JP2015114318A - 内蔵較正機能を有する圧力センサ - Google Patents
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Abstract
Description
SENSTEST=(PTEST−0−PTEST−1)/PAMB (1)
によって例示される。式中、PTEST−0はシール膜118が破られる前の未加工試験信号186であり、PTEST−1はシール膜118が破られた後の未加工試験信号196であり、PAMBは周囲圧力測定値190であり、SENSTESTは試験セル感度200である。
SENSSENSE≒SENSTEST (2)
によって例示することができる。しかしながら、実際には、この理想からの逸脱が存在することがあり、これによって、1つ以上のスケーリング係数C0および/または他の項を含めることが必要になる場合がある。その結果として、推定センスセル感度204を、例示的な次式:
SENSSENSE=C0*SENSTEST (3)
によって、より正確に推定することができる。 推定タスク202の後、推定センスセル感度204は、圧力センサ70の較正係数を計算するのに利用される。従って、較正プロセス180はタスク206によって継続する。タスク206において、測定回路174(図8)が、センスセル80を測定するように、すなわち、センスセル80(図5)から圧力読み値をとるように構成される。すなわち、測定回路174は、センス信号146(図4)を受信するように構成される。
β=f(PSENSE,SENSSENSE,PAMB) (4)
によって特徴付けられることができる。 上記で提示された説明から、計算された試験セル感度200(SENSTEST)に応答してセンスセル感度204(SENSSENSE)が推定されることが観察されるはずである。それゆえ、センスセル80の較正係数214が試験セル感度200に応答して求められるということになる。
Claims (20)
- 微小電気機械システム(MEMS)圧力センサであって、
センスセルと、
試験セルとを有し、前記センスセルおよび前記試験セルは共通の基板上に互いに近接して形成されており、前記試験セルは、試験キャビティと、前記試験キャビティと連通しているシール構造とを有し、前記センスセルおよび前記試験セルの各々は周囲圧力に対して感度を有し、前記試験キャビティは、前記シール構造が破られていないときは初期キャビティ圧力を呈し、前記シール構造が破られるときに前記初期キャビティ圧力が前記周囲圧力に変化する、
MEMS圧力センサ。 - 前記周囲圧力は大気圧であり、前記試験セルは、前記大気圧よりも大きい圧力刺激を加えることなく前記センスセルの感度を推定するのに利用される、請求項1に記載のMEMS圧力センサ。
- 当該MEMS圧力センサは、前記試験セルと連通している信号線をさらに有し、
前記試験セルは、前記シール構造が破られる前に前記周囲圧力に応答して前記信号線を介して第1のセンス信号を生成するように構成されており、
前記試験セルは、前記シール構造が破られた後に前記信号線を介して第2のセンス信号を生成するように構成されている、
請求項1に記載のMEMS圧力センサ。 - 前記センスセルはセンスキャビティを含み、前記センスキャビティおよび前記試験キャビティの各々は、前記シール構造が破られる前に前記初期キャビティ圧力を呈する、請求項1に記載のMEMS圧力センサ。
- 前記初期キャビティ圧力はほぼ真空である、請求項4に記載のMEMS圧力センサ。
- 前記センスセルはセンスキャビティを含み、前記試験キャビティは、前記センスセルの前記センスキャビティから物理的に分離されている、請求項1に記載のMEMS圧力センサ。
- 前記シール構造は、
シール構造キャビティを生成するように、下に位置する前記基板から離間されているシール膜と、
前記試験キャビティと前記シール構造キャビティとの間に置かれているチャネルとを有し、
前記試験キャビティ内の前記初期キャビティ圧力を前記周囲圧力に変化させるために前記シール膜が破られる、
請求項1に記載のMEMS圧力センサ。 - 前記センスセルは、センスキャビティを生成するように、前記基板の上に重なって前記基板から離間されているセンスダイヤフラムを含み、
前記試験セルは、前記試験キャビティを生成するように、前記基板の上に重なって前記基板から離間されている試験ダイヤフラムを含み、
前記センスダイヤフラム、前記試験ダイヤフラム、および前記シール膜は共通の構造層内に形成されている、
請求項7に記載のMEMS圧力センサ。 - 前記基板上に形成されているセンスセルのセットであって、前記センスセルのセットは前記センスセルを含む、センスセルのセットと、
前記基板上に形成されている試験セルのセットであって、前記試験セルのセットは前記試験セルを含む、試験セルのセットと、
をさらに有する請求項1に記載のMEMS圧力センサ。 - 前記試験セルのセットは前記センスセルのセットとインターリーブ構成で配置されている、請求項9に記載のMEMS圧力センサ。
- 前記試験セルのセット内の前記試験セルの各々は、前記試験キャビティを有し、前記シール構造は前記試験キャビティの各々と連通しており、それによって、前記シール構造が破られるとき、各前記試験キャビティ内の前記初期キャビティ圧力が前記周囲圧力に変化する、請求項9に記載のMEMS圧力センサ。
- 基板上に微小電気機械システム(MEMS)圧力センサのセンスセルを形成するステップであって、前記センスセルはセンスキャビティを有する、センスセルを形成するステップと、
前記センスセルに近接して、前記基板上に前記MEMS圧力センサの試験セルを形成するステップであって、前記試験セルは試験キャビティを有し、前記センスキャビティおよび試験キャビティの各々は初期キャビティ圧力を呈し、前記試験キャビティは前記センスキャビティから物理的に分離され、前記センスセルおよび試験セルの各々は周囲圧力に対して感度を有する、試験セルを形成するステップと、
前記試験キャビティと連通するシール構造を形成するステップであって、前記シール構造は、前記センスキャビティは前記初期キャビティ圧力のままで、前記試験キャビティ内の前記初期キャビティ圧力を前記周囲圧力に変化させるために破られるように構成される、シール構造を形成するステップと、
を有する方法。 - 前記シール構造を形成するステップは、
シール構造キャビティを生成するように、前記基板の上に重なって前記基板から離間されるシール膜を形成するステップと、
前記試験キャビティと前記シール構造キャビティとの間に置かれるチャネルを形成するステップと
を有する、請求項12に記載の方法。 - 前記センスセルを形成するステップは、前記センスキャビティを生成するように、前記基板の上に重なって前記基板から離間されるセンスダイヤフラムを形成するステップを含み、
前記試験セルを形成するステップは、前記試験キャビティを生成するように、前記基板の上に重なって前記基板から離間される試験ダイヤフラムを形成するステップを含み、
前記センスダイヤフラム、前記試験ダイヤフラム、および前記シール膜は共通の構造層内に形成される、
請求項13に記載の方法。 - 前記周囲圧力に応答して前記試験セルの電極と試験ダイヤフラムとの間で第1のセンス信号を取得するステップと、
前記シール膜を破って、前記試験キャビティ内の前記初期キャビティ圧力を前記周囲圧力に変化させるステップと、
前記破る処理の後に前記電極と前記試験ダイヤフラムとの間で第2のセンス信号を取得するステップと、
をさらに有する請求項13に記載の方法。 - 前記第1のセンス信号および前記第2のセンス信号を使用して前記試験セルの試験セル感度を計算するステップと、
前記試験セル感度を使用して前記センスセルの感度を推定するステップと、
をさらに有する請求項15に記載の方法。 - 周囲圧力に応答して微小電気機械システム(MEMS)圧力センサの試験セルのセンス電極と試験ダイヤフラムとの間で第1のセンス信号を取得するステップであって、前記試験セルは、前記センス電極が中に位置する試験キャビティを含み、前記試験キャビティは初期キャビティ圧力を呈する、取得するステップと、
前記試験キャビティ内の前記初期キャビティ圧力を前記周囲圧力に変化させるステップと、
前記変化させる処理の後に前記センス電極と前記試験ダイヤフラムとの間で第2のセンス信号を取得するステップと、
を有する方法。 - 前記第1のセンス信号および前記第2のセンス信号を使用して前記試験セルの試験セル感度を計算するステップと、
前記試験セル感度を使用して前記MEMS圧力センサのセンスセルの感度を推定するステップであり、前記周囲圧力は大気圧であり、前記推定する処理は、前記大気圧よりも大きい圧力刺激を加えることなく実行される、ステップと、
を更に有する請求項17に記載の方法。 - 前記MEMS圧力センサのセンスセルおよび前記試験セルは互いに近接して1つの基板上に形成され、前記変化させる処理は、前記センスセルのセンスキャビティ内の前記初期キャビティ圧力を前記周囲圧力に変化させない、請求項17に記載の方法。
