JP2022514291A - ダイアフラムを備えたｍｅｍｓセンサおよびｍｅｍｓセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、ダイアフラムを備えたＭＥＭＳセンサに関し、このダイアフラムのベース面は、周りを取り囲む壁構造によって画定されており、かつベース面は少なくとも２つの部分領域を有し、これらの部分領域のうち少なくとも１つが変位可能に配置されており、かつ少なくとも２つの部分領域が、少なくとも１つの分離構造によって互いから分離されているかまたは少なくとも１つの分離構造によって画定されており、かつ分離構造は、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路を有する。

Description

本発明は、ダイアフラムを備えたＭＥＭＳセンサに関する。
本発明はさらに、ＭＥＭＳセンサの製造方法に関する。
本発明はダイアフラムを備えた任意のＭＥＭＳセンサに全般的に適用可能ではあるが、変位可能に配置されたダイアフラムを備えたＭＥＭＳ圧力センサに関し、本発明を説明する。

ＭＥＭＳ圧力センサは、今日では多くの分野で用いられており、例えば、圧力を迅速かつ正確に捕捉しなければならない自動車技術の分野で、例えば横滑り防止装置の領域で、または車両内の吸気管理、またはそれに類することにおいて用いられている。

ＤＥ１０２０１６１０７２７５Ａ１から、異なる共振周波数をもつ複数のＭＥＭＳセンサを含むＭＥＭＳ装置を使用した測定の実施方法が知られていた。この方法は、複数のＭＥＭＳセンサの各々が励振信号によって刺激されるような、ＭＥＭＳ装置の第１のポートへの励振信号の印加を含む。この方法はさらに、ＭＥＭＳ装置の第２のポートでの信号測定および信号測定に基づく測定された値の決定を含む。このＭＥＭＳ装置は、いわゆる「ランド」から成る壁を備えた複数の圧力セルを含み、この壁上に、感圧性で長方形のダイアフラムが配置されている。

ＥＰ２９９４７３３Ｂ１からはさらに、微小電気機械圧力センサ構造が知られており、この圧力センサ構造は、ハウジング構造およびダイアフラム板を含み、このハウジング構造は、平面的なベースおよび側壁を含み、第１の表面は、実質的に平面的なベースに沿って走っており、側壁は、平面的なベースから遠ざかるように、外周として延びており、ダイアフラム板は、側壁に接して第２の表面に沿って走っており、この平面的なベース、側壁、およびダイアフラム板は、第１の表面と、第２の表面と、および側壁の内面とが基準圧力で密閉された間隙を構成するように、互いに取り付けられており、この側壁の内面の上縁が、ダイアフラムの外周を構成し、このダイアフラムは、長さおよび第２の表面の方向での幅を有し、この長さは、ダイアフラムの長手広がり方向に走っており、かつ幅は、長さの方向に対して垂直な方向で、第２の表面の方向に走っており、この圧力センサ構造は、間隙を介してキャパシタンスの変化を捕捉するために、第１の表面での固定電極および第２の表面でのダイアフラム電極を含み、かつダイアフラムの長さは、少なくともダイアフラムの幅の３倍であり、かつこの圧力センサ構造は、第１の表面から平面的なベース内へと延びている１つまたは複数の凹部を含み、この凹部は、１つまたは複数の凹部領域内で第１の表面に接して設けられており、この凹部領域内の１つの位置は、第２の表面内の１つの位置に対し、これらの位置を結ぶ線が第１の表面の平面に垂直に立っている場合、対応しており、ダイアフラムは、動作中のダイアフラムの最大限可能な押し退けに相応する最大変位を有するように設計されており、かつ凹部領域は、対応位置でのダイアフラムの変位が最大変位の３分の２より小さい位置に設けられている。

一実施形態では、本発明は、ダイアフラムを備えたＭＥＭＳセンサを提供し、このダイアフラムのベース面は、周りを取り囲む壁構造によって画定されており、かつベース面は少なくとも２つの部分領域を有し、これらの部分領域のうち少なくとも１つが変位可能に配置されており、かつ少なくとも２つの部分領域が、少なくとも１つの分離構造によって互いから分離されているかまたは少なくとも１つの分離構造によって画定されており、かつ分離構造は、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路を有する。

