JP2022535518A - 隣接するソースコンタクト構造を有する三次元メモリデバイスおよびこれを形成するための方法 - Google Patents

Abstract

メモリデバイスを形成するための構造および方法の実施形態が提供される。一例において、メモリデバイスが、基板と、基板上方のスタックと、チャネル構造と、それぞれがメモリスタックを通って垂直に延在するソースコンタクト構造と、を含む。ソースコンタクト構造は、（ｉ）それぞれが互いに分離されて垂直および横に延在する複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、第２のソースコンタクト部分は横に連続している。

Description

本開示の実施形態は、三次元（３Ｄ）メモリデバイス、および３Ｄメモリデバイスを形成するための方法に関する。

平面メモリセルは、プロセス技術、回路設計、プログラミングアルゴリズム、および製造プロセスを改善することによって、より小さなサイズに縮小される。しかしながら、メモリセルのフィーチャサイズが下限に近づくと、平面プロセスおよび製造技術は困難でコストがかかるようになる。結果として、平面メモリセルについてのメモリ密度は上限に近づく。

３Ｄメモリアーキテクチャは、平面メモリセルにおける密度の限界に対処することができる。３Ｄメモリアーキテクチャは、メモリアレイおよびメモリアレイとの間で信号を制御するための周辺デバイスを含む。

隣接するソースコンタクト構造を備えた３Ｄメモリデバイスおよび３Ｄメモリデバイスを形成するための方法の実施形態が提供される。

一例において、メモリデバイスが、基板と、基板上方のスタックと、チャネル構造と、それぞれがメモリスタックを通って垂直に延在するソースコンタクト構造と、を含む。ソースコンタクト構造は、（ｉ）それぞれが互いに分離されて垂直および横に延在する複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、第２のソースコンタクト部分は横に連続している。

他の一例において、メモリデバイスが、基板と、基板上方のスタックと、複数のチャネル構造と、複数のソースコンタクト構造と、を含む。ソースコンタクト構造は複数の第１のソースコンタクト構造および複数の第２のソースコンタクト構造を含み、それぞれがメモリスタックを通って垂直に延在する。第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、（ｉ）それぞれが垂直に延在して互いに分離された複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、第２のソースコンタクト部分は連続している。第２のソースコンタクト構造はそれぞれメモリスタックにおいて連続的に延在する。

さらなる一例において、メモリデバイスを形成するための方法が次の動作を含む。基板上に複数の第１の犠牲層および複数の第１の誘電体層を交互に含む第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する複数のホールが形成される。複数の犠牲構造がホールに形成される。第１の誘電体デッキ上に複数の第２の犠牲層および複数の第２の誘電体層を交互に有する第２の誘電体デッキが形成される。第２の誘電体デッキにおいて延在するスリット開口が形成され、スリット開口は、犠牲ソースコンタクト構造とその上で位置を合わせる。犠牲構造は、スリット開口がホールと接触してスリット構造を形成するように、スリット開口を通して除去される。複数の導体層がスリット構造を通して第１および第２の誘電体デッキに形成され、メモリスタックを形成する。ソースコンタクト構造がスリット構造に形成される。

本明細書に組み込まれて明細書の一部を形成する添付の図面は、本開示の実施形態を例示し、説明とともに、本開示の原理を説明し、当業者が本開示を作成および使用することを可能にするのにさらに役立つ。

本開示のいくつかの実施形態による、隣接するソースコンタクト構造を有する例示的な３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、隣接するソースコンタクト構造を有する例示的な３Ｄメモリデバイスの上面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、隣接するソースコンタクト構造を有する例示的な３ＤメモリデバイスのＡ－Ａ’方向に沿った断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、例示的な製造プロセスのさまざまな段階での隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスの断面図を示す。 本開示のいくつかの実施形態による、隣接するソースコンタクト構造を有する３Ｄメモリデバイスを形成するための例示的な方法のフローチャートを示す。 本開示のいくつかの実施形態による、図３Ａにおける方法の例示的な詳細な製造動作のフローチャートを示す。 本開示のいくつかの実施形態による、図３Ａにおける方法の例示的な詳細な製造動作のフローチャートを示す。 本開示のいくつかの実施形態による、図３Ａにおける方法の例示的な詳細な製造動作のフローチャートを示す。 本開示のいくつかの実施形態による、隣接するソースコンタクト構造を有する例示的な３Ｄメモリデバイスの他の断面図を示す。

添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。

具体的な構成および配置を議論しているが、これは例示のみを目的として行われていることが理解されるべきである。当業者は、本開示の精神および範囲から逸脱することなく、他の構成および配置を用いることができるということを認識するであろう。本開示がさまざまな他の用途にも使用することができるということが当業者に明らかであろう。

明細書における「一実施形態」、「実施形態」、「一例の実施形態」、「いくつかの実施形態」などへの言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含むことができるが、すべての実施形態が必ずしもその特定の特徴、構造、または特性を含むとは限らないことを示すということが留意される。また、このような句は必ずしも同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造または特性が一実施形態に関連して説明されるとき、明示的に説明されているか否かにかかわらず、他の実施形態に関連してこのような特徴、構造または特性に影響を与えることは、当業者の知識の範囲内であろう。

一般に、文脈における使用法から少なくとも部分的に用語を理解することができる。たとえば、本明細書で用いられるような「１つまたは複数」という用語は、少なくとも部分的に文脈に応じて、任意の特徴、構造、または特性を単数の意味において説明するために用いることができ、または特徴、構造または特性の組み合わせを複数の意味において説明するために用いることができる。同様に、「ａ」、「ａｎ」、または「ｔｈｅ」のような用語も、少なくとも部分的に文脈に応じて、単数の使用法を伝える、または複数の使用法を伝えるように理解することができる。加えて、「に基づく」という用語は、排他的な一組の要素を伝えるようには必ずしも意図されないとして理解することができ、代わりに、再度、少なくとも部分的に文脈に応じて、必ずしも明示的に説明されていない追加の要素の存在を可能にし得る。

本明細書で用いられるとき、「名目／名目上」という用語は、製品またはプロセスの設計段階中に設定される、部品またはプロセス動作についての特性またはパラメータの所望の、または目標の値を、その所望の値の上方および／または下方の値の範囲とともに指す。値の範囲は、製造プロセスにおけるわずかな変化または公差のためにあり得る。本明細書で用いられるとき、「約」という用語は、対象の半導体デバイスに関連する特定の技術ノードに基づいて変化し得る所与の量の値を示す。その特定の技術ノードに基づいて、「約」という用語は、たとえば、値の１０～３０％（たとえば、値の±１０％、±２０％、または±３０％）以内で変化する所与の量の値を示すことができる。

本明細書で用いられるとき、階段構造は、少なくとも２つの水平面（たとえば、ｘ－ｙ平面に沿った）および少なくとも２つの（たとえば、第１および第２の）垂直面（たとえば、ｚ軸に沿った）を含み、各水平面が、水平面の第１の縁から上向きに延在する第１の垂直面に隣接するとともに、水平面の第２の縁から下向きに延在する第２の垂直面に隣接するようになっている一組の表面を指す。「ステップ」または「階段」は、一組の隣接する表面の高さの垂直方向の変化を指す。本開示において、「階段」という用語および「ステップ」という用語は、階段構造の１つのレベルを指し、交換可能に用いられる。本開示において、水平方向は、基板（たとえば、その上に構造を形成するための製造プラットフォームを提供する基板）の頂面と平行な方向（たとえば、ｘ軸またはｙ軸）を指すことができ、垂直方向は、構造の頂面に垂直な方向（たとえば、ｚ軸）を指すことができる。

ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスは、さまざまな電子製品において広く用いられ、不揮発性、軽量、低消費電力および高性能である。現在、平面ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスはストレージ限界に達している。ストレージ容量をさらに増加させるとともにビットあたりのストレージコストを削減するため、３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスが提案されてきた。既存の３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスは大抵、複数のメモリブロックを含む。隣接するメモリブロックは大抵、アレイ共通ソース（ＡＣＳ）が形成されるゲートラインスリット（ＧＬＳ）によって分離される。既存の３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスを形成する製造方法において、ＧＬＳは大抵、導体／誘電体層対のスタック全体を通してエッチングすることによって形成される。

より高いメモリ容量の需要が続くにつれて、マルチデッキ構造を備えた３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスが提案されてきた。既存の３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスと比較して、マルチデッキ構造の３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスは大抵、垂直方向に沿ってより多くのレベル（または導体／誘電体層の対）を有する。レベル数の増加により、ＧＬＳを形成する既存のエッチング方法は困難になる。たとえば、既存の製造プロセスにおいて、ＧＬＳは大抵、チャネル構造後の１ステップのエッチングプロセスにおいて形成される。階段領域（たとえば、階段が形成される）からコア領域（たとえば、チャネル構造が形成される）へのパターン変化により、３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスに不均一な応力が引き起こされる可能性がある。結果として、ＧＬＳは、不均一な応力によって影響を受ける領域において変形し、特に３Ｄメモリデバイスの下部において、曲がった／波状の形状（または「マウスバイト」形状）を形成することがある。ＧＬＳの変形した／曲がった形状の結果、ＧＬＳ（またはＡＣＳ）とチャネル構造との間に望ましくない接触が起こり、短絡を引き起こす可能性がある。また、マルチデッキ構造において、望ましくなく高いアスペクト比のＧＬＳが形成される可能性があり、ＧＬＳを充填してＡＣＳを形成するために用いられる導電性材料により、望ましくなく高い応力が引き起こされる結果、ＡＣＳが変形または崩壊さえする可能性がある。３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイスの性能が影響を受ける可能性がある。

