JP2023010704A5 - - Google Patents
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- 少なくとも臭素含有化合物、酸化剤、塩基化合物および水を含有し、合計質量に対して前記臭素含有化合物の添加量が臭素元素量として０．００８質量％以上１０質量％未満、前記酸化剤の添加量が０．１質量ｐｐｍ以上１０質量％以下であり、かつｐＨが８以上１４以下である、ルテニウムの半導体用処理液の製造方法であって、前記酸化剤および前記塩基化合物を含有する溶液と、前記臭素含有化合物とを混合させる工程を有する、ルテニウムの半導体用処理液の製造方法。
- 次亜塩素酸化合物および塩基化合物を含有する溶液と、臭素含有化合物とを混合させる工程を有し、次亜塩素酸化合物および塩基化合物を含有する溶液がアルカリ性である、ルテニウムの半導体用処理液の製造方法。
- 前記臭素含有化合物が臭素塩、または臭化水素である、請求項１または２に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記臭素塩が臭化オニウムである、請求項３に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記臭化オニウムが臭化第四級オニウムまたは臭化第三級オニウムである、請求項４に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記臭化第四級オニウムが臭化テトラアルキルアンモニウムである、請求項５に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 水酸化テトラアルキルアンモニウムと臭化物イオンから、前記臭化テトラアルキルアンモニウムを製造する、請求項６に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 水酸化テトラアルキルアンモニウムと臭化水素から、前記臭化テトラアルキルアンモニウムを製造する、請求項６または７に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記次亜塩素酸化合物を含有する溶液が次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム溶液である、請求項２に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記次亜塩素酸テトラアルキルアンモニウム溶液を製造する工程として、水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液を準備する準備工程と、前記水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液と、塩素を接触させる反応工程とを含み、反応工程における気相部の二酸化炭素濃度が１００体積ｐｐｍ以下であり、反応工程における液相部のｐＨが、１０．５以上である、請求項９に記載の半導体用処理液の製造方法。
- 前記準備工程で準備する水酸化テトラアルキルアンモニウムのアルキル基の炭素数が１～１０である、請求項１０に記載の半導体用処理液の製造方法。
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