Ｌ１を供給しない。このため、第２実施形態では、供給ユニット６１は、配管６３と弁６４と供給源６５を備えない。

図示を省略するが、制御部１０１は、弁５４を制御する。

＜２－２．基板処理装置の動作例＞
図６は、第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、ステップＳ１１－Ｓ１４を含む。基板処理方法は、第１減圧工程と第１加圧工程と判定工程と第２浸漬工程と乾燥工程を備える。第１減圧工程と第１加圧工程と判定工程と第２浸漬工程と乾燥工程は、この順番で実行される。

図７（ａ）は、第１減圧工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図７（ｂ）は、第１加圧工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図７（ｃ）は、第２浸漬工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図７（ｄ）は、乾燥工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図７（ａ）－７（ｄ）はそれぞれ、基板処理装置１を簡素に示す。

ステップＳ１１：第１減圧工程（第１減圧処理）
図７（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧する。チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄになる。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにおいて、供給ユニット３１は第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。基板Ｗは、第１ガスＧ１由来の有機溶剤を受ける。基板Ｗは乾燥されない。

ステップＳ１２：第１加圧工程（第１加圧処理）
図７（ｂ）を参照する。第２実施形態の第１加圧工程は、第１実施形態の第１加圧工程と実質的に同じである。要するに、基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は、作動を停止し、チャンバ３の内部を減圧しない。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。具体的には、供給ユニット４１は、混合ガスＫを生成し、かつ、生成された混合ガスＫを吐出部５２によってチャンバ３内に供給する。これにより、チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。

チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。基板Ｗは混合ガスＫの有機溶剤を受ける。具体的には、混合ガスＫに含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において結露する。すなわち、混合ガスＫにおける有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。混合ガスＫ由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗ上に付着して、基板Ｗを濡らす。混合ガスＫ由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。このため、基板Ｗは乾燥されない。基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊになる。

第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、混合ガスＫを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、混合ガスＫ由来の有機溶剤は、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

ステップＳ１３：判定工程
制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったか否かを判定する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定しない場合、ステップＳ１２に戻り、第１加圧工程を継続する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定した場合、第１加圧工程を終了し、ステップＳ１４に進む。

ステップＳ１４：第２浸漬工程 ＜第１常圧工程＞
図７（ｃ）を参照する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。供給ユニット４１は混合ガスＫの供給を停止する。処理槽１１は、供給ユニット６１から供給された第２液Ｌ２を貯留する。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。

第２実施形態の第２浸漬工程は、本発明の第１常圧工程に含まれる。

ステップＳ１５：乾燥工程
図７（ｄ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は、作動を開始し、チャンバ３の内部を減圧する。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを基板Ｗに供給する。不活性ガスは、基板Ｗ上の第２液Ｌ２を除去する。基板Ｗは乾燥される。

＜２－３．第２実施形態の効果＞
第２実施形態によって、第１実施形態と同様な効果を奏する。例えば、第２実施形態の基板処理方法によっても、チャンバ３の内部を減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと適切に加圧できる。さらに、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。

混合ガスＫは、有機溶剤の気体を含む。混合ガスＫにおける有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において結露し、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。混合ガスＫ由来の有機溶剤は、基板Ｗを好適に濡らす。よって、基板Ｗが乾燥されることを混合ガスＫは好適に防止する。

基板処理方法は、第２浸漬工程を備える。第２浸漬工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれ、かつ、基板Ｗは処理槽１１に貯留される第２液Ｌ２に浸漬される。第２浸漬工程は、第１加圧工程の後に実行される。第１加圧工程では基板は乾燥されない。このため、第１減圧工程の後で第２浸漬工程の前に、基板Ｗは乾燥されない。よって、第２浸漬工程では、基板Ｗは適切な品質で処理される。

第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬させるまで、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を含む。このため、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬させるまで、チャンバ３内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板を濡らす。よって、第１減圧工程の後で第２浸漬工程の前に、基板Ｗは乾燥されない。したがって、第２浸漬工程では、基板Ｗは適切な品質で処理される。

なお、第２実施形態の第２浸漬工程では、混合ガスＫはチャンバ３内に供給されないが、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を含む。その理由は、以下の通りである。第１加圧工程では、混合ガスＫの雰囲気がチャンバ３内に形成される。第２浸漬工程では、チャンバ３の内部が減圧されない。このため、第２浸漬工程では、混合ガスＫの雰囲気はチャンバ３内に残る。よって、第２浸漬工程においても、チャンバ３の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。