本開示は、マルチデッキ構造を有する３Ｄメモリデバイス（たとえば、３Ｄ ＮＡＮＤメモリデバイス）、３Ｄメモリデバイスにおいて延在する隣接するソースコンタクト構造、および３Ｄメモリデバイスを形成するための方法を提供する。３Ｄメモリデバイスは、垂直に（たとえば、ｚ軸に沿って）積み重なる少なくとも２つのデッキと、３Ｄメモリデバイスにおいて延在する隣接するソースコンタクト構造と、を含む。隣接するソースコンタクト構造はメモリブロックに配置され、メモリセルを一対のフィンガーに分離している。一例において、３Ｄメモリデバイスはデュアルデッキ構造を有し、隣接するソースコンタクト構造は、第１のデッキ（たとえば、下部デッキ）に複数の第１のソースコンタクト部分と、第２のデッキ（たとえば、上部デッキ）に第２のソースコンタクト部分と、を有する。第１のソースコンタクト部分および第２のソースコンタクト部分は、互いに接触して導電接続されている。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分は互いに分離しており（たとえば、横方向に沿って別々に分布している）、それぞれ基板および第２のソースコンタクト部分と接触している。第２のソースコンタクト部分は、連続形状（たとえば、横方向に沿って連続的に延在する直方体形状）を有する。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分は、同じ形状（たとえば、円筒形状）を有し、同じ材料、たとえば、ポリシリコンを含む。いくつかの実施形態において、第２のソースコンタクト部分は、ポリシリコンおよび／またはタングステンを含む。このソースコンタクト構造の構造により、タングステンのみで形成されたソースコンタクト構造によって課せられる応力を低減することができる。

本開示において、第１のホール（第１のソースコンタクト部分が形成される）および第２のスリット開口（第２のソースコンタクト部分が形成される）が別々に形成される。第１のホールおよび第２のスリット開口が隣接してスリット構造を形成する。一方、チャネル構造のような、他の構造は、ソースコンタクト構造を形成する同じ動作において部分的または完全に形成することができる。いくつかの実施形態において、チャネルホールは、第１および第２のチャネルホールに隣接させることによって形成され、これらは第１および第２のデッキに別々に形成される。スリット構造およびチャネルホールの形成により、３Ｄメモリデバイスにおける応力をさらに低減することができ、望ましい安定性の構造（たとえば、ソースコンタクト構造およびチャネル構造）を形成することが可能になる。

図１Ａ～図１Ｃは、いくつかの実施形態による、デュアルデッキ構造を有する例示的な３Ｄメモリデバイス１００の図を示す。具体的には、図１Ａは、ｘ－ｚ平面に沿ったコア領域における３Ｄメモリデバイス１００の断面図を示し、図１Ｂは、ｘ－ｙ平面に沿ったコア領域および階段領域における３Ｄメモリデバイス１００の上面図を示し、図１Ｃは、Ａ－Ａ’方向（たとえば、ｙ－ｚ平面）に沿ったコア領域および階段領域における３Ｄメモリデバイス１００の断面図を示す。図１Ａに示すように、３Ｄメモリデバイス１００は、基板１０２、基板１０２上のメモリスタック１０４、メモリスタック１０４において垂直に（たとえば、ｚ軸に沿って）延在する１つまたは複数のチャネル構造１１６、およびメモリスタック１０４において垂直に延在する１つまたは複数のソースコンタクト構造１０６を含むことができる。メモリスタック１０４は、基板１０２上の第１のメモリデッキ１０４－１、および第１のメモリデッキ１０４－１上の第２のメモリデッキ１０４－２を含むことができる。いくつかの実施形態において、３Ｄメモリデバイス１００は、３Ｄメモリデバイス１００における隣接するメモリデッキの界面で横に延在するエッチング停止層１１０を含む。３Ｄメモリデバイス１００は、チャネル構造１１６を覆う誘電体キャップ層１２４を含むこともできる。

基板１０２は、シリコン（たとえば、単結晶シリコン）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、ゲルマニウムオンインシュレータ（ＧＯＩ）、または任意の他の適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、基板１０２は、研削、エッチング、化学機械研磨（ＣＭＰ）、またはこれらの任意の組み合わせによって薄くした薄型基板（たとえば、半導体層）である。いくつかの実施形態において、基板１０２はシリコンを含む。

メモリスタック１０４、たとえば、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２のそれぞれは、複数の交互の導体層１２０および誘電体層１２２を含むことができる。チャネル構造１１６と導体層１２０の交差により、３Ｄメモリデバイス１００において、複数のメモリセル、たとえば、メモリセルのアレイを形成することができる。メモリスタック１０４における導体／誘電体層対の数（たとえば、３２、６４、９６、または１２８）が３Ｄメモリデバイス１００におけるメモリセルの数を決定する。導体層１２０および誘電体層１２２は、垂直方向（たとえば、ｚ方向）に交互にすることができる。換言すると、メモリスタック１０４の頂部または底部にあるものを除いて、各導体層１２０は両側で２つの誘電体層１２２に隣接することができ、各誘電体層１２２は両側で２つの導体層１２０に隣接することができる。導体層１２０はそれぞれ同じ厚さを有することも異なる厚さを有することもできる。同様に、誘電体層１２２はそれぞれ同じ厚さを有することも異なる厚さを有することもできる。導体層１２０は、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、ドープシリコン、ケイ化物、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、これらに限定されない、導体材料を含むことができる。誘電体層１２２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、これらに限定されない、誘電体材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、導体層１２０は、Ｗのような金属層を含み、誘電体層１２２は酸化シリコンを含む。

チャネル構造１１６はアレイを形成することができ、それぞれ、基板１０２の上方に垂直に延在することができる。チャネル構造１１６は、交互の導体／誘電体スタックを通って垂直に延在する半導体チャネルを含むことができる。チャネル構造１１６は、複数のチャネル形成層のチャネル形成構造、たとえば、誘電体材料（たとえば、メモリフィルムとして）および／または半導体材料（たとえば、半導体層として）で充填されたチャネルホールを含むことができる。いくつかの実施形態において、メモリフィルムは、トンネリング層、メモリ層（「チャージトラップ層」としても知られる）、およびブロッキング層を含む複合層である。チャネルホールの残りの空間は、酸化シリコンのような誘電体材料を含む誘電体コアで部分的または完全に充填することができる。チャネル構造１１６は、メモリスタック１０４を通る円筒形（たとえば、柱形状）を有する、または各メモリデッキに台形形状および隣接するメモリデッキ間の界面で（たとえば、第１のメモリデッキ１０４－１と第２のメモリデッキ１０４－２との間およびチャネル構造１１６の側壁に沿って）食い違い部分を有することができる。チャネル構造１１６はまた、任意の他の適切な形状を有することができ、これらは本開示の実施形態によって限定されない。いくつかの実施形態によれば、誘電体コア、半導体層、トンネリング層、メモリ層、およびブロッキング層は、中心から側壁に向かってこの順序で径方向に配置される。半導体層は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、および／または単結晶シリコンのような、シリコンを含むことができる。トンネリング層は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、またはこれらの任意の組み合わせを含むことができる。メモリ層は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、シリコン、またはこれらの任意の組み合わせを含むことができる。ブロッキング層は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、高誘電率（ｈｉｇｈ－ｋ）誘電体、またはこれらの任意の組み合わせを含むことができる。一例において、メモリ層は、酸化シリコン／酸窒化シリコン（または窒化シリコン）／酸化シリコン（ＯＮＯ）の複合層を含むことができる。

いくつかの実施形態において、チャネル構造１１６は、チャネル構造１１６の下部（たとえば、底部の下端）に導電性プラグ１２６（たとえば、半導体プラグ）をさらに含む。本明細書で用いられるとき、構成要素（たとえば、チャネル構造１１６）の「上端」は、基板１０２が３Ｄメモリデバイス１００の最下面に配置されているとき、基板１０２から垂直方向に遠い方の端であり、構成要素（たとえば、チャネル構造１１６）の「下端」は、基板１０２に垂直方向に近い方の端である。導電性プラグ１２６は、シリコンのような半導体材料を含むことができ、これは基板１０２からエピタキシャル成長する（たとえば、選択的エピタキシャル成長を用いて）、または基板１０２上へ任意の適切な方向に堆積する。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６は、単結晶シリコン、基板１０２と同じ材料を含むことが理解される。換言すると、導電性プラグ１２６は、基板１０２から成長したエピタキシャル成長半導体層を含むことができる。導電性プラグ１２６は、基板１０２とは異なる材料を含むこともできる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６は、シリコン、ゲルマニウム、およびシリコンゲルマニウムの少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６の一部は基板１０２の頂面の上方にあり、半導体チャネルと接触している。導電性プラグ１２６は、半導体チャネルに導電接続することができる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６の頂面は、底部誘電体層１２２（たとえば、メモリスタック１０４の底部での誘電体層）の頂面と底面との間に配置される。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６の底面は、基板１０２の頂面の下方にある。いくつかの実施形態において、導電性プラグ１２６の底面は、基板１０２の頂面と接触している。

いくつかの実施形態において、チャネル構造１１６は、チャネル構造１１６の上部（たとえば、上端）にドレイン構造１１８（たとえば、チャネルプラグ）をさらに含む。ドレイン構造１１８は、半導体チャネルの上端と接触することができ、半導体チャネルに導電接続することができる。ドレイン構造１１８は、半導体材料（たとえば、ポリシリコン）または導電性材料（たとえば、金属）を含むことができる。いくつかの実施形態において、ドレイン構造１１８は、接着層としてＴｉ／ＴｉＮまたはＴａ／ＴａＮおよび導体材料としてタングステンで充填された開口を含む。３Ｄメモリデバイス１００の製造中に半導体チャネルの上端を覆うことによって、ドレイン構造１１８は、酸化シリコンおよび窒化シリコンのような、半導体チャネルに充填された誘電体のエッチングを防止するエッチング停止層として機能することができる。後続の動作において、ビアおよび／または接触パッドのような導電性構造をドレイン構造１１８上に形成することができる。

