CN111095387A - 显示元件、显示装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示元件包括：电流驱动型的发光单元；和驱动发光单元的驱动单元，其中驱动单元包括：电容单元；驱动晶体管，驱动晶体管使与由电容单元保持的电压相对应的电流流过发光单元；和写入晶体管，写入晶体管将信号电压写入电容单元，驱动晶体管和写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且在驱动晶体管和写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。

Description

显示元件、显示装置和电子设备
技术领域
本公开内容涉及显示元件、显示装置和电子设备。更具体地，本公开内容涉及一种用于需要以微米为单位的像素间距的微型显示器的显示元件、包括该显示元件的显示装置、以及包括该显示装置的电子设备。
背景技术
已知显示元件包括电流驱动型的发光单元，并且已知显示装置包括该显示元件。例如，包括含有有机电致发光元件的发光单元的显示元件作为能够以低压直流驱动进行高亮度发光的显示元件而一直备受关注。然后，包括有机电致发光元件的显示装置不仅用于直视型显示器中，而且还用于需要以微米为单位的像素间距的微型显示器中。
为了实现以微米为单位的像素间距，在半导体基板上形成用于驱动电流驱动型的发光单元的驱动单元(例如，参见专利文献1)。驱动单元包括多个晶体管和类似元件。因此，为了隔开相邻的晶体管，在晶体管之间需要元件隔离区域。在这样的应用中，被称为浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)的方法优选地能够比硅的局部氧化(LOCOS)方法更精细地形成元件隔离区域。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开No.2014-98779号公报
发明内容
本发明要解决的问题
随着像素间距变细，跨越元件隔离区域彼此面对的晶体管之间的距离变窄。结果，在跨越元件隔离区域面对的晶体管之间会产生电容增加。然后，可以想到的是，由于发光单元随时间的变化引起的显示图像的老化现象受到电容的影响而加剧。
因此，本公开内容的目的是提供一种在晶体管之间产生的电容不使显示图像的老化现象加剧的显示元件、包括该显示元件的显示装置、和包括该显示装置的电子设备。
问题的解决方案
用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的显示元件是：
一种显示元件，包括：
电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，其中
所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的显示装置是：
一种显示装置，包括：
以二维矩阵排列的显示元件，其中
所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
用于实现上述目的的根据本公开内容的第一方面的电子设备是：
一种电子设备，包括：
显示装置，所述显示装置包括以二维矩阵排列的显示元件，其中
所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
发明的效果
在本公开内容的显示元件中，驱动单元包括驱动晶体管和写入晶体管，驱动晶体管使与由电容单元保持的电压相对应的电流流过发光单元，写入晶体管将信号电压写入电容单元。然后，在驱动晶体管和写入晶体管隔着元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。结果，可以避免由于电流驱动型的发光单元的电压-电流特性(VI)随时间变化的影响而引起的老化现象受到电容的影响而加剧。此外，本公开内容中描述的有利效果是示例性的，并不限于它们，并且可包括附加效果。
附图说明
图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。
图2是包括发光单元和驱动该发光单元的驱动单元的显示元件的等效电路图。
图3是在显示区域中包括显示元件的部分的示意性局部截面图。
图4是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
图5是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
图6是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
图7是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
图8是包括有具有参考例的驱动单元的显示元件的显示装置的概念图。
图9A是用于说明流过包括有机电致发光元件的发光单元的电流与该发光单元的阳极和阴极之间的电压之间的关系的示意图。图9B是用于说明发光单元的电压-电流特性(V-I)随时间变化的示意图。
图10A是用于说明在包括有参考例的驱动单元的显示元件的发光期间流动的漏极电流的示意性电路图。图10B是用于说明包括有参考例的驱动单元的显示元件的操作的示意图。
图11是第一实施方式中的显示元件的等效电路图。
图12是用于说明参考例的驱动单元中的屏蔽布线的平面示意图。
图13是用于说明第一实施方式的驱动单元中的屏蔽布线的示意性平面图。
图14是用于说明第一实施方式的第一变形例的晶体管的截面结构的示意性截面图。
图15是根据第二实施方式的显示装置的概念图。
图16是用于说明根据第二实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
图17是根据第三实施方式的显示装置的概念图。
图18是用于说明根据第三实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。
图19是可互换镜头的单镜头反光式数码相机的外观图，图19A示出了相机的前视图，图19B示出了相机的后视图。
图20是头戴式显示器的外观图。