＜３．第３実施形態＞
図面を参照して、第３実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

＜３－１．基板処理装置の概要＞
図８は、第３実施形態の基板処理装置１の内部を示す正面図である。
基板処理装置１は、供給ユニット７１を備える。供給ユニット７１は、撥水剤をチャンバ３に供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット７１は撥水剤を基板Ｗに供給する。

供給ユニット７１が供給する撥水剤について説明する。撥水剤は、基板Ｗの表面を撥水化させる。撥水剤は、基板Ｗの表面を撥水性に改質する。撥水剤は、基板Ｗの表面と水との接触角を大きくする。撥水剤は、基板Ｗの表面に撥水膜を形成する。基板Ｗの表面は、撥水剤でコーティングされる。撥水剤は、界面改質剤とも呼ばれる。撥水剤は、疎水化剤とも呼ばれる。

撥水剤は、例えば、シリコン系撥水剤およびメタル系撥水剤の少なくともいずれかを含む。シリコン系撥水剤は、シリコンを撥水化させる。シリコン系撥水剤は、シリコンを含む化合物を撥水化させる。シリコン系撥水剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および、非クロロ系撥水剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系撥水剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミン、および、オルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。メタル系撥水剤は、金属を撥水化させる。メタル系撥水剤は、金属を含む化合物を撥水化させる。メタル系撥水剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および、有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。

撥水剤は、さらに、溶媒を含んでもよい。例えば、溶媒は、シリコン系撥水剤およびメタル系撥水剤の少なくともいずれかを希釈してもよい。溶媒は、有機溶媒と相溶解性を有することが好ましい。溶媒は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を少なくともいずれかを含む。

撥水剤は、撥水剤の気体および撥水剤の液体の少なくともいずれかを含む。供給ユニット７１は、撥水剤の気体および撥水剤の液体の少なくともいずれかを供給する。例えば、撥水剤の気体は、撥水剤の蒸気である。

供給ユニット７１の構造を例示する。供給ユニット７１は、吐出部７２を有する。吐出部７２は、チャンバ３内に設置される。吐出部７２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部７２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部７２は、撥水剤をチャンバ３内に吐出する。吐出部７２は、例えば、吐出部２２の構造と類似する構造を有する。

供給ユニット７１は、配管７３と弁７４を備える。配管７３は、吐出部７２に接続される。配管７３は、さらに、供給源７５に接続される。供給源７５は撥水剤を貯留する。弁７４は配管７３に設けられる。弁７４は、吐出部７２による撥水剤の吐出を制御する。

基板処理装置１は、ダンプユニット９１を備える。ダンプユニット９１は、処理槽１１内の処理液を放出する。チャンバ３は、処理槽１１から放出された処理液を受ける。処理槽１１から放出された処理液は、チャンバ３の底部に溜まる。ダンプユニット９１は、ダンプ弁９２を備える。ダンプ弁９２は、チャンバ３の内部に設置される。ダンプ弁９２は、処理槽１１の底部に取り付けられる。ダンプ弁９２は、排出口１２ｂに連通接続する。ダンプ弁９２が開くとき、処理液がダンプ弁９２を通じて処理槽１１の内部から処理槽１１の外部に流れ落ちることを、ダンプユニット９１は許容する。ダンプ弁９２が閉じるとき、処理槽１１が処理液を貯留することをダンプユニット９１は許容する。

排液ユニット９５は、チャンバ３内の処理液を、チャンバ３の外部に排出する。第３実施形態では、排液ユニット９５は、チャンバ３の底部に溜まった処理液を、チャンバ３の外部に排出する。排液ユニット９５は、ドレイン弁９７に加えて、配管９９を備える。配管９９は、チャンバ３の外部に設けられる。配管９９は、チャンバ３に連通接続される。配管９９は、第１端と第２端を有する。配管９９の第１端は、チャンバ３に連通接続される。配管９９の第１端は、チャンバ３の底部に接続される。配管９９は、チャンバ３から下方に延びる。配管９９の第２端は、チャンバ３外の大気に開放される。ドレイン弁９７は、配管９９に設けられている。ドレイン弁９７は、配管９９を開閉する。ドレイン弁９７が開くとき、配管９９はチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、チャンバ３の内部は、配管９９を通じてチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、チャンバ３内の処理液が配管９６を通じてチャンバ３の外部に流れることを、排液ユニット９５は許容する。ドレイン弁９７が閉じるとき、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄになることを、排液ユニット９５は許容する。