いくつかの実施形態において、ソースコンタクト構造１０６は、メモリスタック１０４を通って垂直に延在して基板１０２と接触している。ソースコンタクト構造１０６は、絶縁スペーサ１１４および絶縁スペーサ１１４におけるソースコンタクト１１２を含むことができる。ソースコンタクト１１２と接触してこれに導電接続された、ドープ領域１３０を基板１０２に形成することができる。いくつかの実施形態において、絶縁スペーサ１１４は、複数の層、たとえば、複合構造を有する。たとえば、絶縁スペーサ１１４は、ソースコンタクト構造１０６の側壁に向かって径方向に配置された複数の絶縁層（たとえば、酸化シリコン、窒化シリコン、および／または酸窒化シリコン）を含むことができる。ドープ領域１３０およびソースコンタクト１１２を通してメモリセルにソース電圧を印加することができる。ソースコンタクト１１２は、それぞれが第１のメモリデッキ１０４－１において延在する複数の第１のソースコンタクト部分１１２－１および第２のメモリデッキ１０４－２において延在する第２のソースコンタクト部分１１２－２を含むことができる。第２のソースコンタクト部分１１２－２は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２の界面で第１のソースコンタクト部分１１２－１と垂直に位置を合わせ、これと接触し、これに導電接続することができる（たとえば、ｚ方向に沿って）。いくつかの実施形態において、ｘ－ｚ平面に沿った各ソース部分の断面は台形形状を有することができ、その横寸法を基板１０２に向かって減少させることができる。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１１２はメモリスタック１０４を通って延在する台形形状または柱形状を有する。

ソースコンタクト構造１０６は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２の界面で食い違い部分を有することができる。食い違い部分は、ソースコンタクト構造１０６の側壁に沿わせることができる。食い違い部分は、隣接するソース部分の横寸法の違いによって形成され、隣接するソース部分の端部と接触している横部分を含むことができる。いくつかの実施形態において、絶縁スペーサ１１４は、酸化シリコンのような適切な誘電体材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１１２は、タングステン、ポリシリコン、ドープシリコン、ケイ化物、アルミニウム、銅、およびコバルトの１つまたは複数のような適切な導電性材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分１１２－１はポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分１１２－２は、ポリシリコン部分１３６－１およびポリシリコン部分１３６－１上にタングステン部分１３６－２を含む。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分１１２－１および第２のソースコンタクト部分１１２－２はそれぞれタングステンを含む。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分１１２－１はそれぞれタングステン上にポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分１１２－２はタングステンを含む。ドープ領域１３０は、基板１０２に対して反対の極性を備えた適切なドーパントを含むことができる。

いくつかの実施形態において、３Ｄメモリデバイス１００は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２の界面でエッチング停止層１１０を含む。エッチング停止層１１０は、ソースコンタクト構造１０６およびチャネル構造１１６の外側の領域に分布する複数の部分を含むことができる。エッチング停止層１１０は、誘電体層１２２より高いエッチング選択性を有する適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、エッチング停止層１１０はポリシリコンを含む。

図１Ｂは、いくつかの実施形態による、階段領域およびコア領域において同じ横方向（たとえば、ｙ軸）に沿って延在する、複数の第１のソースコンタクト部分およびそれぞれの第２のソースコンタクト部分をそれぞれ含む、ソースコンタクト構造１０６の上面図を示す。具体的には、図１Ｂは、メモリスタック１０４におけるコア領域（「コア領域」）における第１および第２のソースコンタクト部分１１２－１および１１２－２、および階段領域（「ＳＳ領域」）における第１および第２のソースコンタクト部分１３２－１および１３２－２のレイアウトを示す。各第２のソースコンタクト部分１１２－２（たとえば、ｙ軸に沿って連続的に延在する）は、複数の第１のソースコンタクト部分１１２－１（たとえば、ｙ軸に沿って別々に分布する）に対応することができ、各第２のソースコンタクト部分１３２－２（たとえば、ｙ軸に沿って連続的に延在する）は、複数の第１のソースコンタクト部分１３２－１（たとえば、ｙ軸に沿って別々に分布する）に対応することができる。各第２のソースコンタクト部分（たとえば、１１２－２および１３２－２）および対応する第１のソースコンタクト部分（たとえば、１１２－１および１３２－１）は、ソースコンタクト（たとえば、１１２および１３２）を形成することができる。図１Ｂに示すように、ソースコンタクト１１２（またはソースコンタクト構造１０６）は、コア領域において横に（たとえば、ｙ軸に沿って）延在することができ、ソースコンタクト１３２は、階段領域において横に（たとえば、ｙ軸に沿って）延在することができる。ｙ軸に沿って、各第２のソースコンタクト部分１１２－２／１３２－２の長さは、それぞれの第１のソースコンタクト部分１１２－１／１３２－１が延在する距離に等しくすることができる。コア領域において、各ソースコンタクト構造１０６（またはソースコンタクト１１２）をメモリブロック１５０に配置して、メモリブロックにおけるメモリセルを一対のフィンガー１５２に分割することができる。すなわち、各ソースコンタクト構造１０６をメモリブロックにおける隣接するフィンガー１５２間に配置することができる。いくつかの実施形態において、階段領域およびコア領域におけるソースコンタクト構造１０６は、互いに接触していない。すなわち、いくつかの実施形態において、単一のソースコンタクト構造１０６が、階段領域およびコア領域の１つにおいてのみ延在する。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１３２および１１２の形状、寸法、および組成は、同じまたは同様とすることができる。

図１Ｂは、メモリブロック間に配置された一対の第２のソースコンタクト構造１２８（図１Ａおよび図１Ｃには示さず）も示す。すなわち、第２のソースコンタクト構造１２８は、メモリスタック１０４におけるメモリセルを複数のメモリブロックに分割することができ、１つまたは複数のソースコンタクト構造１０６を配置することができる。ソースコンタクト構造１０６とは異なり、各第２のソースコンタクト構造１２８は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２においてｚ軸に沿って連続的に延在し、たとえば、隣接するメモリブロックにおいてメモリセルを完全に分離することができる。いくつかの実施形態において、第２のソースコンタクト構造１２８は、ｙ軸に沿って階段領域およびコア領域において連続的に延在することができる。すなわち、いくつかの実施形態において、単一の第２のソースコンタクト構造１２８が、階段領域およびコア領域の両方において延在することができる。

ｘ－ｙ平面（たとえば、横平面）に沿って、第１のソースコンタクト部分１１２－１の断面は、円形（図１Ｂに示すような）、ストライプ形状、楕円形、正方形、および／または他の形状のような任意の適切な形状とすることができる。いくつかの実施形態において、第２のソースコンタクト部分１１２－２の断面は、幅（たとえば、ｘ軸に沿った）より大きい長さ（たとえば、ｙ軸に沿った）を有するストライプ形状である。さまざまな実施形態において、第２のソースコンタクト部分１１２－２の断面は、長方形のような１つまたは複数の形状を含む。本開示の図における構造の形状、数、比率、および分布は、単に例示の目的のためであり、構造の実際の形状、数、比率、および分布を示すものではない。

さまざまな実施形態において、階段領域およびコア領域におけるチャネル構造１１６は、同じであっても異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、階段領域およびコア領域におけるソースコンタクト構造１０６は、同じであっても異なっていてもよい。チャネル構造１１６およびソースコンタクト構造１０６の具体的な構造は、本開示の実施形態によって限定されるべきではない。

図１Ｃは、いくつかの実施形態による、Ａ－Ａ’方向に沿った、たとえば、ｙ－ｚ平面に沿ったソースコンタクト１１２の断面図を示す。図１Ｃに示すように、第１のソースコンタクト部分１１２－１は、ｙ軸に沿って別々に分布して第２のソースコンタクト部分１１２－２と垂直に位置を合わせることができる。第１のソースコンタクト部分１１２－１は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２の界面で第２のソースコンタクト部分１１２－２と接触してこれに導電接続することができる。一例として、第１のソースコンタクト部分１１２－１はそれぞれポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分１１２－２はポリシリコン部分１３６－１およびポリシリコン部分１３６－１上のタングステン部分１３６－２を含む。第１のソースコンタクト部分１１２－１は、任意の適切な形状を含み、たとえば、それぞれが互いに同じ形状または互いに異なる形状を有することができる。たとえば、第１のソースコンタクト部分１１２－１は、柱形状および／または台形形状を有することができる。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分１１２－１は、ｙ軸に沿って等間隔に配置され、互いに同じ形状および寸法を有する。いくつかの実施形態において、各第１のソースコンタクト部分１１２－１は、ｚ軸に沿って同じ円筒形状および同じ高さを有する。いくつかの実施形態において、第２のソースコンタクト部分１１２－２は、第２のメモリデッキ１０４－２においてｙ軸およびｚ軸に沿って（またはｙ－ｚ平面に沿って）連続的に延在する。いくつかの実施形態において、第２のソースコンタクト部分１１２－２は直方体形状を有する。ｘ軸に沿った第２のソースコンタクト部分１１２－２の横寸法は、ｘ軸に沿った第１のソースコンタクト部分１１２－１の横寸法より少なくても、大きくても、またはこれらと名目上同じであってもよい。いくつかの実施形態において、ｘ軸に沿って、第２のソースコンタクト部分１１２－２の横寸法は、図１Ａに示すように、界面で第１のソースコンタクト部分１１２－１の横寸法より少ない。

３Ｄメモリデバイス１００は、モノリシック３Ｄメモリデバイスの一部とすることができる。「モノリシック」という用語は、３Ｄメモリデバイスの構成要素（たとえば、周辺デバイスおよびメモリアレイデバイス）が単一の基板上に形成されることを意味する。モノリシック３Ｄメモリデバイスでは、周辺デバイス処理およびメモリアレイデバイス処理の畳み込みにより、製造に追加の制限がある。たとえば、メモリアレイデバイス（たとえば、ＮＡＮＤチャネル構造）の製造は、同じ基板上に形成された、または形成されるべき周辺デバイスに関連する熱履歴によって制約される。

