CN115692255A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。在第一减压工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中，将混合气体(K)供给至腔室(3)内的基板(W)，腔室(3)的内部从经减压的状态(D)被加压至常压状态(J)。混合气体(K)包含有机溶剂与惰性气体。第一常压工序是在第一加压工序之后执行。在第一常压工序中，腔室(3)的内部保持为常压状态(J)，进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。

Description

基板处理方法以及基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)用基板、平板显示器(Flat PanelDisplay，FPD)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板。

背景技术

日本专利特开2018-56155公报公开了一种对收容在腔室内的基板进行处理的基板处理方法。基板处理方法包括第一工序、第二工序及干燥工序。第一工序中，在腔室的内部经减压的状态(decompressed state)下，将疏水剂的蒸气供给至基板。第二工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将有机溶剂的蒸气供给至基板。干燥工序中，在腔室的内部经减压的状态下，将惰性气体供给至基板。

此处，在第一工序以及第二工序中，基板不会被干燥。在干燥工序中，基板受到干燥。

基板处理方法中，为了将腔室的内部设为经减压的状态而使用排气泵。排气泵将腔室内的气体排出至腔室外。排气泵在第一工序、第二工序与干燥工序中运转。

在干燥工序之后，腔室3的内部从经减压的状态被加压至常压状态(atmosphericpressure state)。为了将腔室3内从经减压的状态加压至常压状态，执行以下的动作A、动作B。

动作A：停止排气泵的运转。

动作B：将惰性气体供给至腔室内。

发明内容

[发明所要解决的问题]

日本专利特开2018-56155公报并未公开：在第一工序之后且干燥工序之前，将腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态。日本专利特开2018-56155公报并未公开：在对基板的处理开始后且基板受到干燥之前，将腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态。

本发明是有鉴于此种状况而完成，其目的在于提供一种能够将腔室的内部从经减压的状态适当地加压至常压状态的基板处理方法以及基板处理装置。

[解决问题的技术手段]

本发明人等为了解决所述问题进行了专心研究，结果获得如下所述的见解。例如，为了在第一工序之后且第二工序之前进行排液处理，有时优选在第一工序之后且第二工序之前，腔室的内部为常压状态。例如，为了提高第二工序中的基板处理的品质，有时优选在第二工序中，腔室的内部为常压状态。因此，本发明人等研讨了在第一工序之后且第二工序之前，将腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态。例如，本发明人等研讨了在第一工序之后且第二工序之前执行追加工序。追加工序包含所述的动作A、动作B。

但是，本发明人等发现追加工序存在新的问题。新的问题在于，在追加工序中，基板被曝露于惰性气体而受到干燥。追加工序是在第一工序之后且第二工序之前执行。若在第一工序之后且第二工序之前基板受到干燥，则有可能在第二工序中无法适当地处理基板。有可能难以维持第二工序中的基板处理的品质。第二工序中的基板处理的品质有可能下降。

本发明是基于这些见解，通过进一步专心研讨而获得，采用如下所述的结构。即，本发明是一种基板处理方法，一次处理收容在一个腔室内的多个基板，所述基板处理方法包括：第一减压工序，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；第一加压工序，在所述第一减压工序之后，将包含有机溶剂与惰性气体的混合气体供给至所述腔室内的所述基板，且将所述腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态；以及第一常压工序，在所述第一加压工序之后，将所述腔室的内部保持为常压状态，且进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。

基板处理方法是一次处理收容在一个腔室的多个基板。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。第一减压工序、第一加压工序与第一常压工序是依此顺序来执行。

在第一减压工序中，腔室的内部处于经减压的状态。在第一减压工序中，将第一气体供给至腔室内的基板。第一气体包含有机溶剂。第一气体的有机溶剂附着于基板而润湿基板。因此，在第一减压工序中，基板不会被干燥。

在第一加压工序中，腔室的内部从经减压的状态被加压至常压状态。在第一加压工序中，将混合气体供给至腔室内的基板。混合气体包含有机溶剂与惰性气体。混合气体的惰性气体将腔室的内部从经减压的状态迅速加压至常压状态。混合气体的有机溶剂附着于基板而润湿基板。因此，在第一加压工序中，不会使基板干燥，而腔室的内部迅速成为常压状态。在第一加压工序中，基板不会被干燥。因而，在第一减压工序之后且第一常压工序之前，基板不会被干燥。

在第一常压工序中，腔室的内部保持为常压状态。在第一常压工序中，进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。当在第一常压工序中进行排液处理时，容易进行第一常压工序的排液处理。这是因为，腔室的内部被保持为常压状态。更详细而言，这是因为，当腔室的内部处于常压状态时，腔室内的气体的压力接近腔室外的气体的压力。当在第一常压工序中进行基板处理时，能以适当的品质来进行第一常压工序的基板处理。这是因为，在第一加压工序中，基板不会被干燥。这是因为，在第一减压工序之后且第一常压工序之前，基板不会被干燥。

如上所述，基板处理方法能够将腔室的内部从经减压的状态适当地加压至常压状态。具体而言，基板处理方法不会使基板干燥，而能够将腔室的内部从经减压的状态迅速加压至常压状态。因此，在腔室的内部成为常压状态之后，第一常压工序得以较佳地执行。

所述的基板处理方法中，优选的是，所述混合气体包含所述有机溶剂的气体以及所述有机溶剂的液体中的至少任一种。在混合气体包含有机溶剂的气体的情况下，混合气体中的有机溶剂的气体在基板的表面结露，在基板的表面变为有机溶剂的液体。在混合气体包含有机溶剂的液体的情况下，混合气体中的有机溶剂的液体附着于基板的表面。无论是在混合气体包含有机溶剂的气体的情况下，还是在混合气体包含有机溶剂的液体的情况下，来源于混合气体的有机溶剂均能较佳地润湿基板。因而，混合气体较佳地防止基板被干燥。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一加压工序中，生成所述混合气体，且将所生成的所述混合气体通过第一喷出部而供给至所述腔室内。在第一加压工序中，供给至腔室内的惰性气体伴随有机溶剂。在第一加压工序中，供给至腔室内的惰性气体未从有机溶剂中分离。在第一加压工序中，惰性气体与有机溶剂并非被独立地供给至腔室内。因此，在第一加压工序中，更切实地防止基板的干燥。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一加压工序中，进而在所述腔室内使所述基板上下移动或摆动。在第一加压工序中，来源于混合气体的有机溶剂更均匀地附着于整个基板。

所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第一浸渍工序，在所述第一减压工序之前，将所述基板浸渍于贮存在处理槽内的第一液中，所述处理槽被设置在所述腔室内，所述第一常压工序还包括将所述第一液排出至所述腔室外的第一排液工序。第一常压工序包含第一排液工序。在第一常压工序中，腔室的内部保持为常压状态。因此，在第一排液工序中，腔室的内部保持为常压状态。因此，在第一排液工序中，容易将腔室内的第一液排出至腔室的外部。

另外，第一排液工序的处理相当于第一常压工序的排液处理。因而，容易进行第一常压工序的排液处理。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一排液工序中，将与所述腔室以及所述处理槽中的任一者连通连接的排液管向所述腔室外的大气开放，通过所述排液管来将所述第一液排出至所述腔室外。在第一排液工序中，排液管向腔室外的大气开放。如上所述，在第一排液工序中，腔室的内部处于常压状态。因而，在第一排液工序中，容易通过排液管来将腔室内的第一液排出至腔室外。

此处，腔室内的第一液例如包含贮存在处理槽内的第一液。在排液管与处理槽连通连接的情况下，贮存在处理槽内的第一液通过排液管而排出至腔室外。腔室内的第一液例如包含从处理槽放出并积留在腔室内的第一液。在排液管与腔室连通连接的情况下，积留在腔室内的第一液通过排液管而排出至腔室外。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第一减压工序中，在所述腔室的内部经减压的状态下，将所述基板从所述第一液中提取到所述处理槽的上方。在第一减压工序中，直至基板从处理槽内的第一液中被提起时为止，处理槽贮存第一液。此处，在第一减压工序中，当基板从处理槽内的第一液中被提起时，腔室的内部处于已减压的状态。直至腔室的内部成为经减压的状态为止，处理槽贮存第一液。只要腔室的内部处于经减压的状态，便难以从腔室的内部向腔室的外部排出第一液。但是，第一加压工序是在第一减压工序之后且第一排液工序之前执行。因此，容易执行第一排液工序。这样，在直至腔室的内部成为经减压的状态为止，处理槽贮存第一液的情况下，第一加压工序显著有用。

所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第一气氛形成工序，在所述第一减压工序之前，在将所述基板浸渍于所述第一液的状态下，在所述腔室内形成所述第一气体的气氛。在第一减压工序中，自基板从处理槽内的第一液中被提起时开始，基板便曝露于第一气体的气氛中。因而，第一减压工序中的基板处理的品质得以较佳地提高。

所述的基板处理方法中，优选的是，所述第一常压工序还包括在所述第一排液工序之后将所述第二液供给至所述处理槽的供给工序。供给工序是在第一排液工序之后执行。因此，在腔室内的第一液被排出至腔室外之后，将第二液供给至处理槽。因而，容易在供给工序中将第二液供给至处理槽。供给工序包含在第一常压工序中。因此，在供给工序中，腔室的内部处于常压状态。因而，更容易在供给工序中将第二液供给至处理槽。其结果，容易在供给工序中使第二液贮存于处理槽中。通过第一排液工序与供给工序的组合，容易在处理槽中从第一液置换为第二液。

所述的基板处理方法中，优选的是，所述第一常压工序还包括将所述基板浸渍于贮存在所述处理槽内的所述第二液中的第二浸渍工序。如上所述，在第一减压工序之后且第一常压工序之前，基板不会被干燥。第一常压工序包含第二浸渍工序。因而，在第二浸渍工序中，基板以适当的品质受到处理。