图21是透视头戴式显示器的外观图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图基于实施方式描述本公开内容。本公开内容不限于实施方式，并且实施方式中的各种数值和材料是示例性的。在下面的描述中，相同的附图标记将用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且将省略多余的描述。注意，将按以下顺序进行描述。
1.与根据本公开内容的显示元件、显示装置和电子设备有关的一般描述
2.第一实施方式
3.第二实施方式
4.第三实施方式
5.电子设备等的说明
[与根据本公开内容的显示元件、显示装置和电子设备有关的一般描述]
如上所述，根据本公开内容的第一方面的显示元件、以及用于根据本公开内容的第一方面的显示装置和根据本公开内容的第一方面的电子设备的显示元件(下文中，这些可简称为“本公开内容的显示元件”)各自包括：
电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，其中
所述驱动单元包括电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
在本公开内容的显示元件中，
可以进行如下构造：
驱动晶体管和写入晶体管设置在形成于半导体基板中的阱中，
驱动晶体管包括连接有供电线的第一源极/漏极区域和连接至发光单元的一端的第二源极/漏极区域，
写入晶体管包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域和连接至驱动晶体管的栅极电极的第二源极/漏极区域，并且
写入晶体管的第二源极/漏极区域和驱动晶体管的第一源极/漏极区域形成为隔着元件隔离区域彼此面对。
在包括上述各种优选配置的本公开内容的显示元件中，可以进行如下构造：其中元件隔离区域由将绝缘体嵌入在半导体基板的表面挖出的沟槽中的浅沟槽隔离(STI)结构形成。
在这种情况下，
可以进行以下构造：
形成驱动晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成写入晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层被设置为具有1微米以上的接合深度。
在包括上述各种优选配置的本公开内容的显示元件中，可以进行如下构造：其中驱动晶体管包括p沟道型场效应晶体管。在这种情况下，写入晶体管可具有n沟道构造或p沟道构造。从制造工艺的标准化的观点出发，写入晶体管的导电类型优选地是与驱动晶体管相同的p沟道型场效应晶体管。
在包括上述各种优选配置的本公开内容的显示元件中，可以进行如下构造：其中在将写入晶体管的第二源极/漏极区域与驱动晶体管的栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置有屏蔽布线。在这种情况下，可以进行如下构造：其中屏蔽布线连接至供电线。
在包括上述各种优选配置的本公开内容的显示元件中，可以进行如下构造：其中驱动单元进一步包括另一晶体管。可以进行如下构造：其中驱动单元进一步包括连接在供电线和驱动晶体管的第一源极/漏极区域之间的开关晶体管，或者替代地，驱动单元进一步包括连接在发光单元的一端和驱动晶体管的第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。
作为构成包括上述各种优选配置的本公开内容的显示元件的电流驱动型的发光单元，可以使用有机电致发光元件、LED元件、半导体激光元件或类似元件。可以使用已知的材料和方法来构造这些元件。从构造平面型显示装置的观点来看，优选地进行如下构造：其中发光单元包括有机电致发光元件。
在下文中，根据本公开内容的显示元件、显示装置和电子设备可以简称为本公开内容。
驱动显示装置的源极驱动器等可以集成在布置有显示元件的半导体基板上，或者可以适当地构造为单独的主体。这些可以使用已知的电路元件来构造。例如，也可以使用已知的电路元件来配置图1中所示的源极驱动器、电源单元和垂直扫描单元。在诸如用于头戴式显示器的显示装置或取景器之类的需要小型化的应用中，优选的是，显示元件和驱动器形成在同一半导体基板上。
显示装置可具有所谓的单色显示构造或彩色显示构造。在彩色显示构造的情况下，可以进行如下构造：其中一个像素包括多个子像素，具体地，一个像素包括红色显示元件、绿色显示元件和蓝色显示元件的集合。此外，还可以进行如下构造：一个集合包括与这三种显示元件一起的另外的一种或多种显示元件。
作为显示装置的像素值，除了U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)和Q-XGA(2048，1536)之外，还可以列举一些图像显示分辨率，诸如(3840，2160)和(7680，4320)；然而，显示装置的像素值不限于这些值。
本说明书中描述的各种条件不仅在数学上条件严格成立的情况下满足，而且在条件实质上成立的情况下也满足。允许存在设计或制造中的各种变化。此外，在以下描述中使用的每个附图是示意性的，并且未指示其实际尺寸和比例。例如，稍后描述的图3示出了显示装置的截面结构，但并未示出宽度、高度、厚度等的比例。此外，例如图10所示的时序图中的波形的形状也是示意性的。
[第一实施方式]
第一实施方式涉及根据本公开内容的第一方面的显示元件、显示装置和电子设备。
图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。
首先，将参照图1描述显示装置的概况。显示装置1包括以二维矩阵排列的显示元件70。更具体地，显示元件70以总共N×M个元件的二维矩阵排列，即行方向上有N个元件并且列方向上有M个元件，每个显示元件70连接至沿行方向(图1中的X方向)延伸的扫描线WS1和供电线(电流供应线)PS1，并连接至沿列方向(图1中的Y方向)延伸的数据线DTL。
以二维矩阵排列的显示元件70形成显示图像的显示区域80。显示区域80中的显示元件70的行数为M，构成行的显示元件70的数量为N。
扫描线WS1的数量和供电线PS1的数量各自为M。第m行(其中m＝1、2、...、M)中的显示元件70连接至第m条扫描线WS1m和第m条供电线PS1m从而构成一个显示元件行。
