JP2022515004A - 負極材料及びそれを含む電気化学デバイス並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
前記ケイ素含有粒子は、
ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.6である。)と、
前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層と、を含み、
前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ、約510cm-1におけるピークの高さI510と約1350cm-1におけるピークの高さI1350の比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、負極材料を提供する。
前記コート層は、ケイ素含有粒子を含み、
前記ケイ素含有粒子は、
ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.6である。)と、
前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層とを含み、
前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ、約510cm-1におけるピークの高さI510と約1350cm-1におけるピークの高さI1350の比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、負極を提供する。
前記コート層は、ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.6である。)を含むケイ素含有粒子と、黒鉛粒子とを含み、
前記ケイ素含有粒子の総個数に対する、前記黒鉛粒子と密に隣り合うケイ素含有粒子の個数の割合は、約40%以上であり、
前記ケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との間の距離は、約500nm以下である、負極を提供する。
前記コート層は、ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.6である。)を含むケイ素含有粒子と、黒鉛粒子とを含み、
前記コート層のX線回折パターンは、004回折線図形及び110回折線図形を含み、
前記004回折線図形により得られる単位格子長のc軸長(C004)と、前記110回折線図形により得られる単位格子長のa軸長(C110)との比の値(C004/C110)を、前記炭素コート層のOI値とし、前記OI値が約7.5<OI<約18を満たす、負極を提供する。
希ガス雰囲気でケイ素酸化物SiOxを約200~1500℃に加熱すること、
炭素源ガスを導入し、約200~1500℃で約30~120分間加熱し、固体を得ること、
前記固体を粉砕し、篩分けすることを含む、方法を提供する。
(ここで、xは0.5~1.5である。)
いくつかの実施例において、本発明は、ケイ素含有粒子を含む負極材料であって、前記ケイ素含有粒子は、xが0.5~1.6であるケイ素酸化物SiOxと、前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層とを含み、前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ510cm-1におけるピークの高さI510と約1350cm-1におけるピークの高さI1350の比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、負極材料を提供する。
いくつかの実施例において、前記ケイ素酸化物SiOxとしては、SiO、SiO2、Siナノ結晶粒子又はそれらの組み合わせが挙げられる。
(1)希ガス雰囲気中でケイ素酸化物SiOxを約200~1500℃に加熱すること、
(2)炭素源ガスを導入し、約200~1500℃で約30~120分間加熱して、固体を得ること、
(3)前記固体を粉砕し、篩分けすることを含む、方法を提供する。
(ここで、xは0.5~1.5である。)
本願の実施例における正極に用いることができる材料、構成及びその製造方法は、従来技術に開示された技術のいずれを包含する。いくつかの実施例において、正極は、米国特許出願US9812739Bに記載の正極であり、該出願全体が参照により本出願に組み込まれる。
本発明の実施例に使用可能な電解液は、従来技術において知られている電解液であってもよい。
いくつかの実施例において、正極と負極との間には、短絡を防止するために、セパレータを設置する。本発明の実施例に使用されるセパレータに採用可能な材料や形状については、特に制限されず、従来技術に開示されたいずれの技術であってもよい。いくつかの実施例において、セパレータは、本発明に係る電解液に対し安定な材料で形成されたポリマー又は無機物等を含む。
本発明の実施例は、電気化学デバイスを提供する。前記電気化学デバイスとしては、電気化学反応を起こす任意のものが挙げられる。
本発明に係る電子機器は、本発明の実施例に係る電気化学デバイスを使用した任意のものであってもよい。
実施例
1.Raman試験:ラマンスペクトル測定では、Jobin Yvon LabRAM HRスペクトロメータを採用し、光源を532nmとし、試験範囲が300cm-1~2000cm-1とする。