配管９９は、本発明における排液管の例である。

図示を省略するが、制御部１０１は、供給ユニット７１を制御する。制御部１０１は、弁７４を制御する。制御部１０１は、ダンプユニット９１を制御する。制御部１０１は、ダンプ弁９２を制御する。

＜３－２．基板処理装置の動作例＞
図９、１０はそれぞれ、第３実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、ステップＳ２１－Ｓ３８を含む。ステップＳ２１－Ｓ２７は、この順番で実行される。ステップＳ２８－Ｓ２９は、ステップＳ２７の後で、ステップＳ３０の前に実行される。ステップＳ３０－Ｓ３８は、この順番で実行される。

図１１（ａ）－１１（ｅ）、１２（ａ）－１２（ｅ）、１３（ａ）－１３（ｅ）、１４（ａ）－１４（ｂ）はそれぞれ、ステップＳ２１－Ｓ３０、Ｓ３２－Ｓ３８における基板処理装置１を模式的に示す図である。図１１（ａ）－１１（ｅ）等はそれぞれ、基板処理装置１を簡素に示す。

ステップＳ２１：第１供給工程
図１１（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。チャンバ３の内部は、常圧状態Ｊにある。供給ユニット６１は第２液Ｌ２を処理槽１１に供給する。ダンプ弁９２は閉じられている。処理槽１１は第１液Ｌ１を貯留する。その後、供給ユニット６１は第１液Ｌ１の供給を停止する。

ステップＳ２２：第１浸漬工程
図１１（ｂ）を参照する。チャンバ３の内部は、常圧状態Ｊにある。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第１液Ｌ１に浸漬される。

ステップＳ２３：雰囲気形成工程
図１１（ｃ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第１液Ｌ１に浸漬される。供給ユニット２１は、不活性ガスＮをチャンバ３内に供給する。減圧ユニット８１は作動を開始する。ドレイン弁９７は閉じられている。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。第１液Ｌ１に基板Ｗを浸漬した状態において、不活性ガスＮの雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ２４：雰囲気形成工程
図１１（ｄ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第１液Ｌ１に浸漬される。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット２１は、不活性ガスＮの供給を停止する。供給ユニット３１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内に供給する。第１液Ｌ１に基板Ｗを浸漬した状態において、第１ガスＧ１の雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ２４の雰囲気形成工程は、本発明における第１雰囲気工程の例である。

ステップＳ２５：第１ガス処理工程
図１１（ｅ）を参照する。減圧ユニット８１は作動中である。すなわち、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧する。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット３１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内に供給する。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにおいて、基板Ｗは、処理槽１１内の第１液Ｌ１から処理槽１１の上方に引き上げられる。供給ユニット３１は、第１ガスＧ１を基板Ｗに供給する。基板Ｗは、第１ガスＧ１由来の有機溶剤を受ける。第１ガスＧ１由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第１液Ｌ１を除去する。第１ガスＧ１由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

第１ガス処理工程は、本発明における第１減圧工程の例である。第１ガス処理工程の処理は、本発明における第１減圧処理の例である。

ステップＳ２６：ダンプ工程
図１２（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット３１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。ダンプ弁９２は開く。ダンプユニット９１は第１液Ｌ１を処理槽１１から放出する。ドレイン弁９７は閉じられている。第１液Ｌ１は、チャンバ３の底部に溜まる。

ステップＳ２７：撥水処理工程
図１２（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット３１は第１ガスＧ１の供給を停止する。供給ユニット７１は撥水剤Ｈをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。撥水剤Ｈは、基板Ｗに付着する。基板Ｗ上において、第１ガスＧ１由来の有機溶剤から撥水剤Ｈに置換される。撥水剤Ｈは、基板Ｗの表面を覆う。撥水剤Ｈは、基板Ｗを撥水化する。

基板Ｗ上の撥水剤Ｈの一部は、撥水膜に変わる。撥水膜は、基板Ｗの表面に形成される。基板Ｗ上の撥水剤Ｈの他の一部は、撥水剤Ｈの未反応分となる。撥水剤Ｈの未反応分は、反応せず、基板Ｗ上にそのまま残る。撥水剤Ｈの未反応分は、撥水剤Ｈの残留分、または、撥水剤Ｈの余剰分とも呼ばれる。さらに、基板Ｗ上の撥水剤Ｈの別の一部は、パーティクルに変わることがある。パーティクルは、異物とも呼ばれる。撥水剤Ｈ由来のパーティクルは、例えば、撥水剤Ｈが有機溶剤と接触することによって生成される。撥水剤Ｈ由来のパーティクルは、例えば、撥水剤Ｈが基板Ｗと接触することによって生成される。さらに、撥水剤Ｈの未反応分は、撥水剤Ｈ由来のパーティクルになることがある。