另外，第二浸渍工序的处理相当于第一常压工序的基板处理。因而，第一常压工序的基板处理是以适当的品质来进行。其结果，在第一常压工序中，可较佳地进行排液处理以及基板处理。

所述的基板处理方法中，优选的是，从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述腔室内的气氛包含有机溶剂。从第一加压工序直至基板被浸渍于第二液中为止，腔室内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板。因而，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，基板不会被干燥。在第一减压工序之后且第二浸渍工序之前，基板不会被干燥。因此，在第二浸渍工序中，基板以适当的品质受到处理。

所述的基板处理方法中，优选的是，从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述混合气体进而被供给至所述腔室内的所述基板。因此，从第一加压工序直至基板被浸渍于处理槽内的第二液中为止，腔室内的气氛较佳地包含有机溶剂。

所述的基板处理方法中，优选的是，在第二浸渍工序中，进而将所述第二液排出至所述腔室外。第二浸渍工序包含在第一常压工序中。因此，在第二浸渍工序中，腔室的内部处于常压状态。因而，在第二浸渍工序中，容易将腔室内的第二液排出至腔室外。

另外，在第二浸渍工序中将第二液排出至腔室外相当于第一常压工序的排液处理。因而，容易进行第一常压工序的排液处理。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第二浸渍工序中，所述第二液从所述处理槽溢出，且将从所述处理槽溢出的所述第二液排出至所述腔室外。在第二浸渍工序中，容易将处理槽的第二液保持为洁净。因而，第二浸渍工序中的基板处理的品质较佳地提高。

所述的基板处理方法中，优选的是，在所述第二浸渍工序中，将与所述腔室以及所述处理槽中的任一者连通连接的排液管向所述腔室外的大气开放，通过所述排液管来将所述第二液排出至所述腔室外。在第二浸渍工序中，排液管向腔室外的大气开放。如上所述，在第二浸渍工序中，腔室的内部处于常压状态。因而，在第二浸渍工序中，容易通过排液管来将腔室内的第二液排出至腔室外。

此处，腔室内的第二液例如包含贮存在处理槽内的第二液。在排液管与处理槽连通连接的情况下，贮存在处理槽内的第二液通过排液管而排出至腔室外。腔室内的第二液例如包含从处理槽放出并积留在腔室内的第二液。在排液管与腔室连通连接的情况下，积留在腔室内的第二液通过排液管而排出至腔室外。

所述的基板处理方法中，优选的是还包括：第二减压工序，在所述第一常压工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，将所述基板浸渍于贮存在处理槽内的第二液中，所述处理槽被设置在所述腔室内。如上所述，在第一加压工序中，基板不会被干燥。进而，在第一常压工序中，腔室的内部保持为常压状态。因此，在第一常压工序中，基板难以被干燥。在第一常压工序之后，执行第二减压工序。因而，在第一减压工序之后且第二减压工序之前，基板难以被干燥。因此，在第二减压工序中，容易以适当的品质来处理基板。

所述的基板处理方法中，优选的是，从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述腔室内的气氛包含有机溶剂。从第一加压工序直至基板被浸渍于第二液中为止，腔室内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板。因而，从第一加压工序直至第二减压工序为止，基板不会被干燥。在第一减压工序之后且第二减压工序之前，基板不会被干燥。因此，第二减压工序中，基板以适当的品质受到处理。

所述的基板处理方法中，优选的是，从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述混合气体进而被供给至所述腔室内的所述基板。因此，从第一加压工序直至基板被浸渍于处理槽内的第二液中为止，腔室内的气氛较佳地包含有机溶剂。

本发明是一种基板处理装置，包括：腔室，收容多个基板；减压单元，对所述腔室的内部进行减压；第一供给单元，将包含有机溶剂的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；第二供给单元，将包含有机溶剂与惰性气体的混合气体供给至所述腔室内的所述基板；以及控制部，控制所述减压单元、所述第一供给单元与所述第二供给单元，使它们执行第一减压处理与第一加压处理，在所述第一减压处理中，所述减压单元对所述腔室的内部进行减压，且所述第一供给单元将所述第一气体供给至所述基板，在所述第一加压处理中，所述减压单元不对所述腔室的内部进行减压，且所述第二供给单元将所述混合气体供给至所述基板。

控制部构成为，执行第一减压处理与第一加压处理。在第一减压处理中，减压单元对腔室的内部进行减压。因此，在第一减压处理中，腔室的内部处于经减压的状态。在第一减压处理中，第一供给单元将第一气体供给至腔室内的基板。第一气体包含有机溶剂。第一气体的有机溶剂附着于基板而润湿基板。因此，在第一减压工序中，基板不会被干燥。在第一加压处理中，减压单元不对腔室的内部进行减压。在第一加压处理中，第二供给单元将混合气体供给至基板。混合气体包含有机溶剂与惰性气体。混合气体的惰性气体使腔室内的气体的压力迅速上升。混合气体的有机溶剂附着于基板而润湿基板。因此，在第一加压处理中，基板不会被干燥。在第一加压处理中，不会使基板干燥，而腔室的内部从经减压的状态迅速被加压至常压状态。

如上所述，基板处理装置能够将腔室的内部从经减压的状态适当地加压至常压状态。具体而言，基板处理装置不会使基板干燥，而能够将腔室的内部从经减压的状态迅速加压至常压状态。因此，即便在第一加压处理之后对基板进行追加处理的情况下，也容易以适当的品质来进行追加处理。

附图说明

为了说明发明，图示了当前认为较佳的若干个实施例，但应理解的是，发明并不限定于图示般的结构以及对策。

图1是表示第一实施方式的基板处理装置的内部的正面图。

图2是基板处理装置的控制框图。

图3是表示第一实施方式的基板处理方法的流程的流程图。

图4A至图4E是分别示意性地表示进行第一实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

图5是表示第二实施方式的基板处理装置的内部的正面图。

图6是表示第二实施方式的基板处理方法的流程的流程图。

图7A至图7D是分别示意性地表示进行第二实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

图8是表示第三实施方式的基板处理装置的内部的正面图。

图9是表示第三实施方式的基板处理方法的流程的流程图。

图10是表示第三实施方式的基板处理方法的流程的流程图。

图11A至图11E是分别示意性地表示进行第三实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

图12A至图12E是分别示意性地表示进行第三实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

图13A至图13E是分别示意性地表示进行第三实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

图14A至图14B是分别示意性地表示进行第三实施方式的基板处理方法的基板处理装置的图。

[符号的说明]

1：基板处理装置

3：腔室

5：空间

11：处理槽

12a：开口

12b：排出口

13：保持部

15：升降机构

21、61、71：供给单元

22、32、62、72：喷出部

23、33、43、47、53、63、67、73、82：配管

24、34、44、48、54、64、68、74：阀

25、35、45、49、供给源、65、69、75：供给源

31：供给单元(第一供给单元)

41：供给单元(第二供给单元)

42：喷出部(第一喷出部)

52：喷出部(第一喷出部)

81：减压单元

83：排气泵

89：压力传感器

91：泄流单元

92：泄流阀

95：排液单元

96、99：配管(排液管)

97：排放阀

101：控制部

D：经减压的状态

G1：第一气体

G2：第二气体

G3：第三气体

H：疏水剂

J：常压状态

K：混合气体

L1：第一液

L2：第二液

N：惰性气体

P1：第一位置

P2：第二位置

S1～S7、S11～S15、S21～S29、S30～S38：步骤

W：基板

X、Y、Z：方向

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的基板处理方法以及基板处理装置。

＜1.第一实施方式＞

＜1-1.基板处理装置的概要＞

图1是表示第一实施方式的基板处理装置1的内部的正面图。基板处理装置1对基板W进行处理。基板处理装置1所进行的处理包含干燥处理。基板处理装置1所进行的处理也可进而包含清洗处理。基板处理装置1被分类为批次式。基板处理装置1一次处理多片基板W。

基板W例如为半导体晶片、液晶显示器用基板、有机电致发光(Electroluminescence，EL)用基板、平板显示器(Flat Panel Display，FPD)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、太阳能电池用基板。

基板W具有薄薄的平板形状。基板W正视具有大致圆形状。

基板W具有表面。基板W的表面包含硅氧化膜、多晶硅膜、硅氮化膜以及金属膜中的至少任一种。

虽未图示，但基板W具有图案。图案形成在基板W的表面。图案具有凹凸形状。将形成图案的基板W的表面称作图案形成面。

基板处理装置1包括腔室3。腔室3收容多个基板W。腔室3一次收容多个基板W。基板W被配置在腔室3的内部。具体而言，腔室3是划分出空间5的容器。空间5相当于腔室3的内部。基板W被配置在空间5内。

腔室3是可开闭地构成。当腔室3打开时，空间5开放。当腔室3打开时，腔室3允许基板W在空间5与腔室3的外部之间移动。当腔室3关闭时，空间5被密闭。即，腔室3是可密闭地构成。

基板处理装置1包括处理槽11。处理槽11被设置在腔室3内。处理槽11贮存处理液。处理槽11朝上方开放。

具体而言，处理槽11具有开口12a与排出口12b。开口12a被配置在处理槽11的上部。排出口12b被配置在处理槽11的底部。

基板处理装置1包括保持部13。保持部13被设置在腔室3内。保持部13一次保持多个基板W。保持部13将各基板W保持为大致垂直姿势。当保持部13保持基板W时，基板W的图案形成面为大致铅垂。当保持部13保持多个基板W时，多个基板W沿方向X排列成一列。方向X为水平。方向X相对于基板W的图案形成面而大致垂直。