中華人民共和国機械工業規格JB/T4220-2011『人造黒鉛の格子パラメータの測定方法』に従って、負極の炭素コート層のX線回折パターンにおける004回折線図形と110回折線図形をテストする。テストの条件は、X線としてCuKα線が採用され、CuKα線がフィルタやモノクロメータにより除去され;X線管の動作電圧を(30~35)kV、動作電流を(15~20)mAとし;カウンタの走査速度を1/4(°)/minとし;004回折線図形を記録する場合、回折角2θの走査範囲を53°~57°とし;110回折線図形を記録する場合、回折角2θの走査範囲を75°~79°とする。004回折線図形により得られる単位格子長のc軸長を、C004とする。前記110回折線図形により得られる単位格子長のa軸長を、C110とする。以下の式によりOI値を算出する。
OI値=C004/C110
ケイ素含有粒子の総個数に対する、黒鉛粒子と密に隣り合う状態におけるケイ素含有粒子個数の割合(以下、「R1」と称する)のSEM試験方法は、下記通りである。
負極のSEM画像から異なる100μm×100μmの範囲を5つ選択する。100μm×100μmの各範囲で、ケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との間の距離が約5nm以下であることを、密に隣り合う状態と定義する。この5つの100μm×100μmの範囲におけるすべてのケイ素含有粒子個数に対する、この5つの100μm×100μmの範囲における密に隣り合う状態におけるケイ素含有粒子の個数の割合を算出する。
密に隣接しない状態におけるケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との最大間の距離(以下、Dmと称する)のSEM試験方法は、下記通りである。
負極のSEM画像から異なる100μm×100μmの範囲を5つ選択する。100μm×100μmの各範囲において、ケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との間の距離が約5nmより大きいことを、密に隣接しない状態と定義する。100μm×100μmの各範囲において、密に隣接しない状態におけるケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との最大粒子間距離を、それぞれ測量する。この5つの100μm×100μmの範囲において測量された最大粒子間距離の平均値を算出し、前記平均値を、密に隣接しない状態におけるケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との最大粒子間距離とする。
粉末サンプルを約1.5~3.5g秤量してTriStar II 3020サンプル試験管に装入し、約200℃で120分間脱気した後、試験を行う。
正極の製造
LiCoO2、導電カーボンブラック、及びポリフッ化ビニリデン(PVDF)を約96.7%:1.7%:1.6%の重量比でN-メチルピロリドン溶媒系に十分に撹拌して均一に混合し、正極スラリーを製造した。製造された正極スラリーを正極集電体であるアルミニウム箔に塗布し、乾燥させ、冷間プレスし、正極を得る。
(1)MSK-SFM-10真空攪拌機を用いる。以下の実施例や比較例で製造されるケイ素系負極活物質400g、黒鉛2400g、及び導電剤(導電カーボンブラック、Super P(登録商標))50gを攪拌機に入れ、120分間攪拌し、混合物を得る。公転回転数を10-30r/minとする。
乾燥アルゴン雰囲気で、プロピレンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(EC)、ジエチルカーボネート(DEC)(重量比が約1:1:1)を混合された溶媒に、濃度が約1mol/LになるようにLiPF6を添加して均一に混合し、さらに約10wt%のフルオロエチレンカーボネート(FEC)を添加した後、均一に混合し、電解液を得る。
PE高分子多孔質膜をセパレータとする。
セパレータを正極と負極の間に位置させて隔離の役割を果たすように、正極、セパレータ、負極を順に積層する。巻き回してジェリーロールを得る。ジェリーロールを外装の中に置き、電解液を注入し、封止する。化成、脱気、トリミングなどのプロセスフローを経てリチウムイオン電池を得る。
1.以下の方法で実施例1のケイ素系負極活物質材料を製造する。
(1)約2kgの市販品ケイ素酸化物SiOx(0.5<X<1.6,D50=約5.5μm)粉末を流動床のバッフルに置き、室温条件でArを導入し、ガス流速を約200mL/minとし、約3時間保持し、炉チャンバー内の空気を排除する。
Claims (24)
- ケイ素含有粒子を含む負極材料であって、
前記ケイ素含有粒子は、
ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.6である。)と、
前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層と、を含み、
前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ、約510cm-1におけるピークの高さI510と約1350cm-1におけるピークの高さI1350との比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、
負極材料。 - 前記ケイ素酸化物SiOxは、SiO、SiO2、Siナノ結晶粒子又はそれらの組み合わせを含む、
請求項1に記載の負極材料。 - 前記ケイ素含有粒子の比表面積は、約2.5~15m2/gである、
請求項1に記載の負極材料。 - 前記炭素層の厚さは、約3~40nmである、
請求項1に記載の負極材料。 - 前記ケイ素含有粒子の平均粒子径は、約500nm~30μmである、
請求項1に記載の負極材料。 - 集電体と前記集電体に位置するコート層を含む負極であって、