注意，稍后描述的图15所示的控制线DS1的数量和图17所示的控制线EM1的数量也都是M，并且第m条控制线DS1m和控制线EM1m连接至第m行中的显示元件。
数据线DTL的数量为N。第n列(其中n＝1、2、...、N)中的显示元件70连接至第n条数据线DTLn。
注意，尽管未在图1中示出，但是显示装置1包括共同连接至所有显示元件70的公共供电线PS2。例如，将接地电位作为公共电压有规律地提供给公共供电线PS2。
显示装置1包括驱动显示区域80的源极驱动器110、电源单元120、和垂直扫描单元130。
显示区域80形成在包括硅的半导体基板上。注意，源极驱动器110、电源单元120和垂直扫描单元130也形成在半导体基板100上。即，显示装置1是集成有驱动器电路的显示装置。
表示与要显示的图像相对应的灰度信号LDSig例如从未示出的装置输入到源极驱动器110。例如，信号LDSig是低压数字信号。源极驱动器110用于生成与视频信号LDSig的灰度值相对应的模拟信号，并将该模拟信号作为视频信号提供给数据线DTL。例如，要产生的模拟信号是具有约10伏的峰值的信号。
垂直扫描单元130将扫描信号提供给扫描线WS1。根据扫描信号，以行为单位对显示元件70执行线顺序扫描。对应于扫描线WS1的扫描，电源单元120将预定的驱动电压提供给供电线PS1。
显示装置1例如是彩色显示装置，并且沿着行方向布置的一组三个显示元件70构成一个像素。因此，如果N’＝N/3，则在显示区域80中排列有总共N’×M个像素，即行方向上有N’个像素并且列方向上有M个像素。
如上所述，通过垂直扫描单元130的扫描信号以行为单元对显示元件70执行线顺序扫描。位于第m行和第n列的显示元件70在下文中被称为第(n，m)个显示元件70。
在显示装置1中，排列在第m行中的N个显示元件70被同时驱动。换句话说，在沿着行方向布置的N个显示元件70中，针对N个显示元件70所属的每一行控制发光/非发光的时序。如果将显示装置1的显示帧速率表示为FR(次/秒)，则当在显示装置1上针对每行执行线顺序扫描时，每行的扫描周期(称作水平扫描周期)小于(1/FR)×(1/M)秒。
上面已经描述了显示装置1的概况。接下来，将描述显示元件70的细节。
图2是包括发光单元和驱动该发光单元的驱动单元的显示元件的等效电路图。注意，为了便于说明，图2示出了一个显示元件70(更具体地说是第(n，m)个显示元件70)的连接关系。
显示元件70包括电流驱动型的发光单元ELP和驱动该发光单元ELP的驱动单元71。驱动单元71包括：电容单元CS，驱动晶体管TRD以及写入晶体管TRW，驱动晶体管TRD使与由电容单元CS保持的电压相对应的电流流过发光单元ELP，写入晶体管TRW将信号电压写入电容单元CS。
发光单元ELP是电流驱动型的发光单元，其发光亮度根据流动电流的值而变化，并且具体地，包括有机电致发光元件。发光单元ELP具有包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极等的已知构造和结构。
驱动晶体管TRD包括p沟道型晶体管。此外，写入晶体管TRW还包括p沟道型场效应晶体管。注意，写入晶体管TRW可以是n沟道型场效应晶体管。
电容单元CS用于保持相对于驱动晶体管TRD的源极区域的栅极电极的电压(所谓的栅极-源极电压)。在显示元件70的发光期间，驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域(连接至图2中的供电线PS1的一侧)用作源极区域，而第二源极/漏极区域用作漏极区域。构成电容单元CS的第一电极和第二电极分别连接至驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域和栅极电极。驱动晶体管TRD的第二源极/漏极区域连接至发光单元ELP的阳极。
写入晶体管TRW具有连接至扫描线WS1的栅极电极、连接至数据线DTL的第一源极/漏极区域、以及连接至驱动晶体管TRD的栅极电极的第二源极/漏极区域。
发光单元ELP的另一端(具体地，阴极)连接至公共供电线PS2。预定电压VCath被提供给公共供电线PS2。注意，发光单元ELP的电容由附图标记CEL表示。例如，在发光单元ELP的电容CEL较小而使得在驱动显示元件70时产生问题的情况下，仅需要在必要时设置与发光单元ELP并联连接的辅助电容即可。
在从源极驱动器110提供与要在数据线DTL上显示的图像的亮度相对应的电压的状态下，当来自垂直扫描单元130的扫描信号使写入晶体管TRW处于导通状态时，与要显示的图像的灰度值相对应的电压被写入电容单元CS。然后，使写入晶体管TRW处于非导通状态，根据保持在电容单元CS中的电压而使电流流过驱动晶体管TRD，并且发光单元ELP发光。
在此，驱动晶体管TRD被驱动，在发光单元ELP的发光状态下，使漏极电流Ids按照下式(1)流动。在发光单元ELP的发光状态下，驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域用作源极区域，并且第二源极/漏极区域用作漏极区域。
注意，
参数表示
μ：有效迁移率
L：沟道长度
W：沟道宽度
VCC：提供给源极区域的驱动电压
VSig：施加至栅极电极的信号电压
Vth：阈值电压
Cox：(栅极绝缘层的相对介电常数)×(真空介电常数)/(栅极绝缘层的厚度)
k≡(1/2)·(W/L)·Cox
Ids＝k·μ·((VCC-VSig)-|Vth|)2 式(1)
在此，将描述发光单元ELP、晶体管等之间的三维布置关系。图3是在显示区域中包括显示元件的部分的示意性局部截面图。
构成显示元件70的每个晶体管例如形成在半导体基板(图1中所示的附图标记100)上，其中包括硅的半导体层20形成在基材10上。更具体地，驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW设置在形成于半导体层20中的n阱21中。注意，为了便于说明，在图3中仅示出了驱动晶体管TRD。附图标记23A和23B表示驱动晶体管TRD的一对源极/漏极区域。
每个晶体管被元件隔离区域22围绕。附图标记32表示晶体管TRD的栅极电极，附图标记31表示栅绝缘层。如稍后将参照图4所描述的，驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW以被元件隔离区域22分离的状态形成在半导体基板上。在稍后描述的图4、图5、图6、图7、图12、图13、图14、图16和图18中，不管晶体管的类型如何，栅极电极都由附图标记31表示。