图1除了方向X以外，还表示方向Y与方向Z。方向Y为水平。方向Y垂直于方向X。方向Z为铅垂。方向Z垂直于方向X。方向Z垂直于方向Y。将方向Z适当地称作铅垂方向Z。

基板处理装置1包括升降机构15。升降机构15使保持部13升降。升降机构15例如使保持部13沿铅垂方向Z移动。当升降机构15使保持部13升降时，由保持部13所保持的基板W与保持部13一体地升降。

升降机构15使基板W移动至第一位置P1与第二位置P2。当基板W在第一位置P1与第二位置P2之间移动时，基板W通过开口12a。图1中，以实线来表示处于第一位置P1的基板W。图1中，以虚线来表示处于第二位置P2的基板W。第一位置P1位于腔室3内。第一位置P1位于处理槽11的上方。当基板W位于第一位置P1时，整个基板W不与处理槽11内的处理液接触。第二位置P2位于腔室3内。第二位置P2位于第一位置P1的下方。第二位置P2位于处理槽11内。当基板W位于第二位置P2时，整个基板W被浸渍于处理槽11内的处理液中。

基板处理装置1包括供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元61。供给单元21将惰性气体供给至腔室3。供给单元31将处理气体供给至腔室3。供给单元41将混合气体至腔室3。供给单元61将第一液以及第二液供给至处理槽11。

当基板W处于第一位置P1时，供给单元21将惰性气体供给至基板W。当基板W处于第一位置P1时，供给单元31将处理气体供给至基板W。当基板W处于第一位置P1时，供给单元41将混合气体供给至基板W。

供给单元31为本发明中的第一供给单元的示例。供给单元41为本发明中的第二供给单元的示例。

供给单元21所供给的惰性气体例如为氮气。

对供给单元31所供给的处理气体进行说明。处理气体包含有机溶剂。处理气体包含有机溶剂的气体。例如，有机溶剂的气体为有机溶剂的蒸气。例如，处理气体中的有机溶剂的浓度高。例如，处理气体实质上仅包含有机溶剂的气体。例如，处理气体实质上不含水(水蒸气)。优选的是，处理气体的有机溶剂具有亲水性。例如，处理气体的有机溶剂为异丙醇(Iso Propyl Alcohol，IPA)。

对供给单元41所供给的混合气体进行说明。混合气体包含有机溶剂与惰性气体。混合气体为有机溶剂与惰性气体的混合物。混合气体的有机溶剂例如为异丙醇(IPA)。混合气体的惰性气体例如为氮气。

第一实施方式中，混合气体包含有机溶剂的液体。即，混合气体的有机溶剂为液相。混合气体中的有机溶剂例如为有机溶剂的液滴或有机溶剂的液雾中的至少任一种。

对供给单元61所供给的第一液进行说明。例如，第一液为冲洗液。例如，第一液为纯水(去离子水(De Ionized Water，DIW))。

对供给单元61所供给的第二液进行说明。第二液为被稀释的有机溶剂。第二液例如是通过纯水而稀释的有机溶剂。第二液例如是纯水与有机溶剂的混合液。第二液的有机溶剂例如为异丙醇(IPA)。

例示供给单元21的结构。供给单元21具有喷出部22。喷出部22被设置在腔室3内。喷出部22配置在比处理槽11高的位置。喷出部22在方向Y上配置在位于第一位置P1的基板W的两侧。喷出部22将惰性气体喷出至腔室3内。喷出部22包含管状构件。管状构件沿方向X延伸。管状构件具有多个喷出口(未图示)。多个喷出口沿方向X排列。喷出部22从多个喷出口吹出惰性气体。

供给单元21包括配管23与阀24。配管23连接于喷出部22。配管23进而连接于供给源25。供给源25贮存惰性气体。阀24被设于配管23。当阀24打开时，惰性气体通过配管23而从供给源25流至喷出部22。当阀24打开时，喷出部22喷出惰性气体。当阀24关闭时，惰性气体不通过配管23从供给源25流至喷出部22。当阀24关闭时，喷出部22不喷出惰性气体。

例示供给单元31的结构。供给单元31具有喷出部32。喷出部32被设置在腔室3内。喷出部32配置在比处理槽11高的位置。喷出部32在方向Y上配置在位于第一位置P1的基板W的两侧。喷出部32将处理气体喷出至腔室3内。喷出部32例如具有与喷出部22的结构类似的结构。

供给单元31包括配管33与阀34。配管33连接于喷出部32。配管33进而连接于供给源35。供给源35贮存处理气体。阀34被设于配管33。阀34控制喷出部32对处理气体的喷出。

供给源35也可进一步生成处理气体。尽管省略图示，但供给源35例如包括贮槽与加热器。贮槽与配管33连通连接。贮槽贮存有机溶剂的液体。加热器对贮槽内的有机溶剂的液体进行加热。在贮槽内中，有机溶剂的液体气化而成为有机溶剂的蒸气。即，在贮槽内生成处理气体。

例示供给单元41的结构。供给单元41具有喷出部42。喷出部42被设置在腔室3内。喷出部42配置在比处理槽11高的位置。喷出部42在方向Y上配置在位于第一位置P1的基板W的两侧。喷出部42将混合气体喷出至腔室3内。喷出部42包含多个(例如二十个)双流体喷嘴。多个双流体喷嘴沿方向X排列成两列。各双流体喷嘴将有机溶剂的液体与惰性气体予以混合而生成混合气体。例如，各双流体喷嘴生成有机溶剂的液滴以及有机溶剂的液雾中的至少任一种。各双流体喷嘴具有一个喷出口(未图示)。各双流体喷嘴从喷出口喷出混合气体。各双流体喷嘴从喷出口吹出有机溶剂与惰性气体这两者。各双流体喷嘴从喷出口同时吹出有机溶剂与惰性气体这两者。各双流体喷嘴并不独立地吹出有机溶剂与惰性气体。各双流体喷嘴将有机溶剂的液滴以及有机溶剂的液雾中的至少任一种与惰性气体一同予以喷射。

喷出部42为本发明中的第一喷出部的示例。

供给单元41包括配管43、配管47与阀44、阀48。配管43、配管47分别连接于喷出部42。配管43进而连接于供给源45。供给源45贮存有机溶剂的液体。阀44被设于配管43。阀44控制有机溶剂对喷出部42的供给。配管47进而连接于供给源49。供给源49贮存惰性气体。阀48被设于配管47。阀48控制惰性气体对喷出部42的供给。当阀44、阀48同时打开时，喷出部42喷出混合气体。

例示供给单元61的结构。供给单元61具有喷出部62。喷出部62被设置在腔室3内。喷出部62被设置在处理槽11内。喷出部62将第一液以及第二液喷出至处理槽11。

供给单元61包括配管63与阀64。配管63连接于喷出部62。配管63进而连接于供给源65。供给源65贮存第一液。阀64被设于配管63。阀64控制喷出部62对第一液的喷出。同样地，供给单元61包括配管67与阀68。配管67连接于喷出部62。配管67进而连接于供给源69。供给源69贮存第二液。阀68被设于配管67。阀68控制喷出部62对第二液的喷出。

基板处理装置1包括减压单元81。减压单元81对腔室3的内部进行减压。具体而言，减压单元81将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。此处，当减压单元81对腔室3的内部进行减压时，腔室3内的气体的压力既可持续减少，也可不持续减少。当减压单元81对腔室3的内部进行减压时，腔室3内的气体的压力例如也可维持为规定的负压范围内。

例示减压单元81的结构。减压单元81包含配管82与排气泵83。配管82以及排气泵83被设在腔室3的外部。配管82与腔室3连通连接。排气泵83被设于配管82。排气泵83例如为真空泵。当减压单元81运转时，排气泵83经由配管82来将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。当减压单元81停止运转时，排气泵83不将腔室3内的气体排出至腔室3的外部。

基板处理装置1具有压力传感器89。压力传感器89被设置在腔室3内。压力传感器89检测腔室3内的气体的压力。

基板处理装置1包括排液单元95。排液单元95将腔室3内的处理液排出至腔室3的外部。第一实施方式中，排液单元95将处理槽11内的处理液排出至腔室3的外部。排液单元95包括配管96与排放阀97。配管96与处理槽11连通连接。配管96具有第一端与第二端。配管96的第一端位于腔室3内。配管96的第一端与处理槽11连通连接。配管96的第一端连接于排出口12b。配管96从处理槽11朝下方延伸。配管96贯穿腔室3，从腔室3的内部延伸至腔室3的外部。配管96的第二端位于腔室3外。配管96的第二端向腔室3外的大气开放。排放阀97被设于配管96。排放阀97对配管96进行开闭。当排放阀97打开时，配管96向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，处理槽11的内部通过配管96而向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，排液单元95允许处理槽11内的处理液通过配管96流出至腔室3的外部。当排放阀97关闭时，处理槽11的内部与腔室3的外部阻断。当排放阀97关闭时，排液单元95允许处理槽11贮存处理液。

配管96为本发明中的排液管的示例。

图2是基板处理装置1的控制框图。基板处理装置1包括控制部101。控制部101对基板处理装置1的各元件进行控制。具体而言，控制部101控制升降机构15。控制部101控制供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元61。控制部101控制阀24、阀34、阀44、阀48、阀64、阀68。控制部101控制减压单元81。控制部101控制排气泵83。控制部101获取压力传感器89的检测结果。控制部101控制排液单元95。控制部101控制排放阀97。

控制部101是通过执行各种处理的中央运算处理装置(中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU))、作为运算处理的作业区域的随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)以及固定磁盘等的存储介质等来实现。控制部101具有预先保存在存储介质中的各种信息。控制部101所具有的信息例如是用于对基板处理装置1进行控制的处理信息。处理信息也被称作处理程序库。