さらなる一実施形態では、本発明は、
－ ベース構造の上にダイアフラムを提供し、その際、ダイアフラムが壁構造を介してベース構造から離隔されるステップと、
－ 少なくとも２つの部分領域を有するダイアフラムのベース面を提供し、その際、部分領域の少なくとも１つが変位可能に配置されるステップと、
－ 少なくとも１つの分離構造によって少なくとも２つの部分領域を分離および／または画定するステップと、
－ 分離構造内に、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路を提供するステップと
を含む、ＭＥＭＳセンサの製造方法を提供する。

概念「流体」とは、とりわけ請求項では、好ましくは明細書では、液体および／またはガス混合物、とりわけガスのことである。
それによって達成される利点の１つは、これにより、様々なダイアフラム形状の製造に際し、柔軟性が著しく向上することである。さらなる１つの利点は、簡単に製造され得る大きくて規則的に成形されるダイアフラム面上での、様々なダイアフラム形状の簡単で安価な製造である。さらなる１つの利点は、少なくとも１つの流体通路により、基本的に、比較的大きな背後体積、つまり密閉封入された体積を利用できることであり、これは、その中に封入された圧力の、例えばガス放出に対する安定性に関し、温度変化またはそれに類することに対する安定性に関しても、著しく改善する。

本発明のさらなる特徴、利点、およびさらなる実施形態を以下に説明し、またはこれによって開示する。
有利な一変形形態によれば、少なくとも２つの部分領域が、ベース面上で互いに対称的に配置され、とりわけ同一に形成される。これは、少なくとも２つの部分領域の簡単な製造および配置を可能にする。

さらなる有利な一変形形態によれば、分離構造が少なくとも１つの柱を含む。この少なくとも１つの柱により、分離構造の簡単な製造が、同時に流体通路を提供しながら可能である。

さらなる有利な一変形形態によれば、分離構造が、規則的な間隔をあけて、とりわけ互いに対してそれぞれ同じ間隔をあけて配置された複数の柱を含む。これにより、同様に簡単で安価な製造が、同時に少なくとも２つの部分領域を十分に分離しながら達成され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、少なくとも１つの柱が、断面では少なくとも部分的に丸くおよび／または角張って形成されており、好ましくは台形、三角形、正方形、および／またはオーバル形に形成されている。これにより柱が、柔軟に、同時に簡単に製造され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、少なくとも１つの柱が、異なって形成された少なくとも２つの区間を有する。これにより１つの柱が、例えばｚ方向／鉛直方向に、異なる太さおよび／または形状を有することもできる。柱は、とりわけ１つまたは複数の段もしくはその類似物を有することができ、またはｚ方向に先細りするようにもしくはそれに類するように形成され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、柱の少なくとも２つが異なる直径を有する。これにより分離構造の柔軟性がさらに改善される。こうして例えば、壁または壁構造の近傍にある柱は、壁がこの領域で追加的な支持として働くので、より細く実施でき、これに対し中央の領域では、この柱はより強く、つまりより太く実施され得る。それだけでなく柱の変化により、挙動、とりわけ変位可能なダイアフラムの場合はその振動挙動にも、ある程度の影響が及ぼされ得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、少なくとも２つの部分領域が長方形に形成される。これにより、正方形のベース面から複数の部分ダイアフラムが簡単な方法で提供され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、壁構造および／または分離構造が２種の異なる材料から製造される。これは、異なる基準、例えば安定性またはそれに類することへの柔軟な適合を可能にする。