その後、供給ユニット７１は撥水剤Ｈの供給を停止する。

ステップＳ２８：第２ガス処理工程（第１減圧工程／第１減圧処理）
図１２（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット３１は処理ガスをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。本明細書では、第２ガス処理工程においてチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第２ガスＧ２」と呼ぶ。基板Ｗは、第２ガスＧ２由来の有機溶剤を受ける。第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルを除去する。第２ガスＧ２由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。その後、供給ユニット３１は第２ガスＧ２の供給を停止する。

ステップＳ２９：散布工程
図１２（ｄ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は、混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。基板Ｗは、混合ガスＫの有機溶剤を受ける。混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルを除去する。混合ガスＫ由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、混合ガスＫを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

ここで、第２ガス処理工程と散布工程は、任意の順序で実行されてもよい。例えば、第２ガス処理工程の前に、散布工程が実行されてもよい。例えば、第２ガス処理工程の後に、散布工程が実行されてもよい。例えば、第１散布工程は、第２ガス処理工程と同時に実行されてもよい。

第２ガス処理工程は、本発明における第１減圧工程の例である。第２ガス処理工程の処理は、本発明における第１減圧処理の例である。散布工程は、本発明における第１減圧工程の例である。散布工程の処理は、本発明における第１減圧処理の例である。

ステップＳ３０：第１加圧工程（第１加圧処理）
図１２（ｅ）を参照する。第３実施形態の第１加圧工程は、第１実施形態の第１加圧工程と実質的に同じである。要するに、基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は、作動を停止し、チャンバ３の内部を減圧しない。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。これにより、チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。基板Ｗは混合ガスＫの有機溶剤を受ける。このため、基板Ｗは乾燥されない。

第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動または揺動させてもよい。

ステップＳ３１：判定工程
制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったか否かを判定する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定しない場合、ステップＳ３０に戻り、第１加圧工程を継続する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定した場合、第１加圧工程を終了し、ステップＳ３２に進む。

ステップＳ３２：第１排液工程 ＜第１常圧工程＞
図１３（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。排液ユニット９５は、チャンバ３内の第１液Ｌ１をチャンバ３外に排出する。具体的には、ドレイン弁９７は、配管９９をチャンバ３外の大気に開放する。チャンバ３の底部に溜まった第１液Ｌ１は、配管９９を通じて、チャンバ３外に排出される。このように、第１液Ｌ１は、配管９９を通じて、チャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。

第３実施形態の第１排液工程は、本発明の第１常圧工程に含まれる。

ステップＳ３３：第２供給工程 ＜第１常圧工程＞
図１３（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。ダンプ弁９２は閉じる。供給ユニット６１は第２液Ｌ２を処理槽１１に供給する。処理槽１１は第２液Ｌ２を貯留する。

第２供給工程は、本発明における供給工程の例である。第２供給工程は、本発明の第１常圧工程に含まれる。

ステップＳ３４：第２浸漬工程 ＜第１常圧工程＞
図１３（ｃ）を参照する。供給ユニット４１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫの有機溶剤を含む。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。第２液Ｌ２は基板Ｗを洗浄する。例えば、第２液Ｌ２は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。例えば、第２液Ｌ２は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルを除去する。

排液ユニット９５は、チャンバ３内の第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出する。排液ユニット９５は、処理槽１１からオーバーフローした第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出する。具体的には、供給ユニット６１は第２液Ｌ２を処理槽１１に供給し続ける。ダンプ弁９２は閉じている。第２液Ｌ２は、処理槽１１の開口１２ａからオーバーフローする。第２液Ｌ２が処理槽１１からオーバーフローするとき、基板Ｗから除去された撥水剤Ｈも、処理槽１１からオーバーフローする。第２液Ｌ２が処理槽１１からオーバーフローするとき、基板Ｗから除去された撥水剤Ｈ由来のパーティクルも、処理槽１１からオーバーフローする。処理槽１１からオーバーフローした第２液Ｌ２は、チャンバ３の底部に溜まる。ドレイン弁９７は、開いている。配管９９はチャンバ３外の大気に開放されている。チャンバ３の底部に溜まった第２液Ｌ２は、配管９９を通じてチャンバ３外に流れる。