处理信息包含基准值。基准值与腔室3内的气体的压力相关。基准值是在基板处理方法的执行前预先设定。

＜1-2.基板处理装置的动作例＞

在与基板处理装置1不同的装置(未图示)中，对基板W进行湿式蚀刻处理。湿式蚀刻处理例如是对基板W供给蚀刻液的处理。随后，基板W被搬送至基板处理装置1。腔室3打开。多个基板W进入腔室3内。保持部13接纳多个基板W。在腔室3收容有基板W的状态下，腔室3关闭。

在腔室3关闭的状态下，基板处理装置1对基板W执行基板处理方法。基板处理方法是一次处理收容在腔室3内的多个基板W。以下例示具体的基板处理方法。

图3是表示第一实施方式的基板处理方法的流程的流程图。基板处理方法包括第一浸渍工序、第一减压工序、第一加压工序、判定工序、第一排液工序、第二减压工序以及干燥工序。第一浸渍工序、第一减压工序、第一加压工序、判定工序、第一排液工序、第二减压工序以及干燥工序是依此次序来执行。

图4A是示意性地表示第一浸渍工序中的基板处理装置1的图。图4B是示意性地表示第一减压工序中的基板处理装置1的图。图4C是示意性地表示第一加压工序中的基板处理装置1的图。图4D是示意性地表示第一排液工序中的基板处理装置1的图。图4E是示意性地表示第二减压工序中的基板处理装置1的图。图4A至图4E分别简洁地表示基板处理装置1。例如，图4A至图4E分别省略了保持部13以及升降机构15的图示。以下的说明中，基板处理装置1的各元件通过控制部101的控制来运行。

步骤S1：第一浸渍工序

参照图4A。处理槽11贮存从供给单元61供给的第一液L1。升降机构15使基板W移动到第二位置P2。基板W被浸渍于处理槽11内的第一液L1中。

步骤S2：第一减压工序(第一减压处理)

参照图4B。供给单元31将处理气体供给至腔室3内。本说明书中，将在第一减压工序中供给至腔室3的处理气体适当地称作“第一气体G1”。减压单元81运转。即，减压单元81对腔室3的内部进行减压。图4B中的“VAC”表示减压单元81正处于运转中。腔室3的内部成为经减压的状态(decompressed state)D。当腔室的内部处于经减压的状态D时，腔室3内的气体的压力为负压。在腔室3内形成第一气体G1的气氛。升降机构15使基板W从第二位置P2移动至第一位置P1。基板W从处理槽11内的第一液L1中被提起。在腔室3的内部经减压的状态D下，供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内的基板W。

基板W被曝露于第一气体G1。第一气体G1中所含的有机溶剂的气体在基板W的表面结露。即，第一气体G1中所含的有机溶剂的气体在基板W的表面变为有机溶剂的液体。来源于第一气体G1的有机溶剂的液体附着于基板W上而润湿基板W。因此，基板W不会被干燥。来源于第一气体G1的有机溶剂去除基板W上的第一液L1。由于腔室3的内部处于经减压的状态D，因此在基板W上从第一液L1迅速置换为来源于第一气体G1的有机溶剂。来源于第一气体G1的有机溶剂覆盖基板W的表面。

第一减压工序的处理为本发明中的第一减压处理的示例。

步骤S3：第一加压工序(第一加压处理)

参照图4C。基板W位于第一位置P1。减压单元81停止运转。即，减压单元81不对腔室3的内部进行减压。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。具体而言，供给单元41生成混合气体K，且将所生成的混合气体K通过喷出部42而供给至腔室3内。由此，腔室3的内部从经减压的状态D被加压至常压状态J。具体而言，混合气体K的惰性气体将腔室3的内部从经减压的状态D迅速加压至常压状态J。换言之，混合气体K的惰性气体使腔室3内的气体的压力迅速上升。这是因为，惰性气体难以冷凝。

腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。基板W接受混合气体K的有机溶剂。具体而言，混合气体K中所含的有机溶剂的液体附着于基板W而润湿基板W。混合气体K中的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。因此，基板W不会被干燥。不会使基板W干燥，而腔室3的内部成为常压状态(atmospheric pressure state)J。

对常压状态J进行说明。腔室3的内部为常压状态J是指：腔室3内的气体的压力为常压。常压并非特定的一个值，而是以两个不同的值来规定的范围。常压比腔室3的内部处于经减压的状态D时的腔室3内的气体的压力高。常压接近腔室3外部的气体的压力。例如，常压与腔室3外部的气体的压力实质上相等。例如，常压包含标准大气压(一大气压，101325Pa)。

在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W静止在第一位置P1。或者，在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置P1附近使基板W上下移动。例如，升降机构15也可使基板W沿铅垂方向Z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板W摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板W摆动。在基板W上下移动或摆动的情况下，整个基板W较佳地接受混合气体K。在基板W上下移动或摆动的情况下，混合气体K的有机溶剂更均匀地附着于基板W的整个表面。

第一加压工序的处理为本发明中的第一加压处理的示例。

步骤S4：判定工序

控制部101基于压力传感器89的检测结果来判定腔室3的内部是否已成为常压状态J。例如，控制部101基于压力传感器89的检测结果来获取腔室3内的气体的压力的测量值。控制部101对测量值与基准值进行比较。当测量值小于基准值时，控制部101不判定为腔室3的内部已成为常压状态J。当测量值为基准值以上时，控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态J。若控制部101不判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则返回步骤S3，继续第一加压工序。若控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则结束第一加压工序，前进至步骤S5。

步骤S5：第一排液工序＜第一常压工序＞

参照图4D。基板W位于第一位置P1。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。排液单元95将腔室3内的第一液L1排出至腔室3外。具体而言，排放阀97将配管96向腔室3外的大气开放。贮存在处理槽11内的第一液L1通过配管96而排出至腔室3外。这样，第一液L1通过配管96而从腔室3的内部流出至腔室3的外部。

第一实施方式的第一排液工序包含在本发明的第一常压工序中。

步骤S6：第二减压工序

参照图4E。供给单元41供给混合气体K。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。排放阀97关闭。供给单元61将第二液L2供给至处理槽11。处理槽11贮存第二液L2。升降机构15使基板W从第一位置P1移动至第二位置P2。基板W被浸渍在处理槽11内的第二液L2中。减压单元81开始运转。腔室3的内部从常压状态J成为经减压的状态D。

步骤S7：干燥工序

省略干燥工序的图示。升降机构15使基板W从第二位置P2移动至第一位置P1。基板W从处理槽11内的第二液L2被提起。基板W位于第一位置P1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元21将惰性气体供给至基板W。惰性气体去除基板W上的第二液L2。通过从基板W去除第二液L2，从而基板W被干燥。

在干燥工序之后，腔室3的内部受到加压。例如，供给单元21供给惰性气体，且减压单元81停止运转。由此，腔室3的内部从经减压的状态D成为常压状态J。

在腔室3成为常压状态J之后，腔室3开放。并且，腔室3内的基板W被搬出至腔室3外。

＜1-3.第一实施方式的效果＞

基板处理方法包括第一减压工序与第一加压工序。在第一减压工序中，腔室3的内部处于经减压的状态，且将第一气体G1供给至腔室3内的基板W。第一气体G1包含有机溶剂。因此，在第一减压工序中，基板W不会被干燥。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中，将混合气体K供给至腔室3内的基板W，且腔室3的内部从经减压的状态D被加压至常压状态J。混合气体K包含有机溶剂与惰性气体。因此，在第一加压工序中，能够将腔室3的内部从经减压的状态D适当地加压至常压状态J。具体而言，在第一加压工序中，不会使腔室3内的基板W干燥，而能够将腔室3的内部从经减压的状态D迅速加压至常压状态J。在第一加压工序中，基板W不会被干燥。

基板处理方法包括第一排液工序。第一排液工序是在第一加压工序之后执行。在第一排液工序中，腔室3的内部保持为常压状态J，且进行排液处理。当腔室3的内部处于常压状态J时，腔室3内的气体的压力接近腔室3外的气体的压力。因此，容易进行第一排液工序中的排液处理。因而，第一排液工序得以较佳地执行。

混合气体K包含有机溶剂的液体。混合气体K中的有机溶剂的液体附着于基板W的表面而较佳地润湿基板W。因而，混合气体K较佳地防止基板W被干燥。

在第一加压工序中，生成混合气体K，且将所生成的混合气体K通过喷出部42而供给至腔室3内。换言之，在第一加压工序中，混合气体K并非在腔室3内生成。在第一加压工序中，惰性气体与有机溶剂并非被独立地供给至腔室3。因此，在第一加压工序中，供给至腔室3内的惰性气体伴随有机溶剂。在第一加压工序中，供给至腔室3内的惰性气体未从有机溶剂分离。因此，基板W并非仅接受惰性气体。基板W与惰性气体一同接受有机溶剂。因而，在第一加压工序中，更切实地防止基板W的干燥。例如，第一加压工序较佳地防止基板W具有被干燥的部分。例如，在第一加压工序中，不仅基板W的整体性的干燥，而且基板W的部分性的干燥也得以较佳地防止。例如，在第一加压工序中，不仅基板W的整体性的干燥，而且基板W的局部性的干燥也得以较佳地防止。

基板处理方法还包括第一浸渍工序。第一浸渍工序是在第一减压工序之前执行。在第一浸渍工序中，基板W被浸渍于贮存在处理槽11内的第一液L1中。处理槽11被设置在腔室3内。在第一排液工序中，第一液L1被排出至腔室3外。如上所述，在第一排液工序中，腔室3的内部保持为常压状态J。因而，在第一排液工序中，容易将腔室3内的第一液L1排出至腔室3的外部。

