JP2002520862A - 充填される凹部を材料層内に形成する方法、およびこの方法により形成される集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 少なくとも１つの第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）を複数のステップで形成することにより、凹部が材料層（Ｓ）に形成される。この層は横方向で相互に接しており、凹部の底部へ延在している。第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）は充分に狭く構成し、層（Ｆ１、Ｆ２）をコンフォーマルに形成することにより、この層の厚さが凹部から独立して凹部の深さよりも小さくなるようにする。コンフォーマルに形成される層（Ｆ１、Ｆ２）は適切な堆積プロセスにより形成される。第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）の上方にカバー構造体が形成され、このカバー構造体に開口部が設けられる。この開口部を通して第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）は１つのエッチングステップで除去することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は充填される凹部を材料層内に形成する方法、およびこの方法により形
成される集積回路装置に関する。

【０００２】 多数の集積回路装置が存在するが、少なくとも数μｍの寸法を有する凹部を備
えた回路装置は有利に利用できる。

【０００３】 例えばこの種の回路装置はＣＭＯＳマイクロフォンを含む。マイクロフォンで
は凹部は中空室（いわゆるリアボリューム：Rueckseitevolume）を形成し、この
中空室の上方にダイヤフラムが配置されている。このダイヤフラムは音波によっ
て振動する。コンデンサによって振動が電気信号に変換される。凹部の容積が増
すにつれてダイヤフラムの振動も容易となり、音のレベルが小さくなることがわ
かっている。したがってマイクロフォンに対しては水平方向に大きな断面積を有
し、できる限り深い凹部を設けることが望ましい。

【０００４】 P.R.Scheeper et al, "A Review of Silicon Microphones", Sensors and Act
uators A44 1994 の1頁〜11頁にはリアボリュームとして使用される凹部が第１
のシリコン基板内に形成される。第２のシリコン基板には穿孔されたカバー層が
形成され、その上にダイヤフラムが形成される。第１のシリコン基板は第２のシ
リコン基板に接合されている。キャパシタンスはカバー層および第１のシリコン
基板により形成される。凹部とカバー層とが別々の基板に形成されるので、プロ
セスにかかるコストはきわめて高い。また基板の接合は高温を必要とするが、こ
れはプロセスの確実性を損なうことがある。

【０００５】 これらの欠点は上述の第２の明細書に記載されたマイクロフォンでは回避され
る。カバー層および凹部は唯一の基板に形成される。このために凹部は犠牲層で
充填される。犠牲層上に穿孔されたカバー層が形成され、さらにその上にダイヤ
フラムが形成される。これに続いてダイヤフラムの縁部の開口部を通して犠牲層
がエッチングにより除去される。

【０００６】 凹部の水平方向での断面が円形面でに適合されており、この円形面の径が少な
くとも凹部の深さに相応する場合には、コンフォーマルに堆積された層の厚さは
少なくとも凹部の深さの値でなければならない。これにより凹部はこの層によっ
て充填される。マイクロフォンでは所属の凹部は一般に前述の寸法を有する。

【０００７】 ただし一般に数μｍよりも厚い層の堆積は層剥離または層内の亀裂の形成を発
生させる。さらに当該の回路装置は層の応力のために湾曲してしまうことがある
。またこれらに劣らず重大なことに、厚い層の堆積には大きな時間および費用の
コストが必要となる。いずれかの時点で充填される凹部はしたがって従来技術で
は数μｍ以下の寸法を有している。

【０００８】 第２のマイクロフォンでは、凹部は製造プロセス中に犠牲層を堆積することに
より充填されるので、この犠牲層は第１のマイクロフォンの凹部に比べて平坦で
ある。第２のマイクロフォンのリアボリュームは相応に第１のマイクロフォンの
それよりも小さい。

【０００９】 別の集積回路は有利には少なくとも数μｍの寸法を有する凹部を備えており、
例えばマイクロマシンの構成要素、すなわちヨーレートセンサまたは加速度セン
サなどを含んでいる。これらの構成要素は中空室内に配置された運動構造を有す
る。こうした運動構造はできる限り大きな運動自由度を有することが望ましい。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５０９８６８号明細書にはこのようなマイ
クロマシンモジュールの製造法が記載されている。基板上に下方の犠牲層が形成
され、その上に構造体層が形成されてパターン化される。これにより凹部で包囲
された構造体が形成される。凹部は上方の犠牲層を堆積することにより充填され
、その上にカバー層が設けられる。カバー層のエッチングホールを使用して犠牲
層が除去され、凹部が中空室の一部となって構造体の運動が可能となる。