第３実施形態の第２浸漬工程は、本発明の第１常圧工程に含まれる。

ステップＳ３５：雰囲気形成工程
図１３（ｄ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。供給ユニット６１は第２液Ｌ２の供給を停止する。ドレイン弁９７は閉じる。供給ユニット４１は混合ガスＫの供給を停止する。供給ユニット３１は処理ガスをチャンバ３内に供給する。本明細書では、第２浸漬工程の後にチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第３ガスＧ３」と呼ぶ。減圧ユニット８１は作動を開始する。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。第３ガスＧ３の雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ３６：第３ガス処理工程
図１３（ｅ）を参照する。供給ユニット３１は、第３ガスＧ３をチャンバ３内に供給する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。基板Ｗは、処理槽１１内の第２液Ｌ２から引き上げられる。供給ユニット３１は、第３ガスＧ３を基板Ｗに供給する。基板Ｗは、第３ガスＧ３由来の有機溶剤を受ける。第３ガスＧ３由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第２液Ｌ２を除去する。第３ガスＧ３由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

ステップＳ３７：乾燥工程
図１４（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット３１は第３ガスＧ３の供給を停止する。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを供給する。不活性ガスＮは、基板Ｗ上の有機溶剤を除去する。基板Ｗは乾燥される。

ステップＳ３８：第２加圧工程
図１４（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを供給する。減圧ユニット８１は作動を停止する。チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。

＜３－３．第３実施形態の効果＞
第３実施形態によって、第１実施形態と同様な効果を奏する。例えば、第３実施形態の基板処理方法によっても、チャンバ３の内部を減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと適切に加圧できる。さらに、第３実施形態によれば、以下の効果を奏する。

第１ガス処理工程（Ｓ２５）は、上述の通り、本発明における第１減圧工程の例である。第１ガス処理工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにおいて、基板Ｗが第１液Ｌ１から処理槽１１の上方に引き上げられる。このため、第１ガス処理工程において基板Ｗが処理槽１１内の第１液Ｌ１から引き上げられるときまで、処理槽１１は第１液Ｌ１を貯留する。ここで、第１ガス処理工程において基板Ｗが処理槽１１内の第１液Ｌ１から引き上げられるとき、チャンバ３の内部は既に減圧された状態Ｄにある。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄになるまで、処理槽１１は第１液Ｌ１を貯留する。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにある限り、チャンバ３の内部からチャンバ３の外部に第１液Ｌ１を排出することは困難である。しかしながら、第１加圧工程が、第１ガス処理工程の後で第１排液工程の前に実行される。このため、第１排液工程を実行することは容易である。このように、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄになるまで処理槽１１が第１液Ｌ１を貯留する場合、第１加圧工程は著しく有用である。

基板処理方法は、ステップＳ２４の雰囲気形成工程を備える。ここで、ステップＳ２４の雰囲気形成工程を、第１雰囲気形成工程と呼ぶ。第１雰囲気形成工程は、第１ガス処理工程（Ｓ２５）の前に実行される。第１雰囲気形成工程では、基板Ｗは第１液Ｌ１に浸漬されており、かつ、第１ガスＧ１の雰囲気がチャンバ３内に形成される。このため、第１ガス処理工程では、基板Ｗが処理槽１１内の第１液Ｌ１から引き上げられたときから、基板Ｗは第１ガスＧ１の雰囲気に晒される。よって、第１ガス処理工程における基板処理の品質は好適に向上される。

基板処理方法は、第２供給工程（Ｓ３３）を備える。第２供給工程は、第１排液工程の後に実行される。第２供給工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれ、かつ、第２液Ｌ２が処理槽１１に供給される。このため、チャンバ３内の第１液Ｌ１がチャンバ３外に排出された後に、第２液Ｌ２が処理槽１１に供給される。よって、第２供給工程において第２液Ｌ２を処理槽１１に供給することは、容易である。さらに、第２供給工程ではチャンバ３の内部は常圧状態にある。よって、第２供給工程において第２液Ｌ２を処理槽１１に供給することは、一層容易である。その結果、第２供給工程において第２液Ｌ２を処理槽１１に貯留させることは、容易である。第１排液工程と第２供給工程の組み合わせによって、処理槽１１において第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に置換することは、容易である。