在第一排液工序中，配管96向腔室3外的大气开放。配管96与处理槽11连通连接。如上所述，在第一排液工序中，腔室3的内部处于常压状态J。因此，在第一排液工序中，通过第一液L1的自重，第一液L1通过配管96而从腔室3的内部流至腔室3的外部。在第一排液工序中，第一液L1通过配管96而从腔室3的内部自然地流至腔室3的外部。在第一排液工序中，不需要将第一液L1从腔室3的内部强制送至腔室3的外部。因而，在第一排液工序中，容易通过配管96来将腔室3内的第一液L1排出至腔室3外。

基板处理方法包括第二减压工序。在第二减压工序中，腔室3的内部处于经减压的状态，且基板W被浸渍于贮存在处理槽11内的第二液L2中。如上所述，在第一加压工序中，基板W不会被干燥。进而，在第一排液工序中，腔室3的内部保持为常压状态J。因此，在第一排液工序中，基板W难以被干燥。第二减压工序是在第一排液工序之后执行。因而，从第一加压工序直至第一排液工序为止，基板W难以被干燥。在第一减压工序之后且第二减压工序之前，基板W难以被干燥。因此，在第二减压工序中，容易以适当的品质来处理基板W。

从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中为止，腔室3内的气氛包含有机溶剂。因此，从第一加压工序直至基板W被浸渍于第二液L2中为止，腔室3内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板W。因而，从第一加压工序直至第二减压工序为止，基板W不会被干燥。在第一减压工序之后且第二减压工序之前，基板W不会被干燥。因此，在第二减压工序中，基板W以适当的品质受到处理。

从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中为止，混合气体K进而被供给至腔室3内的基板W。因此，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛较佳地包含有机溶剂。

基板处理装置1包括腔室3、供给单元31、供给单元41、减压单元81以及控制部101。腔室3收容多个基板W。供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内的基板W。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。减压单元81对腔室3的内部进行减压。控制部101控制供给单元31、供给单元41与减压单元81，使它们执行第一减压处理与第一加压处理。在第一减压处理中，减压单元81对腔室3的内部进行减压，且供给单元31将第一气体G1供给至基板W。第一加压处理是在第一减压处理之后执行。在第一加压处理中，减压单元81不对腔室3的内部进行减压，且供给单元41将混合气体K供给至基板W。因此，第一加压处理不会使基板W干燥。第一加压处理不会使基板W干燥，而将腔室3的内部从经减压的状态D迅速加压至常压状态J。因而，基板处理装置1能够将腔室3的内部从经减压的状态D适当地加压至常压状态J。因此，在第一加压处理之后，第二减压工序中的基板处理得以较佳地执行。

＜2.第二实施方式＞

参照附图来说明第二实施方式。另外，对于与第一实施方式相同的结构标注相同的符号，从而省略详细说明。

＜2-1.基板处理装置的概要＞

图5是表示第二实施方式的基板处理装置1的内部的正面图。

如上所述，混合气体K包含有机溶剂与惰性气体。第二实施方式中，混合气体K包含有机溶剂的气体。即，混合气体K的有机溶剂为气相。例如，混合气体K中的有机溶剂的气体为有机溶剂的蒸气。例如，混合气体K包含有机溶剂的蒸气与惰性气体。例如，混合气体K的有机溶剂为异丙醇。例如，混合气体K的惰性气体为氮气。

例示供给单元41的结构。供给单元41具有喷出部52。喷出部52被设置在腔室3内。喷出部52配置在比处理槽11高的位置。喷出部52在方向Y上配置在位于第一位置P1的基板W的两侧。喷出部52将混合气体K喷出至腔室3内。喷出部52例如具有与喷出部22的结构类似的结构。

喷出部52为本发明中的第一喷出部的示例。

供给单元41包括配管53与阀54。配管53连接于喷出部52。配管53进而连接于供给源55。供给源55贮存混合气体K。阀54被设于配管53。阀54控制喷出部52对混合气体K的喷出。

供给源55也可进一步生成混合气体K。尽管省略图示，但供给源55例如包括贮槽与加热器。贮槽与配管53连通连接。贮槽贮存有机溶剂的液体。贮槽进而贮存惰性气体。加热器对贮槽内的有机溶剂的液体进行加热。在贮槽内中，有机溶剂的液体气化而成为有机溶剂的蒸气。在贮槽内，有机溶剂的蒸气与惰性气体经混合而成为混合气体K。即，在贮槽内，生成混合气体K。

第二实施方式中，供给单元61不供给第一液L1。因此，第二实施方式中，供给单元61不包括配管63、阀64与供给源65。

尽管省略图示，但控制部101控制阀54。

＜2-2.基板处理装置的动作例＞

图6是表示第二实施方式的基板处理方法的流程的流程图。基板处理方法包含步骤S11至步骤S15。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序、判定工序、第二浸渍工序以及干燥工序。第一减压工序、第一加压工序、判定工序、第二浸渍工序以及干燥工序是依此次序来执行。

图7A是示意性地表示第一减压工序中的基板处理装置1的图。图7B是示意性地表示第一加压工序中的基板处理装置1的图。图7C是示意性地表示第二浸渍工序中的基板处理装置1的图。图7D是示意性地表示干燥工序中的基板处理装置1的图。图7A至图7D分别简洁地表示基板处理装置1。

步骤S11：第一减压工序(第一减压处理)

参照图7A。基板W位于第一位置P1。减压单元81对腔室3的内部进行减压。腔室3的内部成为经减压的状态D。在腔室3的内部经减压的状态D下，供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内的基板W。基板W接受来源于第一气体G1的有机溶剂。基板W不会被干燥。

第一减压工序的处理为本发明中的第一减压处理的示例。

步骤S12：第一加压工序(第一加压处理)

参照图7B。第二实施方式的第一加压工序与第一实施方式的第一加压工序实质上相同。总之，基板W位于第一位置P1。减压单元81停止运转，不对腔室3的内部进行减压。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。具体而言，供给单元41生成混合气体K，且将所生成的混合气体K通过喷出部52而供给至腔室3内。由此，腔室3的内部从经减压的状态D被加压至常压状态J。

腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。基板W接受混合气体K的有机溶剂。具体而言，混合气体K中所含的有机溶剂的气体在基板W的表面结露。即，混合气体K中的有机溶剂的气体在基板W的表面变为有机溶剂的液体。来源于混合气体K的有机溶剂的液体附着于基板W上而润湿基板W。来源于混合气体K的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。因此，基板W不会被干燥。不会使基板W干燥，而腔室3的内部成为常压状态J。

在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W静止在第一位置P1。或者，在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置P1附近使基板W上下移动。例如，升降机构15也可使基板W沿铅垂方向Z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板W摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板W摆动。在基板W上下移动或摆动的情况下，整个基板W较佳地接受混合气体K。在基板W上下移动或摆动的情况下，来源于混合气体K的有机溶剂更均匀地附着于基板W的整个表面。

第一加压工序的处理为本发明中的第一加压处理的示例。

步骤S13：判定工序

控制部101基于压力传感器89的检测结果来判定腔室3的内部是否已成为常压状态J。若控制部101未判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则返回步骤S12，继续第一加压工序。若控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则结束第一加压工序，前进至步骤S14。

步骤S14：第二浸渍工序＜第一常压工序＞

参照图7C。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。供给单元41停止混合气体K的供给。处理槽11贮存从供给单元61供给的第二液L2。升降机构15使基板W从第一位置P1移动至第二位置P2。基板W被浸渍在处理槽11内的第二液L2中。

第二实施方式的第二浸渍工序包含在本发明的第一常压工序中。

步骤S15：干燥工序

参照图7D。升降机构15使基板W从第二位置P2移动至第一位置P1。基板W从处理槽11内的第二液L2被提起。基板W位于第一位置P1。减压单元81开始运转，对腔室3的内部进行减压。腔室3的内部从常压状态J成为经减压的状态D。供给单元21将惰性气体N供给至基板W。惰性气体去除基板W上的第二液L2。基板W被干燥。

＜2-3.第二实施方式的效果＞

通过第二实施方式，起到与第一实施方式同样的效果。例如，通过第二实施方式的基板处理方法，也能够将腔室3的内部从经减压的状态D适当地加压至常压状态J。进而，根据第二实施方式，起到以下的效果。

混合气体K包含有机溶剂的气体。混合气体K中的有机溶剂的气体在基板W的表面结露，在基板W的表面变为有机溶剂的液体。来源于混合气体K的有机溶剂较佳地润湿基板W。因而，混合气体K较佳地防止基板W被干燥。

基板处理方法包括第二浸渍工序。在第二浸渍工序中，腔室3的内部保持为常压状态J，且基板W被浸渍于贮存在处理槽11内的第二液L2中。第二浸渍工序是在第一加压工序之后执行。在第一加压工序中，基板不会被干燥。因此，在第一减压工序之后且第二浸渍工序之前，基板W不会被干燥。因而，在第二浸渍工序中，基板W以适当的品质受到处理。

从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中为止，腔室3内的气氛包含有机溶剂。因此，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中为止，腔室3内的气氛中所含的有机溶剂润湿基板W。因而，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，基板W不会被干燥。在第一减压工序之后且第二浸渍工序之前，基板W不会被干燥。因此，在第二浸渍工序中，基板W以适当的品质受到处理。

另外，在第二实施方式的第二浸渍工序中，混合气体K未被供给至腔室3内，但腔室3内的气氛包含有机溶剂。其理由如下。在第一加压工序中，在腔室3内形成混合气体K的气氛。在第二浸渍工序中，腔室3的内部未受到减压。因此，在第二浸渍工序中，混合气体K的气氛残留在腔室3内。因而，在第二浸渍工序中，腔室3的气氛也包含混合气体K的有机溶剂。

＜3.第三实施方式＞

参照附图来说明第三实施方式。另外，对于与第一实施方式相同的结构标注相同的符号，从而省略详细说明。

＜3-1.基板处理装置的概要＞

图8是表示第三实施方式的基板处理装置1的内部的正面图。基板处理装置1包括供给单元71。供给单元71将疏水剂供给至腔室3。当基板W处于第一位置P1时，供给单元71将疏水剂供给至基板W。