あるいは、３Ｄメモリデバイス１００は、非モノリシック３Ｄメモリデバイスの一部とすることができ、構成要素（たとえば、周辺デバイスおよびメモリアレイデバイス）を異なる基板上に別個に形成して次いで、たとえば、対面方式で接合することができる。いくつかの実施形態において、メモリアレイデバイス基板（たとえば、基板１０２）は、接合された非モノリシック３Ｄメモリデバイスの基板として残り、周辺デバイス（たとえば、ページバッファ、デコーダ、およびラッチのような、３Ｄメモリデバイス１００の動作を促進するために用いられる任意の適切なデジタル、アナログ、および／または混合信号周辺回路を含む、図示せず）は、ハイブリッド接合のために反転され、メモリアレイデバイス（たとえば、ＮＡＮＤメモリストリング）に向かって下向きになる。いくつかの実施形態において、メモリアレイデバイス基板（たとえば、基板１０２）は、ハイブリッド接合のために反転され、周辺デバイス（図示せず）に向かって下向きになり、接合された非モノリシック３Ｄメモリデバイスにおいて、メモリアレイデバイスが周辺デバイスの上方にくるようになることが理解される。メモリアレイデバイス基板（たとえば、基板１０２）は、薄型基板（これは接合された非モノリシック３Ｄメモリデバイスの基板ではない）とすることができ、非モノリシック３Ｄメモリデバイスのバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）インターコネクトは、薄型メモリアレイデバイス基板の裏側に形成することができる。

図２Ａ～図２Ｈは、いくつかの実施形態による、製造プロセスのさまざまな段階での３Ｄメモリデバイス１００の断面図を示す。図３Ａは、３Ｄメモリデバイス１００を形成する方法３００のフローチャートを示す。図３Ｂは、方法３００の詳細な製造動作を示すフローチャートである。例示を容易にするため、デュアルデッキ構造を有する３Ｄメモリデバイス１００の製造プロセスを説明する。さまざまな実施形態において、３Ｄメモリデバイスは、垂直方向（たとえば、ｚ方向）に沿って２より多くのメモリデッキを有することもできる。たとえば、第１および第２のソースコンタクト部分のそれぞれは、１つまたは複数のメモリデッキにおいて垂直に延在し、隣接するメモリデッキの界面で隣接することができる。２より多くのメモリデッキを備えた３Ｄメモリデバイスにおける構造の製造は、３Ｄメモリデバイス１００の製造と同様とすることができ、本明細書では説明しない。方法３００に示す動作は網羅的ではなく、例示の動作のいずれかの前、後、または間に他の動作を実行することもできるということが理解される。さらに、動作のいくつかを、同時に、または図２および図３に示すものとは異なる順序で実行することができる。

図３Ａに示すように、方法３００は動作３０２～動作３１４を含む。動作３０２において、基板上に複数の第１の犠牲層および複数の第１の誘電体層を交互に有する第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する複数のホールが形成される。動作３０４において、複数の犠牲構造がホールに形成される。動作３０６において、第２の誘電体デッキが形成される。第２の誘電体デッキは、第１の誘電体デッキ上に複数の第２の犠牲層および複数の第２の誘電体層を交互に含むことができる。動作３０８において、第２の誘電体デッキにおいて延在するスリット開口が形成される。スリット開口は、犠牲ソースコンタクト構造の上でこれと位置を合わせることができる。動作３１０において、犠牲構造は、スリット開口がホールと接触してスリット構造を形成するように、スリット開口を通して除去される。動作３１２において、複数の導体層がスリット構造を通して第１および第２の誘電体デッキに形成され、メモリスタックを形成する。動作３１４において、ソースコンタクト構造がスリット構造に形成される。動作３０２～動作３１４の詳細を以下に説明する。

プロセスの開始時に、第１のチャネルホールおよび複数のホールが基板上の第１のデッキに形成される（動作３２２）。図２Ａ～図２Ｃは対応する構造を示す。

図２Ａに示すように、いくつかの実施形態において、第１のデッキ２０４－１が第１の絶縁部分２２５－１にあるように、第１の絶縁部分２２５－１を形成して第１の誘電体デッキ２０４－１を取り囲む。第１の誘電体デッキ２０４－１は、たとえば、第１の誘電体デッキ２０４－１の階段領域に階段構造を有することができる。階段構造は、エッチングマスク、たとえば、第１の誘電体デッキ２０４－１上のパターニングされたＰＲ層を用いて複数の交互の第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１を繰り返しエッチングすることによって形成することができる。各第１の犠牲層２２０－１および下にある第１の誘電体層２２２－１は、誘電体対と呼ぶことができる。いくつかの実施形態において、１つまたは複数の誘電体対が１つのレベル／階段を形成することができる。階段構造の形成中、ＰＲ層はトリミングされ（たとえば、メモリスタックの境界から、大抵すべての方向から徐々に内向きにエッチングされ）、第１の誘電体デッキ２０４－１の露出部分をエッチングするためのエッチングマスクとして用いられる。トリミングされるＰＲの量は、階段の寸法に直接関係する（たとえば、決定的である）可能性がある。ＰＲ層のトリミングは、適切なエッチング、たとえば、ウェットエッチングのような等方性ドライエッチングを用いて得ることができる。階段構造を形成するために１つまたは複数のＰＲ層を連続的に形成およびトリミングすることができる。各誘電体対は、ＰＲ層のトリミング後、適切なエッチャントを用いてエッチングして第１の犠牲層２２０－１および下にある第１の誘電体層２２２－１の両方の一部を除去することができる。エッチングされた第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１は、第１の誘電体デッキ２０４－１に階段を形成することができる。次いでＰＲ層を除去することができる。いくつかの実施形態において、第１の誘電体デッキ２０４－１が第１の絶縁部分２２５－１にあるように、第１の絶縁部分２２５－１を堆積させて第１の誘電体デッキ２０４－１を取り囲む。第１の絶縁部分２２５－１は、酸化シリコンのような任意の適切な絶縁材料を含むことができ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、および／またはＡＬＤのような適切な堆積プロセスによって堆積させることができる。例示の目的のため、コア領域におけるソースコンタクト構造の形成を説明および描写する。いくつかの実施形態において、階段領域におけるおよびコア領域におけるソースコンタクト構造は、同じ動作によって形成される。図２Ｃに示すように、基板２０２上の第１の誘電体デッキ２０４－１において延在する１つまたは複数の第１のチャネルホール２２１および複数のホール２１９が形成される。複数のホール２１９は、横方向に沿って、たとえば、ｙ軸に沿って、図１Ａ～図１Ｃにおいて説明した第１のソースコンタクト部分１１２－１の分布のように並ぶように形成することができる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ２２６が第１のチャネルホール２２１の底部で形成される。

基板２０２上に、第１の誘電体デッキ２０４－１を設けることができる。図２Ａに示すように、第１の誘電体デッキ２０４－１は、基板２０２上に第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１を交互に堆積させることによって基板２０２上に形成することができる。第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１は、後続のゲート置換プロセス中に異なるエッチング選択性を有することができる。いくつかの実施形態において、第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１は異なる材料を含む。いくつかの実施形態において、第１の犠牲層２２０－１は窒化シリコンを含み、第１の誘電体層２２２－１は酸化シリコンを含む。第１の犠牲層２２０－１および第１の誘電体層２２２－１の堆積はそれぞれ、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および原子層堆積（ＡＬＤ）の１つまたは複数を含むことができる。

第１の誘電体デッキ２０４－１において延在する第１のチャネルホール２２１および複数のホール２１９を、たとえば、任意の適切な順序で形成することができる。すなわち、第１のチャネルホール２２１は、ホール２１９の形成の前、これと同時、またはその後に形成することができる。いくつかの実施形態において、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、ホール２１９は、第１のチャネルホール２２１の形成前に形成される。ホール２１９はそれぞれ、それぞれの底部で基板２０２を露出させることができる。いくつかの実施形態において、酸化物層のような、絶縁体層２２９を各ホール２１９の底部に形成して、それぞれのホール２１９の底部で露出した基板２０２の部分を覆い、たとえば、第１のチャネルホールの底部での導電性プラグ２２６の形成のような後続の動作において基板２０２への損傷を防止することができる。絶縁体層２２９は、基板２０２の自然酸化物、たとえば、酸化シリコンを含むことができ、熱酸化のような任意の適切な酸化プロセスによって形成することができる。いくつかの実施形態において、絶縁体層２２９は、第１のチャネルホール２２１の形成前に形成される。

いくつかの実施形態において、第１のチャネルホール２２１およびホール２１９は、同じパターニング／エッチングプロセスによって形成される。いくつかの実施形態において、第１のチャネルホール２２１は、たとえば、異なるパターニング／エッチングプロセスによって、ホール２１９の形成前に形成することができる。ｚ軸に沿って、第１のチャネルホール２２１およびホール２１９は、同じ深さまたは異なる深さを有することができる。これらの２つのシナリオにおいて、絶縁体層２２９は、第１のチャネルホール２２１の底部で導電性プラグ２２６を形成する前に、各ホール２１９の底部で形成することができる。さまざまな実施形態において、第１のチャネルホール２２１およびホール２１９の形成は、パターンフォトレジスト層のような第１の誘電体デッキ２０４－１上のエッチングマスクを用いる、ドライエッチングのような異方性エッチングプロセスおよび／またはウェットエッチングのような等方性エッチングプロセスを含む。