さらなる有利な一変形形態によれば、分離構造および／または壁構造が、ダイアフラム材料および／または絶縁材料および／または導電性材料から製造される。これにより、分離構造および壁構造を製造するために、簡単な方法でＭＥＭＳ製造方法が利用され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、少なくとも１つの部分領域内に、第１のキャパシタンスを形成するための第１の電極構造および第２のキャパシタンスを形成するための第２の電極構造が配置され、この両方の電極構造が分離構造によって互いから離隔される。これにより、例えば周りを取り囲むキャパシタンスおよび内部のキャパシタンスを提供でき、これらのキャパシタンスは異なる変位挙動を有し、なぜならとりわけ、壁構造または特にランドと結合しているダイアフラムの外側領域は、一般的にダイアフラムの中央の領域より少ししかたわまないからである。これにより基準キャパシタンスが簡単な方法で提供され得る。

さらなる有利な一変形形態によれば、少なくとも２つの部分領域の少なくとも１つが基準キャパシタンスとして形成される。これにより１つの基準キャパシタンスが、２つの異なる部分領域によって簡単な方法で提供され得る。

本発明のさらなる重要な特徴および利点は、従属請求項から、図面から、およびそれに帰属する図面に基づく図の説明から明らかである。
上で挙げたおよび下でさらに解説する特徴を、それぞれ提示した組合せだけでなく、別の組合せでまたは単独でも、本発明の枠を逸脱することなく使用可能であることは自明である。

本発明の好ましい実施および実施形態を図面に示しており、かつ以下の説明においてより詳しく解説し、その際、同じ符号は、同じまたは類似のまたは機能的に同じ部品または要素に関する。

本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの概略的な断面図である。 本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの概略的な平面図である。 本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの一部の概略的な平面図および断面図である。 本発明の実施形態によるＭＥＭＳセンサの概略図である。 本発明の一実施形態による方法の概略図である。

図１は、本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの概略的な断面図を示している。
詳しくは図１では、例えば以下のやり方で製造されたＭＥＭＳセンサ１を示している。すなわち最初に、シリコンウエハ２上に第１のステップで酸化物層３が施された。これに関しては任意選択で、電気シールド効果を改善するために基板２がドープされ得る。続いて層４、とりわけシリコンリッチ窒化物（ＳｉＲｉＮ）から成るダイアフラム層が堆積され、続いて酸化物層３と一緒に構造化され、これにより基板コンタクトが可能にされた。続いて下側電極５が、多結晶シリコンの堆積、その後の構造化によって製造された。その際、基板コンタクトが導電性の多結晶シリコンで満たされる。その後、酸化物層６の形態での下側の第１の犠牲層が堆積され、続いて構造化され、かつとりわけこれに加えて化学的・機械的な研磨によって平坦化された。続いてストッパ構造を付けるために、第２の酸化物層７が堆積および構造化された。続いて上側電極８を製造するため、多結晶シリコン８が堆積され、続いて構造化された。その後、第３の酸化物層９が堆積および平坦化された。続いてポスト、つまり柱２２の形態での支持要素のための、および壁２３のための構造化が行われた。続いて、シリコンリッチ窒化物（ＳｉＲｉＮ）の形態でのダイアフラム材料１０が堆積された。その後、ポストまたは柱２２および壁２３内の酸化物充填を行うため、第４の酸化物層１１が堆積され、かつ化学的・機械的な研磨によって平坦化された。続いて最後のダイアフラム材料１２が堆積され、かつ犠牲層６、７、９への１つまたは複数のエッチング通路を得るために、上側電極層８と一緒に構造化された。その後、犠牲層６、７、９が、気相エッチングにより、またはスティクションフリー湿式リリース（Stiction-free Nassrelease）プロセスを使って除去され、かつダイアフラム１０、１２が自由にされた。この自由にするプロセスにより金属表面が影響を受けなくてよい場合が有利であり、したがって、金パッドが使用されない限り、またはそれに類することがない限り、意図しない効果、例えば気相エッチングの際の金属パッド上への沈着または湿式リリースプロセスでの金属パッドのエッチングが回避される。続いて、相応に設定されたプロセス圧力で、ストレスに適合されたＳｉＮ層１３が堆積された。このＳｉＮ層１３が続いてコンタクトパッドのために構造化された。続いて任意選択で、ＳｉＮ層１３の上面で、約１００ｎｍの薄膜厚でのさらなる薄いポリシリコン層が堆積および構造化され得る。このポリシリコン層が任意選択で、基板２のように電気遮蔽を提供し得る。続いて金属面が堆積され、続いてコンタクトパッド１４の製造のために構造化された。これで、変位可能なダイアフラムを備えたＭＥＭＳセンサ１の製造が実質的に終了した。