对供给单元71所供给的疏水剂进行说明。疏水剂使基板W的表面疏水化。疏水剂将基板W的表面改性为疏水性。疏水剂使基板W的表面与水的接触角变大。疏水剂在基板W的表面形成疏水膜。基板W的表面利用疏水剂而涂覆。疏水剂也被称作表面改性剂。疏水剂也被称作防水剂。

疏水剂例如包含硅系疏水剂以及金属系疏水剂中的至少任一种。硅系疏水剂是使硅疏水化。硅系疏水剂是使包含硅的化合物疏水化。硅系疏水剂例如为硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包含六甲基二硅氮烷(Hexamethyl Disilazane，HMDS)、四甲基硅烷(Tetramethylsilane，TMS)、氟烷基氯硅烷(fluorinated alkyl chlorosilane)、烷基二硅氮烷(alkyl disilazane)以及非氯系疏水剂中的至少一种。非氯系疏水剂例如包含二甲基硅烷基二甲胺(dimethylsilyl dimethylamine)、二甲基硅烷基二乙胺(dimethylsilyldiethylamine)、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷(tetramethyl disilazane)、双(二甲氨基)二甲基硅烷(bis(dimethyl amino)dimethylsiloxane)、N,N-二甲氨基三甲基硅烷、N-(三甲基硅烷基)二甲胺(N-(trimethylsilyl)dimethylamine)以及有机硅烷(organosilane)化合物中的至少一种。金属系疏水剂是使金属疏水化。金属系疏水剂是使包含金属的化合物疏水化。金属系疏水剂例如包含具有疏水基的胺以及有机硅化合物中的至少一种。

疏水剂也可进而包含溶剂。例如，溶剂也可对硅系疏水剂以及金属系疏水剂中的至少任一种进行稀释。优选的是，溶剂与有机溶剂具有相溶解性。溶剂例如包含异丙醇(IsoPropyl Alcohol，IPA)、丙二醇单甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl EtherAcetate，PGMEA)中的至少任一种。

疏水剂包含疏水剂的气体以及疏水剂的液体中的至少任一种。供给单元71供给疏水剂的气体以及疏水剂的液体中的至少任一种。例如，疏水剂的气体为疏水剂的蒸气。

例示供给单元71的结构。供给单元71具有喷出部72。喷出部72被设置在腔室3内。喷出部72配置在比处理槽11高的位置。喷出部72在方向Y上配置在位于第一位置P1的基板W的两侧。喷出部72将疏水剂喷出至腔室3内。喷出部72例如具有与喷出部22的结构类似的结构。

供给单元71包括配管73与阀74。配管73连接于喷出部72。配管73进而连接于供给源75。供给源75贮存疏水剂。阀74被设于配管73。阀74控制喷出部72对疏水剂的喷出。

基板处理装置1包括泄流单元(dump unit)91。泄流单元91放出处理槽11内的处理液。腔室3接受从处理槽11放出的处理液。从处理槽11放出的处理液积留在腔室3的底部。泄流单元91包括泄流阀92。泄流阀92被设置在腔室3的内部。泄流阀92被安装在处理槽11的底部。泄流阀92与排出口12b连通连接。当泄流阀92打开时，泄流单元91允许处理液通过泄流阀92而从处理槽11的内部流落到处理槽11的外部。当泄流阀92关闭时，泄流单元91允许处理槽11贮存处理液。

排液单元95将腔室3内的处理液排出至腔室3的外部。第三实施方式中，排液单元95将积留在腔室3的底部的处理液排出至腔室3的外部。排液单元95除了排放阀97以外，还包括配管99。配管99被设在腔室3的外部。配管99与腔室3连通连接。配管99具有第一端与第二端。配管99的第一端与腔室3连通连接。配管99的第一端连接于腔室3的底部。配管99从腔室3朝下方延伸。配管99的第二端向腔室3外的大气开放。排放阀97被设于配管99。排放阀97对配管99进行开闭。当排放阀97打开时，配管99向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，腔室3的内部通过配管99而向腔室3的外部开放。当排放阀97打开时，排液单元95允许腔室3内的处理液通过配管99而流至腔室3的外部。当排放阀97关闭时，腔室3的内部与腔室3的外部阻断。当排放阀97关闭时，排液单元95允许腔室3的内部成为经减压的状态D。

配管99为本发明中的排液管的示例。

尽管省略图示，但控制部101控制供给单元71。控制部101控制阀74。控制部101控制泄流单元91。控制部101控制泄流阀92。

＜3-2.基板处理装置的动作例＞

图9、图10是分别表示第三实施方式的基板处理方法的流程的流程图。基板处理方法包含步骤S21至步骤S38。步骤S21至步骤S27是依此次序来执行。步骤S28至步骤S29是在步骤S27之后且步骤S30之前执行。步骤S30至步骤S38是依此次序来执行。

图11A至图11E、图12A至图12E、图13A至图13E、图14A至图14B是分别示意性地表示步骤S21至步骤S30、步骤S32至步骤S38中的基板处理装置1的图。图11A至图11E等分别简洁地表示基板处理装置1。

步骤S21：第一供给工序

参照图11A。基板W位于第一位置P1。腔室3的内部处于常压状态J。供给单元61将第一液L1供给至处理槽11。泄流阀92被关闭。处理槽11贮存第一液L1。随后，供给单元61停止第一液L1的供给。

步骤S22：第一浸渍工序

参照图11B。腔室3的内部处于常压状态J。升降机构15使基板W从第一位置P1移动至第二位置P2。基板W被浸渍于处理槽11内的第一液L1中。

步骤S23：气氛形成工序

参照图11C。基板W位于第二位置P2，且被浸渍于处理槽11内的第一液L1中。供给单元21将惰性气体N供给至腔室3内。减压单元81开始运转。排放阀97被关闭。腔室3的内部从常压状态J成为经减压的状态D。在将基板W浸渍于第一液L1中的状态下，在腔室3内形成惰性气体N的气氛。

步骤S24：气氛形成工序(第一气氛形成工序)

参照图11D。基板W位于第二位置P2，且被浸渍于处理槽11内的第一液L1中。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元21停止惰性气体N的供给。供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内。在将基板浸渍于第一液L1中的状态下，在腔室3内形成第一气体G1的气氛。

步骤S24的气氛形成工序为本发明中的第一气氛形成工序的示例。

步骤S25：第一气体处理工序(第一减压工序)

参照图11E。减压单元81正处于运转中。即，减压单元81对腔室3的内部进行减压。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内。升降机构15使基板W从第二位置P2移动至第一位置P1。在腔室3的内部经减压的状态D下，基板W从处理槽11内的第一液L1中被提起至处理槽11的上方。供给单元31将第一气体G1供给至基板W。基板W接受来源于第一气体G1的有机溶剂。来源于第一气体G1的有机溶剂去除基板W上的第一液L1。来源于第一气体G1的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。

第一气体处理工序为本发明中的第一减压工序的示例。第一气体处理工序的处理为本发明中的第一减压处理的示例。

步骤S26：泄流工序

参照图12A。基板W位于第一位置P1。供给单元31将第一气体G1供给至腔室3内的基板W。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。泄流阀92打开。泄流单元91将第一液L1从处理槽11予以放出。排放阀97被关闭。第一液L1积留在腔室3的底部。

步骤S27：疏水处理工序

参照图12B。基板W位于第一位置P1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元31停止第一气体G1的供给。供给单元71将疏水剂H供给至腔室3内的基板W。疏水剂H附着于基板W。在基板W上，从来源于第一气体G1的有机溶剂置换为疏水剂H。疏水剂H覆盖基板W的表面。疏水剂H使基板W疏水化。

基板W上的疏水剂H的一部分变为疏水膜。疏水膜形成在基板W的表面。基板W上的疏水剂H的另一部分成为疏水剂H的未反应成分。疏水剂H的未反应成分未发生反应，而就此残留在基板W上。疏水剂H的未反应成分也被称作疏水剂H的残留成分或者疏水剂H的剩余成分。进而，基板W上的疏水剂H的另一部分有时会变为颗粒。颗粒也被称作异物。来源于疏水剂H的颗粒例如是因疏水剂H与有机溶剂接触而生成。来源于疏水剂H的颗粒例如是因疏水剂H与基板W接触而生成。进而，疏水剂H的未反应成分有时会成为来源于疏水剂H的颗粒。

随后，供给单元71停止疏水剂H的供给。

步骤S28：第二气体处理工序(第一减压工序/第一减压处理)

参照图12C。基板W位于第一位置P1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元31将处理气体供给至腔室3内的基板W。本说明书中，将在第二气体处理工序中供给至腔室3的处理气体适当地称作“第二气体G2”。基板W接受来源于第二气体G2的有机溶剂。来源于第二气体G2的有机溶剂去除基板W上的未反应的疏水剂H。来源于第二气体G2的有机溶剂去除基板W上的来源于疏水剂H的颗粒。来源于第二气体G2的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。随后，供给单元31停止第二气体G2的供给。

步骤S29：散布工序(第一减压工序/第一减压处理)

参照图12D。基板W位于第一位置P1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。基板W接受混合气体K的有机溶剂。混合气体K的有机溶剂去除基板W上的未反应的疏水剂H。混合气体K的有机溶剂去除基板W上的来源于疏水剂H的颗粒。来源于混合气体K的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。

在散布工序中，升降机构15也可使基板W静止在第一位置P1。或者，在散布工序中，升降机构15也可使基板W上下移动。例如，升降机构15也可在第一位置P1附近使基板W上下移动。例如，升降机构15也可使基板W沿铅垂方向Z上下移动。或者，升降机构15也可进而包括使基板W摆动的未图示的机构。升降机构15也可通过所述机构来使基板W摆动。在基板W上下移动或摆动的情况下，整个基板W较佳地接受混合气体K。在基板W上下移动或摆动的情况下，混合气体K的有机溶剂更均匀地附着于基板W的整个表面。