導電性プラグ２２６を形成するため、第１のチャネルホール２２１の底部でくぼみ領域をまず形成して、基板２０２の上方に第１のチャネルホール２２１を形成する同じエッチングプロセスによって、および／または別個のリセスエッチングプロセスによって、基板２０２の頂部を露出させることができる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ２２６は、第１のチャネルホール２２１の底部で、たとえば、くぼみ領域上に形成される。導電性プラグ２２６は、エピタキシャル成長プロセスおよび／または堆積プロセスによって形成することができ、半導体材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ２２６は、エピタキシャル成長（たとえば、選択的エピタキシャル成長）によって形成され、エピタキシャル部分と呼ばれる。任意選択で、リセスエッチング（たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチング）を実行して、チャネルホールの側壁の余分な半導体材料を除去し、および／または導電性プラグ２２６の頂面を所望の位置で制御することができる。いくつかの実施形態において、導電性プラグ２２６は単結晶シリコンを含み、基板２０２からエピタキシャル成長させることによって形成される。いくつかの実施形態において、導電性プラグ２２６は、堆積プロセスによって形成されるポリシリコンを含む。エピタキシャル成長させたエピタキシャル部分の形成は、気相エピタキシー（ＶＰＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）、分子線エピタキシー（ＭＰＥ）、またはこれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。堆積したエピタキシャル部分の形成は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、および／またはＡＬＤを含むことができるが、これらに限定されない。

任意選択で、他の酸化物層２１７を導電性プラグ２２６上に形成して、それぞれの犠牲チャネル構造の形成のような後続の動作における導電性プラグ２２６への損傷を防止することができる。

図３Ｂに戻ると、第１のチャネルホールおよびホールの形成後、方法３００は動作３２４に進み、犠牲材料を堆積させて第１のチャネルホールおよびホールを充填し、それぞれ犠牲チャネル構造および複数の犠牲ソースコンタクト構造を形成する。図２Ｄは対応する構造を示す。

図２Ｄに示すように、犠牲材料を堆積させて第１のチャネルホール２２１およびホール２１９を充填し、それぞれ第１のチャネルホール２２１に犠牲チャネル構造２２３を、そしてホール２１９に犠牲ソースコンタクト構造２２７を形成することができる。いくつかの実施形態において、犠牲チャネル構造２２３はそれぞれ、それぞれの酸化物層２１７上にあり得、犠牲ソースコンタクト構造２２７はそれぞれ、それぞれの絶縁体層２２９上にあり得る。犠牲材料は、第２の誘電体デッキの堆積のような後続の動作において第１の誘電体デッキ２０４－１を支持するのに十分な剛性および強度を有する任意の適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、犠牲材料は、ポリシリコン、炭化シリコン、および／または炭素を含むが、これらに限定されない。たとえば、犠牲材料はポリシリコンを含むことができ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、およびＡＬＤの１つまたは複数のような適切な堆積プロセスを用いて堆積させることができる。任意選択で、平坦化プロセス、たとえば、ドライ／ウェットエッチングおよび／またはＣＭＰを実行して、第１の誘電体デッキ２０４－１の頂面上のあらゆる余分な犠牲材料を除去する。

図３Ｂに戻ると、犠牲チャネル構造および犠牲ソースコンタクト構造の形成後、方法３００は動作３２６に進み、エッチング停止層が第１の誘電体デッキ上に形成される。図２Ｅは対応する構造を示す。

図２Ｅに示すように、エッチング停止層２１０が第１の誘電体デッキ２０４－１上に形成される。エッチング停止層２１０は、少なくとも隣接する犠牲ソースコンタクト構造２２７間の第１の誘電体デッキ２０４－１の部分／領域を覆うことができる。エッチング停止層２１０は、隣接する犠牲ソースコンタクト構造２２７間の第１の誘電体デッキ２０４－１の部分／領域が、犠牲ソースコンタクト構造２２７が沿って延在する横方向に沿って連続的に延在するホールの形成中にエッチングされることを防止することができる。いくつかの実施形態において、エッチング停止層２１０は第１の誘電体デッキ２０４－１を覆う。エッチング停止層２１０は、第１の誘電体デッキ２０４－１の材料とは異なるエッチング選択性を有する任意の適切な材料を含むことができる。いくつかの実施形態において、第１の犠牲層２２０－１は窒化シリコンを含み、第１の誘電体層２２２－１は酸化シリコンを含み、エッチング停止層２１０はポリシリコンを含む。エッチング停止層２１０の厚さは、スリット開口の形成において、エッチャントがエッチング停止層２１０を超えて垂直に連続的にエッチングすることを防ぐのに十分とすることができる。いくつかの実施形態において、エッチング停止層２１０は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、およびＡＬＤの１つまたは複数のような適切な堆積プロセスを用いて形成される。

図３Ｂに戻ると、エッチング停止層の形成後、方法３００は動作３２８に進み、第２の誘電体デッキが第１の誘電体デッキ上に形成されて犠牲チャネル構造および犠牲ソース構造を覆う。図２Ｆは対応する構造を示す。

図２Ｆに示すように、第２の誘電体デッキ２０４－２が第１の誘電体デッキ２０４－１上に形成され、犠牲チャネル構造２２３、犠牲ソースコンタクト構造２２７、およびエッチング停止層２１０を覆うことができる。第２の誘電体デッキ２０４－２は、交互の複数の第２の犠牲層２２０－２および第２の誘電体層２２２－２を含むことができる。いくつかの実施形態において、第２の誘電体デッキ２０４－２は、第２の誘電体デッキ２０４－２の階段領域において、階段構造を有する。いくつかの実施形態において、たとえば、酸化シリコンを含む、第２の絶縁部分２２５－２が、第２の誘電体デッキ２０４－２が第２の絶縁部分２２５－２にあるように、第２の誘電体デッキ２０４－２を取り囲んで第１の絶縁部分２２５－１上に形成される。第２の絶縁部分２２５－２および第１の絶縁部分２２５－１は、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２が配置されている絶縁構造２２５を形成することができる。第２の誘電体デッキ２０４－２の形成は第１の誘電体デッキ２０４－１の形成と同様とすることができ、第２の絶縁部分２２５－２の形成は第１の絶縁部分２２５－１の形成と同様とすることができ、両方の詳細な説明はここでは繰り返さない。

図３Ａおよび図３Ｂに戻って参照すると、第２の誘電体デッキの形成後、方法３００は動作３３０に進み、第２のチャネルホールが犠牲チャネル構造と垂直に位置を合わせるように第２の誘電体デッキに形成され、犠牲チャネル構造上にあって第２のチャネルホールの底部で露出しているエッチング停止層のあらゆる部分を除去して犠牲チャネル構造を露出させる。さらに、第２のチャネルホールを通して犠牲チャネル構造を除去し、第１のチャネルホールを第２のチャネルホールと接触させ、第１および第２のチャネルホールにチャネル構造を形成する。図２Ｇは対応する構造を示す。

図２Ｇに示すように、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２において延在するチャネル構造２１６を形成することができる。いくつかの実施形態において、動作３１０に従って、第２のチャネルホールが第２の誘電体デッキ２０４－２に形成されて延在し、犠牲チャネル構造２２３と垂直に位置を合わせる。第２のチャネルホールの底部は、犠牲チャネル構造２２３上のエッチング停止層２１０の一部を露出させることができる。第２のチャネルホールを形成するため、第２の誘電体デッキ２０４－２は、エッチング停止層２１０が第２のチャネルホールの底部で露出するまでエッチングすることができる。第２のチャネルホールを形成するエッチングプロセスは、第１のチャネルホール２２１を形成するエッチングプロセスと同様とすることができ、詳細な説明はここでは繰り返さない。

動作３１０に従って、第２のチャネルホールの底部で露出した、犠牲チャネル構造２２３上のエッチング停止層２１０のあらゆる部分を除去することができる。犠牲チャネル構造２２３は、たとえば、第２のチャネルホールの底部で露出させることができる。適切なエッチングプロセス、たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングを実行して、エッチング停止層２１０のその部分を除去することができる。犠牲チャネル構造２２３は、動作３３４に従って、適切なエッチングプロセス、たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングを用いて、さらに除去することができる。第２のチャネルホールおよび第１のチャネルホール２２１はしたがって、たとえば、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２の界面で互いに接触して、チャネルホールを形成することができる。いくつかの実施形態において、酸化物層２１７を完全にまたは部分的に除去して導電性プラグ２２６を露出させ、半導体チャネルが形成される、続いて形成される半導体層を、導電性プラグ２２６と接触させることができるようにする。絶縁層２１７は、犠牲チャネル構造２２３を除去する同じエッチングプロセス、または異なるエッチングプロセス、たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングによって除去することができる。いくつかの実施形態において、第２のチャネルホールは台形形状を有することができ、第２のチャネルホールの横寸法は、界面で第１のチャネルホール２２１の横寸法より少なくすることができる。したがって、いくつかの実施形態において、チャネルホールの側壁は、界面で食い違いの輪郭を有することができる。

次いで、動作３３６に従って、チャネル構造をチャネルホールに形成することができる。いくつかの実施形態において、メモリフィルム、半導体層、および誘電体コアをチャネルホールに堆積させる。具体的には、メモリフィルムは、ブロッキング層、メモリ層、およびトンネリング層を含むことができる。いくつかの実施形態において、誘電体コア、半導体層、トンネリング層、メモリ層、およびブロッキング層は、チャネルホールの中心から側壁に向かってこの順序で径方向に配置される。いくつかの実施形態において、半導体層は導電性プラグ２２６と接触し、半導体チャネルが半導体層に形成される。いくつかの実施形態において、ブロッキング層、メモリ層、トンネリング層、半導体層、および誘電体コアは、ＡＬＤ、ＣＶＤ、ＰＶＤ、任意の他の適切なプロセス、またはこれらの任意の組み合わせのような、１つまたは複数の薄膜堆積プロセスを用いてこの順序で連続的に堆積させることができる。