ここでは、符号２０でストッパ構造を、符号２１ａ、２１ｂ、２１ｃでそれぞれ、それぞれの部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ内での下側電極および上側電極を備えた電極ペアを、符号２２で相応の結合要素または柱を、ならびに符号２３で、犠牲層の除去によって製造された中空空間３０の壁を表している。壁２３を通る電気コンタクトの貫通は、図１では下側電極５に関してのみ右へ示されている。ダイアフラム１０、１２の右の領域２４内で、コンタクトパッド１４を介し、基板２の接触が可能にされる。

総括すると、例えば３５０×３５０μｍのベース面４１の場合、ダイアフラム４０に対し、ベース面４１の部分領域および／または部分形状への以下の分割が提供され得る。ベース面４１のその他の大きさも可能である。

１．辺の長さが最大３５０×３５０μｍの正方形の大きなダイアフラム４０
２．辺の長さが最大約１６０×１６０μｍの幾つかの正方形の部分ダイアフラム。
ここでは、追加的な接続での使用および部分ダイアフラム間の分離が、ダイアフラム４０のための利用可能な面を減少させるので、ダイアフラム４０のために利用可能な面は、正方形のベース面４１に対して約３０μｍ減少している。

３．直径が最大３５０μｍの丸いダイアフラム４０
４．直径が最大約１６０μｍの幾つかの丸い部分ダイアフラム
５．辺の長さが最大約３２０μｍで、辺の長さの比が２：１より大きい幾つかの長方形の部分ダイアフラム。

図２は、本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの平面図を示している。
図２では、正方形のベース面４１を有するダイアフラム４０を備えたＭＥＭＳセンサ１を示している。さらに、ダイアフラム４０の４つの部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを示しており、これらの部分領域はそれぞれ、長方形に、かつ変位可能に形成されている。長方形の領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、正方形のベース面４１の内部に配置されており、かつベース面４１内で、点状の、ライン上に配置された柱２２によって互いから分離されている。正方形のベース面４１の画定は、広さがあり周りを取り囲んでいる壁２３によって行われており、壁２３は、とりわけ、点状の柱２２と同様に、酸化物が充填されたダイアフラム材料から成り得る。この点状の柱２２は、断面が丸い、角張っている、および／または正方形であることができ、かつそれぞれ１０μｍ～５０μｍの間の間隔をあけて、長方形の領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの長辺に平行に配置され得る。柱２２により、部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの間で開口部または流体通路８０が可能であり、これにより、それぞれの部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの空間の間の流体連通が可能になる。部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内部にはそれぞれ電極ペア２１が配置されている。

図３は、本発明の一実施形態によるＭＥＭＳセンサの一部の平面図および断面図を示している。
詳しくは、図３では上の領域にダイアフラム４０の部分領域Ａの平面図を示しており、図３の下の領域には断面図を示している。ダイアフラム４０は、壁構造２３を介してベース構造２’から離隔されている。この場合、ベース構造２’と、壁構造２３と、ダイアフラム４０とが、中空空間３０を包囲している。ベース構造２’の上面およびダイアフラム４０の下面には、第１のキャパシタンス５０を形成するための電極ペア２１ａが配置されている。この電極ペア２１ａは、この場合、壁構造２３の左部分と右部分の間で実質的に真ん中に配置されている。第１の電極ペア２１ａと壁構造２３の左部分または右部分との間には、それぞれサイドに鉛直な支持構造２２が配置されている。両方の支持構造２２と、壁構造２３のそれぞれの左部分または右部分との間では、ベース構造２’の上面およびダイアフラム４０の下面にそれぞれ第２の電極ペア２１ｂが配置されている。これにより、第２のキャパシタンス６０、例えば基準キャパシタンスが形成される。この場合、部分領域Ａの寸法７１、７２は、長さ７２として約３２０マイクロメートルおよび幅７１として約７０～８０マイクロメートルである。