此处，第二气体处理工序与散布工序也可依照任意的顺序来执行。例如，也可在第二气体处理工序之前执行散布工序。例如，也可在第二气体处理工序之后执行散布工序。例如，散布工序也可与第二气体处理工序同时执行。

第二气体处理工序为本发明中的第一减压工序的示例。第二气体处理工序的处理为本发明中的第一减压处理的示例。散布工序为本发明中的第一减压工序的示例。散布工序的处理为本发明中的第一减压处理的示例。

步骤S30：第一加压工序(第一加压处理)

参照图12E。第三实施方式的第一加压工序与第一实施方式的第一加压工序实质上相同。总之，基板W位于第一位置P1。减压单元81停止运转，不对腔室3的内部进行减压。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。由此，腔室3的内部从经减压的状态D被加压至常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。基板W接受混合气体K的有机溶剂。因此，基板W不会被干燥。

在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W静止在第一位置P1。或者，在第一加压工序中，升降机构15也可使基板W上下移动或摆动。

第一加压工序的处理为本发明中的第一加压处理的示例。

步骤S31：判定工序

控制部101基于压力传感器89的检测结果来判定腔室3的内部是否已成为常压状态J。若控制部101未判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则返回步骤S30，继续第一加压工序。若控制部101判定为腔室3的内部已成为常压状态J，则结束第一加压工序，前进至步骤S32。

步骤S32：第一排液工序＜第一常压工序＞

参照图13A。基板W位于第一位置P1。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。排液单元95将腔室3内的第一液L1排出至腔室3外。具体而言，排放阀97将配管99向腔室3外的大气开放。积留在腔室3底部的第一液L1通过配管99而排出至腔室3外。这样，第一液L1通过配管99而从腔室3的内部流至腔室3的外部。

第三实施方式的第一排液工序包含在本发明的第一常压工序中。

步骤S33：第二供给工序＜第一常压工序＞

参照图13B。基板W位于第一位置P1。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。泄流阀92关闭。供给单元61将第二液L2供给至处理槽11。处理槽11贮存第二液L2。

第二供给工序为本发明中的供给工序的示例。第二供给工序包含在本发明的第一常压工序中。

步骤S34：第二浸渍工序＜第一常压工序＞

参照图13C。供给单元41将混合气体K供给至腔室3内的基板W。减压单元81处于停止中。腔室3的内部保持为常压状态J。腔室3内的气氛包含混合气体K的有机溶剂。升降机构15使基板W从第一位置P1移动至第二位置P2。基板W被浸渍在处理槽11内的第二液L2中。第二液L2对基板W进行清洗。例如，第二液L2去除基板W上的未反应的疏水剂H。例如，第二液L2去除基板W上的来源于疏水剂H的颗粒。

排液单元95将腔室3内的第二液L2排出至腔室3外。排液单元95将从处理槽11溢出的第二液L2排出至腔室3外。具体而言，供给单元61持续向处理槽11供给第二液L2。泄流阀92关闭。第二液L2从处理槽11的开口12a溢出。当第二液L2从处理槽11溢出时，从基板W被去除的疏水剂H也从处理槽11溢出。当第二液L2从处理槽11溢出时，从基板W被去除的来源于疏水剂H的颗粒也从处理槽11溢出。从处理槽11溢出的第二液L2积留在腔室3的底部。排放阀97打开。配管99向腔室3外的大气开放。积留在腔室3底部的第二液L2通过配管99而流至腔室3外。

第三实施方式的第二浸渍工序包含在本发明的第一常压工序中。

步骤S35：气氛形成工序

参照图13D。基板W位于第二位置P2，且被浸渍在处理槽11内的第二液L2中。供给单元61停止第二液L2的供给。排放阀97关闭。供给单元41停止混合气体K的供给。供给单元31将处理气体供给至腔室3内。本说明书中，将在第二浸渍工序之后供给至腔室3的处理气体适当地称作“第三气体G3”。减压单元81开始运转。腔室3的内部从常压状态J成为经减压的状态D。在腔室3内形成第三气体G3的气氛。

步骤S36：第三气体处理工序

参照图13E。供给单元31将第三气体G3供给至腔室3内。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。升降机构15使基板W从第二位置P2移动至第一位置P1。基板W从处理槽11内的第二液L2被提起。供给单元31将第三气体G3供给至基板W。基板W接受来源于第三气体G3的有机溶剂。来源于第三气体G3的有机溶剂去除基板W上的第二液L2。来源于第三气体G3的有机溶剂的液体覆盖基板W的表面。

步骤S37：干燥工序

参照图14A。基板W位于第一位置P1。减压单元81正处于运转中。腔室3的内部保持为经减压的状态D。供给单元31停止第三气体G3的供给。供给单元21供给惰性气体N。惰性气体N去除基板W上的有机溶剂。基板W被干燥。

步骤S38：第二加压工序

参照图14B。基板W位于第一位置P1。供给单元21供给惰性气体N。减压单元81停止运转。腔室3的内部从经减压的状态D被加压至常压状态J。

＜3-3.第三实施方式的效果＞

通过第三实施方式，起到与第一实施方式同样的效果。例如，通过第三实施方式的基板处理方法，也能够将腔室3的内部从经减压的状态D适当地加压至常压状态J。进而，根据第三实施方式，起到以下的效果。

如上所述，第一气体处理工序(S25)为本发明中的第一减压工序的示例。在第一气体处理工序中，在腔室3的内部经减压的状态D下，基板W从第一液L1被提起至处理槽11的上方。因此，在第一气体处理工序中，直至基板W从处理槽11内的第一液L1中被提起时为止，处理槽11贮存第一液L1。此处，在第一气体处理工序中，当基板W从处理槽11内的第一液L1中被提起时，腔室3的内部处于已经减压的状态D。直至腔室3的内部成为经减压的状态D为止，处理槽11贮存第一液L1。只要腔室3的内部处于经减压的状态D，便难以从腔室3的内部将第一液L1排出至腔室3的外部。但是，第一加压工序是在第一气体处理工序之后且第一排液工序之前执行。因此，容易执行第一排液工序。这样，在直至腔室3的内部成为经减压的状态D为止，处理槽11贮存第一液L1的情况下，第一加压工序显著有用。

基板处理方法包括步骤S24的气氛形成工序。此处，将步骤S24的气氛形成工序称作第一气氛形成工序。第一气氛形成工序是在第一气体处理工序(S25)之前执行。在第一气氛形成工序中，基板W被浸渍于第一液L1中，且在腔室3内形成第一气体G1的气氛。因此，在第一气体处理工序中，从基板W从处理槽11内的第一液L1中被提起时开始，基板W便曝露于第一气体G1的气氛中。因而，第一气体处理工序中的基板处理的品质得以较佳地提高。

基板处理方法包括第二供给工序(S33)。第二供给工序是在第一排液工序之后执行。在第二供给工序中，腔室3的内部保持为常压状态J，且将第二液L2供给至处理槽11。因此，在腔室3内的第一液L1被排出至腔室3外之后，将第二液L2供给至处理槽11。因而，容易在第二供给工序中将第二液L2供给至处理槽11。进而，在第二供给工序中，腔室3的内部处于常压状态J。因而，更容易在第二供给工序中将第二液L2供给至处理槽11。其结果，容易在第二供给工序中使第二液L2贮存于处理槽11中。通过第一排液工序与第二供给工序的组合，容易在处理槽11中从第一液L1置换为第二液L2。

在第一加压工序(S30)之后，执行第二浸渍工序(S34)。在第二浸渍工序中，基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中。从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11的第二液L2中为止，混合气体K进而被供给至腔室3内的基板W。因此，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛较佳地包含有机溶剂。因而，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，基板W不会被干燥。在第一减压工序之后且第二浸渍工序之前，基板W不会被干燥。因此，在第二浸渍工序中，基板W以适当的品质受到处理。

在第二浸渍工序中，进而，第二液L2被排出至腔室3外。在第二浸渍工序中，腔室3的内部处于常压状态J。因而，在第二浸渍工序中，容易将腔室3内的第二液L2排出至腔室3外。

在第二浸渍工序中，第二液L2从处理槽11溢出，且从处理槽11溢出的第二液L2被排出至腔室3外。因此，在第二浸渍工序中，容易将处理槽11内的第二液L2保持为洁净。因而，第二浸渍工序中的基板处理的品质较佳地提高。

在第二浸渍工序中，配管99向腔室3外的大气开放。配管99与腔室3连通连接。如上所述，在第二浸渍工序中，腔室3的内部处于常压状态J。因此，在第二浸渍工序中，通过第二液L2的自重，第二液L2通过配管99而从腔室3的内部流至腔室3的外部。在第二浸渍工序中，第二液L2通过配管99而从腔室3的内部自然流至腔室3的外部。在第二浸渍工序中，不需要将第二液L2从腔室3的内部强制送至腔室3的外部。因而，在第二浸渍工序中，容易通过配管99而将腔室3内的第二液L2排出至腔室3外。

本发明并不限于第一实施方式至第三实施方式，而能够像下述那样进行变形实施。

(1)第一实施方式、第三实施方式中，混合气体K包含有机溶剂的液体。第二实施方式中，混合气体K包含有机溶剂的气体。但并不限于此。混合气体K也可包含有机溶剂的气体以及有机溶剂的液体中的至少任一种。通过本变形实施方式，来源于混合气体K的有机溶剂也较佳地润湿基板W。因而，混合气体K较佳地防止基板W被干燥。