いくつかの実施形態において、ドレイン構造２１８がチャネルホールの上部に形成される。いくつかの実施形態において、チャネルホールの上部におけるメモリフィルム、半導体層、および誘電体コアの部分を、ＣＭＰ、研削、ウェットエッチング、および／またはドライエッチングによって除去して、半導体チャネルの頂面をチャネルホールにおける所望の位置に配置することができるようにチャネルホールの上部にくぼみを形成することができる。次いで、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、電気めっき、無電解めっき、またはこれらの任意の組み合わせのような、１つまたは複数の薄膜堆積プロセスによって、金属および／またはシリコンのような導電性材料をくぼみ内へ堆積させることによって、ドレイン構造２１８を形成することができる。それによって、チャネル構造２１６が形成される。任意選択で、平坦化プロセス、たとえば、ドライ／ウェットエッチングおよび／またはＣＭＰを実行して、第２の誘電体デッキ２０４－２の頂面上のあらゆる余分な材料を除去する。任意選択で、誘電体キャップ層２２４が第２の誘電体デッキ２０４－２上に形成されて少なくともドレイン構造２１８を覆う。いくつかの実施形態において、誘電体キャップ層２２４は酸化シリコンを含み、ＣＶＤ、ＰＶＤ、および／またはＡＬＤのような任意の適切な堆積プロセスによって堆積させる。

チャネル構造が形成された後、方法３００は動作３３８に進み、スリット開口が第２の誘電体デッキに形成され、犠牲ソースコンタクト構造と位置を合わせ、犠牲ソースコンタクト構造上のエッチング停止層の部分が除去される。スリット開口を通して犠牲ソースコンタクト構造を除去し、スリット開口をホールと接触させ、スリット構造を形成する。さらに、スリット構造と接触している犠牲層を除去して複数の横方向のくぼみを形成し、複数の導体層が横方向のくぼみに形成される。ソースコンタクト構造が次いでスリット構造に形成される。図２Ｈは対応する構造を示す。

図２Ｈに示すように、スリット開口が第２の誘電体デッキ２０４－２に形成される。スリット開口は、直方体形状を有して第２の誘電体デッキ２０４－２において連続的に延在し、犠牲コンタクトソース構造２２７と位置を合わせることができる。いくつかの実施形態において、スリット開口は第２の誘電体デッキ２０４－２において垂直に、そして犠牲ソースコンタクト構造２２７が延在する横方向（たとえば、ｙ軸）に沿って横に延在する。スリット開口は十分に広くすることができる（たとえば、ｘ軸に沿って）ので、スリット開口は犠牲ソースコンタクト構造２２７のそれぞれと少なくとも部分的に重なる。さまざまな実施形態において、ｘ軸に沿って、スリット開口の幅は、犠牲ソースコンタクト構造２２７の幅より大きくても、少なくても、または少なくとも名目上これらと同じであってもよい。いくつかの実施形態において、ｘ軸に沿って、スリット開口の幅は犠牲ソースコンタクト構造２２７の幅より少なくすることができる。いくつかの実施形態において、ｙ軸に沿って、スリット開口の長さは、犠牲ソースコンタクト構造２２７が延在する全距離に等しい。

いくつかの実施形態において、エッチングマスクを用いて、適切なパターニング／エッチングプロセス、たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングを実行し、第２の誘電体デッキ２０４－２の一部を除去してスリット開口を形成する。第２の誘電体デッキ２０４－２のエッチングはエッチング停止層２１０で停止することができ、エッチング停止層２１０の一部、たとえば、犠牲ソースコンタクト構造２２７上の部分および隣接する犠牲ソースコンタクト構造２２７間の領域をスリット開口の底部で露出させることができる。

さらに、動作３４０に従って、スリット開口の底部で露出したエッチング停止層２１０の部分を除去して犠牲ソースコンタクト構造２２７を露出させることができる。エッチング停止層２１０の一部の除去は、チャネルホールの形成におけるエッチング停止層２１０のエッチングと同様、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングのような適切なエッチングプロセスを含むことができる。次いで、動作３４２に従って、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングのような適切なエッチングプロセスを用いて、スリット開口を通して犠牲ソースコンタクト構造２２７を除去することができる。さまざまな実施形態において、酸化物層２２９は除去してもしなくてもよい。スリット開口およびホール２１９は、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２の界面で互いに隣接または接触し、スリット構造を形成することができる。いくつかの実施形態において、ホール２１９はそれぞれ円筒形状（または台形形状）を有し、スリット開口は直方体形状を有し、スリット開口の幅はｘ軸に沿ったホール２１９の幅より少ない。スリット構造の側壁に第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２の界面で食い違い状の輪郭を形成することができる。

さらに、動作３４４に従って、スリット構造と接触している犠牲層は、第１の誘電体デッキ２０４－１に第１の犠牲層２２０－１および第２の誘電体デッキ２０４－２に第２の犠牲層２２０－２を含み、スリット構造を通して除去することができる。犠牲層の除去は、等方性エッチングプロセス、たとえば、ウェットエッチングを含むことができる。複数の横方向のくぼみを第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２に形成することができる。さらに、動作３４６に従って、導体材料を次いで堆積させて横方向のくぼみを充填し、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２に複数の導体層２４０を形成することができる。いくつかの実施形態において、導体材料は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、およびＡＬＤの少なくとも１つによって堆積させる。第１の誘電体層２２２－１および第２の誘電体層２２２－２は、誘電体層２２２と呼ぶことができる。導体層２４０および誘電体層２２２は、基板２０２の上方でｚ軸に沿って交互に配置することができ、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２はそれぞれ、第１および第２のメモリデッキ２３４－１および２３４－２と呼ばれ、メモリスタック２３４を形成することができる。

さらに、ソースコンタクト構造２０６、たとえば、隣接するソースコンタクト構造を、動作３４８に従って、スリット構造に形成することができる。いくつかの実施形態において、ドープ領域２３０が、たとえば、イオン注入のような適切なドーピングプロセスを用いて、基板２０２においてスリット構造の底部で形成される。いくつかの実施形態において、酸化シリコンのような、絶縁材料をスリット構造の側壁に堆積させ、絶縁スペーサ２１４を形成する。任意選択で、適切なリセスエッチングプロセス、たとえば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチングを実行して、絶縁材料および／または酸化物層２２９のあらゆる余分な部分を除去し、基板２０２を露出させることができる。導電性材料を堆積させてスリット構造を充填し、ソースコンタクト２１２を形成することができる。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト２１２は１より多くの導電性材料を含むことができる。たとえば、ポリシリコンをホール２１９およびスリット開口の下部を充填するために堆積させることができ、タングステンをスリット開口の残りを充填するために堆積させることができる。説明を容易にするため、第１のソースコンタクト部分２１２－１（たとえば、ポリシリコンを含む）をホール２１９に形成することができ、第２のソースコンタクト部分２１２－２（たとえば、ポリシリコン部分２３６－１およびポリシリコン部分２３６－１上のタングステン部分２３６－２を含む）をスリット開口に形成することができる。第１のソースコンタクト部分２１２－１および第２のソースコンタクト部分２１２－２は、第１および第２のメモリデッキ２３４－１および２３４－２の界面で隣接して、ソースコンタクト２１２、隣接するソースコンタクトを形成することができる。絶縁スペーサ２１４は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、およびＡＬＤの１つまたは複数によって堆積させることができ、ソースコンタクト２１２は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、および電気めっきの１つまたは複数によって堆積させることができる。任意選択で、平坦化プロセス、たとえば、ＣＭＰおよび／またはリセスエッチングを実行して、メモリスタック２０４上のあらゆる余分な材料（たとえば、ソースコンタクト構造２０６を形成するための材料）を除去する。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分２１２－１および第２のソースコンタクト部分２１２－２はそれぞれタングステンを含む。いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト部分２１２－１はそれぞれタングステン上にポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分２１２－２はタングステンを含む。

第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２における階段構造は、各誘電体デッキ２０４－１／２０４－２を別々にエッチングすること（たとえば、２つの誘電体デッキのエッチングは、図２において説明したように、他の構造の形成のような他の製造プロセスによって分離される）または第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２を１つのエッチングプロセスにおいてエッチングすることによって形成することができるということが留意されるべきである。階段構造の形成はそれぞれ、製造プロセスの任意の適切な段階において行うことができる。階段構造を形成する具体的な順序／タイミングは、本開示の実施形態によって限定されるべきではない。いくつかの実施形態において、絶縁構造２２５は、たとえば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、および／またはＡＬＤのような適切な堆積プロセスによって、第１および第２の誘電体デッキ２０４－１および２０４－２に階段構造を形成した後に形成される。

図４は、いくつかの実施形態による、階段領域（図１Ｂにおける「ＳＳ領域」）における、ｘ－ｚ平面に沿った３Ｄメモリデバイス１００の断面図を示す。図１Ｂに戻って参照すると、階段領域におけるソースコンタクト１３２は、コア領域におけるソースコンタクト１１２と接触していなくてもよい。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１３２はソースコンタクト１１２と接触している。さまざまな実施形態において、ソースコンタクト１３２のレイアウト／分布は、ソースコンタクト１１２のレイアウト／分布と同じであっても異なっていてもよい。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１３２（たとえば、第１および第２のソースコンタクト部分１３２－１および１３２－２）は、ソースコンタクト１１２を形成する同じ動作によって形成される。いくつかの実施形態において、ソースコンタクト１３２および１１２は、同じ形状、寸法、および材料／組成を含む。ソースコンタクト１３２の詳細は、ソースコンタクト１１２の説明を参照することができ、ここでは繰り返さない。