第１加圧工程（Ｓ３０）の後、第２浸漬工程（Ｓ３４）が実行される。第２浸漬工程では、基板Ｗは、処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬される。第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、混合ガスＫは、さらに、チャンバ３内の基板Ｗに供給される。このため、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬させるまで、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を好適に含む。よって、第１減圧工程の後で第２浸漬工程の前に、基板Ｗは乾燥されない。したがって、第２浸漬工程では、基板Ｗは適切な品質で処理される。

第２浸漬工程では、さらに、第２液Ｌ２はチャンバ３外に排出される。第２浸漬工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊにある。よって、第２浸漬工程では、チャンバ３内の第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出することは容易である。

第２浸漬工程では、第２液Ｌ２は処理槽１１からオーバーフローし、かつ、処理槽１１からオーバーフローした第２液Ｌ２はチャンバ３外に排出される。このため、第２浸漬工程において、処理槽１１内の第２液Ｌ２を清浄に保つことは容易である。よって、第２浸漬工程における基板処理の品質は好適に向上する。

第２浸漬工程では、配管９９がチャンバ３外の大気に開放される。配管９９は、チャンバ３に連通接続される。上述の通り、第２浸漬工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊにある。このため、第２浸漬工程では、第２液Ｌ２の自重によって、第２液Ｌ２は配管９９を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。第２浸漬工程では、第２液Ｌ２は配管９９を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に、自然に流れる。第２浸漬工程では、第２液Ｌ２をチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に強制的に送ることを要しない。よって、第２浸漬工程では、配管９９を通じて、チャンバ３内の第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出することは容易である。

本発明は、第１－第３実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）第１、第３実施形態では、混合ガスＫは、有機溶剤の液体を含む。第２実施形態では、混合ガスＫは、有機溶剤の気体を含む。但し、これに限られない。混合ガスＫは、有機溶剤の気体および有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含んでもよい。本変形実施形態によっても、混合ガスＫ由来の有機溶剤は基板Ｗを好適に濡らす。よって、基板Ｗが乾燥されることを混合ガスＫは好適に防止する。

（２）第１－第３実施形態では、混合ガスＫは、有機溶剤を含む。ここで、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、希釈された有機溶剤であってもよい。例えば、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、純水によって希釈された有機溶剤である。

あるいは、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、希釈されていない有機溶剤であってもよい。例えば、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、実質的に、有機溶剤の液体のみからなる。例えば、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、有機溶剤の原液である。例えば、混合ガスＫに含まれる有機溶剤は、実質的に、水を含まない。

（３）第１－第３実施形態では、混合ガスＫがチャンバ３内に供給される期間を例示した。但し、これに限られない。混合ガスＫがチャンバ３内に供給される期間を、変更してもよい。

第１実施形態では、第１加圧工程（Ｓ３）から第２減圧工程（Ｓ６）まで、混合ガスＫはチャンバ３内に供給された。但し、これに限られない。例えば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、混合ガスＫはチャンバ３内に供給されてもよい。基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬された後、混合ガスＫの供給は停止されてもよい。本変形実施形態によれば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

第２実施形態の第２浸漬工程（Ｓ１４）では、混合ガスＫはチャンバ３内に供給されなかった。但し、これに限られない。例えば、第２浸漬工程（Ｓ１４）では、混合ガスＫはチャンバ３に供給されてもよい。本変形実施形態によれば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

あるいは、第１加圧工程（Ｓ１２）から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、混合ガスＫをチャンバ３内に供給されてもよい。基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬された後、混合ガスＫの供給は停止されてもよい。本変形実施形態によっても、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

第３実施形態では、第１加圧工程（Ｓ３０）から第２浸漬工程（Ｓ３４）まで、混合ガスＫはチャンバ３内に供給された。但し、これに限られない。例えば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、混合ガスＫはチャンバ３内に供給されてもよい。基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬された後、混合ガスＫの供給は停止されてもよい。本変形実施形態によれば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

あるいは、第１加圧工程の後、混合ガスＫの供給は停止される。すなわち、第１排液工程（Ｓ３２）と第２供給工程（Ｓ３３）と第２浸漬工程（Ｓ３４）では、混合ガスＫはチャンバ３内に供給されない。本変形実施形態によっても、第１加圧工程から第２浸漬工程まで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。本変形実施形態の場合、第１加圧工程では、混合ガスＫの雰囲気がチャンバ３内に形成される。第１排液工程と第２供給工程と第２浸漬工程では、チャンバ３の内部は減圧されない。このため、第１加圧工程の後、第２浸漬工程まで、混合ガスＫの雰囲気はチャンバ３内に残る。よって、本変形実施形態によっても、第１加圧工程から第２浸漬工程まで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