【００１０】 加速度センサまたはヨーレートセンサでは振動または回転が横方向に振動する
構造体を用いて検出される。カバー層は回路装置の保護部材として用いられる。
加速度センサまたはヨーレートセンサの感度は構造体が厚くなればなるほど、す
なわち凹部の深さが深くなればなるほど高くなる。

【００１１】 本発明の課題は、材料層内での少なくとも数μｍの深さと、数μｍの径の少な
くとも１つの円形面に適合する水平方向の断面とを有する充填される凹部を形成
する製造プロセスを提供することである。さらにこの製造プロセスによって形成
される集積回路装置を提供する。

【００１２】 この課題は請求項１に記載の特徴を有する方法、および請求項５に記載の特徴
を有する回路装置により解決される。本発明の実施形態は従属請求項から得られ
る。

【００１３】 本発明のプロセスでは、凹部のために設けられた材料層の領域に少なくとも１
つの第１の構造体と少なくとも１つの第２の構造体とが形成され、これらの領域
は側方で接して凹部の充填物となり、これらの領域はそれぞれ対向するエッジ部
分を有し、かつその相互間隔が凹部の深さの約１／２よりも小さい。凹部は従来
技術とは異なって最初に形成されて１ステップで充填されるので、厚い層の堆積
に付随する欠点は回避される。本発明のプロセスによれば深く充填でき、水平方
向に大きな断面積を有する凹部が形成される。

【００１４】 この種のプロセスはこの技術分野に対して有利には、凹部を標準的にほぼコン
フォーマルな層で充填することができる。この技術分野は例えば半導体プロセス
技術の分野である。

【００１５】 第１の構造体および第２の構造体の前述の寸法により、構造体を凹部の深さに
依存しないプロセスステップで形成することができる。

【００１６】 第１の構造体を形成するために、凹部のために設けられた材料層の領域で最初
に少なくとも１つの狭い凹部が形成される。これは材料層の一部を除去すること
により行われる。狭い凹部は後に形成すべき凹部よりも小さな水平方向の断面積
を有しており、形成すべき凹部の一部となる。その後、第１の構造体のエッジを
形成する層状部分が形成され、この層状部分の側方は厚みが増大されており、そ
れぞれの部分が接して第１の構造体が形成されるようになっている。そのため接
している部分の界面は第１の構造体の内側に位置する。第１の構造体は狭い凹部
内または狭い奥部の外側に形成される。第２の構造体はまず、エッジを形成する
層状部分が形成され、この層状部分の側方の厚みを増大してそれぞれの部分が接
し、第２の構造体が形成されるように構成される。第１の構造体および第２の構
造体を凹部の底部に達するように形成することにより、充填される凹部が形成さ
れる。

【００１７】 第１の構造体および第２の構造体は相応の狭い凹部に形成され、この凹部はほ
ぼコンフォーマルな充填層で充填される。充填層は特に最初は狭い凹部のエッジ
に発生し、そこで構造体のエッジを形成する層状部分となる。堆積がさらに進行
するとこの部分の側方の厚みが狭い凹部の中央の方向へ向かって増大し、対向す
るこれらの部分が接触して狭い凹部が充填される。エッジ部の小さな相互間隔に
基づいて充填層の最小厚さが定められ、この厚さは凹部の深さには依存しない。
この値は相互間隔の１／２である。したがって充填層は凹部全体を１つのステッ
プで充填するのに必要な層の厚さよりも格段に小さな厚さを有している。

【００１８】 第１の構造体は例えばメアンダ状であり、凹部によって螺旋状になっている。
この場合第２の構造体も例えば同様にメアンダ状である。これに代えて複数のス
トリップ形状の第２の構造体を構成し、これを第１の構造体の螺旋状の個所に配
置してもよい。第２の構造体に対しても相応に複数の狭い凹部が形成される。シ
リンダ形またはストリップ形状の複数の第１の構造体を設けることができる。前
述の形状はきわめて多数の可能な形状のうちの例であり、前述のエッジの条件を
満足するものであれば同様に本発明の範囲内に含まれる。