図４に示すように、３Ｄメモリデバイス１００は、いくつかの実施形態によれば、チャネル構造の代わりに、階段領域に複数の支柱４１６（たとえば、ダミーチャネル構造）を含むことができる。支柱４１６は、製造プロセス、たとえば、横方向のくぼみおよび導体層の形成中、３Ｄメモリデバイス１００が崩壊しにくくなるよう、３Ｄメモリデバイス１００を支持することができる。チャネル構造１１６とは異なり、支柱４１６は、基板１０２に導電接続されていない支持構造で充填することができる。いくつかの実施形態において、支柱４１６は、酸化シリコン、窒化シリコン、および／または酸窒化シリコンのような、誘電体材料で充填されている。いくつかの実施形態において、支柱４１６はチャネル構造１１６と同じチャネル形成構造／層を有するが、下部に導電性プラグがない。支持構造は、チャネル形成層／構造を形成する堆積プロセスと同じまたは異なる堆積プロセスを用いて第１および第２のチャネルホールへ堆積させることができる。支柱４１６の底面は、基板１０２の頂面の下方にあってもこれに接していてもよい。いくつかの実施形態において、支柱４１６は、それぞれがそれぞれの第２の柱ホールと接触する複数の第１の柱ホールを形成すること、および第１および第２の柱ホールを誘電体材料で充填することによって形成される。第１および第２の柱ホールはそれぞれ、第１および第２のチャネルホールを形成する同じ動作によって形成することができる。さまざまな実施形態において、第１／第２の柱ホールおよび第１／第２のチャネルホールは同じ形状および／または寸法を有することができる。いくつかの実施形態において、支柱４１６は、第１および第２のメモリデッキ１０４－１および１０４－２の界面で食い違い部分を有する。

本開示の実施形態によれば、メモリデバイスが、基板と、基板上方のスタックと、チャネル構造と、それぞれがメモリスタックを通って垂直に延在するソースコンタクト構造と、を含む。ソースコンタクト構造は、（ｉ）それぞれが互いに分離されて垂直および横に延在する複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、第２のソースコンタクト部分は横に連続している。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分は、横方向に沿って互いに等間隔に配置されている。

いくつかの実施形態において、横平面に沿って、複数の第１のソースコンタクト部分のそれぞれの断面は、円形、楕円形、長方形、または正方形の１つを含む。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分はそれぞれ、第２のソースコンタクト部分から基板まで延在する円筒形または台形の１つを有する。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分は同じ材料を含む。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分および第２のソースコンタクト部分は金属を含む。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分はポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよび金属の１つまたは複数を含む。

いくつかの実施形態において、チャネル構造およびソースコンタクト構造はそれぞれ、それぞれの側壁に沿って食い違い部分を含む。

いくつかの実施形態において、ソースコンタクト構造は、メモリスタックにおけるメモリブロックにおける２つのメモリフィンガー間に配置されている。

いくつかの実施形態において、３Ｄメモリデバイスは、メモリスタックにおける２つのメモリブロック間に第２のソースコンタクト構造をさらに含む。第２のソースコンタクト構造はメモリスタックにおいて連続的に延在する。

いくつかの実施形態において、メモリスタックは、基板の上方に複数の交互の導体層および誘電体層を含む。いくつかの実施形態において、チャネル構造は、チャネル構造の側壁からチャネル構造の中心に向かって径方向に延在するブロッキング層、メモリ層、トンネリング層、半導体層、および誘電体コアを含む。

本開示の実施形態によれば、メモリデバイスが、基板と、基板上方のスタックと、複数のチャネル構造と、複数のソースコンタクト構造と、を含む。ソースコンタクト構造は複数の第１のソースコンタクト構造および複数の第２のソースコンタクト構造を含み、それぞれがメモリスタックを通って垂直に延在する。第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、（ｉ）それぞれが垂直に延在して互いに分離された複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、第２のソースコンタクト部分は連続している。第２のソースコンタクト構造はそれぞれメモリスタックにおいて連続的に延在する。

いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、メモリスタックにおける２つのフィンガー間にあり、第２のソースコンタクト構造はそれぞれ、メモリスタックにおける２つのブロック間にある。

いくつかの実施形態において、第１のソースコンタクト構造の少なくとも１つは、第２のソースコンタクト構造の対間に配置されている。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分は、横方向に沿って互いに等間隔に配置されている。

いくつかの実施形態において、横平面に沿って、複数の第１のソースコンタクト部分のそれぞれの断面は、円形、楕円形、長方形、または正方形の１つを含む。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分はそれぞれ、第２のソースコンタクト部分から基板まで延在する円筒形または台形の１つを有する。

いくつかの実施形態において、複数の第１のソースコンタクト部分および第２のソースコンタクト部分は金属を含む。または複数の第１のソースコンタクト部分はポリシリコンを含み、第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよびタングステンの１つまたは複数を含む。

いくつかの実施形態において、複数の第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよびタングステンの１つまたは複数を含む。

いくつかの実施形態において、チャネル構造および第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、それぞれの側壁に沿って食い違い部分を含む。

いくつかの実施形態において、メモリスタックは、基板の上方に複数の交互の導体層および誘電体層を含む。いくつかの実施形態において、チャネル構造はそれぞれ、それぞれのチャネル構造の側壁からそれぞれのチャネル構造の中心に向かって径方向に延在するブロッキング層、メモリ層、トンネリング層、半導体層、および誘電体コアを含む。

本開示の実施形態によれば、メモリデバイスを形成するための方法が次の動作を含む。基板上に複数の第１の犠牲層および複数の第１の誘電体層を交互に含む第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する複数のホールが形成される。複数の犠牲構造がホールに形成される。第１の誘電体デッキ上に複数の第２の犠牲層および複数の第２の誘電体層を交互に有する第２の誘電体デッキが形成される。第２の誘電体デッキにおいて延在するスリット開口が形成され、スリット開口は、犠牲ソースコンタクト構造とその上で位置を合わせる。犠牲構造は、スリット開口がホールと接触してスリット構造を形成するように、スリット開口を通して除去される。複数の導体層がスリット構造を通して第１および第２の誘電体デッキに形成され、メモリスタックを形成する。ソースコンタクト構造がスリット構造に形成される。

いくつかの実施形態において、スリット開口を形成する前に複数のチャネル構造を形成する。

いくつかの実施形態において、この方法は、犠牲ソースコンタクト構造を形成する前に各ホールの底部で絶縁体層を形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、複数の犠牲ソースコンタクト構造を形成することは、犠牲材料を堆積させてホールを充填することを含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、第１の誘電体デッキ上にエッチング停止層を形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、犠牲ソースコンタクト構造の除去前にスリット開口を通してエッチング停止層の一部を除去して犠牲ソースコンタクト構造を露出させることをさらに含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、スリット構造を通して複数の第１および第２の犠牲層を除去して複数の横方向のくぼみを形成することと、導体材料を堆積させて横方向のくぼみを充填して導体層を形成することと、をさらに含む。

いくつかの実施形態において、ソースコンタクト構造を形成することは、スリット構造においてポリシリコンおよび／またはポリシリコン上にタングステンを堆積させることを含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、複数のホールを形成する同じプロセスにおいて、第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、複数のホールの形成後に、第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、複数のホールの形成前に、第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成すること、または複数のホールと同時に、第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、この方法は、第１のチャネルホールの底部でエピタキシャル部分を形成することをさらに含む。酸化物は、エピタキシャル部分の形成前に各スリット開口の底部で堆積させる。

いくつかの実施形態において、この方法は、犠牲ソースコンタクト構造を形成する同じプロセスにおいて、犠牲材料を堆積させて第１のチャネルホールを充填し、犠牲チャネル構造を形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、エッチング停止層は、隣接する犠牲ソースコンタクト構造間の第１の誘電体デッキの少なくとも一部を覆う。

いくつかの実施形態において、この方法は、スリット開口を形成する前に、第２の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第２のチャネルホールを形成することをさらに含み、第２のチャネルホールは犠牲チャネル構造と垂直に位置を合わせる。いくつかの実施形態において、この方法は、第２のチャネルホールを通してエッチング停止層の一部を除去して犠牲チャネル構造を露出させることと、第２のチャネルホールが第１のチャネルホールと接触してチャネルホールを形成するように犠牲チャネル構造を除去することと、さらに含む。いくつかの実施形態において、この方法は、チャネルホールにチャネル構造を形成することをさらに含む。

具体的な実施形態の前述の説明は、他者が当該技術の範囲内で知識を適用することによって、過度の実験なしに、本開示の全般的な概念から逸脱することなく、このような具体的な実施形態を容易に修正および／またはさまざまな用途に適合させることができるように、本開示の全般的な性質を明らかにしているだろう。したがって、このような適合および修正は、本明細書に提示される教示および指示に基づいて、開示された実施形態の同等物の意味および範囲内にあるように意図されている。本明細書の表現または用語は、説明を目的とするものであって限定ではなく、そのため本明細書の表現または用語は、教示および指示に照らして当業者によって解釈されるべきであることが理解されるべきである。

指定された機能の実装およびそれらの関係を例示する機能的構成要素の助けを借りて、本開示の実施形態を上で説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上、本明細書で任意に定義されてきた。指定された機能およびそれらの関係が適切に実行される限り、代替境界を定義することができる。

概要および要約の部分は、本発明者によって企図されるような本開示のすべてではないが１つまたは複数の例示的な実施形態を記載することができ、したがって、本開示および添付の請求項を限定するように決して意図されていない。

本開示の幅および範囲は、上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、次の請求項およびそれらの同等物に従ってのみ定義されるべきである。