- 前記変化させる処理は、前記試験ダイヤフラムを破られていないままにする、請求項17に記載の方法。
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---|---|---|---|
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---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113227741A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-06 | 罗伯特·博世有限公司 | 微机械传感器装置和用于制造微机械传感器装置的方法 |
JP2022514294A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Mems素子内の通路の封鎖方法 |
JP2022514297A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロメカニカル部品およびマイクロメカニカル部品のための製造方法 |
JP2022514291A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | ダイアフラムを備えたmemsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9513184B2 (en) * | 2014-06-11 | 2016-12-06 | Ams International Ag | MEMS device calibration |
CN104865453B (zh) * | 2015-06-12 | 2019-07-09 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法 |
US9550667B1 (en) | 2015-09-08 | 2017-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufactruing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
DE102016200699A1 (de) * | 2016-01-20 | 2017-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für eine Detektionsvorrichtung und Detektionsvorrichtungen |
IT201600081649A1 (it) * | 2016-08-03 | 2018-02-03 | Kolektor Microtel S P A | Sensore di pressione piezoresistivo munito di resistore di calibrazione dell’offset |
US11378468B2 (en) | 2016-08-12 | 2022-07-05 | Brightsentinel Limited | Sensor module and process for producing same |
JP6654157B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2020-02-26 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
US10996125B2 (en) * | 2017-05-17 | 2021-05-04 | Infineon Technologies Ag | Pressure sensors and method for forming a MEMS pressure sensor |
CN108318218B (zh) * | 2018-05-14 | 2024-01-16 | 中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所 | 一种用于低速风洞的柔性薄膜式多测点压力测量带 |
JP7245639B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-03-24 | 株式会社アドバンテスト | センサ試験装置 |
TWI753713B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 具校正功能之壓力感測器及其校正方法 |
CN113697760B (zh) * | 2021-08-25 | 2023-07-18 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种隔离封装自补偿谐振压力敏感芯片探头及其封装方法 |
CN113816330B (zh) * | 2021-08-25 | 2023-08-04 | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 | 一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04151531A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサの測定方法 |
JPH05145086A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Nippondenso Co Ltd | 集積化圧力センサ用圧力調整装置 |
JPH0933374A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Yokogawa Electric Corp | 半導体差圧測定装置 |
JP2000214035A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
JP2001235381A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
JP2003315196A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法およびその製造方法に用いる測定装置 |
US20100050776A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Marco Fuhrmann | Pressure sensor featuring offset cancellation and method of making |
JP2010534323A (ja) * | 2007-07-23 | 2010-11-04 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 測定セル構造を較正する方法、および作動させる方法 |
US20120012949A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-19 | Bernhard Winkler | Pressure sensor package systems and methods |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5672808A (en) * | 1996-06-11 | 1997-09-30 | Moore Products Co. | Transducer having redundant pressure sensors |
DE10131405A1 (de) * | 2001-06-28 | 2003-03-13 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Vorrichtung mit vorausschauender Korrosionsüberwachung |
JP2004177343A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Fujikura Ltd | 圧力センサ |
JP3847281B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2006-11-22 | 株式会社山武 | 圧力センサ装置 |
US7043960B1 (en) | 2004-06-17 | 2006-05-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Self-calibrating pressure transducer |