【００１９】 第１の構造体および第２の構造体とともに凹部を充填する別の構造体を形成す
ることも本発明の範囲に含まれる。

【００２０】 第１の構造体は狭い凹部内に形成することができる。これは第１の充填をほぼ
コンフォーマルに堆積することにより狭い凹部を充填して行われる。続いて別の
狭い凹部が、第１の構造体のエッジ間に存在する材料層の部分を除去することに
より形成される。第２の構造体は、第２の充填層をほぼコンフォーマルに堆積す
ることにより別の狭い凹部を充填して形成される。

【００２１】 第１の構造体のエッジ間に存在する材料層の部分を除去するために、有利には
この材料層部分の上方に存在する第１の充填層の部分が除去される。狭い凹部は
第１の充填層に対して選択的に材料層をエッチングすることにより形成される。
第１の充填層の前述の部分はマスクエッチングにより除去される。これに代えて
第１の充填層は化学的機械的研磨により研磨され、材料層が露出される。ここで
マスクは、凹部のために設けられた領域の外側に位置する材料層の部分を狭い凹
部の形成時にカバーする。

【００２２】 本発明の回路装置は充填される凹部を有する。これに代えて凹部の充填物を犠
牲層として利用し、後のプロセスステップで除去することもできる。

【００２３】 充填される凹部の上方にカバー構造部が形成され、このカバー構造部は完全に
凹部の外側に位置し、このカバー構造部に開口部が形成される。この開口部を使
用して第１の構造体および第２の構造体がエッチングにより除去される。これに
より凹部は中空室を形成する。従来技術ではこれまで単にこのような中空室をな
す大きな寸法の凹部は基板の２つの面を処理することによってしか形成すること
ができず、きわめて大きなプロセスコストが必要であった。

【００２４】 プロセスコストを低減するために、有利には、第１の構造体および第２の構造
体を同じ材料から形成する。このようにすれば除去を１つのエッチングステップ
で行うことができる。エッチングステップが等方性である場合、有利には第１の
構造体および第２の構造体は材料層に対して選択的にエッチング可能である。

【００２５】 材料層から運動構造体を形成することができる。このために半導体基板上に下
方の犠牲層を堆積し、パターン化する。下方の犠牲層の上には材料層が設けられ
る。充填される凹部を形成することにより材料層から構造体が生じ、この構造体
は凹部によって側方を包囲される。第１の構造体および第２の構造体は上方の犠
牲層の一部を形成し、この犠牲層は下方の犠牲層と接している。このために下方
の犠牲層まで達して材料層を貫通する狭い凹部が形成される。構造体をカバーす
る上方の犠牲層にカバー構造部が設けられ、このカバー構造部は開口部を有する
。カバー構造部の開口部を使用して上方の犠牲層および下方の犠牲層を除去し、
これにより凹部が中空室の第１の部分となる。この中空室は構造体の上方および
下方に設けられる少なくとも別の部分を有する。

【００２６】 この構造体は中空室内で完全に自由には運動できないように、支持部材または
懸架部材を設けてもよい。これらの部材はこの構造体と基板またはカバー構造部
とを接合する。支持部材を形成するためには下方の犠牲層に、基板に達する開口
部が形成される。材料層を堆積する際にこの開口部は充填される。充填された開
口部は材料層と基板とを接合する支持部材となる。懸架部材を形成するためには
上方の犠牲層に、構造体に達する開口部を形成する。カバー構造部を堆積する際
にこの開口部は充填される。充填された開口部は構造体とカバー構造部とを接合
する懸架部材となる。

【００２７】 プロセスステップでの許容誤差のために凹部の充填物を形成する構造体は一般
に均等な厚さを有さない。したがって本発明のプロセスによって形成される回路
装置は凹部の底部に接する複数の領域を有する。これらの領域の上方にプロセス
中に構造体の１つが形成され、これはそれぞれ異なる深さに位置する。構造体の
寸法に基づいてこれらの領域の各部はそれぞれ対向する縁部を有しており、その
相互間隔は数μｍよりも小さい。これらの領域の深さの差は許容誤差に帰せられ
るので、これは領域の深さすなわち凹部の深さよりもはるかに小さい。下方の犠
牲層が設けられない場合、底部の形状は構造体が製造プロセスで除去される場合
にも維持される。

【００２８】 第１の構造体および第２の構造体がストリップ形状である場合、凹部の底部の
第１の領域はストリップ形状であり、ほぼ相互に平行に延在して凹部を横断する
。凹部の底部の第２の領域は第１の領域の間に配置されている。底部は第１の領
域のそれぞれに直方体形状の低い突出部を有している。この突出部は幅に比べて
長さのほうがはるかに大きい。

