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Abstract
Description
電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
表示素子である。
2次元マトリクス状に配列された表示素子を有する表示装置であって、
表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
表示装置である。
2次元マトリクス状に配列された表示素子を有する表示装置を備えた電子機器であって、
表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
電子機器である。
1.本開示に係る、表示素子、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明
2.第1の実施形態
3.第2の実施形態
4.第3の実施形態
5.電子機器の説明、その他
上述したように、本開示の第1の態様に係る表示素子、及び、本開示の第1の態様に係る表示装置や本開示の第1の態様に係る電子機器に用いられる表示素子(以下、単に、これらを「本開示の表示素子」と呼ぶ場合がある。)は、
電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する。
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、半導体基板に形成されたウエル内に設けられており、
駆動トランジスタは、給電線が接続される一方のソース/ドレイン領域と、発光部の一旦に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタは、外部から信号電圧が供給される一方のソース/ドレイン領域と、駆動トランジスタのゲート電極に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域とは、素子分離領域を介して対向するように形成されている、
構成とすることができる。
駆動トランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層、及び、書込みトランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層は、1マイクロメートル以上の接合深さを有するように設定されている、
構成とすることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示素子を構成する電流駆動型の発光部として、有機エレクトロルミネッセンス素子、LED素子、半導体レーザ素子などを用いることができる。これらの素子は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る構成とすることが好ましい。
第1の実施形態は、本開示の第1の態様に係る、表示素子、表示装置、及び、電子機器に関する。
μ :実効的な移動度
L :チャネル長
W :チャネル幅
VCC:ソース領域に供給される駆動電圧
VSig:ゲート電極に印加された信号電圧
Vth:閾値電圧
Cox:(ゲート絶縁層の比誘電率)×(真空の誘電率)/(ゲート絶縁層の厚さ)
k≡(1/2)・(W/L)・Cox
とする。
VA_INI・CGA/(CS+CGA)
と表される。
また、ゲート電圧変化後のドレイン電流は、
Ids=k・μ・((VCC-(VSig+VA_INI・CGA/(CS+CGA))-|Vth|)2
と表される。
(VA_INI+VCWT)・CGA/(CS+CGA)
と表される。
また、ゲート電圧変化後のドレイン電流は、
Ids=k・μ・((VCC-(VSig+(VA_INI+VCWT)・CGA/(CS+CGA))-|Vth|)2
と表される。
第2の実施形態は、本開示の第2の態様に係る、表示素子、表示装置、及び、電子機器に関する。
第3の実施形態は、本開示の第3の態様に係る、表示素子、表示装置、及び、電子機器に関する。
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部(表示装置)として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(頭部装着型ディスプレイ)等の表示部として用いることができる。
図19は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図19Aにその正面図を示し、図19Bにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部(カメラボディ)411の正面右側に交換式の撮影レンズユニット(交換レンズ)412を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部413を有している。
図20は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部511の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部512を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部511として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部511として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
図21は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ611は、本体部612、アーム613および鏡筒614で構成される。
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
[A1]
電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
表示素子。
[A2]
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、半導体基板に形成されたウエル内に設けられており、
駆動トランジスタは、給電線が接続される一方のソース/ドレイン領域と、発光部の一旦に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタは、外部から信号電圧が供給される一方のソース/ドレイン領域と、駆動トランジスタのゲート電極に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域とは、素子分離領域を介して対向するように形成されている、
上記[A1]に記載の表示素子。
[A3]
素子分離領域は、半導体基板の表面に掘られた溝に絶縁体が埋め込まれたSTI(Shallow Trench Isolation)構造によって形成されている、
上記[A1]または[A2]に記載の表示素子。
[A4]
駆動トランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層、及び、書込みトランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層は、1マイクロメートル以上の接合深さを有するように設定されている、
上記[A1]ないし[A3]のいずれかに記載の表示素子。
[A5]
駆動トランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[A1]ないし[A4]のいずれかに記載の表示素子。
[A6]
書込みトランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[A1]ないし[A5]のいずれかに記載の表示素子。
[A7]