构成电容单元CS的第二电极32'包括与栅极电极32相同的材料层，并且形成在包括与栅极绝缘层31相同的材料层的绝缘层31'上。层间绝缘层33形成在包括驱动晶体管TRD的栅极电极32和电极32'的半导体层20的整个表面上。稍后描述的电极32'和电极34被布置为跨越层间绝缘层33彼此面对。
驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域23A通过设置在层间绝缘层33中的接触孔35连接至供电线PS1和电极34。注意，在图3中连接部分是隐藏的并且不可见。在层间绝缘层33上，进一步形成层间绝缘层40。
在层间绝缘层40上，设置发光单元ELP，该发光单元ELP包括阳极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极53。注意，在附图中，空穴传输层、发光层和电子传输层由单层52表示。第二层间绝缘层54设置在层间绝缘层40的未设置有发光单元ELP的部分上，透明基板60布置在第二层间绝缘层54和阴极53上，从发光层发射的光穿过基板60并发射到外部。
阳极51和驱动晶体管TRD的第二源极/漏极区域23B通过设置在层间绝缘层33等中的接触孔36连接。注意，在图3中，连接部分是隐藏的并且不可见。
此外，阴极53通过设置在第二层间绝缘层54和层间绝缘层40中的接触孔56和55连接至设置在层间绝缘层33的延伸部分上的布线37(对应于被提供有电压VCath的公共供电线PS2)。
上面已经描述了发光单元ELP、晶体管等之间的三维布置关系。接下来，将描述根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的布置。
图4是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。图5是用于说明根据第一实施方式的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
如图4和图5中所示，驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW以被元件隔离区域22分离的状态形成在半导体基板上。然后，写入晶体管TRW的第二源极/漏极区域23D和驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域23A形成为隔着元件隔离区域22彼此面对。元件隔离区域22由将绝缘体嵌入在半导体基板的表面挖出的沟槽中的浅沟槽隔离(STI)结构形成。
如上所述，驱动晶体管TRD包括连接至供电线PS1的第一源极/漏极区域23A和连接至发光单元ELP的一端的第二源极/漏极区域23B。此外，写入晶体管TRW包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域23C以及连接至驱动晶体管TRD的栅极电极的第二源极/漏极区域23D。
随着像素间距变细，写入晶体管TRW的第二源极/漏极区域23D和驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域23A之间的端子间距离减小。结果，通过用作元件隔离区域22的嵌入式绝缘体的电容(寄生电容)(由附图标记CS1表示)增加。
然而，在本公开内容的驱动单元71中，在驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW隔着元件隔离区域22彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。如稍后将参照图11详细描述的那样，在该构造中，晶体管之间产生的电容不使显示图像的老化现象加剧。
接下来，为了帮助理解本公开内容，将描述参考例的驱动单元中的晶体管的布置和问题，在该参考例的驱动单元中，晶体管之间产生的电容加剧了老化现象。
图6是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的构造的示意性平面图。图7是用于说明参考例的驱动单元中的晶体管的截面结构的示意性截面图。
通过比较图4和图6可以清楚地看出，在参考例的驱动单元(由稍后描述的图8中的附图标记971表示)中，驱动晶体管TRD的一对源极/漏极区域23A和23B与供电线PS1和发光单元ELP之间的连接关系与第一实施方式的驱动单元71相反。
同样在这种连接中，在驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW隔着元件隔离区域22彼此面对的部分中产生电容。该电容由符号CGA表示。
图8是包括具有参考例的驱动单元的显示元件的显示装置的概念图。注意，为了便于说明，图8示出了显示装置9中的一个显示元件970(更具体地说是第(n，m)个显示元件970)的连接关系。
如图8所示，在包括有参考例的驱动单元971的显示元件970中，电容CGA用作连接在驱动晶体管TRD的栅极电极与发光单元ELP的阳极之间的电容。如下面将描述的，在这种情况下，进一步加剧了由于发光单元ELP的电压-电流特性(V-I)随时间的变化而引起的亮度变化。
图9A是用于说明流过包括有机电致发光元件的发光单元的电流与该发光单元的阳极和阴极之间的电压之间的关系的示意图。图9B是用于说明发光单元的电压-电流特性(V-I)随时间变化的示意图。
通常，包括有机电致发光元件的发光单元ELP的亮度与流动的电流成比例。因此，基本上，如果流过发光单元ELP的电流IOLED具有相同的值，则发光单元ELP的亮度也具有相同的值。另一方面，发光单元ELP的端子之间(阳极和阴极之间)的电压VOLED随着时间的变化而趋于逐渐增加。因此，如图9B所示，发光单元ELP的电压-电流特性(V-I)由于随时间的变化而从初始状态改变。