【００２９】 第２の構造体の充填層の上面は、平坦化されない場合、対応する狭い凹部の中
心線に沿って軽いへこみ部を有している。カバー構造部が充填層上に堆積される
と、凹部に面したカバー構造部の下面は相応の突出部を有し、この突出部がへこ
み部を充填する。突出部は下方へ向かって細まり、凹部の深さに比べて格段に小
さい。

【００３０】 狭い凹部がストリップ形状の相互に並列に延在するトレンチである場合、第２
の構造体の充填層を堆積する際にトレンチの中心線に沿って充填層の上面に溝が
発生する。その上方に堆積されるカバー構造部がこの溝を充填するので、結果と
してそこに稜状の突出部が設けられる。

【００３１】 本発明の範囲では凹部は約５μｍよりも大きな深さを有する。本発明の範囲で
は凹部は水平方向に約１０μｍ以上の寸法を有する。

【００３２】 本発明の範囲では回路装置はヨーレートセンサまたは加速度センサを含む。こ
の回路装置の運動構造体は横方向で発振可能である。

【００３３】 本発明の範囲では回路装置はマイクロフォンを有しており、このマイクロフォ
ンでは凹部はリアボリュームとして用いられ、カバー構造部は穿孔された電極と
なる。別の電極として例えばカバー構造部の上方に配置されたダイヤフラムが用
いられる。

【００３４】 本発明の範囲では回路装置は温度センサである。温度測定点は凹部の上方に配
置されており、これにより温度測定点と基板との間の熱流をできる限り小さくす
ることができる。

【００３５】 本発明の範囲では回路装置は高周波コイルである。高周波コイルはアイソレー
ション材料で充填された凹部の上方に配置されており、これによって高周波コイ
ルと半導体基板との間のキャパシタンスをできる限り小さくすることができる。

【００３６】 本発明の範囲では回路装置は気体または液体に対するポンプまたはバルブであ
る。凹部は流体管路として作用する。

【００３７】 第１の構造体および第２の構造体は酸化物を含んでいてもよい。

【００３８】 以下に本発明を図示の実施例に則して詳細に説明する。図１には下方の犠牲層
、層、支持部材、第１のマスクおよび第１のトレンチが形成された第１の基板の
断面が示されている。図２には図１に続いて、上方の犠牲層の一部として第１の
構造体と第２のマスクとが形成され、第１のマスクの一部が除去された後の断面
が示されている。図３には図２に続いて、層の一部が除去され、上方の犠牲層の
一部として第２の構造体が形成された後の断面が示されている。図４には図３に
続いて、カバー層と中空室になる凹部とが上方の犠牲層および下方の犠牲層を除
去することにより形成された後の断面が示されている。図５にはマスク、トレン
チおよび第１の構造体が形成された後の第２の基板の断面が示されている。図６
には図５に続いて、第１のマスクが除去され、充填層、第２の構造体およびカバ
ー構造部が形成された後の断面が示されている。

【００３９】 第１の実施例では出発材料としてシリコンから成る第１の基板１が設けられて
いる。

【００４０】 下方の犠牲層Ｕを形成するためにＴＥＯＳプロセスで約１μｍの厚さのＳｉＯ _２ が第１の基板１上に堆積されてパターン化される（図１を参照）。ここでは下
方の犠牲層Ｕの一部に切欠が形成され、この切欠は第１の犠牲層１まで達してい
る。

【００４１】 下方の犠牲層Ｕの上方に材料層Ｓを形成するためにポリシリコンが厚さ約５μ
ｍで堆積される（図１を参照）。ここでは切欠が充填されて支持部材Ｔが発生す
る。第１のマスク２を形成するために、厚さ約２００ｎｍのＳｉＯ_２が堆積され
、フォトリソグラフィプロセスによりパターン化される。

【００４２】 第１のマスク２により凹部Ｖを形成すべき材料層Ｓの領域に、相互に並列に延
在する約１μｍの幅の第１のトレンチＧ１が形成される。。第１のトレンチＧ１
は相互に約１μｍの間隔を有している（図１を参照）。第１のトレンチＧ１は第
１の犠牲層Ｕに達しており、約５μｍの深さを有する。