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタのゲート電極とを接続するためのゲート配線の周囲には、シールド配線が設けられている、
上記[A2]ないし[A6]のいずれかに記載の表示素子。
[A8]
シールド配線は、給電線と接続されている、
上記[A7]のいずれかに記載の表示素子。
[A9]
駆動部は、更に、給電線と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[A2]ないし[A8]のいずれかに記載の表示素子。
[A10]
駆動部は、更に、発光部の一端と駆動トランジスタの他方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[A2]ないし[A8]のいずれかに記載の表示素子。
[A11]
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記[A1]ないし[A10]のいずれかに記載の表示素子。
2次元マトリクス状に配列された表示素子を有する表示装置であって、
表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
表示装置。
[B2]
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、半導体基板に形成されたウエル内に設けられており、
駆動トランジスタは、給電線が接続される一方のソース/ドレイン領域と、発光部の一旦に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタは、外部から信号電圧が供給される一方のソース/ドレイン領域と、駆動トランジスタのゲート電極に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域とは、素子分離領域を介して対向するように形成されている、
上記[B1]に記載の表示装置。
[B3]
素子分離領域は、半導体基板の表面に掘られた溝に絶縁体が埋め込まれたSTI(Shallow Trench Isolation)構造によって形成されている、
上記[B1]または[B2]に記載の表示装置。
[B4]
駆動トランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層、及び、書込みトランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層は、1マイクロメートル以上の接合深さを有するように設定されている、
上記[B1]ないし[B3]のいずれかに記載の表示装置。
[B5]
駆動トランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[B1]ないし[B4]のいずれかに記載の表示装置。
[B6]
書込みトランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[B1]ないし[B5]のいずれかに記載の表示装置。
[B7]
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタのゲート電極とを接続するためのゲート配線の周囲には、シールド配線が設けられている、
上記[B2]ないし[B6]のいずれかに記載の表示装置。
[B8]
シールド配線は、給電線と接続されている、
上記[B7]のいずれかに記載の表示装置。
[B9]
駆動部は、更に、給電線と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[B2]ないし[B8]のいずれかに記載の表示装置。
[B10]
駆動部は、更に、発光部の一端と駆動トランジスタの他方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[B2]ないし[B8]のいずれかに記載の表示装置。
[B11]
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記[B1]ないし[B10]のいずれかに記載の表示装置。
2次元マトリクス状に配列された表示素子を有する表示装置を備えた電子機器であって、
表示素子は、電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
電子機器。
[C2]
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、半導体基板に形成されたウエル内に設けられており、
駆動トランジスタは、給電線が接続される一方のソース/ドレイン領域と、発光部の一旦に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタは、外部から信号電圧が供給される一方のソース/ドレイン領域と、駆動トランジスタのゲート電極に接続される他方のソース/ドレイン領域とを備えており、
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域とは、素子分離領域を介して対向するように形成されている、
上記[C1]に記載の電子機器。
[C3]
素子分離領域は、半導体基板の表面に掘られた溝に絶縁体が埋め込まれたSTI(Shallow Trench Isolation)構造によって形成されている、
上記[C1]または[C2]に記載の電子機器。
[C4]
駆動トランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層、及び、書込みトランジスタのソース/ドレイン領域を形成する不純物拡散層は、1マイクロメートル以上の接合深さを有するように設定されている、
上記[C1]ないし[C3]のいずれかに記載の電子機器。
[C5]
駆動トランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[C1]ないし[C4]のいずれかに記載の電子機器。
[C6]
書込みトランジスタはpチャネル型の電界効果トランジスタから成る、
上記[C1]ないし[C5]のいずれかに記載の電子機器。
[C7]
書込みトランジスタの他方のソース/ドレイン領域と駆動トランジスタのゲート電極とを接続するためのゲート配線の周囲には、シールド配線が設けられている、
上記[C2]ないし[C6]のいずれかに記載の電子機器。
[C8]
シールド配線は、給電線と接続されている、
上記[C7]のいずれかに記載の電子機器。
[C9]
駆動部は、更に、給電線と駆動トランジスタの一方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[C2]ないし[C8]のいずれかに記載の電子機器。
[C10]
駆動部は、更に、発光部の一端と駆動トランジスタの他方のソース/ドレイン領域との間に接続されたスイッチングトランジスタを備えている、
上記[C2]ないし[C8]のいずれかに記載の電子機器。
[C11]
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記[C1]ないし[C10]のいずれかに記載の電子機器。
Claims (1)
- 電流駆動型の発光部、及び、発光部を駆動するための駆動部を備えており、
駆動部は、容量部、容量部が保持した電圧に応じた電流を発光部に流す駆動トランジスタ、及び、信号電圧を容量部に書き込むための書込みトランジスタを備えており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとは、素子分離領域によって分離された状態で、半導体基板に形成されており、
駆動トランジスタと書込みトランジスタとが素子分離領域を介して対向する部分に生ずる容量が、容量部の少なくとも一部として機能する、
表示素子。
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