US7137301B2 (en) | 2004-10-07 | 2006-11-21 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor |
US7089790B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-08-15 | Silverbrook Research Pty Ltd | Pressure sensor with laminated membrane |
US7216048B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-05-08 | Honeywell International Inc. | Calibrated pressure sensor |
US20070243662A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-18 | Johnson Donald W | Packaging of MEMS devices |
FR2919486B1 (fr) | 2007-07-31 | 2009-10-02 | Captomed Entpr Unipersonnelle | Capteur de pression auto-etalonnable. |
US8963262B2 (en) * | 2009-08-07 | 2015-02-24 | Massachusettes Institute Of Technology | Method and apparatus for forming MEMS device |
US8530981B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe-based premolded package having acoustic air channel for micro-electro-mechanical system |
US8316718B2 (en) * | 2010-08-23 | 2012-11-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS pressure sensor device and method of fabricating same |
CN102183335B (zh) * | 2011-03-15 | 2015-10-21 | 迈尔森电子(天津)有限公司 | Mems压力传感器及其制作方法 |
DE102012021413B4 (de) * | 2012-10-30 | 2016-06-02 | Infineon Technologies Ag | Sensor mit Maskierung |
-
2013
- 2013-12-06 US US14/099,149 patent/US9285289B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-11-13 JP JP2014230684A patent/JP6461566B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-18 CN CN201410655567.2A patent/CN104697703B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04151531A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサの測定方法 |
JPH05145086A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Nippondenso Co Ltd | 集積化圧力センサ用圧力調整装置 |
JPH0933374A (ja) * | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Yokogawa Electric Corp | 半導体差圧測定装置 |
JP2000214035A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法 |
JP2001235381A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Hitachi Ltd | 半導体圧力センサ |
JP2003315196A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Denso Corp | 圧力センサの製造方法およびその製造方法に用いる測定装置 |
JP2010534323A (ja) * | 2007-07-23 | 2010-11-04 | インフィコン ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 測定セル構造を較正する方法、および作動させる方法 |
US20100050776A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Marco Fuhrmann | Pressure sensor featuring offset cancellation and method of making |
US20120012949A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-19 | Bernhard Winkler | Pressure sensor package systems and methods |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113227741A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-08-06 | 罗伯特·博世有限公司 | 微机械传感器装置和用于制造微机械传感器装置的方法 |
JP2022514294A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Mems素子内の通路の封鎖方法 |
JP2022514297A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロメカニカル部品およびマイクロメカニカル部品のための製造方法 |
JP2022514292A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロメカニカルセンサ機構およびマイクロメカニカルセンサ機構の製造方法 |
JP2022514291A (ja) * | 2018-12-21 | 2022-02-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | ダイアフラムを備えたmemsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
JP7083431B2 (ja) | 2018-12-21 | 2022-06-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロメカニカル部品およびマイクロメカニカル部品のための製造方法 |
JP7083430B2 (ja) | 2018-12-21 | 2022-06-10 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | ダイアフラムを備えたmemsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
JP7084555B2 (ja) | 2018-12-21 | 2022-06-14 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | マイクロメカニカルセンサ機構およびマイクロメカニカルセンサ機構の製造方法 |
JP7223853B2 (ja) | 2018-12-21 | 2023-02-16 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | Mems素子内の通路の封鎖方法 |
US11840445B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-12-12 | Robert Bosch Gmbh | MEMS sensor including a diaphragm and method for manufacturing a MEMS sensor |
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