【００４３】 続いてＴＥＯＳプロセスで約６００ｎｍの厚さのＳｉＯ２から成る第１の充填
層Ｆ１が堆積される。第１の充填層Ｆ１の一部は第１のトレンチＧ１を充填して
、第１の構造体Ｓ１を形成している（図２を参照）。第１の構造体Ｓ１の厚さは
ほぼ第１のトレンチＧ１の深さに相応する。

【００４４】 フォトレジストから成る第２のマスク３によって第１の充填層の凹部Ｖを形成
すべき部分の外側と第１の構造体Ｓ１とが覆われており、凹部Ｖを形成すべき領
域に設けられた充填層Ｆ１の部分が例えばフッ化水素酸により除去される（図２
を参照）。フォトレジストは第１の充填層のうち形成すべき凹部の位置する部分
と第１の構造体Ｓ１とをカバーする。続いて第２のマスク３が除去される。

【００４５】 例えばコリン（Cholin）を用いた高度に選択的なウェットエッチングによって
第１の構造体Ｓ１の間に第２のトレンチＧ２が形成される。これは材料層の露出
部分を第１の充填層Ｆ１に対して選択的に除去することにより行われる。

【００４６】 ＴＥＯＳプロセスでは約１μｍの厚さのＳｉＯ_２から成る第２の充填層が堆積
される。第２の充填層Ｆ２の一部は第２のトレンチＧ２を充填しており、第２の
構造体Ｓ２を形成している。第１の充填層Ｆ１および第２の充填層Ｆ２はともに
上方の犠牲層を形成している。第１のトレンチＧ１および第２のトレンチＧ２は
ともに凹部Ｖを形成している。凹部Ｖの底部は相互に接する第１の領域Ｂ１およ
び第２の領域Ｂ２を有しており、これらの領域ではそれぞれの部分が対向する縁
部を有しており、その相互間隔は数μｍよりも小さい。第１の領域Ｂ１の上方に
はそれぞれ１つずつ第１の構造体Ｓ１が配置されている。第２の領域Ｂ２の上方
にはそれぞれ１つずつ第２の構造体Ｓ２’が配置されている。第１のトレンチＧ
１の底部は第１の領域Ｂ１に一致する。第２のトレンチＧ２の底部は第２の領域
Ｂ２に一致する。凹部Ｖにより材料層Ｓから半導体構造体が形成され、この半導
体構造体は凹部によって側方を包囲される。半導体構造体は約５０μｍ幅、約５
０μｍ長さである。支持部材Ｔによりこの半導体構造体は第１の基板１に接合さ
れている。第２の充填層Ｆ２の上面は第２のトレンチＧ２の中心線に沿って延在
する溝を有する（図３を参照）。凹部Ｖは直径約７μｍの円形面に適合する水平
方向の断面を有している。

【００４７】 カバー構造部Ｄを形成するためにポリシリコンが約１μｍの厚さで堆積される
。カバー構造部Ｄは凹部Ｖの領域に稜状の突出部ａを有しており、この突出部は
溝内に延在している（図４を参照）。

【００４８】 下方へ向かって幅の狭くなる突出部ａは凹部Ｖの深さよりもはるかに小さく、
凹部Ｖの底部の第２の領域の上に配置されている。突出部ａは第２の領域Ｂ２の
中心線の延在にほぼ一致して延在している。

【００４９】 カバー構造部には開口部Ｏが形成され、この開口部を通してエッチングステッ
プで上方の犠牲層および下方の犠牲層Ｕが除去される。エッチング剤として例え
ば緩衝されたフッ化水素酸が適している。凹部Ｖは中空室の一部を形成しており
、この中空室はカバー構造部Ｄにより上方へ向かって制限される。半導体構造体
は振動により振動させられる。横方向の運動の自由度は約７μｍである。

【００５０】 この回路装置は例えばヨーレートセンサまたは加速度センサとして適している
。このために別の構成素子が第１の基板１に設けられている。

【００５１】 本発明の範囲内で実施例の多数の変形が可能である。構造体、層、および半導
体構造体の寸法はそのつどの要求に適合させることができる。前述のプロセスで
製造される凹部は別の回路装置に使用することもできる。この種の回路装置は例
えばマイクロフォン、温度センサ、気体または液体に対するポンプないしバルブ
、また集積された高周波数コイルなどである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 下方の犠牲層、層、支持部材、第１のマスクおよび第１のトレンチが形成され
た第１の基板の断面を示す図である。