１００ ３Ｄメモリデバイス
１０２ 基板
１０４ メモリスタック
１０４－１ 第１のメモリデッキ
１０４－２ 第２のメモリデッキ
１０６ ソースコンタクト構造
１１０ エッチング停止層
１１２ ソースコンタクト
１１２－１ 第１のソースコンタクト部分
１１２－２ 第２のソースコンタクト部分
１１４ 絶縁スペーサ
１１６ チャネル構造
１１８ ドレイン構造
１２０ 導体層
１２２ 誘電体層
１２４ 誘電体キャップ層
１２６ 導電性プラグ
１２８ 第２のソースコンタクト構造
１３０ ドープ領域
１３２－１ 第１のソースコンタクト部分
１３２－２ 第２のソースコンタクト部分
１３６－１ ポリシリコン部分
１３６－２ タングステン部分
１５０ メモリブロック
１５２ フィンガー
２０２ 基板
２０４－１ 第１の誘電体デッキ
２０４－２ 第２の誘電体デッキ
２０６ ソースコンタクト構造
２１０ エッチング停止層
２１２－１ 第１のソースコンタクト部分
２１２－２ 第２のソースコンタクト部分
２１４ 絶縁スペーサ
２１６ チャネル構造
２１７ 酸化物層
２１８ ドレイン構造
２１９ ホール
２２０－１ 第１の犠牲層
２２０－２ 第２の犠牲層
２２１ 第１のチャネルホール
２２２ 誘電体層
２２２－１ 第１の誘電体層
２２２－２ 第２の誘電体層
２２３ 犠牲チャネル構造
２２４ 誘電体キャップ層
２２５ 絶縁構造
２２５－１ 第１の絶縁部分
２２５－２ 第２の絶縁部分
２２６ 導電性プラグ
２２７ 犠牲ソースコンタクト構造
２２９ 酸化物層
２３０ ドープ領域
２３４ メモリスタック
２３４－１ 第１のメモリデッキ
２３４－２ 第２のメモリデッキ
２４０ 導体層
４１６ 支柱

Claims (36)

1. 基板と、
   前記基板上方のスタックと、
   チャネル構造と、
   それぞれが前記メモリスタックを通って垂直に延在するソースコンタクト構造と、
   を含み、前記ソースコンタクト構造は、
   （ｉ）それぞれが互いに分離されて垂直および横に延在する複数の第１のソースコンタクト部分と、
   （ｉｉ）前記複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、
   を含み、前記第２のソースコンタクト部分は横に連続している、
   メモリデバイス。
2. 前記複数の第１のソースコンタクト部分は、横方向に沿って互いに等間隔に配置されている、請求項１に記載のメモリデバイス。
3. 横平面に沿って、前記複数の第１のソースコンタクト部分のそれぞれの断面は、円形、楕円形、長方形、またはストライプ形状、または正方形の１つを含む、請求項２に記載のメモリデバイス。
4. 前記複数の第１のソースコンタクト部分はそれぞれ、前記第２のソースコンタクト部分から前記基板まで延在する円筒形または台形の１つを有する、請求項３に記載のメモリデバイス。
5. 前記複数の第１のソースコンタクト部分は同じ材料を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
6. 前記複数の第１のソースコンタクト部分および前記第２のソースコンタクト部分は金属を含む、請求項５に記載のメモリデバイス。
7. 前記複数の第１のソースコンタクト部分はポリシリコンを含み、前記第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよび金属の１つまたは複数を含む、請求項５に記載のメモリデバイス。
8. 前記チャネル構造および前記ソースコンタクト構造はそれぞれ、それぞれの側壁に沿って食い違い部分を含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
9. 前記ソースコンタクト構造は、前記メモリスタックにおけるメモリブロックにおける２つのメモリフィンガー間に配置されている、請求項１から７のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
10. 前記メモリスタックにおける２つのメモリブロック間に第２のソースコンタクト構造をさらに含み、前記第２のソースコンタクト構造は前記メモリスタックにおいて連続的に延在する、請求項１から８のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
11. 前記メモリスタックは、前記基板の上方に複数の交互の導体層および誘電体層を含み、
    前記チャネル構造は、前記チャネル構造の側壁から前記チャネル構造の中心に向かって径方向に延在するブロッキング層、メモリ層、トンネリング層、半導体層、および誘電体コアを含む、
    請求項１から９のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
12. 基板と、
    前記基板上方のスタックと、
    複数のチャネル構造と、
    それぞれが前記メモリスタックを通って垂直に延在する、複数の第１のソースコンタクト構造および複数の第２のソースコンタクト構造を含む、複数のソースコンタクト構造と、
    を含み、
    前記第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、（ｉ）それぞれが垂直に延在して互いに分離された複数の第１のソースコンタクト部分と、（ｉｉ）前記複数の第１のソースコンタクト部分の上でこれと接触して垂直に延在する第２のソースコンタクト部分と、を含み、前記第２のソースコンタクト部分は連続しており、
    前記第２のソースコンタクト構造はそれぞれ前記メモリスタックにおいて連続的に延在する、
    メモリデバイス。
13. 前記第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、前記メモリスタックにおける２つのフィンガー間にあり、前記第２のソースコンタクト構造はそれぞれ、前記メモリスタックにおける２つのブロック間にある、請求項１２に記載のメモリデバイス。
14. 前記第１のソースコンタクト構造の少なくとも１つは、前記第２のソースコンタクト構造の対の間に配置されている、請求項１２に記載のメモリデバイス。
15. 前記複数の第１のソースコンタクト部分は、横方向に沿って互いに等間隔に配置されている、請求項１２に記載のメモリデバイス。
16. 横平面に沿って、前記複数の第１のソースコンタクト部分のそれぞれの断面は、円形、楕円形、長方形、またはストライプ形状、または正方形の１つを含む、請求項１２に記載のメモリデバイス。
17. 前記複数の第１のソースコンタクト部分はそれぞれ、前記第２のソースコンタクト部分から前記基板まで延在する円筒形または台形の１つを有する、請求項１２に記載のメモリデバイス。
18. 前記複数の第１のソースコンタクト部分および前記複数の第１のソースコンタクト部分は金属を含む、または前記複数の第１のソースコンタクト部分はポリシリコンを含み、前記第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよびタングステンの１つまたは複数を含む、請求項１７に記載のメモリデバイス。
19. 前記複数の第２のソースコンタクト部分はポリシリコンおよびタングステンの１つまたは複数を含む、請求項１２に記載のメモリデバイス。
20. 前記チャネル構造および前記第１のソースコンタクト構造はそれぞれ、それぞれの側壁に沿って食い違い部分を含む、請求項１２に記載のメモリデバイス。
21. 前記メモリスタックは、前記基板の上方に複数の交互の導体層および誘電体層を含み、
    前記チャネル構造はそれぞれ、それぞれのチャネル構造の側壁からそれぞれのチャネル構造の中心に向かって径方向に延在するブロッキング層、メモリ層、トンネリング層、半導体層、および誘電体コアを含む、
    請求項１２から２０のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
22. 基板上に複数の第１の犠牲層および複数の第１の誘電体層を交互に含む第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する複数のホールを形成するステップと、
    複数の犠牲構造を前記ホールに形成するステップと、
    前記第１の誘電体デッキ上に複数の第２の犠牲層および複数の第２の誘電体層を交互に含む第２の誘電体デッキを形成するステップと、
    前記第２の誘電体デッキにおいて延在するスリット開口を形成するステップであって、前記スリット開口は、前記犠牲ソースコンタクト構造とその上で位置を合わせる、ステップと、
    前記スリット開口が前記ホールと接触してスリット構造を形成するように、前記スリット開口を通して前記犠牲構造を除去するステップと、
    前記スリット構造を通して前記第１および第２の誘電体デッキに複数の導体層を形成し、メモリスタックを形成するステップと、
    前記スリット構造にソースコンタクト構造を形成するステップと、
    を含む、メモリデバイスを形成するための方法。
23. 前記スリット開口を形成する前に複数のチャネル構造を形成する、請求項２２に記載の方法。
24. 前記犠牲ソースコンタクト構造の形成前に各ホールの底部で絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
25. 前記複数の犠牲ソースコンタクト構造を形成するステップは、犠牲材料を堆積させて前記ホールを充填するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
26. 前記第１の誘電体デッキ上にエッチング停止層を形成するステップをさらに含む、請求項２２から２５のいずれか一項に記載の方法。
27. 前記犠牲ソースコンタクト構造の除去前に前記スリット開口を通して前記エッチング停止層の一部を除去して前記犠牲ソースコンタクト構造を露出させるステップをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
28. 前記スリット構造を通して前記複数の第１および第２の犠牲層を除去して複数の横方向のくぼみを形成するステップと、
    導体材料を堆積させて前記横方向のくぼみを充填して前記導体層を形成するステップと、
    をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
29. 前記ソースコンタクト構造を形成するステップは、前記スリット構造においてポリシリコンおよび／または前記ポリシリコン上にタングステンを堆積させるステップを含む、請求項２２から２８のいずれか一項に記載の方法。
30. 前記複数のホールを形成する同じプロセスにおいて、前記第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成するステップをさらに含む、請求項２２から２９のいずれか一項に記載の方法。
31. 前記複数のホールの形成後に、前記第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成するステップをさらに含む、請求項２２から２９のいずれか一項に記載の方法。
32. 前記複数のホールの形成前に、前記第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成するステップ、または前記複数のホールと同時に、前記第１の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第１のチャネルホールを形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
33. 前記第１のチャネルホールの底部でエピタキシャル部分を形成するステップをさらに含み、酸化物は、前記エピタキシャル部分の形成前に各スリット開口の底部で堆積させる、請求項２９から３２のいずれか一項に記載の方法。
34. 前記犠牲ソースコンタクト構造を形成する同じプロセスにおいて、犠牲材料を堆積させて前記第１のチャネルホールを充填し、犠牲チャネル構造を形成するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
35. 前記エッチング停止層は、隣接する犠牲ソースコンタクト構造間の前記第１の誘電体デッキの少なくとも一部を覆う、請求項３３に記載の方法。
36. 前記スリット開口を形成する前に、
    前記第２の誘電体デッキにおいて垂直に延在する第２のチャネルホールを形成するステップであって、前記第２のチャネルホールは前記犠牲チャネル構造と垂直に位置を合わせる、ステップと、
    前記第２のチャネルホールを通して前記エッチング停止層の一部を除去して前記犠牲チャネル構造を露出させるステップと、
    前記第２のチャネルホールが前記第１のチャネルホールと接触してチャネルホールを形成するように前記犠牲チャネル構造を除去するステップと、
    前記チャネルホールにチャネル構造を形成するステップと、
    をさらに含む、請求項３５に記載の方法。

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