如上所述，如果流过发光单元ELP的电流IOLED具有相同的值，则发光单元ELP的亮度基本上具有相同的值。然而，发光单元ELP的端子之间的电压VOLED由于随时间的变化而逐渐增加。因此，如果在与电流IOLED相对应的初始状态下的发光单元ELP的端子之间的电压被表示为VOLED_INI，则随着时间的变化之后的发光单元ELP的端子之间的电压可被表示为VOLED_INI+VCWT。
在参考例的驱动单元971中，驱动晶体管TRD的栅极电压由于上述电压VCWT的影响而随着时间的变化而变化，并且加剧了老化现象。在下文中，将参照图10给出描述。
图10A是用于说明在包括参考例的驱动单元的显示元件的发光期间流动的漏极电流的示意性电路图。图10B是用于说明包括参考例的驱动单元的显示元件的操作的示意图。
如图10B中所示，写入晶体管TRW通过提供给扫描线WS1的扫描信号进入导通状态达预定时间段，然后进入非导通状态。
当写入晶体管TRW处于导通状态时，信号电压VSig通过数据线DTL被写入驱动晶体管TRD的栅极电极。在写入期间，驱动晶体管TRD的栅极-源极电压为(VCC-VSig)。在写入完成之后，写入晶体管TRW进入非导通状态。结果，驱动晶体管TRD的栅极电极进入浮置状态。
通过写入信号电压，漏极电流Ids流过发光单元ELP，并且发光单元ELP的阳极电压VANODE也相应地增加。如果当发光单元ELP处于初始状态时电压VANODE的增加量由符号VA_INI表示，则在发光单元ELP随时间变化后电压VANODE的增加量可以表示为(VA_INI+VCWT)。
如上所述，在写入完成之后，驱动晶体管TRD的栅极电极进入浮置状态。为此，由于通过电容CGA的电容耦合，阳极电压的变化到达驱动晶体管TRD的栅极电极。
当发光单元ELP处于初始状态时，驱动晶体管TRD的栅极电极的变化量表示为：
VA_INI·CGA/(CS+CGA)。
此外，栅极电压变化后的漏极电流表示为：
Ids＝k·μ·((VCC-(VSig+VA_INI·CGA/(CS+CGA))-|Vth|)2。
另一方面，当发光单元ELP在随时间变化之后时，驱动晶体管TRD的栅极电极的变化量表示为：
(VA_INI+VCWT)·CGA/(CS+CGA)。
此外，栅极电压变化后的漏极电流表示为：
Ids＝k·μ·((VCC-(VSig+(VA_INI+VCWT)·CGA/(CS+CGA))-|Vth|)2
因此，当将初始状态与随时间变化后的状态进行比较时，由于电容耦合，栅极电压的变化量将发生VCWT·CGA/(CS+CGA)的差异。结果，漏极电流也发生差异。定性地说，这种变化使得漏极电流随时间的变化而减小。结果，随着时间的变化之后流过发光单元ELP的电流进一步减小，这引起了由于发光单元ELP随时间变化而导致的显示图像的老化现象加剧的问题。
此外，随着像素间距减小，电容CGA增大，该现象变得更加明显。
以上，描述了参考例的驱动单元971中的晶体管的布置和问题。
在根据第一实施方式的驱动单元71中，在驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW隔着元件隔离区域22彼此面对的部分中产生的电容用作电容单元的至少一部分。结果，不太可能发生由于电容耦合而导致的栅极电压的变化。
在具有上述图4和图5中所示的晶体管结构的驱动单元71中，在驱动晶体管TRD和写入晶体管TRW隔着元件隔离区域22彼此面对的部分中产生的电容CS1连接在驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域23A和驱动晶体管TRD的栅极电极之间。因此，如图11所示，表示第一实施方式的显示元件70的等效电路图。从连接关系可以清楚地看出，电容CS1作为电容单元的一部分而发挥作用。注意，在电容CS1具有足以保持视频信号的电容的情况下，可以省略电容CS。
在第一实施方式中，即使发光期间的阳极电压VANODE由于发光单元ELP随时间的变化而变化，也不会发生由于电容耦合引起的上述问题。因此，可以避免由于电流驱动型的发光单元的电压-电流特性(VI)随时间变化而引起的老化现象受到电容的影响而加剧。
根据构成驱动单元71的晶体管的布置关系，可以设置屏蔽布线以防止在布线之间发生信号耦合。为了帮助理解，首先，将描述上述参考例的驱动单元971中的屏蔽布线的布置。
图12是用于说明参考例的驱动单元中的屏蔽布线的示意性平面图。晶体管的布置关系与上述图6中的相似。
在图6所示的晶体管的布置中，写入晶体管TRW的第二源极/漏极区域23D和驱动晶体管TRD的栅极电极彼此连接的布线路径与连接至发光单元ELP的阳极的部分相交。因此，为了防止耦合，如图12所示，必须单独插入屏蔽布线38。
在第一实施方式中，写入晶体管TRW的第二源极/漏极区域23D和驱动晶体管TRD的栅极电极彼此连接的布线路径与连接至供电线PS1的部分相交。因此，基本上，即使没有屏蔽布线，也可以在某种程度上防止耦合。
此外，如图13中所示，在更有效地防止耦合的情况下，也可以进行如下构造：其中在写入晶体管TRW的第二源极/漏极区域23D与驱动晶体管TRD的栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置屏蔽布线38。通过采用将屏蔽布线连接至供电线PS1的构造，可以简化布线。注意，如图13中所示，屏蔽布线38优选地被布设成围绕栅极布线，以不在栅极与阳极布线之间产生电容。
以上已经描述了第一实施方式。在本公开内容中，晶体管之间的电容优选较大。为了增加电容，有效的是增加构成晶体管的杂质扩散层的接合深度。图14示出了其中使杂质扩散层的接合深度比图5中的接合深度更深的示例情况。形成驱动晶体管TRD的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成写入晶体管TRW的源极/漏极区域的杂质扩散层优选地设置为具有1微米以上的接合深度。
在通过平面布局的面积确保电容的构造中，电容随着精细化的升高而减小。另一方面，在本公开内容的构造中，其中晶体管的接合深度在垂直方向上确保了电容，可以在确保电容的同时实现高精细化。
[第二实施方式]
第二实施方式涉及根据本公开内容的第二方面的显示元件、显示装置和电子设备。
在第二实施方式中，驱动单元进一步包括连接在供电线和驱动晶体管的第一源极/漏极区域之间的开关晶体管。以上要点主要不同于第一实施方式。