図４は、本発明の実施形態によるＭＥＭＳセンサを示している。
図４では、異なるＭＥＭＳセンサ１を図４の中央に示しており、これらのＭＥＭＳセンサ１はそれぞれ、正方形のベース面４１を有するダイアフラム４０を備えており、各々のダイアフラム４０がそれぞれ４つの部分ダイアフラム領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有している。この場合、図４の左側に断面図で示しているように、それぞれダイアフラム４０の下面およびベース構造２’の上面に電極ペアが配置されている。４つの部分ダイアフラム領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ３２０μｍ×７２μｍの大きさを有しており、かつ部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの間の間隔は１０μｍである。４つの部分ダイアフラム領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを介し、図４の右側に示した方式に従って、電極１０１、１０２が上側電極として、および下側電極として電極１０３、１０４が相互に接続されている。とりわけ、キャパシタンスおよび／または基準キャパシタンスを形成するために、異なる部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ内の下側電極１０３、１０４および／または異なる部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ内の上側電極１０１、１０２が相互に接続され得る。図４の実施形態の１つでは、２つの基準キャパシタンスおよび２つの可変キャパシタンスが形成され、これに関し（それぞれ斜めに走る矢印によって示された）２つの可変キャパシタンスは、ダイアフラム４０の中央の両方の領域ＢおよびＣによって形成されている。

上側電極領域１０１、１０２と下側電極領域１０３、１０４が部分的にだけ重なり合っていてもよい。このような一実施形態ではそれにより、これらの電極領域が幾何的に互いに非対称にも実施され得る。このような示した接続の利点の１つは、なかでも、感圧性の測定キャパシタンスおよび非感圧性の基準キャパシタンスの電気的対称化である。感圧性の測定キャパシタンスおよび非感圧性の基準キャパシタンスの電気的に非対称な設計の場合、これらのキャパシタンスは評価回路に適合され得る。これによりさらに、漏れ電界または電気的寄生に対する幾何的最適化も可能にされ得る。

図５は、本発明の一実施形態による方法を示している。
図５では、図１の符号を有するＭＥＭＳセンサの製造方法を示している。
これに関し第１のステップＳ１では、ベース構造２、３、４の上でのダイアフラム４０の提供が行われ、その際、ダイアフラム４０が壁構造２３を介してベース構造２、３、４から離隔される。

さらに第２のステップＳ２では、少なくとも２つの部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを有するダイアフラム４０のベース面４１の提供が行われ、その際、部分領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの少なくとも１つが変位可能に配置される。

さらに第３のステップＳ３ａおよび／またはＳ３ｂでは、少なくとも１つの分離構造２２によって少なくとも２つの部分領域の分離およびまたは画定が行われる。
さらに第４のステップＳ４では、分離構造２２内での、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路８０の提供が行われる。

総括すると、本発明の実施形態の少なくとも１つが、以下の特徴および／または以下の利点を可能にする。
・ 正方形のダイアフラム面内でのほぼ長方形の個々のダイアフラムの連結、その際、とりわけ、ベースキャパシタンスＣ_０の低下の際の、キャパシタンス構成とベースキャパシタンスの比ΔＣ／Ｃ_０の上昇が可能にされ、これが有利である。
・ 正方形のベース面内での多角形の個々のダイアフラムの連結。
・ 正方形のダイアフラム面内でのほぼ長方形の個々のダイアフラムの連結、例えば辺の長さと幅のアスペクト比が２：１以上の台形、多角形、オーバル形。
・ ダイアフラム材料から成っており、酸化物充填された壁による個々のダイアフラムの分離。
・ ダイアフラム材料から成っており、酸化物充填された点状の柱による個々のダイアフラムの分離、例えば丸い、角張った、三角形、多角形、またはそれに類する形。
・ ダイアフラムの内側の電気的にアクティブな領域内での柱による感圧性の基準キャパシタンスの機械的補強
・ 柱または壁による感圧性の測定キャパシタンスの可変の機械的補強。
・ 丸い、多角形、正方形、または三角形の幾何形状の柱によるダイアフラムの可変の機械的支持。
・ ２μｍ～２０μｍの可変の直径をもつ柱および壁によるダイアフラムの可変の機械的支持。
・ 内部にもう１つの使用キャパシタンスを有する、周りを取り囲むキャパシタンス、およびこれらキャパシタンスの支持構造による分離。