【図２】 上方の犠牲層の一部として第１の構造体と第２のマスクとが形成され、第１の
マスクの一部が除去された後の断面を示す図である。

【図３】 層の一部が除去され、上方の犠牲層の一部として第２の構造体が形成された後
の断面を示す図である。

【図４】 カバー層と中空室になる凹部とが上方の犠牲層および下方の犠牲層を除去する
ことにより形成された後の断面を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F055 AA39 BB20 CC53 DD05 EE25 GG01 4M112 AA01 BA07 CA03 CA11 CA12 DA04 DA05 DA06 EA03 EA04 EA06 FA20 5D021 CC02 CC06 CC16

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 凹部（Ｖ）のために設けられた領域で材料層（Ｓ）から材料
   層（Ｓ）の一部を除去して凹部（Ｖ）の底部を露出させ、 第１の充填層（Ｆ１）をほぼコンフォーマルに堆積して該充填層の厚さを凹部
   （Ｖ）の深さの約１／２よりも小さくすることにより、除去部分を凹部（Ｖ）の
   充填物の一部に対して設けられた少なくとも１つの第１の構造体（Ｓ１）によっ
   て補充し、 材料層（Ｓ）の領域の残りの部分を除去し、 第２の充填層（Ｆ２）をほぼコンフォーマルに堆積して該充填層の厚さを凹部
   （Ｖ）の深さの約１／２よりも小さくすることにより、残りの部分を凹部（Ｖ）
   の充填物の別の部分に対して設けられた少なくとも１つの第２の構造体（Ｓ２）
   によって補充する、 ことを特徴とする充填される凹部（Ｖ）を材料層（Ｓ）内に形成する方法。
2. 【請求項２】 複数の第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）を
   形成する、請求項１記載の方法。
3. 【請求項３】 第１の構造体（Ｓ１）および第２の構造体（Ｓ２）を上方の
   犠牲層の一部として形成し、該上方の犠牲層の上にカバー構造部（Ｄ）を設け、
   該カバー構造部（Ｄ）に少なくとも１つの開口部（Ｏ）を形成して該開口部を使
   用しながら上方の犠牲層をエッチング剤で除去し、凹部（Ｖ）から中空室を形成
   する、請求項１または２記載の方法。
4. 【請求項４】 半導体基板（１）上に下方の犠牲層（Ｕ）を設けてパターン
   化し、該下方の犠牲層（Ｕ）の上に材料層（Ｓ）を設け、狭い凹部（Ｇ１）が下
   方の犠牲層（Ｕ）に達して材料層（Ｓ）を貫通するように該凹部を形成し、カバ
   ー構造部（Ｄ）の開口部（Ｏ）を使用しながら上方の犠牲層および下方の犠牲層
   （Ｕ）を除去し、凹部（Ｖ）から中空室の一部を形成し、該中空室は材料層（Ｓ
   ）の下方に位置する少なくとも１つの別の部分を有する、請求項３記載の方法。
5. 【請求項５】 材料層（Ｓ）に少なくとも数μｍの深さの凹部（Ｖ）が設け
   られており、該凹部は径数μｍの少なくとも１つの円形面に適合する水平方向の
   断面を有しており、 中空室の少なくとも一部を形成する凹部（Ｖ）の上方および外側にカバー構造
   部（Ｄ）が設けられ、 凹部（Ｖ）の底部は相互に接する複数の領域（Ｂ１、Ｂ２）を有しており、該
   領域はそれぞれ対向する縁部を有しており、該領域の相互間隔は数μｍよりも小
   さく、 凹部（Ｖ）に面したカバー構造部（Ｄ）の下面は下方へ向かって細くなる少な
   くとも１つの突出部（ａ）を有しており、該突出部は凹部（Ｖ）の深さよりも格
   段に小さく、かつ凹部（Ｖ）の底部の１つの領域（Ｂ２）上に配置されており、
   該突出部の延在状態は前記１つの領域（Ｂ２）の中心線の延在状態に一致してい
   る、 ことを特徴とする集積回路装置。
6. 【請求項６】 次のモジュールすなわち イ）横方向で発振可能な半導体構造体が中空室の一部を形成する凹部によって包
   囲されているヨーレートセンサまたは加速度センサ、 ロ）凹部がリアボリュームとして用いられ、カバー構造部が穿孔された電極とな
   っているマイクロフォン のうち少なくとも１つを有する、請求項５記載の集積回路装置。