图15是根据第二实施方式的显示装置的概念图。注意，为了便于说明，图15示出了显示装置2中的一个显示元件270(更具体地说是第(n，m)个显示元件270)的连接关系。
在第二实施方式中，驱动单元271包括连接在供电线PS1和驱动晶体管TRD的第一源极/漏极区域23A之间的开关晶体管TRS。开关晶体管的导电类型没有特别限制，但是从半导体制造工艺的标准化的观点出发，开关晶体管TRS优选地包括p沟道型场效应晶体管。开关晶体管TRS的导通状态/非导通状态由从发光控制扫描单元240经由控制线DS1提供至栅极电极的信号控制，例如，可以对每个驱动单元进行减小特性变化的操作。
图16是用于说明根据第二实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。附图标记23E和23F表示开关晶体管TRS的一对源极/漏极区域。同样在该布置中，晶体管之间的电容用作电容单元的一部分。
[第三实施方式]
第三实施方式涉及根据本公开内容的第三方面的显示元件、显示装置和电子设备。
在第三实施方式中，驱动单元进一步包括连接在发光单元的一端与驱动晶体管的第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。以上要点主要不同于第一实施方式。
图17是根据第三实施方式的显示装置的概念图。注意，为了便于说明，图17示出了显示装置3中的一个显示元件370(更具体地说是第(n，m)个显示元件370)的连接关系。
在第三实施方式中，驱动单元371包括连接在发光单元ELP的一端与驱动晶体管TRD的第二源极/漏极区域23B之间的开关晶体管TRM。开关晶体管的导电类型没有特别限制，但是从半导体制造工艺的标准化的观点出发，开关晶体管TRM优选地为p沟道型场效应晶体管。开关晶体管TRM的导通状态/非导通状态由从发光控制扫描单元340经由控制线EM1提供至栅极电极的信号控制，例如，可以对每个驱动单元进行减小特性变化的操作。
图18是用于说明根据第三实施方式的驱动单元中的晶体管的布置的示意性平面图。附图标记23G和23H表示开关晶体管TRM的一对源极/漏极区域。同样在该布置中，晶体管之间的电容用作电容单元的一部分。
[电子设备]
上述本公开内容的显示装置可以用作所有领域中的电子设备的显示单元(显示装置)，该显示单元将输入到电子设备的视频信号或在电子设备中生成的视频信号显示为图片或视频。例如，该显示装置可以用作电视机、数码相机、膝上型个人计算机、诸如移动电话之类的移动终端设备、摄像机、头戴式显示器和类似装置的显示单元。
本公开内容的显示装置还包括具有密封构造的模块形状显示装置。一个示例是这样一种显示模块，其中诸如透明玻璃之类的面对单元附接至像素阵列单元。注意，显示模块可以设置有用于从外部向像素阵列单元输入/输出信号等的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。作为使用本公开内容的显示装置的电子设备的具体示例，下面将举例说明数码相机和头戴式显示器。然而，这里举例说明的具体示例仅仅是示例，并且电子设备不限于该示例。
(具体示例1)
图19是镜头可互换单镜头反光式数码相机的外观图，图19A示出了相机的前视图，图19B示出了相机的后视图。例如，镜头可互换单镜头反光式数码相机包括位于相机主体部分(相机主体)411的右前侧上的可互换成像镜头单元(可互换镜头)412，并且包括位于左前侧上的将由图像拍摄者握持的握持部分413。
然后，在照相机主体部分411的后表面的大致中心处设置监视器414。在监视器414的顶部上设置取景器(目镜窗)415。图像拍摄者可以在取景器415中观看，以在视觉上识别从成像透镜单元412引导的对象的光学图像并确定构图。
在具有上述构造的镜头可互换单镜头反射式数码相机中，可以使用本公开内容的显示装置作为取景器415。即，通过使用本公开内容的显示装置作为取景器415来制造根据该示例的镜头可互换单镜头反射式数码相机。
(具体示例2)
图20是头戴式显示器的外观图。头戴式显示器例如包括位于眼镜形显示单元511的两侧上的用于安装在用户的头部上的耳挂部512。在该头戴式显示器中，可以使用本公开内容的显示装置作为显示单元511。即，通过使用本公开内容的显示装置作为显示单元511来制造根据该示例的头戴式显示器。
(具体示例3)
图21是透视头戴式显示器的外观图。透视头戴式显示器611包括主体部分612、臂613和镜筒614。
主体部分612连接至臂613和眼镜600。具体地，主体部分612的沿长边方向的端部耦接至臂613，并且主体部分612的一个侧面经由连接构件连接至眼镜600。注意，主体部分612可以直接安装到人体的头部上。
主体部分612包括用于控制透视头戴式显示器611和显示单元的操作的控制板。臂613将主体部分612和镜筒614连接在一起，并支撑镜筒614。具体地，臂613耦接至主体部分612的端部和镜筒614的端部的每一者，并固定镜筒614。此外，臂613包括用于将与从主体部分612提供的图像有关的数据传送到镜筒614信号线。
镜筒614将从主体部分612经由臂613提供的图像光通过目镜投射到佩戴透视头戴式显示器611的用户的眼睛。在透视头戴式显示器611中，本公开内容的显示装置可用于主体部分612的显示单元。
[其他]
注意，本公开内容的技术还可以采用以下构造。
[A1]
一种显示元件，包括：
电流驱动型的发光单元；和驱动所述发光单元的驱动单元，其中
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[A2]
根据[A1]所述的显示元件，其中
所述驱动晶体管和所述写入晶体管设置在形成于半导体基板中的阱中，
所述驱动晶体管包括连接有供电线的第一源极/漏极区域和连接至所述发光单元的一端的第二源极/漏极区域，
所述写入晶体管包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域和连接至所述驱动晶体管的栅极电极的第二源极/漏极区域，并且
所述写入晶体管的所述第二源极/漏极区域和所述驱动晶体管的所述第一源极/漏极区域形成为隔着所述元件隔离区域彼此面对。
[A3]
根据[A1]或[A2]所述的显示元件，其中
所述元件隔离区域由在所述半导体基板的表面挖出的沟槽中嵌入有绝缘体的浅沟槽隔离(STI)结构形成。
[A4]