本発明を好ましい例示的実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は、この例示的実施形態に限定されるのではなく、多種多様なやり方で改変可能である。

Claims (13)

1. ダイアフラム（４０）を備えたＭＥＭＳセンサ（１）であって、
   前記ダイアフラム（４０）のベース面（４１）が、周りを取り囲む壁構造（２３）によって画定されており、かつ
   前記ベース面（４１）が少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を有し、前記部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のうち少なくとも１つが変位可能に配置されており、かつ前記少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）が、少なくとも１つの分離構造（２２）によって互いから分離されているかまたは前記少なくとも１つの分離構造（２２）によって画定されており、かつ前記分離構造（２２）が、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路（８０）を有するＭＥＭＳセンサ。
2. 前記少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）が、前記ベース面（４１）上で互いに対称的に配置されており、とりわけ同一に形成されている、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ。
3. 前記分離構造（２２）が少なくとも１つの柱を含んでいる、請求項１または２に記載のＭＥＭＳセンサ。
4. 前記分離構造（２２）が、規則的な間隔をあけて、とりわけ互いに対してそれぞれ同じ間隔をあけて配置された複数の柱を含んでいる、請求項３に記載のＭＥＭＳセンサ。
5. 前記少なくとも１つの柱（２２）が、断面では少なくとも部分的に丸くおよび／または角張って形成されており、好ましくは台形、三角形、正方形、および／またはオーバル形に形成されている、請求項３または４の記載のＭＥＭＳセンサ。
6. 前記少なくとも１つの柱（２２）が、異なって形成された少なくとも２つの区間を有している、請求項３から５のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
7. 前記柱（２２）の少なくとも２つが異なる直径を有している、請求項４から６のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
8. 前記少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）が長方形に形成されている、請求項１から７のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
9. 前記壁構造（２３）および／または前記分離構造（２２）が２種の異なる材料から製造されている、請求項１から８のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
10. 前記分離構造（２２）および／または前記壁構造（２３）が、ダイアフラム材料および／または絶縁材料および／または導電性材料から製造されている、請求項９に記載のＭＥＭＳセンサ。
11. 少なくとも１つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）内に、第１のキャパシタンス（５０）を形成するための第１の電極構造（２１ａ）および第２のキャパシタンス（６０）を形成するための第２の電極構造（２１ｂ）が配置されており、前記両方の電極構造（２１ａ、２１ｂ）が前記分離構造（２２）によって互いから離隔されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＭＥＭＳセンサ。
12. 前記少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の少なくとも１つが基準キャパシタンスとして形成されている、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサ。
13. － ベース構造（２、３、４）の上にダイアフラム（４０）を提供し（Ｓ１）、その際、前記ダイアフラム（４０）が壁構造（２３）を介して前記ベース構造（２、３、４）から離隔されるステップと、
    － 少なくとも２つの部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）を有する前記ダイアフラム（４０）のベース面（４１）を提供し（Ｓ２）、その際、前記部分領域（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の少なくとも１つが変位可能に配置されるステップと、
    － 少なくとも１つの分離構造（２２）によって前記少なくとも２つの部分領域を分離（Ｓ３ａ）および／または画定（Ｓ３ｂ）するステップと、
    － 前記分離構造（２２）内に、流体が通り抜けるための少なくとも１つの流体通路（８０）を提供するステップ（Ｓ４）と
    を含む、ＭＥＭＳセンサ（１）の製造方法。
    

Images