(2)第一实施方式至第三实施方式中，混合气体K包含有机溶剂。此处，混合气体K中所含的有机溶剂也可为被稀释的有机溶剂。例如，混合气体K中所含的有机溶剂是通过纯水而稀释的有机溶剂。

或者，混合气体K中所含的有机溶剂也可为未被稀释的有机溶剂。例如，混合气体K中所含的有机溶剂实质上仅包含有机溶剂的液体。例如，混合气体K中所含的有机溶剂为有机溶剂的原液。例如，混合气体K中所含的有机溶剂实质上不含水。

(3)第一实施方式至第三实施方式中，例示了将混合气体K供给至腔室3内的期间。但并不限于此。也可变更将混合气体K供给至腔室3内的期间。

第一实施方式中，从第一加压工序(S3)直至第二减压工序(S6)为止，将混合气体K供给至腔室3内。但并不限于此。例如，也可从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，将混合气体K供给至腔室3内。也可在基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中之后，停止混合气体K的供给。根据本变形实施方式，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛较佳地包含混合气体K的有机溶剂。

第二实施方式的第二浸渍工序(S14)中，未将混合气体K供给至腔室3内。但并不限于此。例如也可在第二浸渍工序(S14)中将混合气体K供给至腔室3。根据本变形实施方式，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛较佳地包含混合气体K的有机溶剂。从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，腔室3内的气氛较佳地包含混合气体K的有机溶剂。

或者，也可从第一加压工序(S12)直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，将混合气体K供给至腔室3内。也可在基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中之后，停止混合气体K的供给。通过本变形实施方式，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛也较佳地包含混合气体K的有机溶剂。

第三实施方式中，从第一加压工序(S30)直至第二浸渍工序(S34)为止，将混合气体K供给至腔室3内。但并不限于此。例如也可从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，将混合气体K供给至腔室3内。也可在基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中之后，停止混合气体K的供给。根据本变形实施方式，从第一加压工序直至基板W被浸渍于处理槽11内的第二液L2中为止，腔室3内的气氛较佳地包含混合气体K的有机溶剂。

或者，也可在第一加压工序(S30)之后停止混合气体K的供给。即，在第一排液工序(S32)、第二供给工序(S33)与第二浸渍工序(S34)中，也可不将混合气体K供给至腔室3内。通过本变形实施方式，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，腔室3内的气氛也较佳地包含混合气体K的有机溶剂。在本变形实施方式的情况下，在第一加压工序中，在腔室3内形成混合气体K的气氛。在第一排液工序、第二供给工序与第二浸渍工序中，腔室3的内部未受到减压。在第一排液工序、第二供给工序与第二浸渍工序中，腔室3内的气体未排出至腔室3的外部。因此，在第一加压工序之后，直至第二浸渍工序为止，混合气体K的气氛仍残留在腔室3内。因而，通过本变形实施方式，从第一加压工序直至第二浸渍工序为止，腔室3内的气氛也较佳地包含混合气体K的有机溶剂。

(4)第一实施方式中，排液单元95的配管96与处理槽11连通连接。第一实施方式的第一排液工序(S5)中，处理槽11内的第一液L1通过配管96而排出至腔室3外。但并不限于此。例如，配管96也可与腔室3连通连接。例如，配管96也可变更为与第三实施方式的配管99类似的结构。例如，在第一实施方式的第一排液工序中，积留在腔室3内的第一液L1也可通过配管96而排出至腔室3外。

(5)第三实施方式中，排液单元95的配管99与腔室3连通连接。第三实施方式的第一排液工序(S32)中，积留在腔室3内的第一液L1通过配管99而排出至腔室3外。第三实施方式的第二浸渍工序(S34)中，积留在腔室3内的第二液L2通过配管99而排出至腔室3外。但并不限于此。例如，配管99也可与处理槽11连通连接。例如，配管99也可变更为与第一实施方式的配管96类似的结构。例如，在第三实施方式的第一排液工序中，处理槽11内的第一液L1也可通过配管99而排出至腔室3外。例如，在第三实施方式的第二浸渍工序中，处理槽11内的第二液L2也可通过配管99而排出至腔室3外。

(6)第一实施方式、第三实施方式中，作为供给至处理槽11的第一液L1，例示了冲洗液以及纯水。但并不限于此。例如，第一液L1也可为被稀释的有机溶剂。例如，第一液L1也可为通过纯水而稀释的有机溶剂。

(7)第一实施方式至第三实施方式中，作为供给至处理槽11的第二液L2，例示了被稀释的有机溶剂。但并不限于此。例如，第二液L2也可为冲洗液。例如，第二液L2也可为纯水。

(8)第一实施方式至第三实施方式中，例示了供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元61、供给单元71的结构。但并不限于此。也可适当变更供给单元21、供给单元31、供给单元41、供给单元61、供给单元71的结构。

第一实施方式至第三实施方式中，惰性气体N、第一气体G1、混合气体K、疏水剂H是从互不相同的喷出部22、喷出部32、喷出部42、喷出部52、喷出部72喷出。但并不限于此。惰性气体N、第一气体G1、混合气体K以及疏水剂H中的至少两种也可从相同的喷出部喷出。

供给单元61将所生成的第二液L2供给至处理槽11。但并不限于此。供给单元61也可在处理槽11内生成第二液L2。例如，供给单元61也可将未被稀释的有机溶剂与纯水独立地供给至处理槽11。

在第三实施方式的散布工序(S29)中，混合气体K被散布至腔室3内的基板W。但并不限于此。例如，在散布工序中，也可将第三液散布至腔室3内的基板W。例如，在散布工序中，第三液也可不伴随惰性气体而散布。例如，在散布工序中，第三液也可通过喷淋头喷嘴来散布。此处，第三液例如包含有机溶剂的液体。

(9)对于第一实施方式至第三实施方式以及所述(1)至(8)中说明的各变形实施方式，也可进一步将各结构置换为其他变形实施方式的结构或者组合至其他变形实施方式的结构等，从而进行适当变更。

本发明可不脱离其思想或本质而以其他的具体实施例来实施，因此，作为表示发明范围的内容，应参照附加的权利要求而非以上的说明。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，一次处理收容在一个腔室内的多个基板，所述基板处理方法包括：

第一减压工序，在所述腔室的内部经减压的状态下，将包含有机溶剂的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；

第一加压工序，在所述第一减压工序之后，将包含有机溶剂与惰性气体的混合气体供给至所述腔室内的所述基板，且将所述腔室的内部从经减压的状态加压至常压状态；以及

第一常压工序，在所述第一加压工序之后，将所述腔室的内部保持为常压状态，且进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中

所述混合气体包含所述有机溶剂的气体以及所述有机溶剂的液体中的至少任一种。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中

在所述第一加压工序中，生成所述混合气体，且将所生成的所述混合气体通过第一喷出部而供给至所述腔室内。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中

在所述第一加压工序中，进而在所述腔室内使所述基板上下移动或摆动。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

第一浸渍工序，在所述第一减压工序之前，将所述基板浸渍于贮存在处理槽内的第一液中，所述处理槽被设置在所述腔室内，

所述第一常压工序还包括

将所述第一液排出至所述腔室外的第一排液工序。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中

在所述第一排液工序中，将与所述腔室以及所述处理槽中的任一者连通连接的排液管向所述腔室外的大气开放，通过所述排液管来将所述第一液排出至所述腔室外。

7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中

在所述第一减压工序中，在所述腔室的内部经减压的状态下，将所述基板从所述第一液中提取到所述处理槽的上方。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，还包括：

第一气氛形成工序，在所述第一减压工序之前，在将所述基板浸渍于所述第一液的状态下，在所述腔室内形成所述第一气体的气氛。

9.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中

所述第一常压工序还包括

在所述第一排液工序之后将第二液供给至所述处理槽的供给工序。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中

所述第一常压工序还包括

将所述基板浸渍于贮存在所述处理槽内的所述第二液中的第二浸渍工序。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中

从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述腔室内的气氛包含有机溶剂。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中

从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述混合气体进而被供给至所述腔室内的所述基板。

13.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中

在第二浸渍工序中，进而将所述第二液排出至所述腔室外。

14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中

所述第一常压工序还包括

将所述基板浸渍于贮存在处理槽内的第二液中的第二浸渍工序，所述处理槽被设置在所述腔室内。

15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中

在所述第二浸渍工序中，进而将所述第二液排出至所述腔室外。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中

在所述第二浸渍工序中，所述第二液从所述处理槽溢出，且将从所述处理槽溢出的所述第二液排出至所述腔室外。

17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中

在所述第二浸渍工序中，将与所述腔室以及所述处理槽中的任一者连通连接的排液管向所述腔室外的大气开放，通过所述排液管来将所述第二液排出至所述腔室外。

18.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：

第二减压工序，在所述第一常压工序之后，在所述腔室的内部经减压的状态下，将所述基板浸渍于贮存在处理槽内的第二液中，所述处理槽被设置在所述腔室内。

19.根据权利要求18所述的基板处理方法，其中

从所述第一加压工序直至所述基板被浸渍于所述第二液中为止，所述腔室内的气氛包含有机溶剂。

20.一种基板处理装置，包括：

腔室，收容多个基板；

减压单元，对所述腔室的内部进行减压；

第一供给单元，将包含有机溶剂的第一气体供给至所述腔室内的所述基板；

第二供给单元，将包含有机溶剂与惰性气体的混合气体供给至所述腔室内的所述基板；以及

控制部，控制所述减压单元、所述第一供给单元与所述第二供给单元，使它们执行第一减压处理与第一加压处理，

在所述第一减压处理中，所述减压单元对所述腔室的内部进行减压，且所述第一供给单元将所述第一气体供给至所述基板，

在所述第一加压处理中，所述减压单元不对所述腔室的内部进行减压，且所述第二供给单元将所述混合气体供给至所述基板。

Images