前記コート層は、ケイ素含有粒子を含み、
前記ケイ素含有粒子は、
ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.5である。)と、
前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層とを含み、
前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ、約510cm-1におけるピークの高さI510と約1350cm-1におけるピークの高さI1350との比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、
負極。 - 前記集電体は、銅、アルミニウム、ニッケル、銅合金、アルミニウム合金、ニッケル合金又はそれらの任意の組み合わせを含む、
請求項6に記載の負極。 - 前記コート層は、黒鉛粒子をさらに含み、
前記ケイ素含有粒子の総個数に対する、前記黒鉛粒子と密に隣り合うケイ素含有粒子の個数の割合は、約40%以上であり、
前記ケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との間の距離は、約500nm以下である、
請求項6に記載の負極。 - 前記コート層のX線回折パターンは、004回折線図形及び110回折線図形を含み、
前記004回折線図形により得られる単位格子長のc軸長(C004)と、前記110回折線図形により得られる単位格子長のa軸長(C110)との比の値(C004/C110)を、前記コート層のOI値とし、前記OI値が約7.5<OI<約18を満たす、
請求項8に記載の負極。 - 前記ケイ素含有粒子の比表面積は、約2.5~15m2/gである、
請求項6に記載の負極。 - 前記ケイ素含有粒子と前記黒鉛粒子との重量比は、約0.07~0.7である、
請求項8に記載の負極。 - 前記炭素層の厚さは、約3~40nmである、
請求項6に記載の負極。 - 前記コート層は、結合剤をさらに含み、
前記結合剤は、ポリアクリル酸エステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフッ化ビニリデン、スチレン-ブタジエンゴム、アルギン酸ナトリウム、ポリビニルアルコール、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロースナトリム、カルボキシメチルセルロースカリウム又はそれらの任意の組み合わせを含む、
請求項6に記載の負極。 - 前記コート層と前記集電体との間の剥離強度は、約20N/m以上である、
請求項6に記載の負極。 - 集電体と前記集電体に位置するコート層を含む負極であって、
前記コート層は、ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.5である。)を含むケイ素含有粒子と、黒鉛粒子とを含み、
前記ケイ素含有粒子の総個数に対する、前記黒鉛粒子と密に隣り合うケイ素含有粒子の個数の割合は、約40%以上であり、
前記ケイ素含有粒子と隣り合う黒鉛粒子との間の距離は、約500nm以下である、
負極。 - 前記ケイ素含有粒子は、前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層をさらに含む、
請求項15に記載の負極。 - 前記コート層のX線回折パターンは、004回折線図形及び110回折線図形を含み、
前記004回折線図形により得られる単位格子長のc軸長(C004)と、前記110回折線図形により得られる単位格子長のa軸長(C110)との比の値(C004/C110)を、前記炭素コート層のOI値とし、前記OI値が約7.5<OI<約18を満たす、
請求項15に記載の負極。 - 集電体と前記集電体に位置するコート層を含む負極であって、
前記コート層は、ケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.5である。)を含むケイ素含有粒子と、黒鉛粒子とを含み、
前記コート層のX線回折パターンは、004回折線図形及び110回折線図形を含み、
前記004回折線図形により得られる単位格子長のc軸長(C004)と、前記110回折線図形により得られる単位格子長のa軸長(C110)との比の値(C004/C110)を、前記炭素コート層のOI値とし、前記OI値が約7.5<OI<約18を満たす、
負極。 - 前記ケイ素含有粒子は、前記ケイ素酸化物SiOxの表面の少なくとも一部を被覆する炭素層をさらに含む、
請求項18に記載の負極。 - 前記ケイ素含有粒子は、ラマンスペクトルにおいて、約1350cm-1におけるピークの高さI1350と約1580cm-1におけるピークの高さI1580との比の値が、約0<I1350/I1580<約5を満たし、且つ、510cm-1におけるピークの高さI510と1350cm-1におけるピークの高さI1350との比の値が、約0<I510/I1350<約12を満たす、
請求項18に記載の負極。 - 希ガス雰囲気でケイ素酸化物SiOx(ただし、xが0.5~1.5である。)を約200~1500℃に加熱すること、
炭素源ガスを導入し、約200~1500℃で約30~120分間加熱して固体を得ること、
前記固体を粉砕して篩分けすることを含む、負極材料の製造方法。 - 請求項6~20のいずれか1項に記載の負極を含む電気化学デバイス。
- リチウムイオン電池である請求項22に記載の電気化学デバイス。
- 請求項22に記載の電気化学デバイスを含む電子機器。
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