根据[A1]至[A3]中任一项所述的显示元件，其中
形成所述驱动晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成所述写入晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层被设定为具有1微米以上的接合深度。
[A5]
根据[A1]至[A4]中任一项所述的显示元件，其中
所述驱动晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[A6]
根据[A1]至[A5]中任一项所述的显示元件，其中
所述写入晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[A7]
根据[A2]至[A6]中任一项所述的显示元件，其中
在将所述写入晶体管的第二源极/漏极区域与所述驱动晶体管的栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置有屏蔽布线。
[A8]
根据[A7]所述的显示元件，其中
所述屏蔽布线连接至所述供电线。
[A9]
根据[A2]至[A8]中任一项所述的显示元件，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述供电线和所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[A10]
根据[A2]至[A8]中任一项所述的显示元件，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述发光单元的一端和所述驱动晶体管的第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[A11]
根据[A1]至[A10]中任一项所述的显示元件，其中
所述发光单元包括有机电致发光元件。
[B1]
一种显示装置，包括以二维矩阵排列的显示元件，其中
所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着由所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[B2]
根据[B1]所述的显示装置，其中
所述驱动晶体管和所述写入晶体管设置在形成于半导体基板中的阱中，
所述驱动晶体管包括连接有供电线的第一源极/漏极区域和连接至所述发光单元的一端的第二源极/漏极区域，
所述写入晶体管包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域和连接至所述驱动晶体管的栅极电极的第二源极/漏极区域，并且
所述写入晶体管的所述第二源极/漏极区域和所述驱动晶体管的所述第一源极/漏极区域形成为隔着所述元件隔离区域彼此面对。
[B3]
根据[B1]或[B2]所述的显示装置，其中
所述元件隔离区域由在所述半导体基板的表面挖出的沟槽中嵌入有绝缘体浅沟槽隔离(STI)结构形成。
[B4]
根据[B1]至[B3]中任一项所述的显示装置，其中
形成所述驱动晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成所述写入晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层被设定为具有1微米以上的接合深度。
[B5]
根据[B1]至[B4]中任一项所述的显示装置，其中
所述驱动晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[B6]
根据[B1]至[B5]中任一项所述的显示装置，其中
所述写入晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[B7]
根据[B2]至[B6]中任一项所述的显示装置，其中
在将所述写入晶体管的第二源极/漏极区域与所述驱动晶体管的栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置有屏蔽布线。
[B8]
根据[B7]所述的显示装置，其中
所述屏蔽布线连接至所述供电线。
[B9]
根据[B2]至[B8]中任一项所述的显示装置，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述供电线和所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[B10]
根据[B2]至[B8]中任一项所述的显示装置，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述发光单元的一端和所述驱动晶体管的第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[B11]
根据[B1]至[B10]中任一项所述的显示装置，其中
所述发光单元包括有机电致发光元件。
[C1]
一种电子设备，包括显示装置，所述显示装置包括以二维矩阵排列的显示元件，其中
所述显示元件各自包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
[C2]
根据[C1]所述的电子设备，其中
所述驱动晶体管和所述写入晶体管设置在形成于半导体基板中的阱中，
所述驱动晶体管包括连接有供电线的第一源极/漏极区域和连接至所述发光单元的一端的第二源极/漏极区域，
所述写入晶体管包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域和连接至所述驱动晶体管的栅极电极的第二源极/漏极区域，并且
所述写入晶体管的所述第二源极/漏极区域和所述驱动晶体管的所述第一源极/漏极区域形成为隔着所述元件隔离区域彼此面对。
[C3]
根据[C1]或[C2]所述的电子设备，其中
所述元件隔离区域由浅沟槽隔离(STI)结构形成，其中绝缘体嵌入在所述半导体基板的表面挖出的沟槽中。
[C4]
根据[C1]至[C3]中任一项所述的电子设备，其中