（４）第１実施形態では、排液ユニット９５の配管９６は、処理槽１１に連通接続される。第１実施形態の第１排液工程（Ｓ５）では、処理槽１１内の第１液Ｌ１は、配管９６を通じてチャンバ３外に排出される。但し、これに限られない。例えば、配管９６は、チャンバ３に連通接続されてもよい。例えば、配管９６は、第３実施形態の配管９９と類似の構成に変更されてもよい。例えば、第１実施形態の第１排液工程では、チャンバ３に溜まった第１液Ｌ１が、配管９６を通じてチャンバ３外に排出されてもよい。

（５）第３実施形態では、排液ユニット９５の配管９９は、チャンバ３に連通接続される。第３実施形態の第１排液工程（Ｓ３２）では、チャンバ３に溜まった第１液Ｌ１は、配管９９を通じてチャンバ３外に排出される。第３実施形態の第２浸漬工程（Ｓ３４）では、チャンバ３に溜まった第２液Ｌ２は、配管９９を通じてチャンバ３外に排出される。但し、これに限られない。例えば、配管９９は、処理槽１１に連通接続されてもよい。例えば、配管９９は、第１実施形態の配管９６と類似の構成に変更されてもよい。例えば、第３実施形態の第１排液工程では、処理槽１１内の第１液Ｌ１が、配管９９を通じてチャンバ３外に排出されてもよい。例えば、第３実施形態の第２浸漬工程では、処理槽１１内の第２液Ｌ２が、配管９９を通じてチャンバ３外に排出されてもよい。

（６）第１、第３実施形態では、処理槽１１に供給する第１液Ｌ１として、リンス液および純水を例示した。但し、これに限られない。例えば、第１液Ｌ１は、希釈された有機溶剤であってもよい。例えば、第１液Ｌ１は、純水によって希釈された有機溶剤であってもよい。

（７）第１－第３実施形態では、処理槽１１に供給する第２液Ｌ２として、希釈された有機溶剤を例示した。但し、これに限られない。例えば、第２液Ｌ２は、リンスであってもよい。例えば、第２液Ｌ２は、純水であってもよい。

（８）第１－第３実施形態では、供給ユニット２１、３１、４１、６１、７１の構成を例示した。但し、これに限られない。供給ユニット２１、３１、４１、６１、７１の構成を適宜に変更してもよい。

第１－第３実施形態では、不活性ガスＮ、第１ガスＧ１、混合ガスＫ、撥水剤Ｈは、互いに異なる吐出部２２、３２、４２、５２、７２から吐出された。但し、これに限られない。不活性ガスＮ、第１ガスＧ１、混合ガスＫおよび撥水剤Ｈの少なくとも２つは、同じ吐出部から吐出されてもよい。

供給ユニット６１は、生成された第２液Ｌ２を処理槽１１に供給した。但し、これに限られない。供給ユニット６１は、処理槽１１内で第２液Ｌ２を生成してもよい。例えば、供給ユニット６１は、希釈されていない有機溶剤と純水を個別に処理槽１１に供給してもよい。

第３実施形態の散布工程（Ｓ２９）では、混合ガスＫがチャンバ３内の基板Ｗに散布された。但し、これに限れない。例えば、散布工程では、第３液が、チャンバ３内の基板Ｗに散布されてもよい。例えば、散布工程では、第３液が、不活性ガスを伴わずに、散布されてもよい。例えば、散布工程では、第３液が、シャワーヘッドノズルによって、散布されてもよい。ここで、第３液は、例えば、有機溶剤の液体を含む。

（９）第１－第３実施形態および上記（１）から（８）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
３ … チャンバ
１１ … 処理槽
３１ … 供給ユニット（第１供給ユニット）
４１ … 供給ユニット（第２供給ユニット）
４２ … 吐出部（第１吐出部）
５２ … 吐出部（第１吐出部）
６１ … 供給ユニット
８１ … 減圧ユニット
８９ … 圧力センサ
９５ … 排液ユニット
９６ … 配管（排液管）
９９ … 配管（排液管）
１０１ … 制御部
Ｄ … 減圧された状態
Ｇ１ … 第１ガス
Ｇ２ … 第２ガス
Ｊ … 常圧状態
Ｋ … 混合ガス
Ｌ１ … 第１液
Ｌ２ … 第２液
Ｐ１ … 第１位置
Ｐ２ … 第２位置
Ｗ … 基板

Claims (20)

1. １つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理する基板処理方法であって、
   前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１減圧工程と、
   前記第１減圧工程の後、有機溶剤と不活性ガスを含む混合ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給し、かつ、前記チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧する第１加圧工程と、
   前記第１加圧工程の後、前記チャンバの内部を常圧状態に保ち、かつ、排液処理および基板処理の少なくともいずれかを行う第１常圧工程と、
   を備える、
   基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法であって、
   前記混合ガスは、前記有機溶剤の気体および前記有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含む、
   基板処理方法。
3. 請求項１または２に記載の基板処理方法において、
   前記第１加圧工程では、前記混合ガスが生成され、かつ、生成された前記混合ガスが第１吐出部によって前記チャンバ内に供給される、
   基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記第１加圧工程では、さらに、前記チャンバ内において前記基板が上下動または揺動される、
   基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
   前記第１減圧工程の前に、前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第１液に前記基板を浸漬する第１浸漬工程と、
   をさらに備え、
   前記第１常圧工程は、
   前記第１液を前記チャンバ外に排出する第１排液工程と、
   をさらに含む、
   基板処理方法。
6. 請求項５に記載の基板処理方法であって、
   前記第１排液工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管が前記チャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第１液が前記チャンバ外に排出される、
   基板処理方法。
7. 請求項５または６に記載の基板処理方法であって、
   前記第１減圧工程では、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記基板が前記第１液から前記処理槽の上方に引き上げられる、
   基板処理方法。
8. 請求項７に記載の基板処理方法において、
   前記第１減圧工程の前に、前記第１液に前記基板を浸漬した状態で、前記チャンバ内に前記第１ガスの雰囲気を形成する第１雰囲気形成工程と、
   をさらに備える、
   基板処理方法。
9. 請求項５から８のいずれかに記載の基板処理方法であって、
   前記第１常圧工程は、
   前記第１排液工程の後、前記処理槽に前記第２液を供給する供給工程と、
   をさらに含む、
   基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法であって、
    前記第１常圧工程は、
    前記処理槽に貯留される前記第２液に前記基板を浸漬する第２浸漬工程と、
    をさらに含む、
    基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬させるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含む、
    基板処理方法。
12. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬されるまで、前記混合ガスは、さらに、前記チャンバ内の前記基板に供給される、
    基板処理方法。
13. 請求項１０から１２のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    第２浸漬工程では、さらに、前記第２液が前記チャンバ外に排出される、
    基板処理方法。
14. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記第１常圧工程は、
    前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第２液に前記基板を浸漬する第２浸漬工程と、
    をさらに含む、
    基板処理方法。
15. 請求項１４に記載の基板処理方法であって、
    前記第２浸漬工程では、さらに、前記第２液が前記チャンバ外に排出される、
    基板処理方法。
16. 請求項１５に記載の基板処理方法であって、
    前記第２浸漬工程では、前記第２液が前記処理槽からオーバーフローし、かつ、前記処理槽からオーバーフローした前記第２液が前記チャンバ外に排出される、
    基板処理方法。
17. 請求項１５または１６に記載の基板処理方法であって、
    前記第２浸漬工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管が前記チャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第２液が前記チャンバ外に排出される、
    基板処理方法。
18. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記第１常圧工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第２液に前記基板を浸漬する第２減圧工程と、
    をさらに備える、
    基板処理方法。
19. 請求項１８に記載の基板処理方法であって、
    前記第１加圧工程から前記基板が前記第２液に浸漬されるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含む、
    基板処理方法。
20. 複数の基板を収容するチャンバと、
    前記チャンバの内部を減圧する減圧ユニットと、
    有機溶剤を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１供給ユニットと、
    有機溶剤と不活性ガスを含む混合ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第２供給ユニットと、
    前記減圧ユニットと前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットを制御して、第１減圧処理と第１加圧処理を実行させる制御部と、
    を備え、
    前記第１減圧処理では、前記減圧ユニットが前記チャンバの内部を減圧し、かつ、前記第１供給ユニットが前記第１ガスを前記基板に供給し、
    前記第１加圧処理では、前記減圧ユニットが前記チャンバの内部を減圧せずに、かつ、前記第２供給ユニットが前記混合ガスを前記基板に供給する、
    基板処理装置。

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