形成所述驱动晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成所述写入晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层被设定为具有1微米以上的接合深度。
[C5]
根据[C1]至[C4]中任一项所述的电子设备，其中
所述驱动晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[C6]
根据[C1]至[C5]中任一项所述的电子设备，其中
所述写入晶体管包括p沟道场效应晶体管。
[C7]
根据[C2]至[C6]中任一项所述的电子设备，其中
在将所述写入晶体管的第二源极/漏极区域与所述驱动晶体管的栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置有屏蔽布线。
[C8]
根据[C7]所述的电子设备，其中
所述屏蔽布线连接至所述供电线。
[C9]
根据[C2]至[C8]中任一项所述的电子设备，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述供电线和所述驱动晶体管的第一源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[C10]
根据[C2]至[C8]中任一项所述的电子设备，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述发光单元的一端和所述驱动晶体管的第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。
[C11]
根据[C1]至[C10]中任一项所述的电子设备，其中
所述发光单元包括有机电致发光元件。
附图标记
1、2、3、9 显示装置
10 基材
20 半导体层
21 N阱
22 元件隔离区域
23A、23B、23C、23D、23E、23F、23G、23H 源极/漏极区域
31 栅极绝缘层
31' 绝缘层
32 栅极电极
32' 第二电极
33 层间绝缘层
34 第一电极
35、36 接触孔
37 布线
38 屏蔽布线
40 层间绝缘层
51 阳极
52 空穴传输层、发光层和电子传输层
53 阴极
54 第二层间绝缘层
55、56 接触孔
60 透明基板
70、270、370、970 显示元件
71、271、371、971 驱动单元
80 显示区域
100 半导体基板
110 源极驱动器
120 电源单元
130 垂直扫描单元
240、340 发光控制扫描单元
TRW 写入晶体管
TRD 驱动晶体管
CS 电容单元
ELP 有机电致发光单元
CEL 发光单元ELP的电容
CGA 参考例的电容
CS1 电容
TRS、TRM 开关晶体管
WS1 扫描线
DTL 数据线
PS1 供电线
PS2 公共供电线
DS1、ME1 控制线
411 相机主体部分
412 成像镜头单元
413 握持部分
414 监视器
415 取景器
511 眼镜形显示单元
512 耳挂部
600 眼镜
611 透视头戴式显示器
612 主体部分
613 臂
614 镜筒

Claims (13)

1.一种显示元件，包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，其中
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的显示元件，其中
所述驱动晶体管和所述写入晶体管设置在形成于半导体基板中的阱中，
所述驱动晶体管包括连接有供电线的第一源极/漏极区域和连接至所述发光单元的一端的第二源极/漏极区域，
所述写入晶体管包括从外部向其提供信号电压的第一源极/漏极区域和连接至所述驱动晶体管的栅极电极的第二源极/漏极区域，并且
所述写入晶体管的所述第二源极/漏极区域和所述驱动晶体管的所述第一源极/漏极区域形成为隔着所述元件隔离区域彼此面对。
3.根据权利要求1所述的显示元件，其中
所述元件隔离区域由在所述半导体基板的表面挖出的沟槽中嵌入有绝缘体的浅沟槽隔离(STI)结构来形成。
4.根据权利要求1所述的显示元件，其中
形成所述驱动晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层和形成所述写入晶体管的源极/漏极区域的杂质扩散层被设定为具有1微米以上的接合深度。
5.根据权利要求1所述的显示元件，其中
所述驱动晶体管由p沟道型场效应晶体管构成。
6.根据权利要求5所述的显示元件，其中
所述写入晶体管由p沟道型场效应晶体管构成。
7.根据权利要求2所述的显示元件，其中
在将所述写入晶体管的所述第二源极/漏极区域与所述驱动晶体管的所述栅极电极彼此连接的栅极布线周围设置有屏蔽布线。
8.根据权利要求7所述的显示元件，其中
所述屏蔽布线连接至所述供电线。
9.根据权利要求2所述的显示元件，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述供电线和所述驱动晶体管的所述第一源极/漏极区域之间的开关晶体管。
10.根据权利要求2所述的显示元件，其中
所述驱动单元进一步包括连接在所述发光单元的一端和所述驱动晶体管的所述第二源极/漏极区域之间的开关晶体管。
11.根据权利要求1所述的显示元件，其中
所述发光单元由有机电致发光元件构成。
12.一种显示装置，其实具有以二维矩阵排列的显示元件的显示装置，其中
所述显示元件包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
13.一种电子设备，其是包括显示装置的电子设备，所述显示装置具有以二维矩阵排列的显示元件，其中
所述显示元件包括电流驱动型的发光单元和驱动所述发光单元的驱动单元，
所述驱动单元包括：电容单元、驱动晶体管和写入晶体管，所述驱动晶体管使与由所述电容单元保持的电压相对应的电流流过所述发光单元，所述写入晶体管将信号电压写入所述电容单元；
所述驱动晶体管和所述写入晶体管以被元件隔离区域分离的状态形成在半导体基板上，并且
在所述驱动晶体管和所述写入晶体管隔着所述元件隔离区域彼此面对的部分中产生的电容用作所述电容单元的至少一部分。
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